JP6268793B2 - リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置に関するものである。
従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって製造される。
ここで、このようなリードフレームの多面付け体は、多面付けされたリードフレームを囲むようにして枠体が形成されているが、光半導体装置の製造過程において、ハンドリング等された場合に変形したり、多面付けされる各リードフレームが枠体に対して捩れたり、それぞれの間隔がずれたりしてしまう場合があった。
このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって製造される。
ここで、このようなリードフレームの多面付け体は、多面付けされたリードフレームを囲むようにして枠体が形成されているが、光半導体装置の製造過程において、ハンドリング等された場合に変形したり、多面付けされる各リードフレームが枠体に対して捩れたり、それぞれの間隔がずれたりしてしまう場合があった。
上述のような問題を回避するために、多面付けされるリードフレームの外周だけでなく、各リードフレーム間にも金属部材からなる枠体を形成し、リードフレームの多面付け体の全体としての強度を向上させることが考えられる。この場合、各リードフレーム間に設けられた枠体は、個片化した後には不要となるため、光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域の外側に設けられる。
ここで、リードフレームの多面付け体に樹脂層や光半導体素子等を実装して、光半導体装置の多面付け体が形成され、光半導体装置が個片化される場合、上記パッケージ領域の外側が切断領域となり、この切断領域に金属部材からなる枠体が存在することとなる。そのため、個片化における切断加工の加工時間をより多く要したり、刃物の寿命が短くなったりして切断加工の効率が低下してしまう場合があった。
そこで、本発明の課題は、上述の切断加工の効率を向上させることができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置を提供することである。
ここで、リードフレームの多面付け体に樹脂層や光半導体素子等を実装して、光半導体装置の多面付け体が形成され、光半導体装置が個片化される場合、上記パッケージ領域の外側が切断領域となり、この切断領域に金属部材からなる枠体が存在することとなる。そのため、個片化における切断加工の加工時間をより多く要したり、刃物の寿命が短くなったりして切断加工の効率が低下してしまう場合があった。
そこで、本発明の課題は、上述の切断加工の効率を向上させることができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第１の発明は、光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内にパッケージ内枠体部（Ｆ２）を備えること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明に記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記リードフレーム（１０）は、互いに絶縁された複数の端子部（１１、１２）から形成されており、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記複数の端子部間の空隙部（Ｓ）の延長上を横切るようにして設けられること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記リードフレーム（３１０）の角部を覆うようにして形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明に記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記リードフレーム（１０）は、互いに絶縁された複数の端子部（１１、１２）から形成されており、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記複数の端子部間の空隙部（Ｓ）の延長上を横切るようにして設けられること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記リードフレーム（３１０）の角部を覆うようにして形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの多面付け体の前記リードフレーム（１０）の外周に形成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ａ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ａ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第６の発明は、第４の発明又は第５の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
第７の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とするリードフレーム（１０）である。
第８の発明は、第４の発明又は第５の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。
第９の発明は、第６の発明の光半導体装置の多面付け体を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とする光半導体装置である。
本発明によれば、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置は、切断加工の効率を向上させることができる。
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図２（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の裏面を示す図である。図２（ｄ）は、図２（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図２（ｅ）は、図２（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図３は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。図３（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの全体を模式化した平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）の裏面を示す図である。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図３（ｅ）は、図３（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図１〜図３において、リードフレームの多面付け体ＭＳ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図２（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の裏面を示す図である。図２（ｄ）は、図２（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図２（ｅ）は、図２（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図３は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。図３（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの全体を模式化した平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）の裏面を示す図である。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図３（ｅ）は、図３（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図１〜図３において、リードフレームの多面付け体ＭＳ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
リードフレーム１０の外形は、略矩形状に形成されている。ここで、リードフレーム１０は、図２に示すように、端子部１１、１２、連結部１３等から構成されるが、リードフレーム１０の外形とは、光半導体装置１の１パッケージを形成する外形をいい、図２（ｂ）に示す破線を示すものをいう。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
リードフレーム１０の外形は、略矩形状に形成されている。ここで、リードフレーム１０は、図２に示すように、端子部１１、１２、連結部１３等から構成されるが、リードフレーム１０の外形とは、光半導体装置１の１パッケージを形成する外形をいい、図２（ｂ）に示す破線を示すものをいう。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置され、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１１、１２は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部１３は、図２に示すように、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形（図２（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２のそれぞれに１つずつ設けられており、その各連結部１３が枠体Ｆと連結している。より具体的には、枠体Ｆの外周枠体部Ｆ１（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と外周枠体部Ｆ１とを連結している。また、枠体Ｆの第２中間枠体部Ｆ３（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と第２中間枠体部Ｆ３とを連結している。
連結部１３は、端子部１１、１２のそれぞれに１つずつ設けられており、その各連結部１３が枠体Ｆと連結している。より具体的には、枠体Ｆの外周枠体部Ｆ１（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と外周枠体部Ｆ１とを連結している。また、枠体Ｆの第２中間枠体部Ｆ３（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と第２中間枠体部Ｆ３とを連結している。
なお、端子部１１、１２は、連結部１３及び枠体Ｆによって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１２、１１と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３及び枠体Ｆを切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部１３は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｃ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｃ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、図２（ａ）に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体（キャビティ）Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右（Ｘ）方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、集合体Ｇの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）とは直交する方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第１中間枠体部Ｆ２と、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第２中間枠体部Ｆ３とを備える。すなわち、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレーム１０が多面付けされる集合体Ｇ内に形成されている。
枠体Ｆは、リードフレーム１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、集合体Ｇの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）とは直交する方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第１中間枠体部Ｆ２と、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第２中間枠体部Ｆ３とを備える。すなわち、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレーム１０が多面付けされる集合体Ｇ内に形成されている。
外周枠体部Ｆ１は、上述したように各集合体Ｇの外周を囲んでおり、リードフレームの多面付け体ＭＳの外形を形成している。外周枠体部Ｆ１は、その厚みが、端子部１１、１２の最大の厚みとなる部分と同等の厚みを有している。
第１中間枠体部Ｆ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向に延在して設けられた枠体であり、第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレームの多面付け体ＭＳの短手方向に延在して設けられた枠体である。
第１中間枠体部Ｆ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向に延在して設けられた枠体であり、第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレームの多面付け体ＭＳの短手方向に延在して設けられた枠体である。
第１中間枠体部Ｆ２は、各リードフレーム１０の端子部１１、１２を挟み込むようにして各端子部の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）のそれぞれに設けられている。また、各第１中間枠体部Ｆ２は、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、上下方向（Ｙ方向）から第１中間枠体部Ｆ２によって挟み込まれる構成となり、上下方向において外周枠体部Ｆ１とは隣り合わない構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形の内側、すなわち光半導体装置１のパッケージ領域（図２（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成されている。ここで、光半導体装置の多面付け体（図６参照）が形成され、光半導体装置１が個片化される場合、上述のパッケージ領域の外側が切断領域となる。そのため、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上記切断領域に第１中間枠体部Ｆ２が存在してしまうのを回避することができ、切断領域に含まれる金属部材の量を減らすことができる。これにより、切断加工の時間を短縮させたり、刃物の寿命が短くなってしまうのを抑制したりして、切断加工の効率を向上させることができる。また、金属部材の切断量が減少することによって、切断加工によって発生するバリの発生も抑制することができる。
さらに、第１中間枠体部Ｆ２は、図２（ｂ）に示すように、各リードフレーム１０の端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられている。そのため、個片化された光半導体装置１内（パッケージ領域）には、切断された第１中間枠体部Ｆ２の一部がパッケージ内枠体部として残存することとなる。従って、光半導体装置１内に残存する第１中間枠体部Ｆ２は、樹脂のみで形成され他の部位に比べ強度が低くなる光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて光半導体装置１が破損してしまうのを抑制することができる。
ここで、パッケージ内枠体部とは、光半導体装置１が個片化された場合に、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内（図２（ａ）の破線内）に残存する枠体部をいい、本実施形態や後述の第２、第３実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部となる。なお、後述の第４実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２の一部だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の一部が、第５実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の全部が、パッケージ内枠体部に含まれることとなる。
ここで、パッケージ内枠体部とは、光半導体装置１が個片化された場合に、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内（図２（ａ）の破線内）に残存する枠体部をいい、本実施形態や後述の第２、第３実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部となる。なお、後述の第４実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２の一部だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の一部が、第５実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の全部が、パッケージ内枠体部に含まれることとなる。
第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成されている。また、第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の配列方向と垂直な方向（Ｙ方向）に延在しており、その両端部が第１中間枠体部Ｆ２と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。これにより、リードフレーム１０の端子部１２の右側（＋Ｘ側）には、第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
第２中間枠体部Ｆ３は、上述の第１中間枠体部Ｆ２とは相違して、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形、すなわちパッケージ領域内には形成されておらず、パッケージ領域外の切断領域に設けられている。そのため、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置１が個片化された場合において、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内には残存しない。
第２中間枠体部Ｆ３は、上述の第１中間枠体部Ｆ２とは相違して、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形、すなわちパッケージ領域内には形成されておらず、パッケージ領域外の切断領域に設けられている。そのため、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置１が個片化された場合において、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内には残存しない。
このように第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、多面付けされたリードフレーム１０の周囲の強度を向上させることができる。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の製造過程におけるハンドリング等において変形したり、多面付けされるリードフレーム１０が枠体Ｆに対して捩れたり、間隔がずれたりしてしまうのを抑制することができる。
第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の厚みよりも薄く形成されている。より具体的には、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成され、かつ、その裏面が、連結部１３の裏面と同一平面内に形成されている。第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、光反射樹脂層２０を形成する樹脂がリードフレームの多面付け体ＭＳに充填された場合に、その裏面にも樹脂が充填されることとなるので、光反射樹脂層２０とリードフレームの多面付け体ＭＳとの密着面積を増やすことができる。これにより、光反射樹脂層２０がリードフレームの多面付け体ＭＳから剥離してしまうのを抑制することができる。
光反射樹脂層２０は、図１及び図３に示すように、リードフレーム１０の外周、すなわち各端子部１１、１２の外周側面と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面と、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の裏面とに充填された樹脂の層である。また、光反射樹脂層２０には、リードフレーム１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ２０ａが形成されている。
リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ素子２が配置される部分、すなわち、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出している。これにより、リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。また、リフレクタ２０ａは、第１中間枠体部Ｆ２の表面上にも形成されるので、樹脂付きリードフレームの表面から、第１中間枠体部Ｆ２の表面が表出してしまうのを防ぎ、製造された光半導体装置１の外観を良好に保つことができる。リフレクタ２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。
なお、光反射樹脂層２０の裏面は、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置１の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを搬送装置等に載置することができる。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、光反射樹脂層２０のリフレクタ２０ａによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図４は、リードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
図４は、リードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面や、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。
次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０ａ、４０ｂを除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。
次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。図６（ａ）は、それぞれ光半導体装置の多面付け体の全体を模式化した平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の裏面を示す図である。図６（ｄ）は、図６（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図６（ｅ）は、図６（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、多面付けされた光半導体装置１が製造されるものとする。また、図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）の断面図に基づくものである。
図５は、光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。図６（ａ）は、それぞれ光半導体装置の多面付け体の全体を模式化した平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の裏面を示す図である。図６（ｄ）は、図６（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図６（ｅ）は、図６（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、多面付けされた光半導体装置１が製造されるものとする。また、図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）の断面図に基づくものである。
図５（ａ）に示すように、エッチング加工により金属基板１００から形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０の外周等に、上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の表面側にリフレクタ２０ａが各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むように形成される。これにより、光反射樹脂層２０を形成したリードフレームの多面付け体ＭＳの表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図３（ｂ）、図３（ｃ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図５（ｃ）に示すように、リフレクタ２０ａに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。ここで、透明樹脂層３０は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６（ｂ）の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６（ｂ）の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
図７は、光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図７（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図７（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図７（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、リードフレーム１０の表面にリフレクタ２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図７に示すように、リフレクタ２０ａを有さず、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
ここで、第１中間枠体部Ｆ２は、その表面が端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪むように形成してもよい。こうすることにより、図７（ａ）に示すように、光半導体装置１の表面及び裏面から第１中間枠体部Ｆ２が視認されないようすることができ、光半導体装置１の外観を良好に維持し、光半導体装置の組立におけるアライメント容易性および、ボード実装時の半田とびを抑制することができる。
図７（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図７（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図７（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、リードフレーム１０の表面にリフレクタ２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図７に示すように、リフレクタ２０ａを有さず、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
ここで、第１中間枠体部Ｆ２は、その表面が端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪むように形成してもよい。こうすることにより、図７（ａ）に示すように、光半導体装置１の表面及び裏面から第１中間枠体部Ｆ２が視認されないようすることができ、光半導体装置１の外観を良好に維持し、光半導体装置の組立におけるアライメント容易性および、ボード実装時の半田とびを抑制することができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内に第１中間枠体部Ｆ２を備えているので、パッケージ領域外の切断領域に金属部材からなる第１中間枠体部Ｆ２が存在してしまうのを極力回避することができる。これにより、切断領域における金属部材の量を減らすことができ、切断加工の時間を短縮させたり、刃物の寿命が短くなるのを抑制したりして切断加工の効率を向上させることができることに加え、切断する刃物を薄くすることができるため、リードフレームの面付数を増加させることが可能である。また、金属部材の切断量が減少することにより、切断加工によって発生するバリの発生も抑制することができる。
（２）リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、各リードフレーム１０の端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられている。これにより、個片化された光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができる。
（１）リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内に第１中間枠体部Ｆ２を備えているので、パッケージ領域外の切断領域に金属部材からなる第１中間枠体部Ｆ２が存在してしまうのを極力回避することができる。これにより、切断領域における金属部材の量を減らすことができ、切断加工の時間を短縮させたり、刃物の寿命が短くなるのを抑制したりして切断加工の効率を向上させることができることに加え、切断する刃物を薄くすることができるため、リードフレームの面付数を増加させることが可能である。また、金属部材の切断量が減少することにより、切断加工によって発生するバリの発生も抑制することができる。
（２）リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、各リードフレーム１０の端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられている。これにより、個片化された光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図８（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図８（ｃ）は、図８（ｂ）の裏面を示す図である。図８（ｄ）は、図８（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図８（ｅ）は、図８（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図８（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図８（ｃ）は、図８（ｂ）の裏面を示す図である。図８（ｄ）は、図８（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図８（ｅ）は、図８（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図８に示すように、多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２の上側（＋Ｙ側）においてのみ、端子部２１１、２１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部２１１、２１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図８（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
第１中間枠体部Ｆ２は、図８に示すように、多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２の上側（＋Ｙ側）においてのみ、端子部２１１、２１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部２１１、２１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図８（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部２１１、２１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部２１１、２１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図９（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）の裏面を示す図である。図９（ｄ）は、図９（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図９（ｅ）は、図９（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図９（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）の裏面を示す図である。図９（ｄ）は、図９（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図９（ｅ）は、図９（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図９に示すように、多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部３１１、３１２を挟み込むようにコの字状に形成されており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部３１１、３１２には、上側（＋Ｙ側）と、左右方向（Ｘ方向）の両端の連結部３１３より上側とに第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図９（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
第１中間枠体部Ｆ２は、図９に示すように、多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部３１１、３１２を挟み込むようにコの字状に形成されており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部３１１、３１２には、上側（＋Ｙ側）と、左右方向（Ｘ方向）の両端の連結部３１３より上側とに第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図９（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が端子部３１１、３１２を挟み込むようにしてコの字状に形成されているので、光半導体装置内に残存する第１中間枠体部Ｆ２を、リードフレーム３１０の角部を覆うようにして配置することができる。これにより、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
更に、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部３１１、３１２の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部３１１、３１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が端子部３１１、３１２を挟み込むようにしてコの字状に形成されているので、光半導体装置内に残存する第１中間枠体部Ｆ２を、リードフレーム３１０の角部を覆うようにして配置することができる。これにより、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
更に、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部３１１、３１２の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部３１１、３１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１０は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１０（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）の裏面を示す図である。図１０（ｄ）は、図１０（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１０（ｅ）は、図１０（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１０は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１０（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）の裏面を示す図である。図１０（ｄ）は、図１０（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１０（ｅ）は、図１０（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１０に示すように、多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部４１１、４１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部４１１、４１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１０に示すように、多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部４１１、４１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部４１１、４１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
第２中間枠体部Ｆ３は、多面付けされるリードフレーム４１０の端子部４１２の右側（＋Ｘ側）において、端子部４１１、４１２の配列方向と垂直な方向（Ｙ方向）に延在しており、その両端部が第１中間枠体部Ｆ２と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。これにより、本実施形態の端子部４１２には、右側（＋Ｘ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、それぞれ光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成されており、両者はパッケージ領域内において交差している。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の一部がパッケージ内枠体部に該当する。
多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、それぞれ光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成されており、両者はパッケージ領域内において交差している。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の一部がパッケージ内枠体部に該当する。
多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。
以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく、第２中間枠体部Ｆ３の大部分も、パッケージ領域内に含まれているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比して更に減らすことができる。これにより、切断時間をより短縮し、また、刃物の磨耗もより効率的に抑制することができ、切断加工の効率を更に向上させることができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム４１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられているので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく、第２中間枠体部Ｆ３の大部分も、パッケージ領域内に含まれているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比して更に減らすことができる。これにより、切断時間をより短縮し、また、刃物の磨耗もより効率的に抑制することができ、切断加工の効率を更に向上させることができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム４１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられているので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１１は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１１（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）の裏面を示す図である。図１１（ｄ）は、図１１（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１１（ｅ）は、図１１（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１１は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１１（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）の裏面を示す図である。図１１（ｄ）は、図１１（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１１（ｅ）は、図１１（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１１に示すように、多面付けされるリードフレーム５１０の端子部５１１、５１２を挟み込むようにして各端子部の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）に設けられている。また、各第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１１（ｂ）の破線内）を横切るようにして端子部５１１、５１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、リードフレーム１０の各端子部５１１、５１２は、上下方向（Ｙ方向）から第１中間枠体部Ｆ２によって挟み込まれる構成となり、上下方向において外周枠体部Ｆ１とは隣り合わない構成となる。
更に、第１中間枠体部Ｆ２は、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。具体的には、第１中間枠体部Ｆ２は、延在するＸ方向のほぼ中央において、上下方向（Ｙ方向）に隣接する他のリードフレームに形成された第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。なお、外周枠体部Ｆ１に隣接する第１中間枠体部Ｆ２については、その外周枠体部Ｆ１に接続されている。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１１に示すように、多面付けされるリードフレーム５１０の端子部５１１、５１２を挟み込むようにして各端子部の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）に設けられている。また、各第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１１（ｂ）の破線内）を横切るようにして端子部５１１、５１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、リードフレーム１０の各端子部５１１、５１２は、上下方向（Ｙ方向）から第１中間枠体部Ｆ２によって挟み込まれる構成となり、上下方向において外周枠体部Ｆ１とは隣り合わない構成となる。
更に、第１中間枠体部Ｆ２は、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。具体的には、第１中間枠体部Ｆ２は、延在するＸ方向のほぼ中央において、上下方向（Ｙ方向）に隣接する他のリードフレームに形成された第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。なお、外周枠体部Ｆ１に隣接する第１中間枠体部Ｆ２については、その外周枠体部Ｆ１に接続されている。
第２中間枠体部Ｆ３は、多面付けされる各リードフレーム５１０の左右方向（Ｘ方向）の端部に設けられている。左側（−Ｘ側）に設けられた第２中間枠体部Ｆ３は、端子部５１１の連結部５１３と、リードフレーム５１０の下側に形成された第１中間枠体部Ｆ２とを接続するようにして光半導体装置のパッケージ領域内に設けられている。また、右側（＋Ｘ側）に設けられた第２中間枠体部Ｆ３は、端子部５１２の連結部５１３と、リードフレーム５１０の上側に形成された第１中間枠体部Ｆ２とを接続するようにして光半導体装置のパッケージ領域内に設けられている。これにより、リードフレーム１０の端子部５１１の左側（−Ｘ側）には、連結部５１３よりも下側（−Ｙ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在し、また、端子部５１２の右側（＋Ｘ側）には、連結部５１３よりも上側（＋Ｙ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
多面付けされるリードフレーム５１０の各端子部５１１、５１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。
上述の構成により、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成され、また、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内に形成され、両者はパッケージ領域内において交差する。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部及び第２中間枠体部Ｆ３の全部がパッケージ内枠体部に該当する。
パッケージ領域内では第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称であってもよい。
多面付けされるリードフレーム５１０の各端子部５１１、５１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。
上述の構成により、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成され、また、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内に形成され、両者はパッケージ領域内において交差する。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部及び第２中間枠体部Ｆ３の全部がパッケージ内枠体部に該当する。
パッケージ領域内では第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称であってもよい。
以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第２中間枠体部Ｆ３がパッケージ領域内に形成されているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比してより減らすことができる。これにより、切断領域の加工が容易になり、切断加工の効率を向上させるとともに、刃物の磨耗を抑制することができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム５１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられるので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体の強度を向上させることができる。
さらに、パッケージ領域内で第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称に配置された場合、実装後の熱ストレスなどによるパッケージの応力を均一に分散させることが可能であるため、信頼性の向上が可能である。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第２中間枠体部Ｆ３がパッケージ領域内に形成されているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比してより減らすことができる。これにより、切断領域の加工が容易になり、切断加工の効率を向上させるとともに、刃物の磨耗を抑制することができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム５１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられるので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体の強度を向上させることができる。
さらに、パッケージ領域内で第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称に配置された場合、実装後の熱ストレスなどによるパッケージの応力を均一に分散させることが可能であるため、信頼性の向上が可能である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
（変形形態）
（１）第３実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２は、各端子部３１１、３１２の上側に設けられる例を示したが、これに限定されるものでなく、例えば、端子部の上側及び下側の両方に設けるようにしてもよい。こうすることで、第１中間枠体部Ｆ２がリードフレームの角部の全てを覆うように配置されるので、光半導体装置の角部の強度を更に向上させることができる。
（２）第４実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の上側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１２の右側に形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の下側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１１の左側に形成されるようにしてもよい。
（１）第３実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２は、各端子部３１１、３１２の上側に設けられる例を示したが、これに限定されるものでなく、例えば、端子部の上側及び下側の両方に設けるようにしてもよい。こうすることで、第１中間枠体部Ｆ２がリードフレームの角部の全てを覆うように配置されるので、光半導体装置の角部の強度を更に向上させることができる。
（２）第４実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の上側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１２の右側に形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の下側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１１の左側に形成されるようにしてもよい。
（３）第１実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２は、パッケージ領域内を横切るようにして形成される例を示したが、これに限定されるものでなく、第１中間枠体部Ｆ２の代わりに第２中間枠体部Ｆ３がパッケージ領域内を横切るようにして形成されるようにしてもよい。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子を実装し、他の２つにはボンディングワイヤを介してＬＥＤ素子と接続してもよい。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子を実装し、他の２つにはボンディングワイヤを介してＬＥＤ素子と接続してもよい。
（５）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｆ１ 外周枠体部
Ｆ２ 第１中間枠体部
Ｆ３ 第２中間枠体部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｆ１ 外周枠体部
Ｆ２ 第１中間枠体部
Ｆ３ 第２中間枠体部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Claims (8)
- 光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体において、
前記リードフレームは、互いに絶縁された複数の端子部から形成されており、
前記枠体は、多面付けされた前記リードフレームの集合体の外周を囲むように形成される外周枠体部と、前記複数の端子部の配列方向と直交する方向に配列するように前記リードフレーム間に形成される第１中間枠体部と、前記複数の端子部の配列方向と平行な方向に配列するように前記リードフレーム間に形成される第２中間枠体部と、を備え、
前記複数の端子部の各々は、前記外周枠体部又は前記第２中間枠体部に設けられた連結部により前記枠体に連結され、
前記第１中間枠体部は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内において、少なくとも一部が前記複数の端子部間の空隙部の延長上を横切るようにして設けられ、前記外周枠体部又は前記連結部とは分離して設けられるとともに、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域外において、少なくとも一方の端部が前記第２中間枠体部に接続されていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 - 請求項１に記載のリードフレームの多面付け体において、
前記第１中間枠体部は、前記複数の端子部を挟み込むように凹状に形成されること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 - 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの多面付け体の前記リードフレームの外周に形成される樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項３に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項３又は請求項４に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームのうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 - 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームの多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とするリードフレーム。 - 請求項３又は請求項４に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 - 請求項５に記載の光半導体装置の多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とする光半導体装置。
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