JP5693710B2 - 高周波パッケージ - Google Patents

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Description

本発明は、高周波パッケージに関する。
従来の高周波パッケージの構成は、例えば特許文献１に開示されるように、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板と、第１の誘電体基板の裏面表層に実装された高周波素子と、表面表層に信号配線と接地導体を有する第２の誘電体基板と、接続導体で構成され、高周波素子は第１の誘電体基板の裏面表層に実装され、高周波素子を第１の誘電体基板の裏面表層と第２の誘電体基板の表面表層とで挟みこむように構成され、接続導体が高周波素子を囲むように第１および第２の誘電体基板の接地導体間で接続され、遮蔽空間を有している。
国際公開第２０１０／０２６９９０号
しかしながら、上記従来の技術によれば、高周波素子の１辺のサイズが基本周波数の１／２波長と近い大きさになった場合、空洞共振周波数が基本周波数近傍に発生する。このため、高周波素子がアクティブ素子であった場合、端子間のアイソレーションが確保できず、発振してしまうという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、端子間のアイソレーションが改善した高周波パッケージを得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、裏面に信号配線と接地導体を設けた第１の誘電体基板と、第１の誘電体基板の裏面に第１接続導体を介して接続された高周波素子と、前記裏面と前記高周波素子を挟み込んで対向する表面に信号配線と接地導体を設けた第２の誘電体基板と、前記高周波素子を囲むように配置され、第１の誘電体基板の裏面の接地導体と第２の誘電体基板の表面の接地導体とを接続する複数の第２接続導体とを備え、前記第２の誘電体基板の表面の高周波素子の下部に、導体パターンで囲まれた誘電体空間が形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、端子間のアイソレーションが改善した高周波パッケージを得るという効果を奏する。
図１は、本発明の実施の形態１にかかる高周波パッケージの回路構成を示す図である。 図２は、本発明の実施の形態２にかかる高周波パッケージの回路構成を示す図である。 図３−１は、誘電体空間が無い場合の端子間アイソレーションの計算結果を示す図である。 図３−２は、本発明の実施の形態１にかかる誘電体空間が有る場合の端子間アイソレーションの計算結果を示す図である。
以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる高周波パッケージ１００の回路構成を示す図である。高周波パッケージ１００は、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板１０、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装された高周波素子２０、表面表層に信号配線と接地導体３０を有し、導体からなるビア５０および内層パターン５１で周りを囲まれて構成された誘電体空間６０を有する第２の誘電体基板１１、第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０間を接続する接続導体であるはんだボール４１を備える。
実施の形態１にかかる高周波パッケージ１００の動作について説明する。高周波素子２０は、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装されている。また、高周波素子２０は第１の誘電体基板１０と第２の誘電体基板１１で挟みこむように囲まれ、さらにはんだボール４１が高周波素子２０を囲むように第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０の間で接続され、遮蔽空間を有している。
ここで、第２の誘電体基板１１の高周波素子２０の下部には、導体であるビア５０および内層パターン５１で囲まれて構成される誘電体空間６０が構成されている。このため、遮蔽空間内の実効的な誘電率は誘電体空間６０の誘電率分だけ大きくなり、空洞共振周波数は低い周波数にずれることで端子間のアイソレーションが改善することになる。
図３−１に誘電体空間が無い場合の端子間アイソレーションの計算結果を、図３−２に誘電体空間が有る場合の端子間アイソレーションの計算結果をそれぞれ示す。図３−１および図３−２を比較することで、本実施の形態による誘電体空間の存在により端子間アイソレーションが改善されることがわかる。
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２にかかる高周波パッケージ２００の回路構成を示す図である。高周波パッケージ２００は、裏面表層に信号配線と接地導体を有する第１の誘電体基板１０、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装された高周波素子２０、表面表層に信号配線と接地導体３０を有し、導体からなるビア５０および内層パターン５１で周りを囲まれたキャビティ空間７０を有する第２の誘電体基板１１、第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０間を接続する接続導体であるはんだボール４１を備える。
実施の形態２にかかる高周波パッケージ２００の動作について説明する。高周波素子２０は、接続導体４０を介して第１の誘電体基板１０に実装されている。また、高周波素子２０は第１の誘電体基板１０と第２の誘電体基板１１で挟みこむように囲まれ、さらにはんだボール４１が高周波素子２０を囲むように第１の誘電体基板１０および第２の誘電体基板１１の接地導体３０の間で接続され、遮蔽空間を有している。
ここで、第２の誘電体基板１１の高周波素子２０の下部には、導体であるビア５０および内層パターン５１で囲まれたキャビティ空間７０が構成されている。このため、遮蔽空間内の実効的な誘電率はキャビティ空間７０の誘電率分だけ小さくなり、空洞共振周波数が高い周波数にずれることで端子間のアイソレーションが改善することになる。
更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。
例えば、上記実施の形態１および２それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態１および２にわたる構成要件を適宜組み合わせてもよい。
以上のように、本発明にかかる高周波パッケージは、端子間のアイソレーションに有用であり、特に、高周波素子がアクティブ素子であった場合に適している。
１０ 第１の誘電体基板
１１ 第２の誘電体基板
２０ 高周波素子
３０ 接地導体
４０ 接続導体
４１ はんだボール
５０ ビア
５１ 内層パターン
６０ 誘電体空間
７０ キャビティ空間
１００、２００ 高周波パッケージ

Claims (1)

  1. 裏面に信号配線と第１接地導体を設けた第１の誘電体基板と、
    前記第１の誘電体基板の前記裏面に第１接続導体を介して接続された高周波素子と、
    前記裏面と前記高周波素子および遮蔽空間を挟み込んで対向する表面に信号配線と第２接地導体を設けた第２の誘電体基板と、
    前記遮蔽空間を介して前記高周波素子を囲むように前記第１接地導体と前記第２接地導体とを接続する複数の第２接続導体と、
    を備え、
    前記第２の誘電体基板の前記表面の前記遮蔽空間に接して前記高周波素子に対向する領域には、前記高周波素子に対向する面を除いて周りを導体のパターンで囲まれた誘電体空間が形成され、
    前記導体のパターンは前記第２接地導体に接続されている
    ことを特徴とする高周波パッケージ。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3598484B1 (en) 2008-09-05 2021-05-05 Mitsubishi Electric Corporation High-frequency circuit package and sensor module
JP6274917B2 (ja) * 2014-03-11 2018-02-07 三菱電機株式会社 高周波パッケージ
TWI570854B (zh) 2015-08-10 2017-02-11 頎邦科技股份有限公司 具中空腔室之半導體封裝結構及其下基板及製程
TWI663701B (zh) * 2017-04-28 2019-06-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
WO2024084556A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 三菱電機株式会社 高周波半導体パッケージ

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187549A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Lucent Technol Inc Ｒｆ・ｉｃパッケージ
JP2001135775A (ja) * 1999-09-22 2001-05-18 Lucent Technol Inc 集積回路マルチチップモジュールパッケージ
JP2003163304A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Mitsubishi Electric Corp 高周波パッケージ
JP2006210530A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Sony Corp 機能素子体及びその製造方法並びに回路モジュール
WO2007058280A1 (ja) * 2005-11-16 2007-05-24 Kyocera Corporation 電子部品封止用基板および複数個取り形態の電子部品封止用基板、並びに電子部品封止用基板を用いた電子装置および電子装置の製造方法
JP2010258137A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Panasonic Corp 高周波モジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3609935B2 (ja) * 1998-03-10 2005-01-12 シャープ株式会社 高周波半導体装置
US6137693A (en) * 1998-07-31 2000-10-24 Agilent Technologies Inc. High-frequency electronic package with arbitrarily-shaped interconnects and integral shielding
US6486534B1 (en) * 2001-02-16 2002-11-26 Ashvattha Semiconductor, Inc. Integrated circuit die having an interference shield
US6998292B2 (en) * 2001-11-30 2006-02-14 Vitesse Semiconductor Corporation Apparatus and method for inter-chip or chip-to-substrate connection with a sub-carrier
JP3858854B2 (ja) * 2003-06-24 2006-12-20 富士通株式会社 積層型半導体装置
US7613010B2 (en) * 2004-02-02 2009-11-03 Panasonic Corporation Stereoscopic electronic circuit device, and relay board and relay frame used therein
US7514774B2 (en) * 2006-09-15 2009-04-07 Hong Kong Applied Science Technology Research Institute Company Limited Stacked multi-chip package with EMI shielding
JP4833192B2 (ja) * 2007-12-27 2011-12-07 新光電気工業株式会社 電子装置
EP3598484B1 (en) 2008-09-05 2021-05-05 Mitsubishi Electric Corporation High-frequency circuit package and sensor module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187549A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Lucent Technol Inc Ｒｆ・ｉｃパッケージ
JP2001135775A (ja) * 1999-09-22 2001-05-18 Lucent Technol Inc 集積回路マルチチップモジュールパッケージ
JP2003163304A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Mitsubishi Electric Corp 高周波パッケージ
JP2006210530A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Sony Corp 機能素子体及びその製造方法並びに回路モジュール
WO2007058280A1 (ja) * 2005-11-16 2007-05-24 Kyocera Corporation 電子部品封止用基板および複数個取り形態の電子部品封止用基板、並びに電子部品封止用基板を用いた電子装置および電子装置の製造方法
JP2010258137A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Panasonic Corp 高周波モジュールおよびその製造方法

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Publication number Publication date
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US20140085858A1 (en) 2014-03-27
US9693492B2 (en) 2017-06-27
CN103460377B (zh) 2017-09-22

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