JP5609022B2

JP5609022B2 - 金属錯体の残基を含む高分子化合物及びそれを用いた素子

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Publication number: JP5609022B2
Application number: JP2009145141A
Authority: JP
Inventors: 喜彦秋野; 玲岡村
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2008-06-23
Filing date: 2009-06-18
Publication date: 2014-10-22
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Description

本発明は、金属錯体の残基を含む高分子化合物並びにこれらを含む素子に関する。

エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いる発光材料として、様々な金属錯体が用いられている。そして、その金属錯体の構造を高分子の繰り返し単位として用いた発光材料も提案されている。例えば、イリジウムを中心金属としたオルトメタル化錯体（Ir(ppy)₃：Tris-Ortho-Metalated Complex of Iridium(III) with 2-Phenylpyridine）の構造とフルオレンジイル基とを繰り返し単位としてもつ高分子化合物が提案されている（特許文献１）。

特開２００３−７３４７９号公報

しかし、前記高分子化合物は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた素子が得られるものではなかった。
そこで、本発明は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れた素子が得られる高分子化合物等を提供することを目的とする。

本発明は第一に、下記式（１）：

［式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（２）：

で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒ^x及びＲ^yは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。モノアニオン性の２座配位子が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。］
で表される金属錯体の残基と、
下記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）：

［式中、＃は結合手を表す。Ｙ¹は、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ¹¹）−、−Ｓｉ（Ｒ¹²）（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹⁴）−、−Ｐ（Ｒ¹⁵）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ¹⁶）−を表す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。］
で表される２価の基とを含む高分子化合物を提供する。
本発明は第二に、前記高分子化合物を含む組成物、膜、及び素子を提供する。
本発明は第三に、前記素子を用いた面状光源、及び照明を提供する。
本発明は第四に、下記式（５）：

［式中、Ｗ¹は重合反応性基を表す。ｍ¹は１〜３の整数であり、ｍ²は０〜２の整数である。Ｗ¹が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。］
で表される金属錯体と、
下記式（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）又は（６−５）：

［式中、Ｗ²は重合反応性基を表す。複数存在するＷ²は、同一であっても異なっていてもよい。Ｙ¹は、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ¹¹）−、−Ｓｉ（Ｒ¹²）（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹⁴）−、−Ｐ（Ｒ¹⁵）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ¹⁶）−を表す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。］
で表される化合物とを反応させることを含む、前記式（１）で表される金属錯体の残基と、前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基とを含む高分子化合物の製造方法を提供する。
本発明は第五に、下記式（１１ａ）又は（１１ｂ）：

［式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸及びＲ’は、前記と同じ意味を有する。Ａはアリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ’及びＡは、各々、同一であっても異なっていてもよい。］
で表される化合物を提供する。
本発明は第六に、下記式（１２）：

［式中、Ｗ³は重合反応性基を表す。複数存在するＷ³は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ’は、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基を有する２価の芳香族基、又は酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる原子と、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基とを有する２価の複素環基を表す。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ⁶⁸）（Ｒ⁶⁹）−、Ｎ（Ｒ⁷⁰）−、−Ｂ（Ｒ⁷¹）−、−Ｐ（Ｒ⁷²）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷³）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。Ｍ³は、前記式（１）で表される金属錯体の１価の残基を表す。Ｌ及びＭ³は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。］
で表される化合物を提供する。

本発明の高分子化合物等は、エレクトロルミネッセンス素子等の製造に用いた場合、発光効率が優れたエレクトロルミネッセンス素子等が得られる。また、好ましい実施形態においては、駆動電圧が低いという効果を奏する。したがって、本発明の高分子化合物等は、発光素子（例えば、エレクトロルミネッセンス素子）、光電素子等の素子の製造に特に有用である。

以下、本発明を詳細に説明する。なお、本明細書中の構造式において、破線で示される結合は、配位結合を示す。
＜高分子化合物＞
まず、本発明の高分子化合物について説明する。
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される金属錯体の残基と前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基とを含む高分子化合物であるが、前記式（１）で表される金属錯体の残基と前記式（３−１）で表される基とを含む高分子化合物が好ましい。また、高分子化合物の溶解性、導電性及び合成の容易さの観点から、本発明の高分子化合物において、前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基や、後述の式（４）で表される基は、繰り返し単位として含むことが好ましい。さらに、高分子化合物の合成の容易さ及び発光素子に用いた時の発光効率の観点から、前記式（１）で表される金属錯体の残基は、繰り返し単位に含まれることが好ましい。

本発明の高分子化合物において、「前記式（１）で表される金属錯体の残基」：「前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基」の重量比は、高発光効率、発光色及び導電性の観点から、１：２〜１：１０００であることが好ましく、１：３〜１：４００であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（１）で表される金属錯体の残基の割合は、高発光効率の観点から、本発明の高分子化合物の０．０１〜５０重量％であることが好ましく、０．０１〜２５重量％であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基の割合は、導電性の観点から、本発明の高分子化合物の１０〜９９．９９重量％であることが好ましく、５０〜９９．９９重量％であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（１）で表される金属錯体が繰り返し単位に含まれる場合、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位の割合は、高分子化合物の合成のし易さ、高発光効率の観点から、本発明の高分子化合物の０．０１〜５０重量％であることが好ましく、０．０１〜３０重量％であることがより好ましく、０．０１〜２５重量％であることが特に好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基を繰り返し単位として含む場合、該繰り返し単位の割合は、合成のし易さ、導電性の観点から、本発明の高分子化合物の１０〜９９．９９重量％であることが好ましく、３０〜９９．９９重量％であることがより好ましく、５０〜９９．９９重量％であることが特に好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（１）で表される金属錯体の残基、前記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）で表される２価の基は、それぞれ、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。

本発明の高分子化合物は、非共役系高分子であっても共役系高分子であってもよいが、導電性の観点から共役系高分子が好ましい。前記共役系高分子とは、主鎖における全結合の８０〜１００％、特には８５〜１００％、とりわけ９０〜１００％が共役している高分子化合物を意味し、主鎖に芳香環を含む共役系高分子が好ましい。

本発明の高分子化合物は、発光素子に用いた時の発光効率や寿命等の素子特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸が好ましく、１×１０⁴〜１×１０⁷がより好ましい。

−金属錯体−
本明細書において、金属錯体の残基は、金属錯体からｋ個（ｋは１以上の整数）の水素原子を取り除いた残りの原子団（ｋ価の基）を意味する。例えば、前記式（１）で表される金属錯体の残基は、前記式（１）で表される金属錯体からｋ個の水素原子を取り除いた残りの原子団（ｋ価の基）を意味し、好ましくは１〜３価の基（即ち、ｋが１〜３の整数）である。

前記式（１）で表される金属錯体は、Ｍで表される金属原子、添え字ｍでその数を定義されている配位子（以下、「２座キレート配位子」と言うことがある。）と、添え字ｎでその数を定義されている前記式（２）で表されるモノアニオン性の２座配位子（以下、「モノアニオン性の２座配位子」と言うことがある。）から構成されている。なお、以下において、単に「配位子」という場合には、前記２座キレート配位子と、前記モノアニオン性の２座配位子の両方の配位子を意味する。

前記式（１）中、ｍは１〜３の整数である。
前記式（１）中、ｎは０〜２の整数であり、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
但し、ｍ＋ｎは中心金属Ｍに結合できる配位子の合計数である。例えば、中心金属がイリジウムである場合、ｍ＝１かつｎ＝２、ｍ＝２かつｎ＝１、又はｍ＝３かつｎ＝０であり、好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０、又はｍ＝２かつｎ＝１であり、より好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０である。

前記式（１）中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のうち少なくとも２個が窒素原子であるが、好ましくは２個又は３個が窒素原子である。前記式（１）で表される金属錯体としては、これら複数存在する窒素原子が隣接しない（即ち、隣接位に存在しない）組み合わせである金属錯体が特に好ましく、具体的には、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のうち２個又は３個が窒素原子であり、かつ、窒素原子が隣接しない金属錯体である。また、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子が置換基で置換されていてもよい。

前記式（１）で表される金属錯体は、金属錯体の安定性、合成の容易さ、発光効率の観点から、好ましくは下記式（１ａ）又は（１ｂ）：

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴、Ｚ⁵及びｍは、前記と同じ意味を有する。ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、１又は２である。］
で表される金属錯体であり、より好ましくは前記式（１ａ）で表される金属錯体である。但し、前記式（１ｂ）において、ｍ’＋ｎ’は、中心金属Ｍに結合できる配位子の合計数である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸で表される原子、基は、後述のＲとして説明し例示するものと同じである。

前記式（１）で表される金属錯体は、発光色の調整のし易さの観点から、前記Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表す金属錯体が好ましい。この金属錯体において、Ｒ³及びＲ⁴、又はＲ⁵及びＲ⁶は結合して環を形成していてもよい。

前記式（１）で表される金属錯体は、発光特性の観点から、下記式（７−１）〜（７−６）、（１ｃ）、（１ｄ）で表される金属錯体が好ましく、下記式（１ｃ）、（１ｄ）で表される金属錯体がより好ましい。

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、ｍ、ｎ及び前記式（２）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、前記と同じ意味を有する。Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。］

前記式（７−１）〜（７−６）、（１ｃ）、（１ｄ）中、Ｒ’で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基は、後述のＲとして説明し例示するものと同じである。

金属錯体を構成する配位子は、金属錯体の発光色、発光強度、発光効率等に影響を与える。したがって、金属錯体としては、配位子内におけるエネルギー失活過程を最少にする配位子を有する金属錯体が好ましい。さらに、配位子の有する置換基の種類及び／又は置換位置は、配位子の電子的特性に影響を及ぼすので、金属錯体の特性に影響を与える。以上の観点から、本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される金属錯体の残基を有することにより、発光効率の高い高分子化合物となると考えられる。

前記金属錯体において、前記式（１ｃ）又は前記式（１ｄ）で表され、かつ、ｎが０であることが好ましい。さらに、前記式（１ｃ）で表され、かつ、ｎが０であることがより好ましい。

前記金属錯体の中心金属となる金属原子Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子であり、好ましくは、オスミウム、イリジウム、白金であり、より好ましくは、イリジウム、白金であり、特に好ましくは、イリジウムである。これらの金属原子は、金属錯体にスピン−軌道相互作用を及ぼし、一重項状態と三重項状態間の系間交差を起こし得る。

前記式（１）、前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される金属錯体において、前記２座キレート配位子としては、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基である。＊は金属原子Ｍと結合する部位を表す。複数存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。］

前記Ｒで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が例示される。

前記Ｒで表されるアルキル基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルキル基の炭素数は、通常、１〜１０である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

前記Ｒで表されるアルコキシ基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルコキシ基の炭素数は、通常、１〜１０である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアルキルチオ基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルキルチオ基の炭素数は、通常、１〜１０である。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリール基は、炭素数が、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリール基としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（「Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基（「Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。ここで、アリール基とは、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団である。この芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。さらに、該アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基等が挙げられる。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が例示される。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。

前記Ｒで表されるアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が例示される。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。

アリールチオ基は、炭素数が、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリールアルキル基は、炭素数が、通常、７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキル基としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリールアルコキシ基は、炭素数が、通常、７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルコキシ基としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリールアルキルチオ基は、炭素数が、通常、７〜６０であり、好ましくは７〜４８である。アリールアルキルチオ基としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアシル基は、炭素数が、通常、２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が例示される。

前記Ｒで表されるアシルオキシ基は、炭素数が、通常、２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が例示される。

前記Ｒで表されるアミド基は、炭素数が、通常、２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。アミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が例示される。

前記Ｒで表される酸イミド基とは、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を１個除いて得られる１価の残基を意味する。この酸イミド基は、炭素数が、通常、２〜６０であり、好ましくは２〜４８である。酸イミド基としては、以下の構造式で示される基が例示される。

［式中、窒素原子から延びた線は結合手を表し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはｎ−プロピル基を表す。以下、同じである。＃は結合手を表す。］

前記Ｒで表されるイミン残基とは、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物である。その例としては、アルジミン、ケチミン、及びこれらの分子中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた１価の残基を意味する。このイミン残基は、通常炭素数２〜２０であり、好ましくは２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基が例示される。

［式中、ｉ−Ｐｒはｉ−プロピル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。波線で示した結合は、「楔形で表される結合」及び／又は「破線で表される結合」であることを意味する。ここで、「楔形で表される結合」とは、紙面からこちら側に向かって出ている結合を意味し、「破線で表される結合」とは、紙面の向こう側に出ている結合を意味する。＃は結合手を表す。］

前記Ｒで表される置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで、通常、１〜６０であり、好ましくは２〜４８である。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｓ−ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基等が例示される。

前記Ｒで表される置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基を意味する。置換シリル基の炭素数は、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピルシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が例示される。

前記Ｒで表される置換シリルオキシ基は、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基及び１価の複素環オキシ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基を意味する。置換シリルオキシ基の炭素数は、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基又は１価の複素環オキシ基は置換基を有していてもよい。置換シリルオキシ基としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ジメチル−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等が例示される。

前記Ｒで表される置換シリルチオ基は、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基及び１価の複素環チオ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルチオ基を意味する。置換シリルチオ基の炭素数は、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基又は１価の複素環チオ基は置換基を有していてもよい。置換シリルチオ基としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリ−ｉ−プロピルシリルチオ基、ジメチル−ｉ−プロピルシリルチオ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルチオ基、ｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、ペンチルジメチルシリルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基、ヘプチルジメチルシリルチオ基、オクチルジメチルシリルチオ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルチオ基、ノニルジメチルシリルチオ基、デシルジメチルシリルチオ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルチオ基、ラウリルジメチルシリルチオ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルチオ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基等が例示される。

前記Ｒで表される置換シリルアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基及び１価の複素環アミノ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルアミノ基を意味する。置換シリルアミノ基の炭素数は、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。該アルコキシ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基又は１価の複素環アミノ基は置換基を有していてもよい。置換シリルアミノ基としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリ−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ジメチル−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ジエチル−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリルアミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチルジメチルシリルアミノ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチルシリルアミノ基、デシルジメチルシリルアミノ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルアミノ基、ラウリルジメチルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルオキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルアミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基等が例示される。

前記Ｒで表される１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基の炭素数は、通常、３〜６０であり、好ましくは３〜２０である。なお、１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここで、複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピリミジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリミジル基、トリアジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルトリアジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピリミジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリミジル基、トリアジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルトリアジル基が好ましい。また、１価の複素環基は、１価の芳香族複素環基であることが好ましい。

前記Ｒで表されるヘテロアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールオキシ基としては、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシチエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジルオキシ基、ピリジルオキシ基、イソキノリルオキシ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシピリジル基としては、メトキシピリジル基、エトキシピリジル基、プロピルオキシピリジル基、ｉ−プロピルオキシピリジル基、ブトキシピリジル基、ｉ−ブトキシピリジル基、ｔ−ブトキシピリジル基、ペンチルオキシピリジル基、ヘキシルオキシピリジル基、シクロヘキシルオキシピリジル基、ヘプチルオキシピリジル基、オクチルオキシピリジル基、２−エチルヘキシルオキシピリジル基、ノニルオキシピリジル基、デシルオキシピリジル基、３，７−ジメチルオクチルオキシピリジル基、ラウリルオキシピリジル基等が例示される。
前記Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジルオキシ基としては、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、1,3,5−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、ｉ−プロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、ｓ−ブチルピリジルオキシ基、ｉ−ブチルピリジルオキシ基、ｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基等が例示される。

前記Ｒで表されるヘテロアリールチオ基は、炭素数が、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールチオ基としては、ピリジルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシピリジルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシピリジルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジルチオ基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリールアルケニル基は、炭素数が、通常、８〜６０であり、好ましくは８〜４８である。アリールアルケニル基としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基（「Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

前記Ｒで表されるアリールアルキニル基は、炭素数が、通常、８〜６０であり、好ましくは８〜４８である。アリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基（「Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基等が例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

前記Ｒで表される置換カルボキシル基は、炭素数が、通常、２〜６０であり、好ましくは２〜４８であり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基を意味する。置換カルボキシル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、等が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には、該置換基の炭素数は含まれない。

前記モノアニオン性の２座配位子としては、前記式（２）で表される２座配位子における水素原子以外の原子数が３〜３０の２座配位子であることが好ましく、例えば、以下の式で表される２座配位子が挙げられる。

［式中、＊は金属原子Ｍと結合する部位を示す。］

前記金属錯体としては、以下に示す化合物が挙げられる。

前記金属錯体としては、安定した高効率発光の観点から、禁制遷移を解きやすい三重項励起状態の寿命が短い金属錯体が好ましい。

−金属錯体の製造方法−
次に、前記金属錯体の製造方法を説明する。
前記金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させることにより合成することができる。必要に応じて、反応系中に塩基、銀塩化合物等が存在していてもよい。また、2-フェニルピリジン誘導体を配位子に有する金属錯体とヘテロ環芳香族化合物とのカップリング反応により、前記金属錯体を合成することができる。

錯体化の方法（即ち、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させる方法）としては、イリジウム錯体の場合、J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 6647 ;Inorg. Chem. 1991, 30, 1685；Inorg. Chem. 1994, 33, 545；Inorg. Chem. 2001, 40, 1704；Chem.Lett., 2003, 32, 252等に記載の方法が例示され、白金錯体の場合、Inorg.Chem.,1984, 23, 4249；Chem. Mater. 1999, 11, 3709；Organometallics, 1999, 18, 1801等に記載の方法が例示され、パラジウム錯体の場合、J.Org.Chem.,1987, 52, 73等に記載の方法が例示される。

錯体化の反応温度は、通常、溶媒の融点から沸点の間で反応させることができ、−78℃〜溶媒の沸点が好ましい。反応時間は、通常、30分間から30時間程度である。但し、錯体化反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、溶媒の沸点以上で反応させることもでき、反応時間は、通常、数分から数時間程度である。

前記配位子となる化合物は、例えば、2-フェニルピリジン誘導体とヘテロ環芳香族化合物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリング、Stilleカップリング等により合成することができる。必要に応じて有機溶媒に溶解し、例えば、アルカリ、適切な触媒等を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより合成することができる。この合成には、例えば、“オルガニックシンセシス（Organic Syntheses）”、コレクティブ第６巻（Collective Volume VI）、407-411頁、ジョンワイリーアンドサンズ（John Wiley＆Sons, Inc.）、1988年；ケミカルレビュー(Chem. Rev.)、第106巻、2651頁（2006年）；ケミカルレビュー(Chem. Rev.)、第102巻、1359頁（2002年）；ケミカルレビュー（Chem.Rev.）、第95巻、2457頁（1995年）；ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリー（J.Organomet.Chem.）、第576巻、147頁（1999年）等に記載の方法を用いることができる。

前記ヘテロ環芳香族化合物は、“HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4^TH EDITION”, 第E9b巻、1頁、GEORG THIEME VERLAG STUTTGART；HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4^TH EDITION, 第E9c巻、667頁、GEORG THIEME VERLAG STUTTGART等に記載の方法で合成することができる。

前記カップリング反応に用いる触媒としては、パラジウム触媒が好ましい。パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス(ジベンジリデナセトン)二パラジウム(O)等が例示され、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス(ジベンジリデナセトン)二パラジウム(O)が好ましい。必要に応じて、リン配位子を存在させてもよい。前記リン配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等が例示される。

前記配位子となる化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる。

前記配位子となる化合物としては、前記金属錯体の安定性、合成の容易さ、発光効率の観点から、前記式（１１ａ）又は下記式（１１ｂ）で表される化合物が好ましく、前記式（１１ａ）で表される化合物がより好ましい。

前記式（１１ａ）及び（１１ｂ）中、Ａで表されるアリール基及び１価の複素環基は、前述のＲとして説明し例示したものと同じである。

前記金属錯体は、例えば、以下のスキームで合成できる。

［式中、Ｒ’は、前記と同じ意味を有する。］

得られた金属錯体の同定・分析は、元素分析、ＮＭＲ分析及びＭＳ分析により行うことができる。

また、本発明の金属錯体は、下記式（８）で表される化合物を、ハロゲン原子又はアルキルスルホニルオキシ基を有するヘテロ環芳香族化合物とカップリング反応させることを含む方法により製造することも好ましい。

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、ｍ、ｎ、Ｒ^x及びＲ^yは、前記と同じ意味を有する。Ｊ¹は、下記式（９−１）〜（９−６）：

で表される基である。］

前記式（８）で表される化合物は、例えば、下記式（１０）：

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、ｍ、ｎ、Ｒ^x及びＲ^yは、前記と同じ意味を有する。Ｊ²は、ハロゲン原子を表す。］
で表される化合物をホウ酸化又はホウ酸エステル化することにより合成することができる。

また、本発明の金属錯体は、前記式（１０）で表される化合物とヘテロ環芳香族化合物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリング、Stilleカップリング等により合成することができる。

−式（３−１）〜（３−５）で表される２価の基−
前記式（３−１）〜（３−５）中、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶で表される基、原子は、前記Ｒで表される基、原子として説明し例示したものと同じである。前記式（３−１）及び（３−２）中、本発明の高分子化合物の合成の容易さと高発光効率の観点から、Ｙは、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましく、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−がより好ましい。

前記式（３−１）で表される２価の基としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃は結合手を表す。Ｒ^aは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^aは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^dは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。］

Ｒ^aで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子は、前記Ｒで表される基、原子として説明し例示したものと同じである。

Ｒ^dで表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基は、前記Ｒで表される基として説明し例示したものと同じである。

前記式（３−２）で表される２価の基としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃及びＲ^aは、前記と同じ意味を有する。］

前記式（３−３）で表される２価の基としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃、Ｒ^a及びＲ^dは、前記と同じ意味を有する。］

前記式（３−４）で表される２価の基としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃及びＲ^aは、前記と同じ意味を有する。］

前記式（３−５）で表される２価の基としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃及びＲ^aは、前記と同じ意味を有する。］

前記式（３−１）〜（３−５）で表される２価の基の中でも、素子寿命と素子特性の観点から、前記式（３−１）で表される２価の基が好ましい。

−その他の基−
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される金属錯体の残基と、前記式（３−１）〜（３−５）で表される２価の基とに加えて、さらに、下記式（４）：

［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷はそれぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷は置換基を有していてもよい。ａ及びｂはそれぞれ独立に、０又は１を示し、０≦ａ＋ｂ≦１である。＃は結合手を表す。］
で表される基を含んでいてもよい。

前記式（４）中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６〜60であり、好ましくは６〜20である。アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜100である。

前記式（４）中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴で表される２価の複素環基は、後述のＡｒ’で表される２価の複素環基の項で説明し例示するものと同じである。

前記式（４）中、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷で表されるアリール基及び１価の複素環基は、前記Ｒで表されるアリール基及び１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。

前記式（４）中、アリーレン基、２価の複素環基、アリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これらの置換基は、前記金属錯体を構成する配位子が有していてもよい置換基として説明し例示したものと同じである。

前記式（４）で表される基として、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^bは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。複数存在するＲ^bは、同一であっても異なっていてもよい。＃は結合手を表す。］

−金属錯体の残基の位置−
本発明の高分子化合物としては、
１．分子鎖の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
２．分子鎖の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
３．分子鎖の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
等が挙げられる。

分子鎖の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式のいずれかで表される。

［式中、Ｍ¹、Ｍ²は金属錯体の残基を表す。ｐ及びｑは重合度を表す。該式中に限り、実線は分子鎖を表す。］

前記Ｍ¹としては、以下の式で表される金属錯体の残基（２価）が挙げられる。

［式中、＃及びＲは、前記と同じ意味を有する。］

前記Ｍ²としては、以下の式で表される金属錯体の残基（３価）が挙げられる。

［式中、＃及びＲは、前記と同じ意味を有する。］

分子鎖の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式で表される。

［式中、Ｍ³は金属錯体の残基を表す。該式中に限り、実線は分子鎖を表す。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ⁶⁸）（Ｒ⁶⁹）−、Ｎ（Ｒ⁷⁰）−、−Ｂ（Ｒ⁷¹）−、−Ｐ（Ｒ⁷²）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷³）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、前記と同じ意味を有する。］

前記Ｍ³としては、以下の式で表される金属錯体の残基（１価）が挙げられる。

［式中、＃及びＲは、前記と同じ意味を有する。］

分子鎖の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物としては、金属錯体の残基が１価の基である高分子化合物が挙げられる。

前記分子鎖は、例えば、式：−（Ａｒ’）−で表される繰り返し単位を有する。該式中、Ａｒ’は、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基を有する２価の芳香族基、又は酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる原子と、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基とを有する２価の複素環基を表す。Ｌ及びＭ³は前記と同じ意味を有する。Ｌで表されるアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の１個以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の１個以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の１個以上が、それぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ⁷⁴）（Ｒ⁷⁵）−、Ｎ（Ｒ⁷⁶）−、−Ｂ（Ｒ⁷⁷）−、−Ｐ（Ｒ⁷⁸）−及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷⁹）−からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい。Ｒ⁷⁴、Ｒ⁷⁵、Ｒ⁷⁶、Ｒ⁷⁷、Ｒ⁷⁸及びＲ⁷⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。Ａｒ’は、−Ｌ−Ｍ₃で示される基以外に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ’が複数の置換基を有する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記式中、Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³、Ｒ⁷⁴、Ｒ⁷⁵、Ｒ⁷⁶、Ｒ⁷⁷、Ｒ⁷⁸及びＲ⁷⁹で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基及びシアノ基、並びにＡｒ’が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記Ｒで表される基、原子として、説明し例示したものと同じである。

Ａｒ’としては、以下の式で表される基が挙げられる。

［式中、＃、Ｌ、Ｒ及びＭ³は前記と同じ意味を有する。］

Ｌで表されるアルキレン基は、炭素数が通常１〜３０であり、好ましくは１〜１５である。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、１，３−シクロペンチレン基、１，４−シクロヘキシレン基等が例示される。

Ｌで表されるアルケニレン基は、炭素数が通常２〜３０であり、好ましくは２〜１５である。アルケニレン基としては、ビニレン基、プロピレン基等が挙げられる。アルケニレン基には、１，３−ブタジエニレン基等のアルカジエニレン基も含まれる。

Ｌで表されるアルキニレン基は、炭素数が通常２〜３０であり、好ましくは２〜１５である。アルキニレン基としては、エチニレン基等が例示される。アルキニレン基には、三重結合を２個有する基も含まれ、例えば、１，３−ブタンジイニレン基が挙げられる。

Ｌで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素化合物から２個の水素原子を除いた基を表し、芳香環を構成する炭素数は通常６〜３０であり、好ましくは６〜１５である。アリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ペンタレンジイル基、インデンジイル基、ヘプタレンジイル基、インダセンジイル基、トリフェニレンジイル基、ビナフチルジイル基、フェニルナフチレンジイル基、スチルベンジイル基、フルオレンジイル基等が挙げられる。

Ｌで表される２価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基の炭素数は、通常、２〜３０であり、好ましくは２〜１５である。なお、２価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。２価の複素環基は、２価の芳香族複素環基であることが好ましい。２価の複素環基としては、ピリジンジイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基が挙げられる。

Ｌは、高分子化合物の合成のし易さと発光特性の観点から、単結合、−Ｏ−、メチレン基、エチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ビニレン基、フェニレン基、ビフェニレン基、及びピリジンジイル基が好ましく、フェニレン基及びピリジンジイル基がより好ましい。

本発明の高分子化合物は、電荷輸送性や電荷注入性等を大きく損なわない高分子化合物が好ましく、キャリア（電子又は正孔）輸送性が優れる共役系高分子がより好ましい。

本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位、及び前記式（３−１）〜（３−５）で表される２価の基を含む繰り返し単位を有する場合、発光特性や電化輸送特性を損なわない範囲で、その他の繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位、及び前記式（３−１）〜（３−５）で表される２価の基を含む繰り返し単位の合計が、全繰り返し単位の１０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることが特に好ましい。

本発明の高分子化合物を赤色発光材料として用いる場合、本発明の高分子化合物のＥＬ発光スペクトルのピーク波長は、５５０〜８００ｎｍであることが好ましく、５７０〜７００ｎｍであることがより好ましい。

＜組成物＞
本発明の組成物は、前記高分子化合物を含み、好ましくは更に電荷輸送材料及び／又は発光材料を含む。

前記電荷輸送材料は、正孔輸送材料と電子輸送材料に分類され、当該材料には、有機化合物（低分子有機化合物及び／又は高分子有機化合物）を用いることができる。

前記正孔輸送材料としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体等、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として公知のものが挙げられる。前記電子輸送材料としては、有機ＥＬ素子に電子輸送材料として公知のもの、例えば、オキサジアゾール誘導体アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。前記電荷輸送材料の低分子有機化合物とは、低分子有機ＥＬ素子に用いられるホスト化合物、電荷注入輸送化合物を意味し、具体的には、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１０７頁、月刊ティスプレイ（ｖｏｌ．９、Ｎｏ．９、２００３年２６−３０頁）、特開２００４−２４４４００号公報、特開２００４−２７７３７７号公報等に記載の化合物が挙げられる。これら電荷輸送材料の種類にもよるが、一般的には、金属錯体からの良好な発光を得るためには、これら電荷輸送材料の最低三重項励起エネルギーが、金属錯体の最低三重項励起エネルギーよりも大きいことが好ましい。

前記電荷輸送材料の低分子有機化合物としては、以下の式で表される化合物が挙げられる。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、非共役系高分子、共役系高分子が挙げられる。非共役系高分子としては、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。共役系高分子としては、主鎖に芳香環を含むポリマーが挙げられ、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいフルオレン、置換基を有していてもよいジベンゾチオフェン、置換基を有していてもよいジベンゾフラン、置換基を有していてもよいジベンゾシロール等を繰り返し単位として主鎖に含むものや、それらのユニットとの共重合体が好ましい。前記高分子有機化合物としては、置換基を有していてもよいベンゼン環を部分構造として有する高分子化合物や、特開２００３−２３１７４１号公報、特開２００４−０５９８９９号公報、特開２００４−００２６５４号公報、特開２００４−２９２５４６号公報、ＵＳ５７０８１３０、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ０２／０７７０６０、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１１１頁、月刊ディスプレイ（ｖｏｌ．９、Ｎｏ．９、２００２年）４７−５１頁等に記載の高分子も挙げられる。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物としては、その他にも、前記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子が挙げられ、例えば、下記の基（即ち、下記の例示において、括弧を除いたもの）を含む高分子、下記の基を繰り返し単位として含む高分子が挙げられる。

［式中、＃は結合手を表す。］

前記電荷輸送材料の低分子有機化合物又は高分子有機化合物の最低三重項励起エネルギー（ＴＨ）と、金属錯体の最低三重項励起エネルギー（ＴＭ）とが、
ＴＨ＞ＴＭ−０．２（ｅＶ）
の関係を満たすことが好ましい。

前記電荷輸送材料の高分子有機化合物を用いる場合、該高分子有機化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは１×10³〜１×10⁸、さらに好ましくは１×10⁴〜１×10⁶である。また、該高分子のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１×10³〜１×10⁸であり、さらに好ましくは５×10⁴〜５×10⁶である。

前記発光材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等の低分子発光材料等が挙げられる。

本発明の組成物における本発明の高分子化合物の配合量は、組み合わせる有機化合物の種類や、最適化したい特性により異なるが、本発明の組成物の全体量を100重量部としたとき、通常、0.01〜80重量部であり、好ましくは0.1〜60重量部である。前記金属錯体は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜素子＞
本発明の素子は、本発明の高分子化合物を含むものであり、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ本発明の高分子化合物を含む層とを有する素子である。以下、その代表的なものとして、本発明の素子が発光素子である場合について説明する。

本発明の発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に少なくとも発光層を有する一層（単層型）又は複数層（多層型）からなる薄膜が挟持されているものである。該薄膜層の少なくとも１層は、本発明の高分子化合物を含有する。前記薄膜中の本発明の高分子化合物の合計含有量は、発光層全体の重量に対して、通常、０．１〜１００重量％であり、０．１〜８０重量％であることが好ましく、０．５〜６０重量％であることがより好ましい。本発明の発光素子は、前記発光層が、本発明の高分子化合物を発光材料として含有することが好ましい。

本発明の発光素子が前記単層型である場合には、前記薄膜が発光層であり、この発光層が本発明の高分子化合物を含有する。また、本発明の発光素子が多層型である場合には、例えば、以下の構成をとる。
(a)陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極
(b)陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
(c)陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極

本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができる。陽極の材料としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類（PEDOT等）、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。

本発明の発光素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができ、例えば、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類（ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等）、希土類金属（インジウム、イッテルビウム等）等が挙げられる。

本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。これらの層の材料には、公知の材料を適宜選択して使用できるが、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、本発明の高分子化合物等、これらを含む重合体等が挙げられる。その他にも、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらの材料は１成分単独であっても複数の成分が併用されていてもよい。また、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の高分子化合物等が挙げられる。また、前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

また、本発明の発光素子において、電子注入層、電子輸送層の材料としては、絶縁体又は半導体の無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属化合物を使用できる。好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが挙げられる。また、電子注入層、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙げられる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒化物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明において、陰極と接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましい。

本発明の発光素子の発光層は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の発光素子の発光層は、本発明の高分子化合物を含有することが好ましく、該高分子化合物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。前記ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有するもの、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの、アリールシラン骨格を有するもの等が挙げられる。前記ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことがさらに好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、前記ホスト材料と前記金属錯体等の発光材料とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。

本発明の発光素子では、前記各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート方、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等）等が挙げられる。これらの中では、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布で成膜することが好ましい。前記塗布法では、本発明の高分子化合物を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥することによって形成することができる。該塗布液中には、ホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよく、該樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。前記樹脂としては、非共役系高分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分子（例えば、ポリオレフィン系高分子）を使用することができる。より具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等から目的に応じて選択できる。溶液は、任意成分として、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。

−光電素子−
本発明の高分子化合物は、光電素子の製造に用いることができる。

光電素子としては、光電変換素子等が挙げられ、例えば、少なくとも一方が透明又は半透明な二個の電極間に、本発明の高分子化合物を含む層が設けられた素子や、基板上に製膜した本発明の高分子化合物を含む層上に形成した櫛型電極を有する素子等が挙げられる。特性を向上するために、フラーレンやカーボンナノチューブ等を混合してもよい。

光電変換素子の製造方法としては、特許第３１４６２９６号公報に記載の方法が挙げられ、例えば、第一の電極を有する基板上に本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）を形成し、その上に第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）を形成する方法等が挙げられる。第一又は第二の電極のうち一方が透明又は半透明である。

本発明の高分子化合物を含む層（薄膜）の形成方法やフラーレンやカーボンナノチューブを混合する方法としては、発光素子で例示したものが好適に利用できる。

＜液状組成物＞
本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含有してなるものである。本発明の液状組成物に用いられる溶媒、分散媒としては、薄膜の成分を均一に溶解又は分散し安定なものを公知の溶媒から適宜選択して使用できる。このような溶媒としては、塩素系溶媒（クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等）、ケトン系溶媒（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等）、多価アルコール及びその誘導体（エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等）、スルホキシド系溶媒（ジメチルスルホキシド等）、アミド系溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等）等が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

前記液状組成物をインクジェット法に適用する場合には、該液状組成物の吐出性及びその再現性を良好にするために、該液状組成物は公知の添加剤を含有していてもよい。この公知の添加剤としては、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒（アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等）等が挙げられる。そして、この公知の添加剤を含有してなる液状組成物は、２５℃における粘度が１〜１００mPa・sであることが好ましい。

本発明の発光素子の各層の好ましい膜厚は、材料の種類や層構成によって異なるが、一般的には膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり発光効率が悪くなるため、通常、数ｎｍ〜１μｍが好ましい。

本発明の発光素子の用途としては、面状光源、照明用光源（又は、光源）、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等が挙げられる。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグンメント型、ドットマトリクス型等の構成を選択することができる。

＜製造方法＞
本発明の高分子化合物は、例えば、前記式（５）で表される金属錯体と、前記式（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）又は（６−５）で表される化合物とを反応させる方法を含む製造方法により合成することができる。

前記式（５）中、Ｗ¹及びＷ²で表される重合反応性基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化されたメチル基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す）、スタニル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基等が挙げられ、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ、スタニル基、ハロゲン原子が好ましい。

前記重合反応性基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは臭素原子である。

前記重合反応性基であるアルキルスルホニルオキシ基としては、メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

前記重合反応性基であるアリールスルホニルオキシ基としては、フェニルスルホニルオキシ基、ｐ−トリルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

前記重合反応性基であるアリールアルキルスルホニルオキシ基としては、ベンジルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

前記重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、ジアルキルエステル残基、ジアリールエステル残基、ジアリールアルキルエステル残基等が挙げられ、下記式で表される基が好ましい。

［式中、＃は結合手を表す。］

スルホニウムメチル基としては、下記式で表される基が挙げられる。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘ^-、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘ^-
［式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。］

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘ^-
［式中、Ｘはハロゲン原子を表す。］

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ^c）₂
［式中、Ｘはハロゲン原子を表す。Ｒ^cは、アルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を表す。］

モノハロゲン化されたメチル基としては、モノフルオロメチル基、モノクロロメチル基、モノブロモメチル基、モノヨードメチル基が挙げられる。

−ＭｇＸとしては、−ＭｇＣｌ、−ＭｇＢｒ、−ＭｇＩが挙げられる。

スタニル基としては、置換基を有していてもよいスタニル基が挙げられ、スタニル基、トリクロロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリ−ｎ−ブチルスタニル基、トリフェニルスタニル基、トリベンジルスタニル基が挙げられる。

前記重合反応性基としては、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基が好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒、パラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、−Ｂ（ＯＨ）₂が好ましい。

本発明の高分子化合物の製造は、例えば、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。本発明の高分子の製造方法としては、“オルガニックリアクションズ（ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０〜４９０頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、 “オルガニックシンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（ＣｏｌｌｅｃｔｉｖｅＶｏｌｕｍｅＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラーケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等に記載の公知の方法を用いることができる。

本発明の製造方法において、前記式（５）と前記式（６−１）〜（６−５）で表される化合物の重合反応性基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。また、重合反応性基を２個以上有する化合物の共存下で重合を行うことにより、高分子化合物（共重合体）を製造することができるし、重合反応性基を３個以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する高分子化合物を製造することができる。

本発明の製造方法において、前記縮合反応が二重結合を生成する反応である場合、その反応としては、特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法、即ち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物、又はホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化されたメチル基を２個以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２個以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合等の方法、ホルミル基を２個以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合等の方法が挙げられる。

本発明の製造方法において、前記縮合反応が三重結合を生成する反応である場合、その反応としては、Ｈｅｃｋ反応、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が挙げられる。

また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば、対応するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。

これらの中でも、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、分子量制御のし易さの観点、共重合における組成比制御のし易さの観点で好ましい。

本発明の製造方法において、重合反応性基Ｗ¹及びＷ²が−Ｂ（ＯＨ）₂、ホウ酸エステル残基又はハロゲン原子であり、全原料化合物が有する、ハロゲン原子のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）₂及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）との比が実質的に１（通常、Ｋ／Ｊは、０．７〜１．２）であり、かつ、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合することが好ましい。

これらの製造方法において、原料化合物としては、ジハロゲン化化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせ；ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物等が挙げられる。

また、本発明の高分子化合物で分子鎖の末端に金属錯体の残基（即ち、前記Ｍ³で表される金属錯体の残基）を有する高分子化合物は、前記式（６−１）〜（６−５）で表される化合物を含む縮合重合反応の末端にある重合反応性基と、前記式（５）においてｍ¹＝１で表される化合物との反応により合成することができる。

本発明の製造方法では、副反応を抑制するために使用前に十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いて、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。必要に応じて、脱水処理を行ってもよい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。

本発明の製造方法で用いてもよい前記有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類等が挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の製造方法では、反応を促進するために適宜アルカリや適当な触媒を添加してもよい。これらのアルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が挙げられる。

前記式（５）で表される化合物は、例えば、前記式（１ａ）で表される化合物から製造することができる。まず、前記式（１ａ）で表される化合物を溶媒に溶かし、Ｎ−ブロモスクシンイミドを加えて反応させると、下記式（５ａ）で表される化合物が生成する。この反応において、塩化メチレン等のハロゲン系炭化水素系溶媒等を用いることができる。

［式中、ｍ¹、ｍ²、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、前記と同じ意味を有する。］

前記式（５ａ）で表される化合物を更に反応させ、重合反応性基を有する化合物へと変換することができる。具体的には、前記式（５ａ）で表される化合物とビス(ピナコラート)ジボロンとをパラジウム触媒下で反応させることにより、ホウ酸エステル残基を重合反応性基として有する下記式（５ｂ）で表される化合物へと変換することができる。

また、本発明の高分子化合物は、前記式（１２）で表される化合物と前記式（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）又は（６−５）で表される化合物とを反応させる方法を含む製造方法により合成することができる。

前記式（１２）中、Ｗ³で表される重合反応性基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す）、スタニル基及び−Ｂ（ＯＨ）₂等が挙げられ、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ、スタニル基、ハロゲン原子が好ましい。

前記式（１２）中、Ｗ³で表される重合反応性基のハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ及びスタニル基は、前述のＷ¹及びＷ²で表される重合反応性基として説明し例示したものと同じである。

前記式（１２）で表される化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる。

［式中、Ｗ³、Ｌ、Ｒ及びＭ³は前記と同じ意味を有する。］

以下、本発明をより詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、該ＳＥＣの分析条件として、下記の分析条件１または分析条件２に示す方法を用いた。
［分析条件１］
測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに５０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本とを直列に繋げて用いた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
［分析条件２］
測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流速で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
また、ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動層には、約０．１重量％の酢酸を加えたイオン交換水と、約０．１重量％の酢酸を加えたアセトニトリルとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ２ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
また、ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。測定試料５〜１０ｍｇを約０．５ｍＬの重クロロホルム、重ジメチルスルホキシド又は重テトラヒドロフランに溶解させて、ＮＭＲ（バリアン(Varian，Ｉｎｃ．)製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ３００）を用いて測定した。

＜合成例１＞（金属錯体（ＭＣ−５）の合成）
［合成方法１］
・5-ブロモ-2-フェニルピリジンの合成
反応容器に、2,5-ジブロモピリジン(7.11g、30mmol)、トルエン(130mL)、フェニルホウ酸(4.57g、37.5mmol)、及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(1.73g、1.5mmol)を量りとり、窒素気流下、50℃で撹拌しながら反応物を溶解させた。これに2 M 炭酸ナトリウム水溶液(30mL)を加えて、80℃で6時間撹拌した。得られた反応溶液の有機層を回収し、炭酸ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後に留去した。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/トルエン）で精製し、溶媒を留去して、5-ブロモ-2-フェニルピリジン(6.21g、26.5 mmol)を得た。

・金属錯体（complex1,2）の合成

反応容器に、5-ブロモ-2-フェニルピリジン（７．３９ｇ、３０mmol）、塩化イリジウム三水和物(4.76g、13.5mmol)、2-エトキシエタノール(58mL)、及び水(19mL)を量り取り、窒素気流下、140℃で16時間加熱した。空冷後、得られた反応混合物を濾別し、水、メタノール、ヘキサンの順で洗浄することにより、黄色固体として、上記式で表される金属錯体（complex 1、9.10g、6.58mmol）を得た。
反応容器に、金属錯体（complex 1、6.94g、5.0mmol）、5-ブロモ-2-フェニルピリジン（7.32g、30.0mmol）及びジグライム（43mL）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（2.57g、10.0mmol）を加え、130℃で14時間撹拌した。得られた反応物を濾別し、固体を塩化メチレン(1.3 L)に溶解させた。この溶液を濾過し、濾液を約１５０ｍL程度に濃縮した。析出した固体を濾別回収し、ヘキサンで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex2、6.35g、7.1mmol）を得た。
LC-MS (positive) m/z : 890 ([M+H]⁺)
¹H NMR (300 MHz, DMSO-d₆)
δ 6.51 (d, J = 7.8 Hz, 3 H), δ 6.72 (m, 3 H), δ 6.84 (m, 3 H), δ 7.66 (d, J = 2.0 Hz, 3 H), δ 7.80 (d, J = 7.8 Hz, 3 H), δ 8.05 (dd, J = 2.0, 8.8 Hz, 3 H),δ 8.14 (d, J = 8.8 Hz, 3 H)

・金属錯体（complex3）の合成

窒素気流下、反応容器に、金属錯体（complex2、3.27g、3.7mmol）、酢酸カリウム（3.27g、33.3mmol）、ビス（ピナコラート）ジボロン（3.38g、13.3mmol）、1,1'-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（245mg、0.44mmol）、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメタン付加体（361mg、0.44mmol）、及びテトラヒドロフラン（400mL）を量りとり、30時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、塩化メチレン（150mL）を加えて溶解させた後に、ろ過した。この濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン）で精製し、溶媒を留去して残渣をジエチルエーテルで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（complex3、2.55g、2.47mmol)を得た。
LC-MS (positive) m/z : 1072 ([M+K]⁺)
¹H NMR (300 MHz, CDCl₃)
δ 1.21 (s, 36 H), δ 6.87 (m, 9 H), δ 7.69 (d, J = 7.7 Hz, 3 H), δ 7.82 (s, 3 H), δ 7.86 (m, 6 H)

・４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジンの合成

アルゴン気流下、反応容器に、１−ブロモ−４−tert-ブチルベンゼン(１２５ g、５８７ mmol)とテトラヒドロフラン(４７０ mL)を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液(１．６Ｍ、３６７ mL、５８７ mmol)を−７０℃で90分かけて滴下し、滴下終了後−７０℃で２時間攪拌して４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／ＴＨＦ溶液を得た。アルゴン気流下、別の反応容器に塩化シアヌル(５０．８ｇ、２７６ｍｍｏｌ)とテトラヒドロフラン（４６３ｍＬ）を仕込み、−７０℃に冷却した。これに、先に調製した４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／ＴＨＦ溶液を、反応温度が−60℃以下となるように冷却しながらゆっくりと滴下した。滴下終了後、反応溶液を−４０℃で4時間、室温で４時間攪拌した。この反応混合物に水（５０ｍＬ）を加えて反応を終了させ、テトラヒドロフランを留去した。この残渣に水（１Ｌ）とクロロホルム（２Ｌ）を加えて有機層を抽出し、さらに水（１Ｌ）で有機層を洗浄した後に溶媒を留去した。この残渣をアセトニトリル（６００ｍＬ）に溶解させ熱時濾過で不溶固体を取り除いた。得られた濾液を１００ｍＬ程度まで濃縮し、−70℃に冷却させて析出した固体を濾別回収した。回収した固体をクロロホルム（２００ｍＬ）／ヘキサン（６００ｍＬ）混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム／ヘキサン)で精製した。溶媒を留去し、この残渣をアセトニトリルから再結晶することにより、４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジン（４１．３ｇ、１０９ｍｍｏｌ）を得た。
LC-MS (APPI, positive) m/z : ３８０ ([M+H]⁺)
¹H NMR (300 MHz, CDCl₃)
δ 1.39 (s, 18 H), δ 7.56 (d, J = 8.4 Hz, 4 H), δ 8.54 (d, J = 8.4 Hz, 4 H)

・金属錯体（ＭＣ−５）の合成

窒素気流下、反応容器に、金属錯体（complex3、５４６mg、０．５３ mmol）、４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジン(７０２mg、１．８５ mmol)、炭酸セシウム(１．７３ｇ、５．３１mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(１９６mg、０．１７mmol)、及びテトラヒドロフラン(５３mL)を量りとり、９時間還流した。得られた反応溶液を濃縮し、これにトルエンを加えて溶解させた。この溶液を濾過し、濾液をシリカゲルクロマトグラフィーで２回精製した（１回目、展開溶媒：トルエン、２回目、展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１）。溶媒を留去し、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−５、２５７mg、０．１５mmol)を得た。
LC-MS (APCI, positive) m/z : １６８６ ([M+H]⁺)
¹H NMR (300 MHz, CDCl₃)
δ 1.20 (s, 54 H), δ 6.96 (m, 9 H), δ 7.39 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 7.83 (d, J = 7.5 Hz, 3 H),δ 8.18 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 8.36 (d, J = 8.4 Hz, 12 H),δ 9.14 (d, J = 8.4 Hz, 3 H),δ 9.33 (s, 3 H)

［合成方法２］
金属錯体（ＭＣ−５）は、以下の方法でも合成することが可能であった。
・化合物（Ｌ−２）の合成

窒素気流下、反応容器に５−ブロモ−２−フェニルピリジン（３．９９ｇ、純度８８％、１５ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル４０ｍＬを量り取り、−７８℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液(１．５６Ｍ、１１．５ｍＬ、１８ｍｍｏｌ)を１５分かけて滴下した。滴下終了後、得られた反応溶液を−７８℃で１時間撹拌し、次いで、トリイソプロポキシボラン３．３９ｇ（１８ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温で５時間撹拌した。得られた反応溶液を０℃に冷却し、５重量％水酸化ナトリウム水溶液２００ｍＬをゆっくり滴下して加水分解した。得られた反応溶液から分液操作で水層を回収し、これを３Ｎ塩酸でｐＨが７になるまで中和した。得られた白濁溶液に酢酸エチル（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。この有機層から溶媒を留去し、残渣をエーテルで洗浄することにより化合物（Ｌ−１、２．５３ｇ、１３ｍｍｏｌ）を得た。
反応容器に、２−クロロ−４，６−ビス（４’−tert−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（４．６１ｇ、純度８７％、１１ｍｍｏｌ）、化合物（Ｌ−１、２．４３ｇ、１２ｍｍｏｌ）、トルエン（４４ｍＬ）、及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(４９０ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ)を量りとり、窒素気流下、５０℃で撹拌しながら固形分を溶解させた。こうして得られた溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１１ｍＬ）を加えて、９時間還流した。得られた反応溶液の有機層を回収し、炭酸水素ナトリウム水溶液５０ｍＬ（２回）及び飽和食塩水５０ｍＬ（１回）で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後に溶媒を留去した。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/トルエン）で精製し、溶媒を留去した。残渣をクロロホルム/エタノール溶媒を用いて結晶化させた。結晶を濾別回収し、乾燥させることにより、化合物（Ｌ−２、３．０９ｇ、６．２ｍｍｏｌ）を得た。
ＬＣ−ＭＳ(ＡＰＰＩ, ｐｏｓｉｔｉｖｅ) m/z : ４９９([M+H]⁺)
¹ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）
δ 1.42 (s, 18 H), δ 7.52 (m, 3 H), δ 7.62 (d, J = 6.8 Hz, 4 H), δ 7.95 (d, J = 8.4 Hz, 1 H), δ 8.16 (d, J = 7.3 Hz, 2 H), δ 8.69 (d, J = 6.8 Hz, 4 H), δ 9.04 (d, J = 8.4 Hz, 1 H), δ 10.02 (s, 1 H).

・金属錯体（ＭＣ−５）の合成

反応容器に、化合物（Ｌ−２、１．３９ｇ、２．８ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物(４２５ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ)、２−エトキシエタノール(７ｍＬ)、及び水(２ｍＬ)を量り取り、窒素気流下、１４０℃で９時間加熱した。空冷後、得られた混合物を濾別し、残渣をメタノール（５０ｍＬ）、ヘキサン（２０ｍＬ）の順で洗浄することにより、赤色固体として、上記式で表される金属錯体（ｃｏｍｐｌｅｘ４、１．５８g）を得た。
反応容器に、金属錯体（ｃｏｍｐｌｅｘ４、１．４８g、０．６ｍｍｏｌ）、化合物（Ｌ−２、１．４６ｇ、２．９ｍｍｏｌ）、及びジグライム（５ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３１３ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）を加え、１５０℃で１８時間撹拌した。得られた反応物を濾別し、固体をメタノール（１００ｍＬ）で洗浄した。これをトルエン（４０ｍＬ）に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/トルエン）で精製し、溶媒を留去した。残渣をメタノールで洗浄し、トルエン/アセトニトリル溶液中で結晶化させた。得られた結晶を濾別回収し、減圧乾燥することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−５、１．００ｇ、０．６ｍｍｏｌ）を得た。

＜実施例１＞（高分子化合物１の合成・評価）
・金属錯体(ＭＣ−６、ＭＣ−７)の合成

アルゴン気流下、反応容器に合成例１で得られた金属錯体（ＭＣ−５、２．０３ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）と塩化メチレン（２００ｍＬ）を量りとり、金属錯体を溶解させた。これにＮ−ブロモスクシンイミド (２２１ｍｇ、１．２４ｍｍｏｌ)を加え、室温で４時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣にトルエン（５０ｍＬ）を加えて溶解させた。このトルエン溶液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒：トルエン）。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去した後に、残渣にヘキサン／トルエン（２／１）混合溶液（４００ｍＬ）を加えて溶解させた。この溶液を再びシリカゲルクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝２／１）。二番目に溶出する成分を回収し、溶媒を留去した後に、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−６、１．５５ｇ、０．８８mmol）を得た。また、一番目に溶出する成分を回収し、溶媒を留去した後に、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−７、３１５mg、０．１７mmol）を得た。
金属錯体（ＭＣ−６）
LC-MS (APCI,positive) m/z : １７６５ ([M+H]⁺)
¹H NMR (300 MHz,CDCl₃)
δ 1.20 (s, 54 H), δ 6.85-7.00 (m, 10 H), δ 7.39 (d, J = 7.8 Hz, 12 H), δ 7.83 (d, J = 7.3 Hz, 2 H), δ 7.91 (s, 1 H), δ 8.14 (d, J = 8.8 Hz, 1 H), δ 8.19 (d, J = 8.6 Hz, 2 H), δ 8.36 (d, J = 7.8 Hz, 12 H), δ 9.16 (m, 3 H), δ 9.28 (s, 1 H), δ 9.33 (s, 2 H).
金属錯体（ＭＣ−７）
LC-MS (APCI,positive) m/z : １８４４ ([M+H]⁺)
¹H NMR (300 MHz, CDCl₃)
δ 1.20 (s, 54 H), δ 6.85 (dd, J = 8.6, 9.0 Hz, 2 H), δ 8.97 (m, 5 H), δ 7.39 (d, J = 8.1 Hz, 12 H), δ 7.82 (d, J = 7.5 Hz, 1 H), δ 7.91 (s, 2 H), δ 8.17 (m, 3 H), δ 8.35 (d, J = 8.1 Hz, 12 H), δ 9.17 (m, 3 H), δ 9.28 (s, 2 H), δ 9.32 (s, 1 H).

・高分子化合物１の合成
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（０．５３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．１９ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．２０ｇ）ビス（４−ブロモフェニル）−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−アミン（０．０９２ｇ）、金属錯体（ＭＣ−６）（０．１８ｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．１３ｇ，アルドリッチ製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロライド（０．７ｍｇ）、トルエン（２６ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭＮａ₂ＣＯ₃水溶液（１０ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．１２ｇ）を加え、再び１０５℃で５時間、加熱した。冷却後、３重量％酢酸水溶液（２０ｍｌ）で３回、水（２０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（２００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物１が２５０ｍｇ得られた。分析条件１で測定した高分子化合物１のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は５．４×１０⁴であり、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は３．１×１０⁴であった。

・高分子化合物１のＥＬ発光の特性
前記高分子化合物１の１．０重量％キシレン溶液と、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有するポリマーＩ（ポリスチレン換算の重量平均分子量：２．７×１０⁵、ポリスチレン換算の数平均分子量：７．９×１０⁴）の０．５重量％キシレン溶液とを調製した。

（式中、＃は結合手を表す。）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで溶液の成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記で調製したポリマーＩのキシレン溶液を用いてスピンコートにより、２０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で６０分間乾燥した。この基板を室温に戻した後、上記で調製した高分子化合物１のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。得られた膜の平均膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、６０５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。該素子は、約１０．５Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。最大発光効率は１．２９ｃｄ／Ａであった。

＜実施例２＞（高分子化合物２の合成・評価）
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（０．５３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．１６ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．２０ｇ）ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．０９２ｇ）、金属錯体（ＭＣ−７）（０．１８ｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．１３ｇ，アルドリッチ製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロライド（０．７ｍｇ）、トルエン（２６ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭＮａ₂ＣＯ₃水溶液（１０ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（０．１２ｇ）を加え、再び１０５℃で５時間、加熱した。冷却後、３重量％酢酸水溶液（２０ｍｌ）で３回、水（２０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（２００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物２が３２０ｍｇ得られた。分析条件１で測定した高分子化合物２のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は３．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は２．１×１０⁴であった。

・高分子化合物２のＥＬ発光の特性
実施例１において、高分子化合物１に代えて高分子化合物２を用いた以外は実施例１と同様にして、ＥＬ素子を作製した。得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、６０５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。このＥＬ素子は、約１０．８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。最大発光効率は５．０２ｃｄ／Ａであった。

＜実施例３＞（組成物Ａの調製・評価）
・高分子化合物３の合成
ジムロートを接続した２００ｍＬセパラブルフラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル１．９３ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン０．８３４ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、９，９−ジヘキシル−２，７−ジブロモフルオレン０．８２９ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、N，N−ビス（４−ブロモフェニル）−N−４−ｓ−ブチルフェニルアミン０．３８７ｇ（０．８４ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）０．５２ｇ、及びトルエン４０ｍＬを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド２．８ｍｇを加え、９５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液１１ｍＬを３０分かけて滴下しながら１０５℃に加熱した後、１０５℃で３時間攪拌した。９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル２１ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）を加えて、１０５℃で１時間攪拌した。再度、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル２１ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）を加えて、１０５℃で１時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸４６ｍｇを溶解させたトルエン溶液４０ｍL、及びビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド２．８ｍｇを加え、さらに１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液１１ｍＬを１５分かけて滴下し１０５℃で２１時間攪拌した。
得られた溶液から、水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物２．２１ｇ、イオン交換水４３ｍＬを加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水５２ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液５２ｍＬ（２回）、イオン交換水５２ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。
有機層をメタノール８００ｍＬに滴下し、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得た。この固体をトルエン１００ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液した。ロータリーエバポレーターを使って、濾液中のトルエンを一部留去した。この溶液をメタノール４００ｍＬに滴下し、沈殿物を濾過後乾燥したところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物３が２．２０ｇ得られた。分析条件１で測定した高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎは２．０×１０⁴であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは３．９×１０⁴であった。

・組成物ＡのＥＬ発光特性
実施例１において、高分子化合物１の１．０重量％キシレン溶液に代えて、高分子化合物１（１５重量部）と高分子化合物３（８５重量部）との混合物の１．０重量％キシレン溶液（「組成物Ａ」と言う。）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を引加することにより、６００ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。この素子は、約６．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。また、最大発光効率は１．１６ｃｄ／Ａであった。

＜実施例４＞（組成物Ｂの調製・評価）
・組成物ＢのＥＬ発光特性
実施例１において、高分子化合物１の１．０重量％キシレン溶液に代えて、高分子化合物２(１５重量部)と高分子化合物３（８５重量部）との混合物の１．０重量％キシレン溶液（「組成物Ｂ」と言う。）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を引加することにより、６００ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。この素子は、約７．５Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。また、最大発光効率は１．２５ｃｄ／Ａであった。

＜実施例５＞（金属錯体（ＭＣ−９）の合成）
・化合物Ｍ−１の合成

窒素ガス雰囲気下、２，７−ジブロモフルオレノン（７５ｇ、０．２２ｍｏｌ）、ヘキシルベンゼン（３３４ｍｌ、１．７８ｍｏｌ）、及びトリフルオロメタンスルホン酸（４２ｍｌ）を室温で攪拌した中へ、メルカプトスルホン酸ナトリウム（８．１ｇ、４４ｍｍｏｌ）を加え、４５℃で９時間攪拌した。得られた溶液を室温まで冷却した後、ヘキサン１Ｌ中に注いだ。減圧蒸留（１０５．５℃、２０ｈＰａ）により余剰のヘキシルベンゼンを留去し、ヘキサンで希釈した後、メタノールに中に注ぎ、析出した２，７−ジブロモフルオレノンをろ過により除去した。得られたろ液を濃縮した後、トルエンで希釈し、イソプロピルアルコールを加えて、固体を析出させた。得られた固体をトルエン／イソプロピルアルコールで再結晶することにより、白色結晶の化合物Ｍ−１（５３ｇ、収率４９％）を得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl₃) δ 0.88 (t, 3H), 1.20-1.45 (m, 6H), 1.54-1.62 (m, 2H), 2.57 (t, 2H), 4.96 (s, 1H), 6.94 (d, 2H), 7.10 (d, 2H), 7.42 (s, 2H), 7.48 (dd, 2H), 7.60 (d, 2H).

・化合物Ｍ−２の合成

窒素ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（１０ｇ、２０．６ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン（３．５ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（４．３ｇ、３１．０ｍｍｏｌ）を、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３５ｍｌ）中で、加熱還流下、６時間攪拌した。室温まで冷却した後、得られた溶液を攪拌しながら、その中へ水３００ｍｌをゆっくりと加え、そのまま一晩室温で攪拌した。析出した固体を減圧ろ過してろ取し、さらに水でろ過器上の固体を洗浄した。得られた固体を真空乾燥して、化合物Ｍ−２（１３．６ｇ）を得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, THF-d8)δ 0.91 (t,3H), 1.24-1.42 (m,6H), 1.55-1.61 (m,2H), 2.59 (t,2H), 7.07-7.16 (m,4H), 7.43 (d,2H), 7.59 (dd,2H), 7.64 (s,2H), 7.82 (d,2H), 8.11 (d,2H).

・化合物Ｍ−３の合成

窒素ガス雰囲気下、化合物Ｍ−２（１２．９ｇ、２１ｍｍｏｌ）、エタノール（１５３ｍｌ）、及び塩化スズ（ＩＩ）二水和物（１８．６ｇ、８ｍｍｏｌ）の混合物を、加熱還流下、６時間攪拌した。室温まで冷却した後、約６０ｇとなるまで減圧濃縮した。得られた溶液を氷水（１５０ｇ）に攪拌しながら加えた。氷が溶解した後、得られた水溶液に４０重量％水酸化ナトリウム水溶液を溶液のｐＨが１０を超えるまで加えた後、トルエン２００ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥、減圧濃縮した後、再結晶（トルエン−ヘキサン）して、化合物Ｍ−３（１０ｇ、収率９７％）を得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl₃) δ 0.87 (t,3H), 1.20-1.40 (m,6H), 1.52-1.57 (m,2H), 2.54 (t,2H), 6.54 (d,2H), 6.91 (d,2H), 7.02-7.06 (m,4H), 7.42-7.48 (m,4H), 7.54 (d,2H).
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive） m/z⁺＝５７４ [Ｍ＋Ｈ]⁺。

・化合物Ｍ−４の合成

３Ｌ三角フラスコに化合物Ｍ−３を５０ｇ（８７ｍｍｏｌ）仕込み、撹拌しながら濃塩酸２１.７ｍｌをゆっくりと加えた。そこに、水１００ｍｌを加えた後、アセトニトリルを２Ｌ加えて溶液を調製し、アイスバスを用いて０℃に冷却した。得られた溶液に、亜硝酸ナトリウム６.４ｇ（９３ｍｍｏｌ）を水２０ｍｌで溶かした水溶液をゆっくり加え、０℃で３０分撹拌した（これを「溶液ａ」とする。）。
別の３Ｌ三角フラスコに炭酸カリウム１８.４ｇ（１３３ｍｍｏｌ）、ジエチルアミン１２.８ｇ（１７４ｍｍｏｌ）を仕込み、水１２８ｍｌを加えて０℃で撹拌した（これを「溶液ｂ」とする。）。
溶液ｂに溶液ａを撹拌しながらゆっくりと加え、さらに３０分間０℃で撹拌した後、アイスバスを取り除き、室温で１時間撹拌した。得られた反応溶液をクロロホルム３Ｌで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮してクロロホルムを留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１Ｌ、カラムの直径6cm×高さ60cm、溶離液（ヘキサン：クロロホルム＝１０:１（体積比）））により精製し、目的とする化合物Ｍ−４を５１ｇ、収率８９％で得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, THF-d₈) δ 7.80 (d, J = 8.13 Hz, 2H), 7.62 (d, J = 1.74 Hz, 2H), 7.56 (dd, J = 8.10 Hz and 1.74 Hz, 2H), 7.27-7.34 (m, 2H), 7.08-7.17 (m, 6H), 3.79 (q, J = 7.14 Hz, 4H), 2.61 (m, 2H), 1.57-1.70 (m, 2H), 1.32-1.46 (m, 6H), 1.18-1.32 (m, 6H), 0.94 (t, J = 6.57 Hz, 3H).

・化合物Ｍ−５の合成

１Ｌ一口ナスフラスコに撹拌子を仕込み、化合物Ｍ−４を５１ｇ（７７ｍｍｏｌ）、ヨウ素３９.２ｇ（１５４ｍｍｏｌ）及びヨウ化メチル５００ｍｌ（８ｍｏｌ）を加え、１５分間撹拌しながらアルゴンガスをバブリングした。窒素雰囲気下で、オイルバス９０℃で加熱しながら６時間撹拌した後、溶媒を留去した。そこにクロロホルム５００ｍｌを加えて溶液とし、シリカゲル２５０ｍｌを敷いたグラスフィルター（直径：７.５ｃｍ）を用いて濾過し、クロロホルム１Ｌで洗浄した。得られたクロロホルム溶液を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。得られた混合物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１L、カラムの直径6cm×高さ60cm、溶離液（ヘキサン：クロロホルム＝１０:１（体積比）））により精製し、さらにヘキサン-エタノール混合溶媒から再沈殿を行うことで目的とする化合物Ｍ−５を白色固体として３４.６ｇ、収率６７％で得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ (300MHz, CDCl₃) δ7.54-7.62 (m, 3H), 7.43-7.52 (m, 4H), 7.22-7.52 (m, 1H), 7.13 (d, J = 7.41Hz, 1H), 6.98-7.10 (m, 4H), 6.89 (d, J = 7.53Hz, 1H), 2.56 (t, J = 8.01Hz, 2H), 1.58 (br, 2H), 1.20-1.40 (br, 6H), 0.89 (t, J = 5.64Hz, 3H)。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ, positive） m/z⁺＝６８４ [Ｍ^-]⁺.

・金属錯体（ＭＣ−８）の合成

アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体（ＭＣ−６、４．６０ｇ、２．５ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（０．７５ｇ、７．６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（０．９６ｇ、３．８ｍｍｏｌ）、 [1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II) ジクロロメタン付加体（０．１３ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（１６７ｍＬ）を量りとり、１５時間還流させた。得られた反応溶液を濃縮し、ヘキサン／トルエン（２／１（体積比））混合溶液（４００ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１（体積比））で精製し、溶媒を留去して残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−８、３．６７ｇ、２．０ｍｍｏｌ)を得た。
¹H NMR (300MHz, r.t., CHCl₃)
δ 1.20 (s, 36 H), δ 1.22 (s, 18 H), δ 1.30 (s, 12 H), δ 6.87-7.01 (m, 6 H), δ 7.09 (d, J = 7.8 Hz, 1 H), δ 7.29 (d, J = 7.8 Hz, 1 H), δ 7.40 (d, J = 8.1 Hz, 12 H), δ 7.82 (d, J = 7.2 Hz, 2 H), δ 8.18 (dd, J = 3.3, 8.4 Hz, 2 H), δ 8.27 (s, 1 H), δ 8.36 (d, J = 7.8 Hz, 12 H), δ 9.14 (d, J = 8.4 Hz, 3 H), δ 9.30 (s, 2 H), δ 9.32 (s, 1 H).
LC-MS (ＡＰＣＩ，positive) m/z : 1812 ([M+H]⁺)

・金属錯体（ＭＣ−９）の合成

アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体（ＭＣ−８、２．７１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）、化合物（Ｍ−５、１．０５ｇ、１．５ｍｍｏｌ）、水酸化テトラエチルアンモニウム２０重量％水溶液(２．６４ｇ、３．６ｍｍｏｌ)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（０）(６１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン(６０ｍＬ)を量りとり、室温で２．５時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮し、ヘキサン／トルエン（１．５／１（体積比））混合溶液（１５０ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後に、溶液を濾過した。濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１．５／１（体積比））で精製し、溶媒を留去して残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−９、２．５９ｇ、１．２ｍｍｏｌ)を得た。
¹H NMR (300MHz, r.t., CHCl₃)
δ 0.88 (m, 3 H), δ 1.20 (s, 54 H), δ 1.26-1.29 (m, 6 H), δ 1.58 (br, 2 H), δ 2.55 (t, J = 7.6 Hz, 2 H), δ 6.91-7.16 (m, 14 H), δ 7.39 (d, J = 8.4 Hz, 12 H), δ 7.44-7.58 (m, 8 H), δ 7.83 (m, 2 H), δ 7.99 (s, 1 H), δ 8.19 (d, J = 8.7 Hz, 2 H), δ 8.24 (d, J = 8.4 Hz, 1 H), δ 8.36 (d, J = 8.4 Hz, 12 H), δ 9.15 (d, J = 8.6 Hz, 3 H), δ 9.34 (s, 3 H).
LC-MS (ＡＰＣＩ，positive) m/z : ２２４５ ([M+H]⁺)

＜実施例６＞（高分子化合物４の合成・評価）
・高分子化合物４の合成
ジムロートを接続した２００ｍＬ３つ口フラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル１．０６ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン０．９９ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、N，N’−ビス（４−ブロモフェニル）−N，N’−ビス（２，６−ジメチル−４−tert−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン０．１５ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）、金属錯体（ＭＣ−６，８９ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）０．２６ｇ、及びトルエン２０ｍＬを加えた。そこに、窒素雰囲気下、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．４ｍｇを加え、８５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液５．４ｍＬを滴下しながら１０５℃に加熱した後、６時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸０．２４ｇ、及びビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．７ｍｇとトルエン２０ｍＬを加え、１０５℃で１４時間攪拌した。
得られた溶液にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物１．２２ｇ、及びイオン交換水１２ｍＬを加え、８５℃で３時間攪拌した。そこにトルエン６２ｍＬを加えて有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水２６ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液２６ｍＬ（２回）、イオン交換水２６ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール３３０ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、１時間撹拌した後、得られた沈殿物を濾過し、乾燥させて、固体を得た。この固体をトルエン６２ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液した。得られた溶液をメタノール３５０ｍＬに滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物４が１．３４ｇ得られた。分析条件２で測定した高分子化合物４のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は１．５×１０⁵であり、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は５．７×１０⁴であった。

・高分子化合物４のＥＬ発光の特性
実施例１において、高分子化合物１に代えて高分子化合物４を用い、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液をバイエル社製（商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）に代えてエイチ・シー・スタルク社製（商品名：ＣＬＥＶＩＯＳＰＡＩ４０８３）を用いた以外は実施例１と同様にして、ＥＬ素子を作製した。得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、６０５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。このＥＬ素子は、約１０．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。最大発光効率は８．０５ｃｄ／Ａであった。

＜実施例７＞（高分子化合物５の合成・評価）
・高分子化合物５の合成
ジムロートを接続した２００ｍＬ３つ口フラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル１．０６ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン１．００ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、N，N’−ビス（４−ブロモフェニル）−N，N’−ビス（２，６−ジメチル−４−tert−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン０．１５ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）、金属錯体（ＭＣ−９，８５ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）０．２６ｇ、及びトルエン２０ｍＬを加えた。そこに、窒素雰囲気下、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．４ｍｇを加え、８５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液５．４ｍＬを滴下しながら１０５℃に加熱した後、４．５時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸０．２５ｇ、及びビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．５ｍｇとトルエン２０ｍＬを加え、１０５℃で１２時間攪拌した。
得られた溶液にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物１．２２ｇ、及びイオン交換水１２ｍＬを加え、８５℃で２時間攪拌した。そこにトルエン６２ｍＬを加えて有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水２６ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液２６ｍＬ（２回）、イオン交換水２６ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。
洗浄後の有機層をメタノール３６０ｍＬに滴下したところ沈殿が生じ、２時間撹拌を継続した。次いで、沈殿物を濾過した後、乾燥させて固体を得た。この固体をトルエン１１０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液した。得られた溶液をメタノール６００ｍＬに滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物５が１．３７ｇ得られた。分析条件２で測定した高分子化合物５のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は２．１×１０⁵であり、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は８．７×１０⁴であった。

・高分子化合物５のＥＬ発光の特性
実施例１において、高分子化合物１に代えて高分子化合物５を用い、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液をバイエル社製（商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）に代えてエイチ・シー・スタルク社製（商品名：ＣＬＥＶＩＯＳＰＡＩ４０８３）を用いた以外は実施例１と同様にして、ＥＬ素子を作製した。得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、６０５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。このＥＬ素子は、約１０．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。最大発光効率は８．９９ｃｄ／Ａであった。

＜比較例１＞（高分子化合物６の合成・評価）
・高分子化合物６の合成
金属錯体ＭＣ−１０は、特開2004-531485号公報に記載の方法で合成した。

ジムロートを接続した２００ｍＬ３つ口フラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル１．０６ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン０．９５ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、N，N’−ビス（４−ブロモフェニル）−N，N’−ビス（２，６−ジメチル−４−tert−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン０．１４ｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、金属錯体（ＭＣ−１０、１１１ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）０．２６ｇ、及びトルエン２０ｍＬを加えた。そこに、窒素雰囲気下、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．５ｍｇを加え、８５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液５．４ｍＬを滴下しながら１０５℃に加熱した後、４時間攪拌した。そこに、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．７ｍｇを加え、１０５℃でさらに４．５時間攪拌した。次に、得られた溶液に、フェニルホウ酸０．２４ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド１．５ｍｇ、及びトルエン２０ｍＬを加え、１０５℃で１２時間攪拌した。
そこに、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物１．２２ｇ、イオン交換水１２ｍＬを加え、８５℃で３時間攪拌した。得られた溶液にトルエン６２ｍＬを加えて有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水２６ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液２６ｍＬ（２回）、イオン交換水２６ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。洗浄後の有機層を約２０ｍＬに濃縮し、これをメタノール４００ｍＬに滴下したところ、沈殿物が生じ、１時間撹拌を継続した。次いで、沈殿物を濾過した後、乾燥させ固体を得た。この固体をトルエン６２ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液した。この溶液を約３０ｍＬに濃縮し、メタノール４００ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させた。これを１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物６が１．１３ｇ得られた。分析条件２で測定した高分子化合物６のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は３．２×１０⁴であり、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は１．０×１０⁴であった。

・高分子化合物６のＥＬ発光の特性
実施例１において、高分子化合物１に代えて高分子化合物６を用い、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液をバイエル社製（商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）に代えてエイチ・シー・スタルク社製（商品名：ＣＬＥＶＩＯＳＰＡＩ４０８３）を用いた以外は実施例１と同様にして、ＥＬ素子を作製した。得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、４７０ｎｍにピークを有する白色のＥＬ発光が得られた。このＥＬ素子は、約１１．６Ｖで１０００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。最大発光効率は０．２４ｃｄ／Ａであった。

Claims

下記式（１）：

［式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（２）：

で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒ^x及びＲ^yは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。モノアニオン性の２座配位子が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
］
で表される金属錯体の残基と、
下記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）：

［式中、＃は結合手を表す。Ｙ¹は、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ¹¹）−、−Ｓｉ（Ｒ¹²）（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹⁴）−、−Ｐ（Ｒ¹⁵）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ¹⁶）−を表す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。］
で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。
前記Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ³及びＲ⁴、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい、請求項１に記載の高分子化合物。
前記式（１）で表される金属錯体が、下記式（１ａ）又は（１ｂ）：

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴、Ｚ⁵及びｍは、前記と同じ意味を有する。ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、１又は２である。］
で表される金属錯体である請求項１又は２に記載の高分子化合物。
前記式（１）で表される金属錯体が、下記式（１ｃ）又は（１ｄ）：

［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸、ｍ、ｎ及び前記式（２）で表されるモノアニオン性の２座配位子は、前記と同じ意味を有する。Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。］
で表される金属錯体である請求項１又は２に記載の高分子化合物。
前記Ｍが白金原子又はイリジウム原子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記式（１）で表される金属錯体の残基が、１〜３価の基である請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記式（１）で表される金属錯体の残基と前記式（３−１）で表される繰り返し単位とを含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物。
さらに、下記式（４）：

［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷はそれぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶及びＡｒ⁷は置換基を有していてもよい。ａ及びｂはそれぞれ独立に、０又は１を示し、０≦ａ＋ｂ≦１である。＃は結合手を表す。］
で表される繰り返し単位を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む組成物。
さらに溶媒又は分散媒を含む請求項９に記載の組成物。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む膜。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む素子。
前記素子が発光素子である請求項１２に記載の素子。
請求項１３に記載の素子を用いた面状光源。
請求項１３に記載の素子を用いた照明。
下記式（５）：

［式中、Ｗ¹は、−Ｂ（ＯＨ） ₂ 、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す。）、スタニル基又はハロゲン原子を表す。ｍ¹は１〜３の整数であり、ｍ²は０〜２の整数である。Ｗ ¹ が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。］
で表される金属錯体と、
下記式（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）又は（６−５）：

［式中、Ｗ²は、−Ｂ（ＯＨ） ₂ 、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す。）、スタニル基又はハロゲン原子を表す。複数存在するＷ²は、同一であっても異なっていてもよい。Ｙ¹は、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ¹¹）−、−Ｓｉ（Ｒ¹²）（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹⁴）−、−Ｐ（Ｒ¹⁵）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ¹⁶）−を表す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。］
で表される化合物とを反応させることを含む、
下記式（１）：

［式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（２）：

で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒ^x及びＲ^yは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。モノアニオン性の２座配位子が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
］
で表される金属錯体の残基と、
下記式（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）又は（３−５）：

［式中、＃は結合手を表す。Ｙ¹は、−Ｃ（Ｒ⁹）（Ｒ¹⁰）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ¹⁷）（Ｒ¹⁸）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ¹¹）−、−Ｓｉ（Ｒ¹²）（Ｒ¹³）−、−Ｐ（Ｒ¹⁴）−、−Ｐ（Ｒ¹⁵）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ¹⁶）−を表す。Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸及びＲ¹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。］
で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法。
下記式（５）：

［式中、Ｗ¹は、−Ｂ（ＯＨ） ₂ 、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す。）、スタニル基又はハロゲン原子を表す。ｍ¹は１〜３の整数であり、ｍ²は０〜２の整数である。Ｗ¹が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。］
で表される金属錯体。
下記式（１２）：

［式中、Ｗ³は、−Ｂ（ＯＨ） ₂ 、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す。）、スタニル基又はハロゲン原子を表す。複数存在するＷ³は、同一であっても異なっていてもよい。Ａｒ’は、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基を有する２価の芳香族基、又は酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる原子と、１〜４個の−Ｌ−Ｍ³で示される基とを有する２価の複素環基を表す。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ⁶⁸）（Ｒ⁶⁹）−、Ｎ（Ｒ⁷⁰）−、−Ｂ（Ｒ⁷¹）−、−Ｐ（Ｒ⁷²）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷³）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。Ｍ³は、下記式（１）：

（式中、Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の金属原子を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、若しくはシアノ基を表すか、又はＲ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、若しくはＲ⁵及びＲ⁶が結合して環を形成していてもよい。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁸は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｚ⁴及びＺ⁵のいずれかが炭素原子である場合には、該炭素原子に結合する水素原子は置換基により置換されていてもよい。下記式（２）：

で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒ^x及びＲ^yは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。モノアニオン性の２座配位子が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
）
で表される金属錯体の１価の残基を表す。Ｌ及びＭ³は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。］
で表される化合物。