JP6399994B2 - 高周波パッケージ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波パッケージの構成を示す図である。実施の形態1に係る高周波パッケージ20では、モノリシックマイクロ波集積回路3が実装される積層基板は、第1の積層基板1である。高周波パッケージ20は、第1の積層基板1にモノリシックマイクロ波集積回路3が搭載されており、第1の積層基板1と第2の積層基板2とは、はんだバンプ10を介して重ねられている。モノリシックマイクロ波集積回路3を動作させるバイアス信号は、第2の積層基板2から信号用パターン13、信号用ビア11、はんだバンプ10、信号用ビア6、信号用パターン8及びワイヤ5を介してモノリシックマイクロ波集積回路3に供給される。すなわち、モノリシックマイクロ波集積回路3を動作させるバイアス信号は、第1の積層基板1及びリッド4で構成されたパッケージの外から供給される。なお、バイアス信号を供給する上記の経路は、シールド用ビア7、シールド用パターン9、シールド用ビア12及びシールド用パターン14によりシールドされている。
図2は、本発明の実施の形態2に係る高周波パッケージの構成を示す図である。実施の形態2に係る高周波パッケージ30は、第1の積層基板1にモノリシックマイクロ波集積回路3が搭載されており、第1の積層基板1と第2の積層基板2とは、はんだバンプ10を介して重ねられている。モノリシックマイクロ波集積回路3を動作させるバイアス信号が、第2の積層基板2から信号用パターン13、信号用ビア11、はんだバンプ10、信号用ビア6、信号用パターン8及びワイヤ5を介してモノリシックマイクロ波集積回路3に供給される構造は、実施の形態1と同様である。しかし、実施の形態2では、第1のスタブビア16は、第1の積層基板1の複数の層に跨がって形成されており、第1の積層基板1の裏面1Rに達し、裏面パターン19を介してはんだバンプ10に接続されている。第1のスタブビア16に接続されたはんだバンプ10は、第2の積層基板2側では、表面パターン21を介して第2のスタブビア17に接続されている。
Claims (4)
- 積層基板に実装されたモノリシックマイクロ波集積回路を有する高周波パッケージであって、
前記モノリシックマイクロ波集積回路を動作させるバイアス信号を伝える信号用パターンから分岐するスタブビアを有し、
前記スタブビアの長さは、前記モノリシックマイクロ波集積回路の使用周波数の波長の4分の1であることを特徴とする高周波パッケージ。 - 前記スタブビアが前記積層基板の複数の層に跨がって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の高周波パッケージ。
- モノリシックマイクロ波集積回路が実装された第1の積層基板と、
はんだバンプを介して前記第1の積層基板が重ねられた第2の積層基板とを有し、
前記第1の積層基板は、前記モノリシックマイクロ波集積回路に信号を伝える信号用パターンから分岐する第1のスタブビアを備え、
前記第2の積層基板は、前記はんだバンプを介して前記第1のスタブビアと導通した第2のスタブビアを備え、
前記第1のスタブビア及び前記第2のスタブビアの長さの合計は、前記モノリシックマイクロ波集積回路の使用周波数の波長の4分の1であることを特徴とする高周波パッケージ。 - 前記第1のスタブビアは、前記第1の積層基板の複数の層に跨がって設けられていることを特徴とする請求項3に記載の高周波パッケージ。
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2015239242A JP6399994B2 (ja) | 2015-12-08 | 2015-12-08 | 高周波パッケージ |
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