JP5365754B2 - Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム - Google Patents
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Description
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。図1乃至図6は本発明の第1の実施の形態を示す図である。
まず、図1乃至図3により、本実施の形態によるLED素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図1は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図2は、図1のA部拡大図であり、図3は、図2のB−B線断面図である。
次に、図4および図5により、図1乃至図3に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図4および図5は、それぞれ半導体装置(SONタイプ)を示す断面図および平面図である。
次に、図1乃至図3に示すリードフレーム10の製造方法について、図6(a)−(f)を用いて説明する。
次に、図4および図5に示す半導体装置20の製造方法について、図7(a)−(d)、図8(a)−(e)、および図9(a)−(b)を用いて説明する。
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例(変形例1−1〜変形例1−8)について、図10乃至図17を参照して説明する。図10乃至図17は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図(図2に対応する図)である。図10乃至図17において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図10は、本実施の形態の一変形例(変形例1−1)によるリードフレーム10Aを示している。図10に示すリードフレーム10Aにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、ダイパッド25同士を連結するダイパッド連結部53は設けられていない。
図11は、本実施の形態の一変形例(変形例1−2)によるリードフレーム10Bを示している。図11に示すリードフレーム10Bにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、リード部26同士を連結するリード連結部52は設けられていない。
図12は、本実施の形態の一変形例(変形例1−3)によるリードフレーム10Cを示している。図12に示すリードフレーム10Cにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(3pinタイプ)。
図13は、本実施の形態の一変形例(変形例1−4)によるリードフレーム10Dを示している。図13に示すリードフレーム10Dにおいて、図12に示す変形例1−3と異なり、ダイパッド25同士を連結するダイパッド連結部53は設けられていない。
図14は、本実施の形態の一変形例(変形例1−5)によるリードフレーム10Eを示している。図14に示すリードフレーム10Eにおいて、図12に示す変形例1−3と異なり、第1傾斜補強片51aおよび第2傾斜補強片51bが連結されたダイパッド25と、第1傾斜補強片51aおよび第2傾斜補強片51bが連結されていないダイパッド25とが、上下方向1つおきに設けられている。
図15は、本実施の形態の一変形例(変形例1−6)によるリードフレーム10Fを示している。図15に示すリードフレーム10Fにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、ダイパッド連結部53およびリード連結部52は設けられていない。
図16は、本実施の形態の一変形例(変形例1−7)によるリードフレーム10Gを示している。図16に示すリードフレーム10Gにおいて、図15に示す変形例1−6と異なり、パッケージ領域連結部54は設けられていない。
図17は、本実施の形態の一変形例(変形例1−8)によるリードフレーム10Hを示している。図17に示すリードフレーム10Hにおいて、図16に示す変形例1−7と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している。
次に、本実施の形態による半導体装置の変形例(変形例A〜変形例C)について、図18乃至図20を参照して説明する。図18乃至図20は、それぞれ半導体装置の変形例を示す断面図(図4に対応する図)である。図18乃至図20において、図4および図5に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図18は、本実施の形態の一変形例(3pinタイプ)による半導体装置20Aを示している。図18に示す半導体装置20Aにおいて、リードフレーム10は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している。
図19は、本実施の形態の一変形例(レンズ付一括モールドタイプ)による半導体装置20Bを示している。図19に示す半導体装置20Bにおいて、反射樹脂23は、ダイパッド25とリード部26との間に充填されている。他方、図4および図5に示す半導体装置20と異なり、リードフレーム10上には反射樹脂23が設けられていない。
図20は、本実施の形態の一変形例(一括モールドタイプ)による半導体装置20Cを示している。図20に示す半導体装置20Cにおいて、反射樹脂23を用いることなく、封止樹脂24のみによってLED素子21とボンディングワイヤ22とが一括封止されている。また、ダイパッド25とリード部26との間には、封止樹脂24が充填されている。
次に、図21乃至図41を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図21乃至図41は本発明の第2の実施の形態を示す図である。図21乃至図41において、第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、図21乃至図23により、本実施の形態によるLED素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図21は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図22は、図21のD部拡大図であり、図23は、図22のE−E線断面図である。
次に、図24および図25により、図21乃至図23に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の第2の実施の形態について説明する。図24および図25は、それぞれ半導体装置(SONタイプ)を示す断面図および平面図である。
次に、図21乃至図23に示すリードフレーム70および図24および図25に示す半導体装置80の製造方法について、図26乃至図29を用いて説明する。なお、図26乃至図28に示す製造方法は、図6乃至図8に示す製造方法と略同様であるので、以下においては一部説明を省略する。
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例(変形例2−1〜変形例2−6)について、図30乃至図35を参照して説明する。図30乃至図35は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図(図2に対応する図)である。図30乃至図35において、図21乃至図29に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図30は、本実施の形態の一変形例(変形例2−1)によるリードフレーム70Aを示している。図30に示すリードフレーム70Aにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(3pinタイプ)。
図31は、本実施の形態の一変形例(変形例2−2)によるリードフレーム70Bを示している。図31に示すリードフレーム70Bにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15と、補強片57が設けられていないダイシング領域15とが、上下方向交互に配置されている。
図32は、本実施の形態の一変形例(変形例2−3)によるリードフレーム70Cを示している。図32に示すリードフレーム70Cは、図30に示す変形例2−1と、図31に示す変形例2−2とを組合せたものである。
図33は、本実施の形態の一変形例(変形例2−4)によるリードフレーム70Dを示している。図33に示すリードフレーム70Dにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、補強片57は、各パッケージ領域14内のダイパッド25およびリード部26にそれぞれ連結されたダイパッド連結部53およびリード連結部52間のみに延びて、これらダイパッド連結部53およびリード連結部52を連結している。
図34は、本実施の形態の一変形例(変形例2−5)によるリードフレーム70Eを示している。図34に示すリードフレーム70Eは、図30に示す変形例2−1と、図33に示す変形例2−4とを組合せたものである。
図35は、本実施の形態の一変形例(変形例2−6)によるリードフレーム70Fを示している。図35に示すリードフレーム70Fにおいて、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している(3pinタイプ)。
図36は、本実施の形態の一変形例2−7によるリードフレーム70Gを示している。図36に示すリードフレーム70Gにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、2つのダイパッド25a、25b(以下、第1のダイパッド部25a、第2のダイパッド部25bともいう)と、ダイパッド25a、25bの両側に隣接して位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(4pinタイプ)。このようなリードフレーム70Gを用いると、1パッケージに2つのLED素子21を格納した半導体装置80を実現することができる(図37)。
図38は、本実施の形態の一変形例(変形例2−8)によるリードフレーム70Hを示している。図38に示すリードフレーム70Hにおいて、各パッケージ領域14は、ダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード配置領域16L、リード配置領域16Rを有している。リード配置領域16Lにはリード部26aを配置し、リード配置領域16Rには2つのリード部26cと26dをダイパッド25に沿って1列に配置している(以下、リード部26a、26c、26dを、それぞれ第1のリード部26a、第2のリード部26c、第3のリード部26dとも言う)。このようなリードフレーム70Hを用いると、1パッケージに3つのLED素子21を格納した半導体装置80を実現することができる(図39)。
図40は、本実施の形態の一変形例(変形例2−9)によるリードフレーム70Iを示している。図40に示すリードフレーム70Iにおいて、図31に示す変形例2−2と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15が、上下方向に所定数おきに周期的に設けられている。図40において、補強片57が設けられたダイシング領域15は2つおきに設けられているが、これに限らず、例えば3つまたは4つおき等の間隔で設けても良い。
図41は、本実施の形態の一変形例(変形例2−10)によるリードフレーム70Jを示している。図41に示すリードフレーム70Jにおいて、図40に示す変形例2−9と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15は、周期的に配置されておらず、上下方向に不規則的に配置されている。
次に、図42乃至図44を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図42乃至図44は本発明の第3の実施の形態を示す図である。図42乃至図44に示す第3の実施の形態は、LED素子21に代えてダイオード等の半導体素子45を用いる点が主として異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態および第2の実施の形態と略同一である。図42乃至図44において、第1の実施の形態および第2の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図42は、本実施の形態によるリードフレーム60を示す断面図である。本実施の形態によるリードフレーム60は、LED素子21に代えてダイオード等の半導体素子45(図42参照)を搭載するためのものであり、めっき層12がリード部26の一部(ボンディングワイヤ22が接続される部分)のみに形成されている。このほかの構成は、図1乃至3に示すリードフレーム10または図21乃至図23に示すリードフレーム70と同一である。
図43は、本実施の形態による半導体装置65を示している。半導体装置65は、図42に示すリードフレーム60を用いて作製されたものであり、(個片化された)リードフレーム60と、リードフレーム60のダイパッド25に載置された半導体素子45とを備えている。半導体素子45は、例えばダイオード等のディスクリート半導体素子からなっていても良い。また、半導体素子45の端子部45aと、リード部26上に設けられためっき層12とは、ボンディングワイヤ22によって電気的に接続されている。さらに、半導体素子45とボンディングワイヤ22とが封止樹脂24によって封止されている。
次に、図43に示す半導体装置65の製造方法について、図44(a)−(f)を用いて説明する。図44(a)−(f)は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図である。
Claims (11)
- LED素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がLED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いに切断領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
横方向に延びる複数の切断領域のうち、一部の切断領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該切断領域に位置する補強片により連結され、他の一部の切断領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該切断領域に位置する補強片により連結されていないことを特徴とするリードフレーム。 - 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられた切断領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられた切断領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられていない切断領域の幅を、補強片が設けられている切断領域の幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のリードフレーム。
- 補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載のリードフレーム。
- 樹脂付リードフレームにおいて、
請求項1乃至5のいずれか一項記載のリードフレームと、
リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 - 半導体装置の製造方法において、
請求項6記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、
LED素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをLED素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いに切断領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
横方向に延びる複数の切断領域のうち、一部の切断領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該切断領域に位置する補強片により連結され、他の一部の切断領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該切断領域に位置する補強片により連結されていないことを特徴とするリードフレーム。 - 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられた切断領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項8記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられた切断領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項8記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数の切断領域のうち、補強片が設けられていない切断領域の幅を、補強片が設けられている切断領域の幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項記載のリードフレーム。
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