JP6123200B2 - 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合があった。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまう場合があった。
また、特許文献１に記載の光半導体装置と相違して、リードフレームを覆う樹脂層が、リードフレームの厚みとほぼ一致するように形成され、その樹脂層が形成されたリードフレーム上に透明樹脂層が形成される、いわゆるフラットタイプの光半導体素子装置も存在するが、このような装置においては、樹脂層とリードフレームの端子部との接触面積がさらに狭くなるため、上記剥離の発生が顕著になる場合があった。

特開２０１１−１５１０６９号公報

本発明の課題は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、前記端子部は、その周縁部に、表面から窪んだ第１凹部（Ｍ１）と、裏面から窪んだ第２凹部（Ｍ２）とが複数形成され、前記第１凹部及び前記第２凹部は、それぞれの底面（ｍ１、ｍ２）が前記端子部の外周につながっていること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）と前記第２凹部（Ｍ２）との間の少なくとも１つに、前記端子部の表面と前記第１凹部の底面（ｍ１）とをつなぐ第１傾斜面（ｎ１）と、前記端子部の裏面と前記第２凹部の底面（ｍ２）とをつなぐ第２傾斜面（ｎ２）とを備える傾斜部（Ｎ）を有すること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記傾斜部（Ｎ）は、前記第１傾斜面（ｎ１）と前記端子部（１１、１２）の表面との境界（Ｌ１）が、前記端子部の厚み方向（Ｚ）において、前記第２傾斜面（ｎ２）と前記端子部の裏面との境界（Ｌ２）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（２１０）において、前記傾斜部（Ｎ）は、前記第１傾斜面（ｎ１）と前記第１凹部（Ｍ１）の底面（ｍ１）との境界（Ｌ３）が、前記端子部（２１１、２１２）の厚み方向（Ｚ）において、前記第２傾斜面（ｎ２）と前記端子部の裏面との境界（Ｌ４）と対向する位置に形成され、前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界（Ｌ５）は、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記第２凹部の底面との境界（Ｌ６）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（３１０）において、前記端子部（３１１、３１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）と前記第２凹部（Ｍ２）との間の少なくとも１つに、切り欠き部（Ｐ）を有すること、を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
である。
第６の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（４１０）において、前記端子部（４１１、４１２）は、前記第１凹部（Ｍ１）が、前記第２凹部（Ｍ２）に対して所定の間隔（Ｑ）を設けて形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第７の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記端子部（５１１、５１２）の表面と前記第１凹部（Ｍ１）の底面（ｍ１）との境界（Ｌ７）は、前記端子部の厚み方向（Ｚ）において、前記端子部の裏面と前記第２凹部（Ｍ２）の低面（ｍ２）との境界（Ｌ８）と対向する位置に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第８の発明は、第１の発明から第７の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。

第９の発明は、第１の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部（１１、１２）の外周、前記第１凹部（Ｍ１）、及び、前記第２凹部（Ｍ２）に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。

第１０の発明は、第１の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。

第１１の発明は、第９の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。

第１２の発明は、第９の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置である。

第１３の発明は、第１２の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。

本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる。

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の多面付けされたリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置１を示す図である。 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。 第２実施形態のリードフレーム２１０及び光反射樹脂層２２０が形成されたリードフレーム２１０を説明する図である。 第３実施形態のリードフレーム３１０及び光反射樹脂層３２０が形成されたリードフレーム３１０を説明する図である。 第４実施形態のリードフレーム４１０及び光反射樹脂層４２０が形成されたリードフレーム４１０を説明する図である。 第５実施形態のリードフレーム５１０及び光反射樹脂層５２０が形成されたリードフレーム５１０を説明する図である。 変形形態の光半導体装置６０１の全体構成を示す図である。

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ、光半導体装置１の平面図、下面図を示し、図１（ｃ）、図１（ｄ）は、それぞれ、図１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれ、リードフレーム１０の平面図、下面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ、図２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図、下面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ、図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、リードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から、銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの周縁部に、表面（ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ）から窪んだ凹部Ｍ１（第１凹部）と、裏面（外部端子面１１ｂ、１２ｂ）から窪んだ凹部Ｍ２（第２凹部）とが複数形成されている。
また、端子部１１、１２には、図２（ｄ）に示すように、それぞれの周縁部において、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎが形成されている。この傾斜部Ｎは、表面と、凹部Ｍ１の底面ｍ１とをつなぐ傾斜面ｎ１（第１傾斜面）と、裏面と、凹部Ｍ２の底面ｍ２とをつなぐ傾斜面ｎ２（第２傾斜面）とから構成されている。
さらに、端子部１１、１２は、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２とＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａとをつなぐ傾斜面ｎ３が形成されている。

凹部Ｍ１は、リードフレーム１０の表面側から見て、矩形状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みのほぼ半分よりも若干薄く形成されている。
凹部Ｍ２は、リードフレーム１０の裏面側から見て、矩形状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
また、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２は、各端子部１１、１２の外周につながっている。
傾斜部Ｎは、図２（ｄ）に示すように、傾斜面ｎ１と、各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ１が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と、各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ２と対向する位置に形成される。これにより、各端子部１１、１２は、傾斜部Ｎの厚みが、凹部Ｍ１、凹部Ｍ２が形成される部分の厚みよりも厚くなるため、リードフレーム１０の強度を向上させることができる。
また、傾斜部Ｎは、傾斜面ｎ１、ｎ２が各端子部１１、１２の外周につながっている。

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎ上にも樹脂が充填され、表面及び裏面から光反射樹脂層２０によって挟み込まれる形態を取る。これにより、光反射樹脂層２０が、厚み方向（Ｚ方向）だけでなく、平面方向（ＸＹ方向）においても、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１、Ｍ２間に傾斜部Ｎを備え、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２との間に傾斜面ｎ３を備えているので、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射性樹脂を充填する場合、樹脂の流動を妨げることなく、各凹部Ｍ１、Ｍ２内に樹脂を容易に充填することができる。
さらに、ＬＥＤ素子を基板、特にリジッド基板に半田を用いて接合する工程の冷却の過程において、端子部の大きさが同じでなかったり、端子部に搭載されている素子への熱伝達により、各端子部の実質的な熱容量が異なっていたりする場合に、半田が冷え固まるのに端子部間で時間差が発生する場合がある。この場合、冷え固まった一方の半田側の端子部は固定され、もう一方の冷え固まっていない半田側は、半田の表面張力により引っ張りの力が働くため、ＬＥＤ素子がＸ方向に引き離される強い応力がかかり、端子部間に間隙が発生しやすくなる問題があるが、本実施形態のリードフレーム７１０は、これを抑制することができる。

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、各端子部１１、１２の外周（リードフレーム１０の外周及び各端子部１１、１２間の隙間）と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎ上とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。

また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。

透明樹脂層３０は、図１に示すように、リードフレーム１０上に接続されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
銅板の加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５は、多面付けされたリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置１を示す図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。

金属基板１００をエッチング加工することによって、多面付けされたリードフレーム１０が、複数形成される。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間のように貫通した空間と、凹部Ｍ１、Ｍ２や、傾斜部Ｎのように、貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍ１、Ｍ２や、傾斜部Ｎが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図５（ａ）に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図であり、図６（ｂ）、図６（ｃ）は、図６（ａ）のｂ−ｂ断面図、ｃ−ｃ断面図である。
図６（ｄ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図６（ｅ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図６（ｆ）は、ダイシングにより小片化され、光半導体装置１を形成したリードフレーム１０の断面図を示す。
なお、図６においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図６（ｄ）〜（ｆ）は、それぞれ図６（ｃ）の断面図に基づくものである。

図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、凹部Ｍ１、Ｍ２は底面ｍ１、ｍ２が、傾斜部Ｎは傾斜面ｎ１、ｎ２が、それぞれ端子部１１、１２の外周につながっているので、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎへと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、光反射樹脂層２０の表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。以上により、図６（ｂ）に示すように、樹脂付きのリードフレーム１０が多面付けで形成される。

次に、図６（ｄ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ＬＥＤ素子とボンディングワイヤは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子に複数のボンディングワイヤが接続されてもよく、ボンディングワイヤをダイパッドに接続させてもよい。ＬＥＤ素子を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６（ｃ）に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図６（ｆ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の不図示の連結部を切断（ダイシング）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る。

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の周縁部に凹部Ｍ１、Ｍ２が複数形成され、凹部Ｍ１、Ｍ２の各底面ｍ１、ｍ２が端子部１１、１２の外周につながっている。これにより、各端子部１１、１２の外周（リードフレーム１０の外周及び端子部間）に樹脂を流し込んで光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎにも流れ込んで、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。

（２）各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎを有するので、樹脂が傾斜部Ｎの傾斜面ｎ１、ｎ２を流れることによって、より容易に凹部Ｍ１、Ｍ２内へ樹脂を充填させることができる。
（３）第１傾斜面ｎ１と各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ１は、端子部の厚み方向において、第２傾斜面ｎ２と各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ２と対向する位置に形成されるので、樹脂の充填を容易にしつつ、各端子部１１、１２の裏面の外部端子面１１ｂ、１２ｂの表出面積を広くすることができる。
また、各端子部１１、１２の傾斜部Ｎにおける厚みを、凹部Ｍ１、Ｍ２における厚みよりも厚くすることができるので、リードフレーム１０の強度を向上させることができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、第２実施形態のリードフレーム２１０及び光反射樹脂層２２０が形成されたリードフレーム２１０の詳細を説明する図である。
図７（ａ）は、リードフレーム２１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のリードフレーム２１０に光反射樹脂層が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

第２実施形態のリードフレーム２１０は、傾斜部Ｎの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
傾斜部Ｎは、図７に示すように、傾斜面ｎ１と凹部Ｍ１の底面ｍ１との境界Ｌ３が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と端子部の裏面との境界Ｌ４と対向する位置に形成される。また、傾斜面ｎ１と端子部の表面との境界Ｌ５は、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と凹部Ｍ２の底面ｍ２との境界Ｌ６と対向する位置に形成される。

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層２２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、傾斜部Ｎにも充填されるので、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に傾斜部Ｎを有するので、リードフレーム１０の凹部Ｍ１、Ｍ２への樹脂の充填をより容易にすることができる。
さらに、傾斜面ｎ１と凹部Ｍ１の底面ｍ１との境界Ｌ３が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と端子部の裏面との境界Ｌ４に対向する位置に形成され、傾斜面ｎ１と端子部の表面との境界Ｌ５が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、傾斜面ｎ２と凹部Ｍ２の底面ｍ２との境界Ｌ６に対向する位置に形成されるので、各端子部１１、１２の凹部Ｍ１、Ｍ２における厚みを、傾斜部Ｎの厚みから薄くすることができる。
また、本実施形態では、傾斜部Ｎがあるために樹脂の充填が容易であることに加え、金属に比べ比重の低い樹脂の充填量を増加させることができるため軽量化が可能である。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図８は、第３実施形態のリードフレーム３１０の詳細を説明する図である。
図８（ａ）は、リードフレーム３１０の平面図を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）のｂ−ｂ断面図を示し、図８（ｃ）は、図８（ａ）のｃ−ｃ断面図を示し、図８（ｄ）は、図８（ａ）のリードフレーム３１０に光反射樹脂層３２０が形成された断面図（図８（ｃ）に相当）である。

第３実施形態のリードフレーム３１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部３１１、３１２は、図８に示すように、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に切り欠き部Ｐが設けられている。
光反射樹脂層３２０は、図８（ｄ）に示すように、リードフレーム３１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２上と、切り欠き部Ｐとに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層３２０は、リードフレーム３１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層３２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２、切り欠き部Ｐにも充填されるので、光反射樹脂層３２０がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に切り欠き部Ｐを有するので、リードフレーム３１０と光反射樹脂層３２０とをより強固に接合することができる。特に、切り欠き部Ｐに樹脂が充填されることによって、リードフレーム３１０のＸＹ平面方向への剥離抑制効果を向上させることができる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図９は、第４実施形態のリードフレーム４１０及び光反射樹脂層４２０が形成されたリードフレーム４１０の詳細を説明する図である。
図９（ａ）は、リードフレーム４１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のリードフレーム４１０に光反射樹脂層４２０が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。

第４実施形態のリードフレーム４１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部４１１、４１２は、図９（ａ）に示すように、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に所定の間隔Ｑが設けられている。この間隔Ｑは、凹部Ｍ１、Ｍ２等の窪んだ空間が形成されていない部分であり、その厚みは、端子部４１１、４１２の厚みと同等である。
光反射樹脂層４２０は、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム４１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層４２０は、リードフレーム４１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層４２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２にも充填されるので、光反射樹脂層４２０がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２間に所定の間隔Ｑを設けることによって、リードフレーム４１０の強度を向上させることができる。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１０は、第５実施形態のリードフレーム５１０及び光反射樹脂層５２０が形成されたリードフレーム５１０の詳細を説明する図である。
図１０（ａ）は、リードフレーム５１０の断面図（図２（ｄ）に相当）であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のリードフレーム５１０に光反射樹脂層５２０が形成された断面図（図３（ｄ）に相当）である。

第５実施形態のリードフレーム５１０は、傾斜部Ｎを備えていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部５１１、５１２は、図１０（ａ）に示すように、その表面及び裏面の外周縁に凹部Ｍ１及び凹部Ｍ２が、交互に形成されている。
凹部Ｍ１、Ｍ２は、凹部Ｍ１の底面ｍ１と、各端子部１１、１２の表面との境界Ｌ７が、端子部の厚み方向Ｚにおいて、凹部Ｍ２の底面ｍ２と、各端子部１１、１２の裏面との境界Ｌ８と対向するように形成される。凹部Ｍ１、Ｍ２は、その内周側面と、隣り合う凹部Ｍ２、Ｍ１の内周側面とつなぐ貫通部Ｒが形成されている。
光反射樹脂層５２０は、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム５１０の外周と、各端子部１１、１２間の隙間と、各端子部１１、１２に設けられた凹部Ｍ１、Ｍ２と、貫通部Ｒとに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層５２０は、リードフレーム５１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂が凹部Ｍ１、Ｍ２にも充填されるので、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、各端子部１１、１２は、その裏面の外周縁に、凹部Ｍ１、Ｍ２の底面ｍ１、ｍ２を広く取ることができるので、リードフレーム５１０と光反射樹脂層５２０との接合面積を広くすることができ、剥離抑制効果を向上させることができる。
さらに、凹部Ｍ１、Ｍ２に充填された樹脂が貫通部Ｒでつながるため、光反射樹脂層５２０とリードフレーム５１０との剥離防止効果を向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

図１１は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、ＬＥＤ素子２が２つの端子部６１１、６１２を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。なお、この場合、端子部６１１、６１２は、それぞれ同等の外形としてもよい。
（２）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。

１、２０１、３０１、４０１、５０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、３１０、４１０、５１０ リードフレーム
１１、２１１、３１１、４１１、５１１ 端子部
１２、２１２、３１２、４１２、５１２ 端子部
２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０、４３０、５３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｎ 傾斜部
Ｐ 切り欠き部

Claims (13)

1. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、厚み方向から見た形状が矩形状に形成されており、その周縁部の各辺に、表面から窪んだ第１凹部と、裏面から窪んだ第２凹部とが形成され、
   前記第１凹部及び前記第２凹部は、それぞれの底面が前記端子部の外周につながっていること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
2. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、前記第１凹部と前記第２凹部との間の少なくとも１つに、前記端子部の表面と前記第１凹部の底面とをつなぐ第１傾斜面と、前記端子部の裏面と前記第２凹部の底面とをつなぐ第２傾斜面とを備える傾斜部を有すること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
3. 請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記傾斜部は、前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界が、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記端子部の裏面との境界と対向する位置に形成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
4. 請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記傾斜部は、前記第１傾斜面と前記第１凹部の底面との境界が、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記端子部の裏面との境界と対向する位置に形成され、
   前記第１傾斜面と前記端子部の表面との境界は、前記端子部の厚み方向において、前記第２傾斜面と前記第２凹部の底面との境界と対向する位置に形成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
5. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、前記第１凹部と前記第２凹部との間の少なくとも１つに、切り欠き部を有すること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
6. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、前記第１凹部が、前記第２凹部に対して所定の間隔を設けて形成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
7. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記端子部の表面と前記第１凹部の底面との境界は、前記端子部の厚み方向において、前記端子部の裏面と前記第２凹部の低面との境界と対向する位置に形成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
8. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、
   互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
9. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
   前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部の外周、前記第１凹部、及び、前記第２凹部に形成される樹脂層とを備えること、
   を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
10. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
    を特徴とするリードフレームの多面付け体。
11. 請求項９に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
12. 請求項９に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
    前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
    前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
    を特徴とする光半導体装置。
13. 請求項１２に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
    を特徴とする光半導体装置の多面付け体。

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