JP7282078B2 - ブロック共重合体及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、ブロック共重合体及びそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ、照明等の用途に好適に使用可能であり、活発な研究開発が行われている。例えば、特開２０１２－１４４７２２号公報（特許文献１）には、発光素子の発光層又は電荷輸送層を形成することができる、フルオレン骨格を有する構成単位及びアントラセン骨格を有する構成単位を含む高分子化合物（例えば、重合体２３）が開示されている。また、特開２０１６－１１１３５５号公報（特許文献２）には、発光素子の発光層又は電荷輸送層を形成することができる、架橋基を有する高分子化合物（例えば、高分子化合物Ｐ４）が開示されている。

特開２０１２－１４４７２２号公報 特開２０１６－１１１３５５号公報

しかし、前記高分子化合物は、必ずしも十分な正孔輸送性を示すものではない。
そこで、本発明の目的は、良好な正孔輸送性を示すブロック共重合体、該ブロック共重合体を含む組成物、及び該ブロック共重合体を用いた発光素子を提供することにある。

本発明は、以下に示すブロック共重合体、組成物及び発光素子を提供する。
［１］ 末端基と、前記末端基に結合するブロックと、前記末端基に結合しないブロックと、を含み、
前記末端基に結合しないブロックが、下記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び下記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記末端基及び前記末端基に結合するブロックからなる群より選ばれる少なくとも１つが、架橋性基を含み、
前記末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸ_Ｉ及びＺ_Ｉとし、前記末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸ_ＩＩ及びＺ_ＩＩとするとき、下記式（ｉ）～（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たす、ブロック共重合体。
Ｘ_Ｉ＞Ｘ_ＩＩ （ｉ）
Ｚ_Ｉ＞Ｚ_ＩＩ （ｉｉ）
Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＞Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ （ｉｉｉ）

［式中、
ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。
Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。Ａｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。Ｒ^Ｘ３が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］

［式中、Ａｒ^Ｚは、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［２］ 前記末端基に結合するブロックが前記架橋性基を含み、
前記架橋性基が、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位として、前記末端基に結合するブロックに含まれる、［１］に記載のブロック共重合体。

［式中、
ｎＡは０以上５以下の整数を表し、ｎは１以上５以下の整数を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲ’－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋性基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］

［式中、
ｍＡは０以上５以下の整数を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素基と少なくとも１種の複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^４及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲ’’－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋性基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋性基である。］

［３］ 前記末端基が、架橋性基を含む、［１］又は［２］に記載のブロック共重合体。

［４］ 前記架橋性基が、炭素－炭素二重結合、炭素－炭素三重結合、オキシラン、オキセタン、アジリジン、アゼチジン、アジド、ベンゾシクロブテン及びナフトシクロブテンからなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を含む、［１］～［３］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［５］ 前記架橋性基が、Ａ群中の式（ＸＬ－１）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、［４］に記載のブロック共重合体。
（Ａ群）

［式中、
ｎ^ＸＬは、０以上５以下の整数を表す。複数存在するｎ^ＸＬは、同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
波線は、該波線を有する基が、複数存在する幾何異性体のいずれか１種であるか、又は複数の幾何異性体を含むことを表す。
＊１は、結合位置を表す。
Ａ群中の架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［６］ 前記架橋性基が、下記式（ＸＬ－１）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１６）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１８）で表される架橋性基及び下記式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、［４］に記載のブロック共重合体。

［式中、
＊１は、結合位置を表す。
前記式（ＸＬ－１）、式（ＸＬ－１６）、式（ＸＬ－１７）、式（ＸＬ－１８）又は式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［７］ 前記末端基が、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基である、［１］～［６］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［８］ 前記末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位を含む、［１］～［７］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［９］ 前記末端基に結合しないブロックが、下記式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位をさらに含む、［１］～［８］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］

［１０］ 前記末端基に結合するブロックが、下記式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位を含む、［１］～［８］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］

［１１］ 前記末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位又は前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まない、［１］～［１０］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［１２］ 前記式（ｉ）を満たす、［１］～［１１］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［１３］ 前記末端基と、前記末端基に結合するブロックと、前記末端基に結合しないブロックと、前記末端基に結合するブロックと、前記末端基と、をこの順に含む、［１］～［１２］のいずれかに記載のブロック共重合体。

［１４］ ［１］～［１３］のいずれかに記載のブロック共重合体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種と、
を含有する、組成物。

［１５］ ［１］～［１３］のいずれかに記載のブロック共重合体の架橋体を含有する発光素子。

本発明によれば、良好な正孔輸送性を示すブロック共重合体、該ブロック共重合体を含む組成物、及び該ブロック共重合体を用いた発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書において共通して用いられる用語について、必要に応じて具体例を挙げて説明すると、特記しない限り以下のとおりである。

「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「ｉ－Ｐｒ」はイソプロピル基、「ｔ－Ｂｕ」はｔｅｒｔ－ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３以上１×１０^８以下である重合体を意味する。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下である化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物の分子鎖に１個以上存在する単位を意味する。なお、高分子化合物の分子鎖に２個以上存在する構成単位を、特に「繰り返し単位」と言う。
「ブロック」とは、ブロック共重合体である高分子化合物の分子鎖を構成するブロックを指しており、１種又は２種以上の構成単位から構成される分子鎖部分（ブロック）である。
「ブロック共重合体」とは、２種以上のブロックを含む高分子化合物を意味する。ブロック共重合体において、互いに隣接するブロックは構成が異なっていることが好ましい。
「互いに隣接するブロックは構成が異なっている」とは、例えば、互いに隣接するブロックに含まれる構成単位は同一であるが、その組成及び／又は連鎖分布が異なること、並びに、互いに隣接するブロックのうち、一方に含まれる少なくとも１種の構成単位と、他方に含まれる少なくとも１種の構成単位とが異なることが挙げられる。互いに隣接するブロックは、例えば、一方のブロック（以下、「１つ目のブロック」ともいう。）を重合により形成した後、１つ目のブロック存在下、他方のブロックを重合により形成するとともに１つ目のブロックに結合させる方法、及び、互いに隣接するブロックをそれぞれ独立に形成した後、これらのブロックを結合させる方法により、製造することができる。

「架橋性基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋性基は、高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは、炭素－炭素二重結合、炭素－炭素三重結合、オキシラン、オキセタン、アジリジン、アゼチジン、アジド、ベンゾシクロブテン及びナフトシクロブテンからなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を架橋性部位として含む。
上記構造を含む架橋性基としては、上記のＡ群、すなわち、式（ＸＬ－１）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基が挙げられる。

構成単位が「非架橋性」であるとは、その構成単位が架橋性基を有しないことを意味する。

「アルキル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上５０以下であり、好ましくは１以上２０以下である。分岐状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上５０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－プロピルヘプチル基、デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジ－ヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上５０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上２０以下であり、より好ましくは６以上１０以下である。アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上４０以下であり、好ましくは１以上１０以下である。分岐状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上４０以下であり、好ましくは３以上１０以下である。アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上４０以下であり、好ましくは４以上１０以下である。シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上２０以下である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物が挙げられる。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。置換アミノ基としては、より具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４－メチルフェニル）アミノ基、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上３０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。分岐状アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２以上２０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。分岐状アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、５－ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上３０以下であり、より好ましくは６以上１８以下である。アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、ジベンゾシクロへプタンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、下記の式（Ａ－１）～式（Ａ－２３）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基であってもよい。

［式中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^ａはそれぞれ、同一であってもよく異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは３以上２０以下であり、より好ましくは４以上１５以下である。２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、下記の式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基であってもよい。

［式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋性基であってもよい。

＜式（Ｘ）で表される構成単位＞
式（Ｘ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
式（Ｘ）で表される構成単位は、電荷輸送性向上（とりわけ正孔輸送性向上）に有利な構成単位である。
上記式（Ｘ）におけるａ^Ｘ１は、本発明に係るブロック共重合体（以下、単に「ブロック共重合体」ともいう。）の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１である。
ａ^Ｘ２は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３におけるアリール基は、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ナフタセン環、フルオレン環、ピレン環、ペリレン環又はクリセン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、さらに好ましくは、フェニル基又はフルオレニル基であり、特に好ましくはフェニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３における１価の複素環基は、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環又はジヒドロアクリジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１、Ａｒ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ３及びＡｒ^Ｘ４におけるアリーレン基は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基又はジベンゾシクロへプタンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基又はフルオレンジイル基であり、さらに好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１、Ａｒ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ３及びＡｒ^Ｘ４における２価の複素環基は、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環又はジヒドロアクリジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３におけるアリーレン基は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－９）又は式（Ａ－１９）～式（Ａ－２１）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－３）、式（Ａ－８）又は式（Ａ－９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ａ－１）～式（Ａ－３）で表される基であり、特に好ましくは式（Ａ－１）で表される基である。
Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３における２価の複素環基は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－１５）又は式（ＡＡ－１８）～式（ＡＡ－２２）で表される基であり、より好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－６）又は式（ＡＡ－１０）～式（ＡＡ－１５）で表される基で表される基である。
Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４におけるアリーレン基は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－１４）又は式（Ａ－１９）～式（Ａ－２３）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－１０）又は式（Ａ－１９）～式（Ａ－２１）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－３）、式（Ａ－６）～式（Ａ－９）又は式（Ａ－１９）～式（Ａ－２１）で表される基であり、特に好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－３）、式（Ａ－８）又は式（Ａ－９）で表される基であり、とりわけ好ましくは、式（Ａ－１）又は式（Ａ－９）で表される基である。
Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４における２価の複素環基の好ましい例及びその理由は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３における２価の複素環基の好ましい例及びその理由と同様である。
Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４において、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４におけるアリーレン基及び２価の複素環基についての好ましい例と同様である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４における少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^ＸＸは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい例は、Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３におけるアリール基の例及び好ましい例と同様である。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい例は、Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３における１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基は、好ましくは、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。
Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｘ）で表される構成単位は、好ましくは、下記の式（Ｘ－１）～式（Ｘ－７）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（Ｘ－１）～式（Ｘ－６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^ｘ４及びＲ^ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基、シアノ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ｘ４は、同一であってもよく異なっていてもよい。複数存在するＲ^ｘ５は、同一であってもよく異なっていてもよく、Ｒ^ｘ５同士（好ましくは隣接するＲ^ｘ５同士）は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^ｘ４及びＲ^ｘ５は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^ｘ４及びＲ^ｘ５におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ^ｘ４及びＲ^ｘ５で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（Ｘ１－１）～式（Ｘ１－１９）で表される構成単位が挙げられる。

＜式（Ｚ）で表される構成単位＞
式（Ｚ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは２以上３０以下であり、より好ましくは３以上１５以下である。
Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基のヘテロ原子の数は、置換基のヘテロ原子数を含めないで、通常１以上３０以下であり、好ましくは１以上１０以下であり、より好ましくは１以上５以下であり、さらに好ましくは１以上３以下である。
Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基は、環構成原子として、ホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、硫黄原子及びセレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であることが好ましく、環構成原子として、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であることがより好ましく、環構成原子として、窒素原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基（以下、「２価の含窒素複素環基」ともいう。）であることがさらに好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基に関して、２価の含窒素複素環基以外の２価の複素環基としては、例えば、ボロール環、フラン環、シロール環、ホスホール環、チオフェン環、セレノフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾボロール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾチオフェン環又はジベンゾセレノフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、式（ＡＡ－１２）～式（ＡＡ－１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基に関して、２価の含窒素複素環基は、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ正孔輸送性向上の観点からは、環構成原子として二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含まない、２価の含窒素複素環基（以下、「二重結合を有さない窒素原子を含む２価の含窒素複素環基」ともいう。）であることが好ましく、この基は置換基を有していてもよい。また、Ａｒ^Ｚにおける２価の複素環基に関して、２価の含窒素複素環基は、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ電子輸送性向上の観点からは、環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含む、２価の含窒素複素環基（以下、「二重結合を有する窒素原子を含む２価の含窒素複素環基」ともいう。）であることが好ましく、この基は置換基を有していてもよい。

「二重結合を有さない窒素原子」とは、窒素原子と、その窒素原子と結合するすべての原子との間に単結合のみを有する窒素原子を意味する。
「環構成原子として二重結合を有さない窒素原子を含む」とは、－Ｎ（－Ｒ^Ｎ）－〔式中、Ｒ^Ｎは水素原子又は置換基を表す。〕又は下記式で表される基を環内に含むことを意味する。

二重結合を有さない窒素原子を含む２価の含窒素複素環基としては、例えば、ピロール環、インドール環、イソインドール環、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、アクリドン環、キナクリドン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、インドロカルバゾール環又はインデノカルバゾール環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ正孔輸送性向上の観点から、好ましくは、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、インドロカルバゾール環又はインデノカルバゾール環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、さらに好ましくは、カルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、特に好ましくは、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１１）又は式（ＡＡ－１８）～式（ＡＡ－２１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

「二重結合を有する窒素原子」とは、窒素原子と、その窒素原子と結合する原子との間に二重結合を有する窒素原子を意味する。
「環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含む」とは、－Ｎ＝で表される基を環内に含むことを意味する。

二重結合を有する窒素原子を含む２価の含窒素複素環基としては、例えば、ジアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環又はトリアザフェナントレン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ電子輸送性向上の観点から、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、アザフェナントレン環又はジアザフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環又はトリアジン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、さらに好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－４）で表される基であり、特に好ましくは、式（ＡＡ－４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｚにおいて、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^Ｚにおいて、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、２価の複素環基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｚで表される２価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^Ｚにおける少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例としては、例えば、Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４における少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例が挙げられる。

Ａｒ^Ｚで表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｚで表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。

Ａｒ^Ｚで表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｚ）で表される構成単位は、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ電子輸送性向上の観点からは、好ましくは、下記の式（Ｚ－１）～式（Ｚ－４）で表される構成単位である。また、式（Ｚ）で表される構成単位は、ブロック共重合体の電荷輸送性、とりわけ正孔輸送性向上の観点からは、好ましくは、下記の式（Ｚ－５）～式（Ｚ－７）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＲ^Ｙ３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一であってもよく異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ３は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ１及びＲ^Ｙ３で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ^Ｙ１及びＲ^Ｙ３が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｚ－１）で表される構成単位は、下記の式（Ｚ－１’）で表される構成単位であることが好ましい。また、式（Ｚ－３）で表される構成単位は、下記の式（Ｚ－３’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＲ^Ｙ３は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ４は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ４で表される基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ^Ｙ４が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｚ）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（Ｚ－２０１）～式（Ｚ－２１５）で表される２価の複素環基からなる構成単位、下記の式（Ｚ－３０１）～式（Ｚ－３１０）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

［式中、
Ｚ^Ａは、－Ｏ－で表される基又は－Ｓ－で表される基を表す。Ｚ^Ａが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｚ^Ｂは、－ＣＨ＝で表される基又は－Ｎ＝で表される基を表す。Ｚ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］

Ｚ^Ａは、好ましくは－Ｏ－で表される基である。Ｚ^Ｂは、好ましくは－Ｎ＝で表される基である。

＜式（Ｙ）で表される構成単位＞
式（Ｙ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
Ａｒ^Ｙ１で表される基は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基又はジベンゾシクロへプタンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基又はフルオレンジイル基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、アントラセンジイル基又はフルオレンジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（Ｙ）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ－１）～式（Ｙ－３）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（Ｙ－１）又は式（Ｙ－２）で表される構成単位である。

［式中、
Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｙ１は、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）－又は－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一であってもよく異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ２で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ^Ｙ２が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは、両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、さらに好ましくは、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基は、好ましくは、下記の式（Ｙ－Ａ１）～式（Ｙ－Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）－で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは、両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基である。
複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基は、好ましくは、下記の式（Ｙ－Ｂ１）～式（Ｙ－Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］

Ｘ^Ｙ１は、好ましくは－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基である。

式（Ｙ－１）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ－１’）で表される構成単位である。式（Ｙ－２）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ－２’）で表される構成単位である。式（Ｙ－３）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ－３’）で表される構成単位である。

［式中、
Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｙ１１は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一であってもよく異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｙ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ１１で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ^Ｙ１１が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（Ｙ－１１）～式（Ｙ－４９）で表される構成単位が挙げられる。

＜ブロック共重合体に含まれる架橋性基＞
本発明に係るブロック共重合体に含まれる架橋性基は、ブロック共重合体の架橋性が優れるので、好ましくは、式（ＸＬ－１）～式（ＸＬ－４）、式（ＸＬ－７）～式（ＸＬ－１０）又は式（ＸＬ－１４）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、より好ましくは、式（ＸＬ－１）、式（ＸＬ－３）、式（ＸＬ－９）、式（ＸＬ－１０）又は式（ＸＬ－１６）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、さらに好ましくは、式（ＸＬ－１）又は式（ＸＬ－１６）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ－１）又は式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基であり、とりわけ好ましくは式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基である。
ブロック共重合体において、架橋性基は１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
上記Ａ群中の架橋性基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

＜架橋性基を有する構成単位＞
ブロック共重合体は、架橋性基を、架橋性基を有する構成単位として含むことが好ましく、架橋性基を、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位として含むことがより好ましい。すなわち、架橋性基を有する構成単位は、式（２）で表される構成単位又は上記式（２’）で表される構成単位であることが好ましい。このことにより、ブロック共重合体の架橋性が優れる傾向にある。

〔式（２）で表される構成単位〕
ｎＡは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上３以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１である。
ｎは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは１以上３以下の整数であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは２である。

上記式（２）においてＡｒ^３は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ^３における芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上３０以下であり、より好ましくは６以上１８以下である。
Ａｒ^３における芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｙ１で表される基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^３における芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－６）～式（Ａ－１０）、式（Ａ－１９）又は式（Ａ－２０）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^３における複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは３以上３０以下であり、より好ましくは４以上１８以下である。
Ａｒ^３における複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^Ｚで表される基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^３における複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－３４）で表される基である。

Ａｒ^３における芳香族炭化水素基及び複素環基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ^３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

Ｌ^Ａにおけるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上２０以下であり、好ましくは１以上１５以下であり、より好ましくは１以上１０以下である。Ｌ^Ａにおけるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上２０以下である。
アルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基及びシクロアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
Ｌ^Ａにおけるアルキレン基及びシクロアルキレン基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａにおけるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａにおけるアリーレン基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｙ１で表される基の例及び好ましい例と同様であるが、好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、より好ましくは、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、フルオレン－２，７－ジイル基、フルオレン－９，９－ジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａにおけるアリーレン基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基又は架橋性基（好ましくは、上記Ａ群から選ばれる架橋性基）であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａにおける２価の複素環基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｚで表される基の例及び好ましい例と同様である。
Ｌ^Ａにおける２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－３４）で表される基である。

Ｌ^Ａは、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、より好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はアルキレン基であり、さらに好ましくは、アルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Ａで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

Ｒ’は、好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ’で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

上記式（２）においてＸは、好ましくは上記Ａ群より選ばれる架橋性基である。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘにおける架橋性基は、ブロック共重合体の架橋性が優れるので、好ましくは、式（ＸＬ－１）～式（ＸＬ－４）、式（ＸＬ－７）～式（ＸＬ－１０）又は式（ＸＬ－１４）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、より好ましくは、式（ＸＬ－１）、式（ＸＬ－３）、式（ＸＬ－９）、式（ＸＬ－１０）又は式（ＸＬ－１６）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、さらに好ましくは、式（ＸＬ－１）又は式（ＸＬ－１６）～式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ－１）又は式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基であり、とりわけ好ましくは式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基である。

〔式（２’）で表される構成単位〕
上記式（２’）において、ｍＡは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上３以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。
ｍは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは１以上３以下の整数であり、より好ましくは１又は２であり、より好ましくは２である。
ｃは、ブロック共重合体の製造容易性及び電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０である。

上記式（２’）において、Ａｒ^５は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ^５における芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表されるアリーレン基の定義及び例と同様である。
Ａｒ^５における複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される２価の複素環基部分の定義及び例と同様である。
Ａｒ^５における少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義及び例と同様である。

上記式（２’）において、Ａｒ^４及びＡｒ^６は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは、置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^４及びＡｒ^６におけるアリーレン基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３におけるアリーレン基の定義及び例と同様である。
Ａｒ^４及びＡｒ^６における２価の複素環基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３における２価の複素環基の定義及び例と同様である。
Ａｒ^４、Ａｒ^５及びＡｒ^６が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ^４～Ａｒ^６で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ^４～Ａｒ^６で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

上記式（２’）において、Ｋ^Ａにおけるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例は、それぞれ、前述の式（２）のＬ^Ａにおけるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例と同様である。
Ｋ^Ａの例及び好ましい例は、Ｌ^Ａの例及び好ましい例と同様であるが、Ｋ^Ａは、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは、フェニレン基又はメチレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｋ^Ａで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ｌ^Ａで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

Ｒ’’の例及び好ましい例は、Ｒ’の例及び好ましい例と同様である。

Ｘ’は、好ましくは、架橋性基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、架橋性基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ’におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ｘ’で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。

上記式（２’）において、少なくとも１つのＸ’は、架橋性基であり、好ましくは上記Ａ群より選ばれる架橋性基である。
Ｘ’における架橋性基の定義及び例は、前述の式（２）のＸにおける架橋性基の定義及び例と同様である。

〔式（２）又は（２’）で表される構成単位の具体例〕
式（２）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（２－１）～式（２－３０）で表される構成単位が挙げられ、式（２’）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（２’－１）～式（２’－９）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、式（２）で表される構成単位及び式（２’）で表される構成単位は、ブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは、式（２－１）～式（２－３０）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（２－１）～式（２－１５）、式（２－１９）、式（２－２０）、式（２－２３）、式（２－２５）又は式（２－３０）で表される構成単位であり、さらに好ましくは、式（２－１）～式（２－９）又は式（２－３０）で表される構成単位である。

〔架橋性基を有するその他の構成単位〕
ブロック共重合体は、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の構成単位として、架橋性基を含んでいてもよい。すなわち、架橋性基を有する構成単位は、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の架橋性基を有する構成単位であってもよい。上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の架橋性基を有する構成単位としては、例えば、下記式で表される構成単位が挙げられる。

＜ブロック共重合体＞
本発明に係るブロック共重合体は、末端基と、該末端基に結合するブロック（以下、「末端ブロック」ともいう。）と、該末端基に結合しないブロック（以下、「非末端ブロック」ともいう。）と、を含むブロック共重合体である。すなわち、本発明に係るブロック共重合体は、末端基、末端ブロック及び非末端ブロックをこの順に含むブロック共重合体である。ブロック共重合体は、好ましくは、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。このブロック共重合体において、上記２つの末端基は、同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。また、このブロック共重合体において、上記２つの末端ブロックは、同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。

ブロック共重合体は、末端基、末端ブロック及び非末端ブロック以外の構成単位を含んでいてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、ブロック共重合体は、末端基、末端ブロック及び非末端ブロックのみからなることが好ましい。
末端基、末端ブロック及び非末端ブロック以外の構成単位としては、例えば、接合単位及び分岐単位が挙げられる。

ブロック共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば２×１０^３以上５×１０^６以下であり、好ましくは５×１０^３以上５×１０^５以下であり、より好ましくは１×１０^４以上３×１０^５以下であり、さらに好ましくは２×１０^４以上１×１０^５以下である。
ブロック共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば５×１０^３以上１×１０^７以下であり、好ましくは１×１０^４以上５×１０^６以下であり、より好ましくは５×１０^４以上１×１０^６以下であり、さらに好ましくは１×１０^５以上５×１０^５以下である。

〔末端基〕
「末端基」とは、ブロック共重合体の末端に配置されるとともに、末端ブロックに直接結合する基であり、好ましくは、ブロック共重合体に末端基を導入する際に用いる試剤（末端封止剤）における該試剤導入後の残基としての原子団である。
ブロック共重合体の安定性の観点から、末端基は、好ましくは、ブロック共重合体のすべての末端に配置される。末端基が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
ブロック共重合体の安定性の観点から、末端基は、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよいが、置換基を有さないことがさらに好ましい。
ブロック共重合体の架橋性を高めることができるので、末端基は、架橋性基を含むことが好ましく、架橋性基であることがより好ましい。末端基における架橋性基の例及び好ましい例は、上述の架橋性基についての説明において述べた例及び好ましい例と同様である。

末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ｒ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は架橋性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は架橋性基であり、さらに好ましくは、アルキル基又は架橋性基であり、特に好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよいが、さらに置換基を有さないことがとりわけ好ましい。
末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基における架橋性基の例及び好ましい例は、上述の架橋性基についての説明において述べた例及び好ましい例と同様である。

〔非末端ブロック〕
非末端ブロックは、末端基に直接結合しないブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。非末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、ブロック共重合体の製造容易性及び電荷輸送性向上の観点から、好ましくは１種以上７種以下であり、より好ましくは２種以上５種以下であり、さらに好ましくは２種又は３種である。
ブロック共重合体において、非末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。ブロック共重合体に含まれる非末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種又は２種であり、特に好ましくは１種である。
非末端ブロックの種類が異なる場合としては、例えば、ブロックを構成する構成単位の種類が異なる場合、並びに、各構成単位の含有率及び連鎖分布が異なる場合が挙げられる。非末端ブロックが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
非末端ブロックの少なくとも１つは、ブロック共重合体の製造において、末端ブロックを形成する前に形成されるブロックであることが好ましい。

非末端ブロックは、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む。非末端ブロックにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよいし、１種以上の式（Ｘ）で表される構成単位及び１種以上の式（Ｚ）で表される構成単位が含まれていてもよい。
非末端ブロックは、好ましくは、式（Ｘ）で表される構成単位を含む。

非末端ブロックは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位をさらに含むことが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位をさらに含むことがより好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位のみをさらに含むことがさらに好ましい。非末端ブロックにおいて、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。

ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が非末端ブロックに含まれないこと、及び／又は、非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が末端ブロックに含まれないことが好ましく、末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が非末端ブロックに含まれないこと、及び、非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が末端ブロックに含まれないことがより好ましい。

ブロック共重合体に含まれる非末端ブロックのポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば１×１０^３以上１×１０^６以下であり、好ましくは２×１０^３以上１×１０^５以下であり、より好ましくは３×１０^３以上５×１０^４以下であり、さらに好ましくは５×１０^３以上２×１０^４以下である。
ブロック共重合体に含まれる非末端ブロックのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば２×１０^３以上２×１０^６以下であり、好ましくは３×１０^３以上２×１０^５以下であり、より好ましくは４×１０^３以上１×１０^５以下であり、さらに好ましくは１×１０^４以上５×１０^４以下である。

〔末端ブロック〕
末端ブロックは、末端基に直接結合するブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、ブロック共重合体の製造容易性及び電荷輸送性向上の観点から、好ましくは１種以上７種以下であり、より好ましくは２種以上５種以下であり、さらに好ましくは２種又は３種である。
ブロック共重合体において、末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。ブロック共重合体に含まれる末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種である。
末端ブロックの種類が異なる場合の例としては、非末端ブロックの種類が異なる場合の例と同様である。末端ブロックが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
末端ブロックは、ブロック共重合体の製造において、末端基を形成する前（特には、末端封止剤と反応させる前）に形成されるブロックであることが好ましい。

末端ブロックは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがさらに好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位のみを含むことが特に好ましい。
上述のようにブロック共重合体において、末端基及び末端ブロックからなる群より選ばれる少なくとも１つは架橋性基を含む。ブロック共重合体において、末端ブロックが架橋性基を含むことが好ましく、架橋性基を有する構成単位を含むことがより好ましい。末端ブロックが架橋性基を有する場合、末端基は、架橋性基を有していてもよいし、有していなくてもよい。末端ブロックが架橋性基を有することにより、架橋性基の導入量を高めやすくなるため、ブロック共重合体の架橋性を十分な程度まで高めやすくなる。
末端ブロックが架橋性基を有する場合、ブロック共重合体の架橋性が優れる傾向にあるので、架橋性基は、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位として、末端ブロックに含まれることが好ましい。

末端ブロックにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、及び、式（Ｚ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
末端ブロックは、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（Ｘ）で表される構成単位を含まないこと又は式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことが好ましく、式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことがさらに好ましい。

ブロック共重合体において、末端ブロック及び非末端ブロックは、それぞれ独立に、単独重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体及びグラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、共重合体であることが好ましい。
ブロック共重合体は、ブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる２種以上１５種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが好ましく、２種以上１０種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがより好ましく、３種以上８種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがさらに好ましく、３種以上６種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが特に好ましい。
ブロック共重合体において、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
ブロック共重合体に含まれる構成単位の種類の合計は、ブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは２種以上２０種以下であり、より好ましくは２種以上１５種以下であり、さらに好ましくは２種以上１０種以下であり、特に好ましくは３種以上８種以下であり、とりわけ好ましくは３種以上６種以下である。

〔構成単位の合計個数〕
本明細書において、高分子化合物に含まれる各構成単位の合計個数は、高分子化合物の分子量１０００あたりの構成単位の平均数を意味する。また、高分子化合物に含まれる架橋性基の合計個数は、高分子化合物の分子量１０００あたりの架橋性基の平均数を意味する。
高分子化合物に含まれる各構成単位及び架橋性基の合計個数は、例えば、以下の方法で求めることができる。
高分子化合物を構成する各構成単位について、末端基を除く全構成単位の総モルに対するその構成単位のモル比とその構成単位の分子量とを乗じた値の総和をＤ_１とし、各構成単位について求めたモル比の総和をＥ_１とし、モル比とその構成単位が有する架橋性基の数とを乗じた値の総和をＥ_２とすると、高分子化合物に含まれる各構成単位の合計個数は、（Ｅ_１×１０００）／Ｄ_１となり、高分子化合物に含まれる架橋性基の合計個数は、（Ｅ_２×１０００）／Ｄ_１となる。
高分子化合物を構成する各構成単位の分子量は、例えば、ＣｈｅｍＤｒａｗ（ヒューリンクス社製）のＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔの値を用いて、算出することができる。

各構成単位の合計個数及び架橋性基の合計個数の具体的な算出方法を、実施例１で用いたブロック共重合体Ｐ１を例に挙げて詳細に説明する。

ブロック共重合体Ｐ１は、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが４０：３０：２．５のモル比で含有されている非末端ブロック、及び、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが１０：１０：７．５のモル比で含有されている末端ブロックを有する。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ３から誘導される構成単位の分子量は３８８．６４、化合物Ｍ４から誘導される構成単位の分子量は１７６．２２、化合物Ｍ５から誘導される構成単位の分子量は３６８．４８である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ３から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ４から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ５から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ３から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ４から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ５から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。

Ｄ_１は、以下のとおり求められる。
Ｄ_１＝（６５３．０５×０．４０）＋（７５１．１２×０．３０）＋（３８８．６４×０．０２５）＋（６５３．０５×０．１０）＋（１７６．２２×０．１０）＋（３６８．４８×０．０７５）＝６０６．８３５

ブロック共重合体Ｐ１において、各構成単位のＥ_１は、以下のとおり求められる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．４０＋０．０２５＝０．４２５
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．３０
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．３０＋０＝０．３０
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位のＥ_１）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．１０＋０．１０＝０．２０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位のＥ_１）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位のＥ_１）＝０．０７５
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．４０＋０．０２５＋０．１０＋０．１０＝０．６２５
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．３０
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ_１）＝０．３０＋０＝０．３０
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位のＥ_１）＝０．０７５

Ｅ_２は、以下のとおり求められる。
（非末端ブロックにおけるＥ_２）＝（０．４０×０）＋（０．３０×０）＋（０．０２５×０）＝０
（末端ブロックにおけるＥ_２）＝（０．１０×０）＋（０．１０×０）＋（０．０７５×２）＝０．１５
（ブロック共重合体におけるＥ_２）＝（０．４０×０）＋（０．３０×０）＋（０．０２５×０）＋（０．１０×０）＋（０．１０×０）＋（０．０７５×２）＝０．１５

ブロック共重合体Ｐ１において、各構成単位及び架橋性基の合計個数は、以下のとおり求められる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．４２５×１０００）／６０６．８３５＝０．７００
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．２０×１０００）／６０６．８３５＝０．３３０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０．０７５×１０００）／６０６．８３５＝０．１２４
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝（０．１５×１０００）／６０６．８３５＝０．２４７
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．６２５×１０００）／６０６．８３５＝１．０３０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０．０７５×１０００）／６０６．８３５＝０．１２４
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝（０．１５×１０００）／６０６．８３５＝０．２４７

ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体において、非末端ブロックに式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上２以下であり、０．５以上２以下であってもよい。
ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（Ｘ_Ｉ）は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体において、非末端ブロックに式（Ｘ）で表される構成単位が含まれる場合、非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（Ｘ_Ｉ）は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（Ｚ_Ｉ）は、通常０以上５０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上２０以下であり、より好ましくは０以上１０以下であり、さらに好ましくは０以上５以下であり、特に好ましくは０以上２以下であり、とりわけ好ましくは０以上１以下であり、とりわけより好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけさらに好ましくは０である。
ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ）は、通常０．０１以上５０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上１０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
ブロック共重合体において、非末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上１０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体において、末端ブロックに式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０３以上１０以下であり、さらに好ましくは０．０５以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上１以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上０．５以下である。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（Ｘ_ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．３以下であり、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（Ｚ_ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．１以下であり、特に好ましくは０である。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．３以下であり、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体において、末端ブロックに架橋性基を有する構成単位が含まれる場合、末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上及び架橋性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０２以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上１以下であり、とりわけより好ましくは０．１以上０．５以下である。
ブロック共重合体において、末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体において、末端ブロックに架橋性基が含まれる場合、末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上及び架橋性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０２以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上１以下である。
ブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体に式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、ブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、０．５以上３以下であってもよい。
ブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体に式（Ｘ）で表される構成単位が含まれる場合、ブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
ブロック共重合体に含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０以上２０以下であり、より好ましくは０以上１０以下であり、さらに好ましくは０以上５以下であり、特に好ましくは０以上２以下であり、とりわけ好ましくは０以上１以下であり、とりわけより好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけさらに好ましくは０である。
ブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、通常０．０１以上５０以下であり、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
ブロック共重合体に含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体に架橋性基を有する構成単位が含まれる場合、ブロック共重合体に含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上及び架橋性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０１以上１０以下であり、さらに好ましくは０．０２以上５以下であり、特に好ましくは０．０５以上５以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけより好ましくは０．１以上１以下である。
ブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下である。ブロック共重合体に架橋性基が含まれる場合、ブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上及び架橋性向上の観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０１以上１０以下であり、さらに好ましくは０．０２以上５以下であり、特に好ましくは０．０５以上５以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけより好ましくは０．１以上２以下であり、０．１以上１以下であってもよい。

本発明に係るブロック共重合体は、前記式（ｉ）～（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たすことにより、良好な電荷輸送性を示すブロック共重合体を得ることができる。ブロック共重合体は、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、式（ｉ）～（ｉｉｉ）の少なくとも２つを満たすことが好ましい。
また、ブロック共重合体の電荷輸送性向上の観点から、ブロック共重合体は、式（ｉ）又は式（ｉｉｉ）を満たすことが好ましく、式（ｉ）を満たすことがより好ましく、式（ｉ）及び式（ｉｉｉ）を満たすことがさらに好ましい。

＜ブロック共重合体の製造方法＞
本発明に係るブロック共重合体は、下記の工程を含む方法によって好適に製造することができる。
〔ａ〕非末端ブロックを形成する１種又は２種以上の化合物（モノマー）を重合させて非末端ブロックを形成する工程、
〔ｂ〕非末端ブロックの存在下に、末端ブロックを形成する１種又は２種以上の化合物（モノマー）を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程、及び
〔ｃ〕末端基を導入するための試剤（末端封止剤）を末端ブロックと反応させて、末端ブロックに末端基を導入する工程。
上記工程〔ａ〕は、後述の式（Ｍ－５）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて非末端ブロックを形成する工程を含むことが好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物、後述の式（Ｍ－３）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－４）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、後述の式（Ｍ－５）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを重合させて非末端ブロックを形成する工程を含むことがより好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－４）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、後述の式（Ｍ－５）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを重合させて非末端ブロックを形成する工程を含むことがさらに好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－４）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、後述の式（Ｍ－５）で表される化合物の１種以上とを重合させて非末端ブロックを形成する工程を含むことが特に好ましい。
上記工程〔ｂ〕は、非末端ブロックの存在下に、後述の式（Ｍ－１）で表される化合物、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物、後述の式（Ｍ－３）で表される化合物、後述の式（Ｍ－４）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－５）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことが好ましく、非末端ブロックの存在下に、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物、後述の式（Ｍ－３）で表される化合物、後述の式（Ｍ－４）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－５）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことがより好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことがさらに好ましい。
上記工程〔ｂ〕において、本発明に係るブロック共重合体の末端ブロックが架橋性基を含む場合、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させることにより、架橋性基を含む末端ブロックを形成することができる。
本発明に係るブロック共重合体の末端ブロックが架橋性基を含む場合、上記工程〔ｂ〕は、非末端ブロックの存在下に、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことが好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、後述の式（Ｍ－１）で表される化合物、後述の式（Ｍ－４）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－５）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことがより好ましく、後述の式（Ｍ－２）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる群より選ばれる少なくとも１種と、後述の式（Ｍ－４）で表される化合物及び後述の式（Ｍ－５）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程を含むことがさらに好ましい。
上記工程〔ｃ〕は、後述の式（Ｍ－６）で表される化合物（末端封止剤）を末端ブロックと反応させて、末端ブロックに末端基を導入する工程を含むことが好ましい。上記工程〔ｃ〕において、本発明に係るブロック共重合体の末端基が架橋性基を含む場合、例えば、後述の式（Ｍ－６）で表される化合物（末端封止剤）のうち、架橋基を有する化合物（好ましくは、後述の式（Ｍ－６）中のＡｒ^Ｔが架橋性基である化合物）を末端ブロックと反応させることにより、架橋性基を含む末端基を形成することができる。

本明細書において、本発明に係るブロック共重合体の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。

上記の各工程において、原料モノマー、すなわち、非末端ブロックを形成する化合物、末端ブロックを形成する化合物及び末端封止剤は、それぞれ、上記＜ブロック共重合体＞の項の記載に照らして、各ブロックが所望の構成単位を含み、末端基が所望の基で構成されるように選択することができる。

本発明に係るブロック共重合体の製造方法の一実施形態において、
上記工程〔ａ〕は、下記の式（Ｍ－４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ－５）で表される化合物及び下記の式（Ｍ－１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種とを重合させて非末端ブロックを形成する工程であり、
上記工程〔ｂ〕は、非末端ブロックの存在下に、下記の式（Ｍ－４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ－２）で表される化合物及び下記の式（Ｍ－３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程であり、
上記工程〔ｃ〕は、下記の式（Ｍ－６）で表される化合物（末端封止剤）を末端ブロックと反応させて、末端ブロックに末端基を導入する工程である。

［式中、
Ａｒ^Ｚ、Ａｒ^３、Ｌ^Ａ、ｎＡ、Ｘ、ｎ、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ｋ^Ａ、ｍＡ、Ｘ’、ｍ、ｃ、Ａｒ^Ｙ１、Ａｒ^Ｘ１、Ａｒ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ３、Ａｒ^Ｘ４、Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２、Ｒ^Ｘ３、ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、前記と同じ意味を表す。
Ａｒ^Ｔは、アリール基、１価の複素環基又は架橋性基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｚ^Ｃ１～Ｚ^Ｃ１１は反応性基であり、それぞれ独立に、Ｂ群及びＣ群からなる群より選ばれる基を表す。］

式（Ｍ－１）で表される化合物は、式（Ｚ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ－２）で表される化合物は、式（２）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ－３）で表される化合物は、式（２’）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ－４）で表される化合物は、式（Ｙ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ－５）で表される化合物は、式（Ｘ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ－６）で表される化合物は、末端基を形成できる化合物である。

Ａｒ^Ｔは、ブロック共重合体の安定性の観点から、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。また、ブロック共重合体の架橋性を高めることができるので、Ａｒ^Ｔは、架橋性基であることが好ましい。
Ａｒ^Ｔにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。

Ｂ群及びＣ群はそれぞれ次のとおりである。
（Ｂ群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
（Ｃ群）
－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一であってもよく異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
－ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
－ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
－ＺｎＹ’’（式中、Ｙ’’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
－Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一であってもよく異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、－Ｂ（ＯＨ）_２のほか、下記式で表される基が例示される。

各ブロックを形成するための原料モノマーは、前記式（Ｍ－１）～（Ｍ－５）で表される化合物がそうであるように、Ｂ群又はＣ群から選ばれる反応性基を２個有することができる。各ブロックを形成するためのそれぞれの原料モノマーが有する２個の反応性基は、原料モノマーの製造が容易であるので、いずれもＢ群から選ばれるか、又はいずれもＣ群から選ばれることが好ましい。

例えば、Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とＣ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により、Ｂ群から選ばれる基に結合する炭素原子とＣ群から選ばれる基に結合する炭素原子との間に結合が生じる。そのため、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物と、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物とを公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

上記縮合重合によって、非末端ブロックの形成及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。
一例として上記一実施形態に係る製造方法を挙げれば、例えば、Ｚ^Ｃ１、Ｚ^Ｃ２、Ｚ^Ｃ３、Ｚ^Ｃ４、Ｚ^Ｃ５、Ｚ^Ｃ６、Ｚ^Ｃ９及びＺ^Ｃ１０がＢ群から選ばれる基である場合、Ｚ^Ｃ７及びＺ^Ｃ８としてＣ群から選ばれる基を選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成、及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。Ｚ^Ｃ１、Ｚ^Ｃ２、Ｚ^Ｃ３、Ｚ^Ｃ４、Ｚ^Ｃ５、Ｚ^Ｃ６、Ｚ^Ｃ９及びＺ^Ｃ１０がＣ群から選ばれる基である場合、Ｚ^Ｃ７及びＺ^Ｃ８としてＢ群から選ばれる基を選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成、及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。
また、上記一実施形態に係る製造方法において、式（Ｍ－１）～式（Ｍ－５）で表される化合物を２種以上用いる一実施形態について、式（Ｍ－４）で表される化合物の２種以上を用いた場合を例に説明する。式（Ｍ－４）で表される化合物の２種以上を用いて、非末端ブロック又は末端ブロックの形成を行う場合、式（Ｍ－４）で表される化合物の少なくとも２種のうち、いずれか１種以上の化合物のＺ^Ｃ７及びＺ^Ｃ８をＣ群から選択し、他のいずれか１種以上の化合物のＺ^Ｃ７及びＺ^Ｃ８をＢ群から選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成又は末端ブロックの形成を行うことができる。

末端ブロックへの末端基の導入も同様の反応を利用して行うことができる。すなわち、末端ブロックの末端がＢ群から選ばれる基である場合、Ｚ^Ｃ１１としてＣ群から選ばれる基を選択すれば、カップリング反応により末端基を導入することができる。末端ブロックの末端がＣ群から選ばれる基である場合、Ｚ^Ｃ１１としてＢ群から選ばれる基を選択すれば、カップリング反応により末端基を導入することができる。

Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物を原料モノマーとして非末端ブロック及び末端ブロックのそれぞれを形成する上記縮合重合によってブロック共重合体を製造する場合、非末端ブロックを形成する工程（上記工程〔ａ〕）及び末端ブロックを形成する工程（上記工程〔ｂ〕）のそれぞれにおいて、原料モノマーの使用量比を適切に制御することが好ましい。
すなわち、工程〔ａ〕において、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物のいずれか一方を、モル基準で過剰に使用することが好ましい。これにより、末端にＢ群から選ばれる基を有するか、又はＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックを確実に製造することができる。過剰に使用する化合物がＢ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＢ群から選ばれる基を有する非末端ブロックが製造され、過剰に使用する化合物がＣ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックが製造される。
続く工程〔ｂ〕では、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物のうち、工程〔ａ〕において過剰に使用しなかった方の化合物を、モル基準で過剰に使用することが好ましい。これにより、非末端ブロックに結合し、末端にＣ群から選ばれる基を有するか、又はＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックを確実に製造することができる。過剰に使用する化合物がＢ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造され、過剰に使用する化合物がＣ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＣ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される。
工程〔ｂ〕において、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される場合には、工程〔ｃ〕においてＣ群から選ばれる基を有する末端封止剤を使用する。工程〔ｂ〕において、末端にＣ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される場合には、工程〔ｃ〕においてＢ群から選ばれる基を有する末端封止剤を使用する。

ブロック共重合体の製造における原料モノマーの使用量比の制御を、実施例１で用いたブロック共重合体Ｐ１を例に挙げて詳細に説明する。
実施例１において、非末端ブロックの形成には混合物Ｐ１ａが用いられ、この混合物は、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ１と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ２と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ３とを４０：３０：２．５のモル比で含む。このように混合物Ｐ１ａは、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物がモル基準で過剰となるように使用量比が制御されている。したがって、形成される非末端ブロックは、末端にＣ群から選ばれる基を有する。
また、末端ブロックの形成には混合物Ｐ１ｂが用いられ、この混合物は、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ１と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ４と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ５とを１０：１０：７．５のモル比で含む。このように混合物Ｐ１ｂは、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物がモル基準で過剰となるように使用量比が制御されている。これにより、末端にＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックに結合するとともに、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが形成される。
実施例１において使用されている末端封止剤であるフェニルボロン酸は、Ｃ群から選ばれる基を１個有する化合物である。したがって、フェニルボロン酸は、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックに結合してブロック共重合体の末端を封止するとともに、末端基であるフェニル基が形成される。

上記縮合重合（カップリング反応）は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行われるが、必要に応じて、相間移動触媒をさらに共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム等のパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、［１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（１，４－シクロオクタジエン）ニッケル（０）等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、さらにトリフェニルホスフィン、トリ（ｏ－トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、０．００００１モル当量以上３モル当量以下である。

塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常０．００１モル当量以上１００モル当量以下である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計１００質量部に対して、１０質量部以上１０００００質量部以下である。

縮合重合の反応温度は、通常－１００℃以上２００℃以下である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

縮合重合反応（カップリング反応）の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行うことができる。
ブロック共重合体の純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

＜組成物＞
本発明に係る組成物は、上記本発明に係るブロック共重合体と、該ブロック共重合体以外のその他の成分とを含む。
その他の成分は、好ましくは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分である。ここでいう、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料は、本発明に係るブロック共重合体とは異なる。
本発明に係る組成物において、本発明に係るブロック共重合体は、１種のみ含まれていてもよいし２種以上含まれていてもよい。

〔インク〕
ブロック共重合体と溶媒とを含有する組成物（以下、「インク」ともいう。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
ブロック共重合体及び溶媒は、それぞれ、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
インクは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分をさらに含むことができる。
インクの粘度は、印刷法の種類に応じて調整することができるが、好ましくは２５℃において１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓで以下ある。

インクに含まれる溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。
溶媒としては、例えば、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４－メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ－ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－へプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカン、ｎ－ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２－ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。

インクにおいて、溶媒の含有量は、ブロック共重合体１００質量部に対して、通常１０００質量部以上１０００００質量部以下である。

〔正孔輸送材料〕
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは架橋性基を有する高分子化合物である。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びトリニトロフルオレノン等の電子受容性部位が結合された化合物でもよい。
本発明に係る組成物において、正孔輸送材料の含有量は、本発明に係るブロック共重合体１００質量部に対して、通常１質量部以上４００質量部以下である。
正孔輸送材料は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

〔電子輸送材料〕
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋性基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８－ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
本発明に係る組成物において、電子輸送材料の含有量は、本発明に係るブロック共重合体１００質量部に対して、通常１質量部以上４００質量部以下である。
電子輸送材料は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

〔正孔注入材料及び電子注入材料〕
正孔注入材料及び電子注入材料は、それぞれ、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋性基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
本発明に係る組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の含有量は、それぞれ、本発明に係るブロック共重合体１００質量部に対して、通常１質量部以上４００質量部以下である。
正孔注入材料及び電子注入材料は、それぞれ、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

〔イオンドープ〕
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは１×１０^－５Ｓ／ｃｍ以上１×１０^３Ｓ／ｃｍ以下である。
導電性高分子の電気伝導度を上記範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。
アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。
カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

〔発光材料〕
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋性基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする燐光発光性化合物が挙げられる。
燐光発光性化合物は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す化合物を意味するが、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。この三重項励起状態からの発光を示す金属錯体は、中心金属原子及び配位子を有する。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
燐光発光性化合物としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明に係る組成物において、発光材料の含有量は、本発明に係るブロック共重合体１００質量部に対して、通常０．１～１０００質量部であり、好ましくは０．１質量部以上４００質量部以下である。
発光材料は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

〔酸化防止剤〕
酸化防止剤は、組成物に含まれる溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であることが好ましく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
本発明に係る組成物において、酸化防止剤の含有量は、本発明に係るブロック共重合体１００質量部に対して、通常０．００１質量部以上１０質量部以下である。
酸化防止剤は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

＜膜＞
本発明に係るブロック共重合体は、膜形成材料として用いることができる。
膜は、本発明に係るブロック共重合体をそのまま含有していてもよいし、本発明に係るブロック共重合体の架橋体を含有していてもよいし、本発明に係るブロック共重合体及びその架橋体の両方を含有していてもよい。
ブロック共重合体の架橋体とは、該ブロック共重合体が、分子内もしくは分子間、又は、分子内及び分子間で架橋した状態の物質をいう。
本発明に係るブロック共重合体の架橋体は、本発明に係るブロック共重合体と他の化合物とが、分子間で架橋した架橋体であってもよい。
上記膜は、発光素子が備える膜（層）として好適に適用することができる。

上記架橋体を含有する膜は、本発明に係るブロック共重合体を含有する膜を、加熱、光照射等の外部刺激により架橋させることによって得ることができる。
上記架橋体を含有する膜は、溶媒に対して実質的に不溶化されているため、後述する発光素子の積層化に好適に使用することができる。
上記膜、とりわけ、上記架橋体を含有する膜は、発光素子における正孔輸送層として好適である。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常２５℃以上３００℃以下であり、架橋体を含有する膜の安定性の観点から、好ましくは５０℃以上２５０℃以下であり、より好ましくは１５０℃以上２００℃以下である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

本発明に係るブロック共重合体を含有する膜は、上述のインクを、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ－コート法、ノズルコート法により塗工し、必要に応じて乾燥させることによって形成することができる。得られた膜を加熱したり、該膜に対して光照射を行うことにより、上記架橋体を含有する膜を形成することができる。
上記膜の厚みは、通常１ｎｍ以上１０μｍ以下である。

＜発光素子＞
本発明に係る発光素子は、本発明に係るブロック共重合体の架橋体を含有する発光素子である。
本発明に係る一実施形態において発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に配置される本発明に係るブロック共重合体の架橋体を含有する層（膜）とを有する。

〔発光素子の層構成〕
本発明に係るブロック共重合体の架橋体を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層からなる群より選ばれる少なくとも１種の層であり、好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層及び／又は発光層であり、より好ましくは、正孔輸送層である。
発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含有する。これらの層は、それぞれ、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させてインクを調製し、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。本発明に係る発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層との間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、本発明に係るブロック共重合体のほか、それぞれ、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、それぞれ、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋性基を有することが好ましい。架橋性基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋性基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明に係る発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚みは、発光素子の発光効率及び素子寿命を勘案して調整することができる。

〔基板／電極〕
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であることが好ましく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板であることが好ましい。不透明な基板を用いる場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；該金属群から選ばれる２種以上の合金；該金属群から選ばれる１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群より選ばれる１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。
合金としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、それぞれ、２層以上の積層構造としてもよい。

〔用途〕
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と面状の陰極とを、それらが重なり合うように配置する。
パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。
上記いずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。
ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極及び陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。
発光色が異なる複数種の高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。
ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。
面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び曲面状の表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物及びその中間体のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）により求めた。
測定する高分子化合物又はその中間体を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ－Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ－ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ－８３２０ＧＰＣ）を用いた。
本実施例において、高分子化合物中の構成単位の分子量は、ＣｈｅｍＤｒａｗ Ｐｒｏ １３．０（ヒューリンクス社製）のＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔの値を用いて、算出した。

＜合成例Ｍ１～Ｍ１３：化合物Ｍ１～Ｍ１３の合成、入手＞
化合物Ｍ１は特開２０１１－１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２は国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３及びＭ７は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ４は市販品を用いた。
化合物Ｍ５は特開２００８－１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ６は特開２０１０－１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ８は特開２０１０－２１５８８６号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ９は国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１０は国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１１は国際公開第２００９／１５７４２４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１２は国際公開第２０１６／０４７５３６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１３は国際公開第２０１３／１９１０８８号に記載の方法に従って合成した。

＜実施例１：ブロック共重合体Ｐ１の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１に示す混合物Ｐ１ａ〔化合物Ｍ１（２．３９ｇ）、化合物Ｍ２（１．８１ｇ）及び化合物Ｍ３（９１．４ｍｇ）〕並びにトルエン（２３ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．９ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは７．６×１０^３であり、Ｍｗは１．７×１０^４であった。

（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１に示す混合物Ｐ１ｂ〔化合物Ｍ１（０．４５ｇ）化合物Ｍ４（０．２２ｇ）及び化合物Ｍ５（０．２６ｇ）〕並びにトルエン（２２ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．０ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。

（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（１６０ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。

（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体Ｐ１（３．２ｇ）を得た。
ブロック共重合体Ｐ１のＭｎは４．９×１０^４であり、Ｍｗは１．４×１０^５であった。

ブロック共重合体Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とを４０：３０：２．５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とを１０：１０：７．５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体Ｐ１は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体Ｐ１は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。

（５）ＨＯＤ素子１の作製及び評価
正孔のみを流すことができるＨＯＤ（Ｈｏｌｅ ｏｎｌｙ ｄｅｖｉｃｅ）素子を作製した。
陽極としてＩＴＯが成膜されたガラス基板にＵＶオゾン洗浄を施した後、該基板上に、正孔注入材料（日産化学工業株式会社製、ＮＤ３２０２）をスピンコートにより３５ｎｍの厚みで成膜した。これを大気雰囲気中において、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱した後、室温まで自然冷却させて、正孔注入層を形成した。

次に、ブロック共重合体Ｐ１をキシレンに溶解させ２．１質量％のキシレン溶液を調製した。正孔注入層上に、このキシレン溶液を用いてスピンコートにより１００ｎｍの厚みで成膜し、これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱してブロック共重合体Ｐ１を架橋させた後、室温まで自然冷却させて、正孔輸送層を形成した。

その後、正孔輸送層上に、陰極としてアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着して、ＨＯＤ素子１を作製した。なお、真空度が１×１０^－４Ｐａ以下に到達した後にアルミニウムの蒸着を開始した。

ＨＯＤ素子１に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．４ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

＜比較例１：ブロック共重合体ＣＰ１の合成＞
（１）ブロック共重合体ＣＰ１の合成
ブロック共重合体ＣＰ１は、下記の表２に示す混合物ＣＰ１ａ及び同表に示す混合物ＣＰ１ｂを用いて、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
ブロック共重合体ＣＰ１の合成において、非末端ブロックのＭｎは４．１×１０^４であり、Ｍｗは１．２×１０^５であった。ブロック共重合体ＣＰ１のＭｎは５．４×１０^４であり、Ｍｗは１．８×１０^５であった。

ブロック共重合体ＣＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とを４０：３０：２．５：７．５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とを１０：１０のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＣＰ１において、末端ブロック及び末端基は、架橋性基を有していない。

（２）ＨＯＤ素子Ｃ１の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体ＣＰ１を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子Ｃ１を作製した。
ＨＯＤ素子Ｃ１に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．４ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

実施例１及び比較例１の結果を下記の表３に示す。
表３に示すとおり、ＨＯＤ素子Ｃ１の０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を１．００としたときのＨＯＤ素子１の０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度の相対値は、１．３４であった。ここで、正孔輸送性は、電流密度の相対値が大きいほど優れていると評価できる。

＜実施例２：ブロック共重合体Ｐ２の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表４に示す混合物Ｐ２ａ〔化合物Ｍ６（１．４６ｇ）及び化合物Ｍ７（１．２０ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２．３ｍｇ）及びトルエン（３０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、１６質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０．６ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは８．４×１０^３であり、Ｍｗは１．８×１０^４であった。

（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表４に示す混合物Ｐ２ｂ〔化合物Ｍ６（０．１４６ｇ）、化合物Ｍ５（０．１７４ｇ）及び化合物Ｍ８（０．１５０ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．５７ｍｇ）及びトルエン（１０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。

（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（１６０ｍｇ）及びビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２．９ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。

（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体Ｐ２（０．８１ｇ）を得た。
ブロック共重合体Ｐ２のＭｎは５．５×１０^４であり、Ｍｗは３．７×１０^５であった。

ブロック共重合体Ｐ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位とを４５：４０のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ８から誘導される構成単位とを５：５：５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体Ｐ２は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体Ｐ２は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。

化合物Ｍ６から誘導される構成単位の分子量は２４４．４２、化合物Ｍ７から誘導される構成単位の分子量は２９９．４２、化合物Ｍ５から誘導される構成単位の分子量は３６８．４８、化合物Ｍ８から誘導される構成単位の分子量は３００．４４である。
化合物Ｍ６から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ７から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ５から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２、化合物Ｍ８から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２である。
化合物Ｍ６から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ７から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ５から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位であり、化合物Ｍ８から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。

ブロック共重合体Ｐ２において、各構成単位及び架橋性基の合計個数の算出結果は、以下のとおりになる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝１．６３４
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝１．４５２
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝１．４５２
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１８２
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．３６３
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０．７２６
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝１．８１５
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝１．４５２
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝１．４５２
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．３６３
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝０．７２６

（５）ＨＯＤ素子２の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体Ｐ２を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子２を作製した。
ＨＯＤ素子２に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が１．０ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、１．０ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

＜比較例２：高分子化合物ＣＰ２の合成＞
（１）高分子化合物ＣＰ２の合成
高分子化合物ＣＰ２は、下記の表５に示す混合物ＣＰ２ａを用いて、特開２０１５－１１０７５１号公報に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物ＣＰ２のＭｎは５．９×１０^４であり、Ｍｗは１．８×１０^５であった。

高分子化合物ＣＰ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ８から誘導される構成単位とを５０：４０：５：５のモル比で含むランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

（２）ＨＯＤ素子Ｃ２の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えて高分子化合物ＣＰ２を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子Ｃ２を作製した。
ＨＯＤ素子Ｃ２に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が１．０ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、１．０ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

実施例２及び比較例２の結果を下記の表６に示す。
表６に示すとおり、ＨＯＤ素子Ｃ２の１．０ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を１．００としたときのＨＯＤ素子２の１．０ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度の相対値は、１．５４であった。ここで、正孔輸送性は、電流密度の相対値が大きいほど優れていると評価できる。

＜実施例３：ブロック共重合体Ｐ３の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表７に示す混合物Ｐ３ａ〔化合物Ｍ１（２．０８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．７５ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１７ｍｇ）及びトルエン（３５ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは７．４×１０^３であり、Ｍｗは１．７×１０^４であった。

（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表７に示す混合物Ｐ３ｂ〔化合物Ｍ１（１．３５ｇ）、化合物Ｍ９（０．３２８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．０５ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１７ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）、及びトルエン（４０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。

（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるＭ１２（３５２ｍｇ）及びビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１６ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。

（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体Ｐ３（４．４７ｇ）を得た。
ブロック共重合体Ｐ３のＭｎは３．３×１０^４であり、Ｍｗは１．６×１０^５であった。

ブロック共重合体Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを３０：２５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを２０：１０：１５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基として、化合物Ｍ１２から誘導される架橋性基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体Ｐ３は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体Ｐ３は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。

化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ９から誘導される構成単位の分子量は２６９．３５である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ９から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は１である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ９から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。

ブロック共重合体Ｐ３において、各構成単位及び架橋性基の合計個数の算出結果は、以下のとおりになる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．４５９
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝０．３８２
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝０．３８２
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．３０６
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝０．２２９
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝０．２２９
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．１５３
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０．１５３
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．７６５
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６１２
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６１２
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．１５３
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝０．１５３

（５）ＨＯＤ素子３の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体Ｐ３を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子３を作製した。
ＨＯＤ素子３に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．４ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

＜比較例３：ブロック共重合体ＣＰ３の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表８に示す混合物ＣＰ３ａ〔化合物Ｍ１（０．６９４ｇ）及び化合物Ｍ２（１．０５ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１０ｍｇ）及びトルエン（３５ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは３．２×１０^３であり、Ｍｗは７．８×１０^３であった。

（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表８に示す混合物ＣＰ３ｂ〔化合物Ｍ１（２．３８ｇ）、化合物Ｍ９（０．３２８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．７５ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２４ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）、及びトルエン（４０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。

（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるＭ１２（３５２ｍｇ）及びビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２４ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。

（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＣＰ３（４．５５ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＣＰ３のＭｎは３．４×１０^４であり、Ｍｗは１．３×１０^５であった。

ブロック共重合体ＣＰ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを１０：１５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを４０：１０：２５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基として、化合物Ｍ１２から誘導される架橋性基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＣＰ３は、上記式（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を満たさない。

化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ９から誘導される構成単位の分子量は２６９．３５である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ９から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は１である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ９から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。

ブロック共重合体ＣＰ３において、各構成単位及び架橋性基の合計個数の算出結果は、以下のとおりになる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１５３
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝０．２２９
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝０．２２９
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６１２
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝０．３８２
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝０．３８２
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．１５３
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０．１５３
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．７６５
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６１２
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６１２
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．１５３
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝０．１５３

（５）ＨＯＤ素子Ｃ３の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体ＣＰ３を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子Ｃ３を作製した。
ＨＯＤ素子Ｃ３に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．４ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

実施例３及び比較例３の結果を下記の表９に示す。
表９に示すとおり、ＨＯＤ素子Ｃ３の０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を１．００としたときのＨＯＤ素子３の０．４ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度の相対値は、１．５９であった。ここで、正孔輸送性は、電流密度の相対値が大きいほど優れていると評価できる。

＜実施例４：ブロック共重合体Ｐ４の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１０に示す混合物Ｐ４ａ〔化合物Ｍ１（０．４０７ｇ）、化合物Ｍ１０（１．３９ｇ）、及び化合物Ｍ２（１．３７ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２９ｍｇ）及びトルエン（２３ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．４ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは６．６×１０^３であり、Ｍｗは１．８×１０^４であった。

（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１０に示す混合物Ｐ４ｂ〔化合物Ｍ１３（０．２４１ｇ）、化合物Ｍ２（０．５５６ｇ）及び化合物Ｍ１１（０．２４８ｇ）〕、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．３３ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．５ｇ）、及びトルエン（２９ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。

（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（１０９ｍｇ）及びビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．０７ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。

（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体Ｐ４（２．７２ｇ）を得た。
ブロック共重合体Ｐ４のＭｎは３．２×１０^４であり、Ｍｗは１．６×１０^５であった。

ブロック共重合体Ｐ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを１０：３０：３３．４のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位とを１０：１３．６：３のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。ブロック共重合体Ｐ４は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体Ｐ４は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。

化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位の分子量は７７７．１１、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位の分子量は３００．４４、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位の分子量は１６８３．２０である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。また、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位は、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位以外の構成単位（以下、「その他の構成単位」ともいう。）である。

ブロック共重合体Ｐ４において、各構成単位及び架橋性基の合計個数の算出結果は、以下のとおりになる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１３７
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝０．４５６
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝０．４５６
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．４１０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０．８２０
（非末端ブロックにおけるその他の構成単位の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝０．１８６
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝０．１８６
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．１３７
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０．２７３
（末端ブロックにおけるその他の構成単位の合計個数）＝０．０４１
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１３７
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６４２
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６４２
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．５４６
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝１．０９３
（ブロック共重合体におけるその他の構成単位の合計個数）＝０．０４１

（５）ＨＯＤ素子４の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体Ｐ４を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子４を作製した。
ＨＯＤ素子４に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．１ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．１ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

＜比較例４：ブロック共重合体ＣＰ４の合成＞
（１）ブロック共重合体ＣＰ４の合成
ブロック共重合体ＣＰ４は、下記の表１１に示す混合物ＣＰ４ａ及び同表に示す混合物ＣＰ４ｂを用いて、特開２０１６－１１１３５５号公報に記載の方法に従って合成した。
ブロック共重合体ＣＰ４の合成において、非末端ブロックのＭｎは２．８×１０^３であり、Ｍｗは５．８×１０^３であった。ブロック共重合体ＣＰ４のＭｎは３．３×１０^４であり、Ｍｗは１．７×１０^５であった。

ブロック共重合体ＣＰ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位とを１０：１３．６：３のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを３０：１０：３３．４のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。ブロック共重合体ＣＰ４は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。 ブロック共重合体ＣＰ４は、上記式（ｉ）、（ｉｉ）及び、（ｉｉｉ）を満たさない。

化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位の分子量は１６８３．２０、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位の分子量は７７７．１１、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位の分子量は３００．４４である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位であり、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。また、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位は、その他の構成単位である。

ブロック共重合体ＣＰ４において、各構成単位及び架橋性基の合計個数の算出結果は、以下のとおりになる。
（非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１３７
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＝０．１８６
（非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_Ｉ＝０
（非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＝０．１８６
（非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０
（非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝０
（非末端ブロックにおけるその他の構成単位の合計個数）＝０．０４１
（末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＝０．４５６
（末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｚ_ＩＩ＝０
（末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ＝０．４５６
（末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．５４６
（末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝１．０９３
（末端ブロックにおけるその他の構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝０．１３７
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６４２
（ブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝０．６４２
（ブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝０．５４６
（ブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝１．０９３
（ブロック共重合体におけるその他の構成単位の合計個数）＝０．０４１

（２）ＨＯＤ素子Ｃ４の作製及び評価
実施例１の（５）において、ブロック共重合体Ｐ１に代えてブロック共重合体ＣＰ４を用いたこと以外は、実施例１の（５）と同様にして、ＨＯＤ素子Ｃ４を作製した。
ＨＯＤ素子Ｃ４に、直流電圧電流発生器を用いて、－５Ｖから＋１２Ｖまで電圧を印加し、電界強度が０．１ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を測定した。
なお、本評価において、０．１ＭＶ／ｃｍの電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

実施例４及び比較例４の結果を下記の表１２に示す。
表１２に示すとおり、ＨＯＤ素子Ｃ４の０．１ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度を１．００としたときのＨＯＤ素子４の０．１ＭＶ／ｃｍのときに素子に流れる電流密度の相対値は、２．４１であった。ここで、正孔輸送性は、電流密度の相対値が大きいほど優れていると評価できる。

本発明によれば、良好な正孔輸送性を示すブロック共重合体、該ブロック共重合体を含む組成物、及び該ブロック共重合体を用いた発光素子を提供することができる。

Claims (13)

1. 末端基と、前記末端基に結合するブロックと、前記末端基に結合しないブロックと、前記末端基に結合するブロックと、前記末端基と、をこの順に含むブロック共重合体であって、
   前記末端基に結合しないブロックが、下記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位及び下記式（Ｚ）で表される非架橋性の繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含み、
   前記末端基に結合するブロックが、架橋性基を含み、
   前記架橋性基が、下記式（ＸＬ－１）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１６）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１７）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ－１８）で表される架橋性基及び下記式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含み、
   前記末端基に結合するブロックが、フルオレン骨格を含み、
   前記末端基は、前記ブロック共重合体に末端基を導入する際に用いる試剤における該試剤導入後の残基としての原子団であり、
   前記末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の繰り返し単位の合計個数をそれぞれＸ_Ｉ及びＺ_Ｉとし、前記末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の繰り返し単位の合計個数をそれぞれＸ_ＩＩ及びＺ_ＩＩとするとき、下記式（ｉｉｉ）を満たす、ブロック共重合体。
   Ｘ_Ｉ＋Ｚ_Ｉ＞Ｘ_ＩＩ＋Ｚ_ＩＩ （ｉｉｉ）
   

   

   
   ［式中、
   ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。
   Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。Ａｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
   Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。Ｒ^Ｘ３が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、Ａｒ^Ｚは、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、前記２価の複素環基は、環構成原子として二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含まない、２価の含窒素複素環基である。］
   

   

   
   ［式中、
   ＊１は、結合位置を表す。
   前記式（ＸＬ－１）、式（ＸＬ－１６）、式（ＸＬ－１７）、式（ＸＬ－１８）又は式（ＸＬ－１９）で表される架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
2. 前記架橋性基が、下記式（２）で表される繰り返し単位及び下記式（２’）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位として、前記末端基に結合するブロックに含まれる、請求項１に記載のブロック共重合体。
   

   

   
   ［式中、
   ｎＡは０以上５以下の整数を表し、ｎは１以上５以下の整数を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
   Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲ’－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
   Ｘは、前記架橋性基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍＡは０以上５以下の整数を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
   Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素基と少なくとも１種の複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^４及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、－ＮＲ’’－で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
   Ｘ’は、前記架橋性基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋性基である。］
3. 前記末端基が、架橋性基をさらに含む、請求項１又は２に記載のブロック共重合体。
4. 前記末端基が、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基である、請求項１又は２に記載のブロック共重合体。
5. 前記末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
6. 前記末端基に結合しないブロックが、下記式（Ｙ）で表される非架橋性の繰り返し単位をさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
   

   

   
   ［式中、Ａｒ^Ｙ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
7. 前記末端基に結合するブロックが、下記式（Ｙ）で表される非架橋性の繰り返し単位を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
   

   

   
   ［式中、Ａｒ^Ｙ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
8. 前記末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位を含まない、請求項１～７のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
9. 前記末端基に結合するブロックが、前記式（Ｚ）で表される非架橋性の繰り返し単位を含まない、請求項１～７のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
10. 前記末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の繰り返し単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の繰り返し単位を含まない、請求項１～７のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
11. 下記式（ｉ）をさらに満たす、請求項１～１０のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
    Ｘ_Ｉ＞Ｘ_ＩＩ （ｉ）
12. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のブロック共重合体と、
    正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種と、
    を含有する、組成物。
13. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のブロック共重合体の架橋体を含有する発光素子。