JP5273892B2 - オプトエレクトロニック素子及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、オプトエレクトニック発信器又は受信が配置された支持体と、発信器又は受信器の上に被着されかつこれらをカプセル化する透明な層と、透明な層の上に配置された光学部材とを有するオプトエレクトニック素子に関する。
このような素子は、例えばドイツ国特許出願公開第19755743(A1)号明細書から公知である。該明細書には、切欠きを備えた支持体上に構成されたSMD取付け可能なオプトエレクトニック素子が記載されている。オプトエレクトニック発信器又は受信器は、切欠き内に配置されかつ光学的に適合された透明なプラスチック層でカプセル化されている。透明なプラスチック層を介してかつこれと直接的に接触して光学部材としてレンズが配置されており、このレンズにより素子の光入射又は光出射が制御される。プラスチック層のためには、透明な封止用コンパウンドが使用され、この場合レンズはこの封止用コンパウンドの完全な硬化前にプラスチック層に載置される。封止用コンパウンドが硬化する際に、良好な光学的接触並びにまたプラスチック層と光学レンズの間の良好な接着が生じる。
この解決手段の欠点は、レンズの正確な位置決めを行うのが極めて困難でありかつレンズを硬化中に基体又は支持体に対して相対的に固定しなければならないことにある。この固定は、その都度使用されるプラスチックに基づき数分間及び時間まで必要となることがある全硬化時間中維持しなければならないので、これはオプトエレクトニック素子の製造を困難にする。
従って、本発明の課題は、光学部材、例えばレンズを簡単かつ確実に位置決め及び固定することができるオプトエレクトニック素子を提供することである。
前記課題は、本発明により冒頭に記載した形式の素子により請求項1に記載の特徴を用いて解決される。本発明の有利な構成並びに位置的に正確な接着方法は、別の請求項から明らかである。
本発明は、光学部材を一成分樹脂からなる接着剤層を用いて透明な層に接着することを提案する。本発明を用いると、透明な層として使用されるプラスチック層を光学部材に依存せずに硬化させかつ場合によりその表面を処理することが可能である。接着剤層の一成分樹脂は、透明な層上への光学部材の簡単な取付けを可能にする。
有利には、接着剤層としてUV又は光開始カチオン硬化されるエポキシ樹脂を使用する。この硬化機構を有する樹脂は、それらが急速な光又はUV開始で励起されるプロセスにおいてゲル相に移行し、該ゲル相が既に予備固定を可能にするという利点を有する。従って、このような樹脂を接着剤として使用すると、接着すべき部分の急速な固定が可能になる。既に予備固定された部分の完全な硬化は、その後さらなるステップで何らかの固定装置のような付加的な固定手段を必要とせずに行うことがでができる。
この場合、硬化開始は、数秒間以内行うことができる。その上、硬化開始を光又はUVフラッシュを用いるだけで励起することが可能である。このことは、接着すべき部材を、任意の後の時点で行うことができる完全な硬化中に、互いに相対的な接着すべき部材の位置決めが維持されるような強度で固定すれば十分である。それによって、接着すべき部材の急速かつ正確な固定が可能であり、このことは特に光学系において重要である。
カチオン硬化する樹脂の急速な硬化開始は、該硬化を、接着の後での使用に関してかつ特にオプトエレクトニック素子の後での作動温度に関して選択することができる任意の温度で実施することができるという、さらなる利点を有する。接着剤層のビームによって誘発される予備硬化は、できるだけ低い温度、特に60℃までの温度で実施するのが有利である。このようにして、高温での硬化に際の熱膨張により接着位置に導入されることがある熱応力を回避することができる。さらに、応力を減少させた接着は、高められた安定性により優れており、かつ再現可能に行うことができる。よって、場合により存在する熱機械的歪みに依存する材料特性を、一定にかつ再現可能に調整することができる。それにより、完全な硬化も任意の後の時点で実施することができる。
さらに、接着剤層の化学的かつ幾何学的構造は、接着剤層がオプトエレクトニック素子においてより一層考慮されるべきである温度、湿度及びビーム負荷の下で黄色化されず、また混濁されずかつその機械的及び機械的特性が劣化されないように選択されている。それによって、光収率が低下されず、またオプトエレクトニック素子の放射特性も変化されないことが保証される。接着剤層の機械的強度も、前記の負荷を介して減少せしめられない。従って、機能能力を製造、適合の際、及びLEDにおいて通常の10年の全作動時間もしくは寿命の間に保証されることを請け合うことができる。接着剤層、ひいてはオプトエレクトニック素子もしくはLEDは、自動車分野のための極めて要求の高い適合要求を満たす。
さらに、樹脂成分の適当な選択により、例えば120℃及びそれ以上の十分に高いガラス転移温度TGを有する樹脂を得ることが可能である。このことは、この樹脂で接着された素子の、ガラス転移温度未満での作動温度での確実な作動を保証する。この高いTGは、また素子の寿命にわたって、温度、光又は湿気負荷の下で低下されることなく維持される。
樹脂の完全な硬化後に、これはいかなる光学的不均一性、気泡封入もまた亀裂、裂け目又は万一の離層をも呈しない。接着剤、ひいてはまた接着結合部は、十分に温度安定であり、かつSMD素子のSMDマウンティングのために必要であるろう付け浴条件に耐え、損傷を受けずかつ機能障害を生じない。
硬化した接着剤層は、1.50より高い屈折率nDに調整することができる。それによって、これは有利に光学部材のために使用される、とりわけ使用される光学プレス材料に光学的に最適に適合されている。
本発明におけるように、透明な部分を接着する場合に、UV又は可視光で照射する場合に接着すべき部分を貫通して全ての接着剤層体積を包括することが達成され、それにより全体的に均一に開始する硬化(開始)が行われる。このことは既に100mW/cm2未満の低い照射電力によって達成可能である。
樹脂は、<+/−3%の調量許容差をもって60℃での微細調量が可能であるように流動学的に適合させることができるので、接着剤層を例えば100μmまでの薄い層厚で正確にかつ再現可能に被着することができ、しかも付着結合の良好な付着特性が得られる。接着法は、大規模な高自動化された製造が高い処理数で実施可能であるように構成されている。このことは、特にレンズがプラスチック層上に固定されるような急速な硬化開始時間により達成される。
本発明による素子のためには、有利に、以下の質量%で記載された一般的組成を有することができる液状の塗布可能なエポキシ樹脂系を使用することができる:
二及びそれ以上の官能価のエポキシ樹脂 80〜99%
一官能価のエポキシ樹脂
(反応性希釈剤、モノグリシジルエーテル) 0〜10%
(ポリ)ビニルエーテル 0〜20%
脂肪族又は脂環式アルコール 0〜10%
接着促進剤
(有機官能性アルコキシ−シロキサン) 0〜5%
有利にはシリコーン又はアクリレートベースの均展助剤 0〜1%
有利にはシリコーン又はアクリレートベースの脱気剤 0〜1%
UV開始カチオン硬化のための触媒 0.1〜2%。
カチオン硬化のための光開始剤としては、例えばUVI6974(CIBA SC)を使用する。後からの熱硬化のためには、なおカチオン開始熱硬化のための開始剤を使用することができる。この場合、硫黄のホロニウム塩及びオニウム塩(スルホニウム塩を使用するのが有利である。適当な熱開始剤は、例えばS−ベンジルチオールアニウムヘキサフルオロアンチモネート(アルドリッヒ:Aldrich)である。
以下に、本発明を図1及び2と関連して実施例により詳細に説明する。
図面には、同じ又は同じ作用する部材には、同一の参照記号が付されている。
図1に示された素子のための基体は、導体帯材2の周囲に高温熱可塑性プラスチックを射出成形することによりケーシング3を形成しながら形成する。該ケーシングは、中央部に切欠きを有し、該切欠き内に発光器又は受光器が配置されており、かつSMD可能なコンタクトを形成する導体帯材と導電結合される。ケーシング内の切欠きは、有利には傾斜した側面4を有し、従って該側面はオプトエレクトニック素子のためのリフレクタとして利用することができる。
切欠き内に発光器又は受光器1を取り付けかつ接触させた後に、該切欠きに流動性封止材料を充填し、該切欠きを引き続き発光器又は受光器をカプセル化するプラスチック層5に硬化させる。引き続き、プラスチック層5に、UV開始カチオン硬化するエポキシ樹脂の薄い層を例えば90μmの層厚で被着する。引き続き、後の接着剤層を形成する前記樹脂層6に、光学部材として光学レンズ7を載置し、位置決めしかつ場合により正確な位置に短時間固定する。
有利には、光学部材の接合面の上には、接着すべき表面の良好な機械的かみ合いを可能にする構造部8が形成されている。これらは例えばピン、ネップ又は類似して形成された突起又は窪みであってよい。また、鋸歯状のトポロギーも可能である。このような構造は、例えば接合面に形成されていてもよい。
さらに、レンズ又は一般的に光学部材は、接合面に、平坦な面からずれた、図示されていない表面トポロギーを有することができる。これは特に規定された粗さ又は波形であってよい。
接合すべき部分を正確かつ再現可能な間隔で相互に位置決めするためには、間隔保持部材又はスペーサを接合面の間に配置するのが有利である。これらは接合面の一方の部分でもよく、かつ場合により光学部材に形成されていてもよい。
レンズ自体は、放射特性の意図的な調整のために図示された凸面形状の他にさらに面平行又は凹面の放射面並びに異なる曲率半径を有することができる。
光学部材の整合後に、装置全体を短時間上からUVビーム、例えばUVフラッシュに曝す。数秒後、特に0.1〜5秒の持続時間後に、光学レンズ7は十分にプラスチック層5に固定されておりかつ接着剤層5は十分に硬化開始している。
引き続き、第2ステップで接着剤層6を、例えば120℃の温度で2時間完全に硬化させる。
本発明に基づき使用されるUV開始カチオン硬化するエポキシ樹脂のためには、以下の質量部(ppw)で記載された組成物選択する。
例a)
ビスフェノールAエポキシ封止用樹脂、GY260 88.9ppw
エポキシノボラックD.E.N.438 10.9ppw
Tego−DF48(接着促進剤) 0.4ppw
開始剤UVI6974 1.0ppw
例b)
ビスフェノールAエポキシ封止用樹脂、GY260 88.9pbw
エポキシノボラックD.E.N.438 10.0pbw
BYKA506 0.4pbw
開始剤UVI6974 0.7pbw。
両者のエポキシ樹脂組成物a及びbを用いて、素子の考えられ得る使用条件下で温度、湿気及び光線負荷に対して、黄色化、混濁又はその他の、光収率を低下させるか又は放射特性を変化させることがある変化をも呈しない程安定である接着層を有するオプトエレクトニック素子が得られる。該樹脂組成物は、数秒以内で硬化開始可能でありかつ完全な硬化後に十分な接着強度を示す。これらは損傷なくかつ接着剤層の熱機械的特性を低下させることなく3×260℃のろう付け条件に耐える。
もう1つの、実施例には示されていない変更形は、その援助により硬化開始時間をさらに短縮することができる一定の量のビニルエーテルを添加することに関する。それによって、硬化開始を促進し、ひいてはオプトエレクトニック素子を製造する際の処理量を高めることが可能である。さらに、その他の成分は、光学的に最適にプラスチック層に適合され、従ってプラスチック層から接着剤層に移行する際又は接着剤層からレンズに移行する際の光学的損失を甘受する必要がないように選択することができる。
図2には、本発明による素子のもう1つの実施例が断面図で図式的に示されている。
第1実施例に対する相異は、接着ギャップが素子の縁部に向かって広がるように、レンズ7が接合面に傾斜部9を有することにある。この傾斜部9は、例えば包囲する斜面として光学部材の接合面に形成されていてもよい。
この成形により、過剰の接着剤のためのリザーバが形成される。接着剤は、縁側にその表面張力に基づき、図2bの詳細図で正確に図示されているように、えぐり部10を形成する。それにより有利に、過剰の接着剤がケーシング側壁に達する危険が減少せしめられる。さらに、接着剤の調量正確性に対する要求も低下せしめられる。
光学部材の接合面に、レンズ7とプラスチック層5の間のスペーサとして働くピン状の構造部8が形成されている。それにより、接着層の規定されたかつ一様な厚さが保証される。同時に、これらのスペーサ8は、接着結合の強度を高める、接着層6とレンズの間のかみ合い部を形成する。
記載の実施例による本発明の説明は、もちろんこれらに本発明を限定するものではないと理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明による素子の第1実施例の概略断面図である。
【図2a】
本発明による素子の第2実施例の概略断面図である。
【図2b】
本発明による素子の第2実施例の詳細図である。
【符号の説明】
1 発光器又は受光器、 2 導体帯材、 3 ケーシング、 4 傾斜側面、 5 プラスチック層、 6 薄い層(接着剤層)、 7 光学レンズ、 8 構造部(スペーサ)、 9 傾斜部、 10 えぐり部

Claims (17)

  1. オプトエレクトロニック発信器又は受信器が配置された支持体と、発信器又は受信器の上に被着されかつこれらをカプセル化する透明な層と、透明な層の上に配置された光学部材とを有するオプトエレクトロニック素子において、
    前記オプトエレクトロニック素子は前記支持体として切り欠きを備えたケーシングを有しており、前記オプトエレクトロニック発信器又は受信器は前記切り欠き内に配置されており、前記透明な層によって前記切り欠き内にカプセル化されており、
    前記光学部材が一成分樹脂からなる接着剤層で透明な層に接着されており、
    前記光学部材は接着ギャップが素子の縁部に向かって広がり、かつ接着剤が、縁側にえぐり部を形成するように、光学部材が接合面に傾斜部を有しており、
    前記樹脂は、主成分としてのビスフェノールAのジグリシジルエーテルと、カチオンを放出する光開始剤とを有しており、下記の成分から成る、すなわち、
    80〜99%の二及びそれ以上の官能価のエポキシ樹脂、
    0〜10%の一官能価のエポキシ樹脂、
    0〜20%のビニルエーテル、
    0〜10%の脂肪族又は脂環式アルコール、
    0〜5%の接着促進剤、
    0〜1%の均展助剤、
    0〜1%の脱気剤、
    0.1〜5%のカチオン開始される硬化のための光開始剤
    から成る
    ことを特徴とするオプトエレクトロニック素子。
  2. 接着剤層がUV又は光開始カチオン硬化されるエポキシ樹脂である、請求項1記載の素子。
  3. 接着剤層が100℃よりも高いガラス転移温度を有する、請求項1又は2記載の素子。
  4. 接着剤層が透明な層に光学的に適合されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の素子。
  5. 透明な層及び光学部材がガラス、ポリアクリレート、ポリウレタン又はエポキシ樹脂成形材料からなる、請求項1から4までのいずれか1項記載の素子。
  6. 光学部材が接合面に規定された粗さ又は波形部を有する、請求項1から5までのいずれか1項記載の素子。
  7. 光学部材の接合側にかみ合い部が形成されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の素子。
  8. かみ合い部が、窪み又は突起により形成されている、請求項7記載の素子。
  9. かみ合い部が、光学部材に成形されたピン又はネップ状構造の形で形成されている、請求項8記載の素子。
  10. 光学部材と透明な層の間に間隔保持部が配置されている、請求項1から8までのいずれか1項記載の素子。
  11. 間隔保持部が光学部材に形成されている、請求項10記載の素子。
  12. 光学部材は、エポキシ樹脂受け入れのためのリザーバとして接合面に傾斜部を有する鏡又はレンズである、請求項1から11までのいずれか1項記載の素子
  13. 自動車分野用のSMD可能なオプトエレクトロニック素子である、請求項1から12までのいずれか1項記載の素子
  14. 切り欠きを備えたケーシングと前記切り欠き内にオプトエレクトロニック発信器又は受信器とを有するオプトエレクトロニック素子の透明な部分位置的に正確に接着された、オプトエレクトロニック素子を製造する方法において、
    接着すべき一方の透明な部分の表面にカチオン開始硬化性エポキシ樹脂の薄い樹脂層を被着するステップと、
    前記樹脂層に他方の透明な部分を載せかつ位置決めするステップと、
    前記樹脂層の硬化開始のためにUV又は光ビームを照射するステップと、
    前記樹脂層を完全に硬化させるステップと
    有し、
    前記他方の透明な部分は、接着ギャップが縁部に向かって広がり、かつ接着剤が、縁側にえぐり部を形成するように、接合面に傾斜部を有する光学部材であり、
    前記一方の透明な部分は透明な層であり、当該透明な層によって前記発信器又は受信器は前記切り欠き内にカプセル化されており、
    前記エポキシ樹脂は、主成分としてのビスフェノールAのジグリシジルエーテルと、カチオンを放出する光開始剤とを有しており、下記の成分から成る、すなわち、
    80〜99%の二及びそれ以上の官能価のエポキシ樹脂、
    0〜10%の一官能価のエポキシ樹脂、
    0〜20%のビニルエーテル、
    0〜10%の脂肪族又は脂環式アルコール、
    0〜5%の接着促進剤、
    0〜1%の均展助剤、
    0〜1%の脱気剤、
    0.1〜5%のカチオン開始される硬化のための光開始剤
    から成る
    ことを特徴とする製造方法。
  15. 樹脂層の完全な硬化を高めた温度で行う、請求項14記載の方法。
  16. UVビームでの照射を100mW/cm未満の照射電力で5秒未満行う、請求項14又は15記載の方法。
  17. UVビームでの照射をUVフラッシュによりかつ硬化を120℃より高い温度で行う、請求項16記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10118231A1 (de) * 2001-04-11 2002-10-17 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronische Baulelmentanordnung und Verfahren zur Herstellun einer oploelektronischen Bauelementanordnung
DE10129785B4 (de) 2001-06-20 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2004040031A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
WO2004027880A2 (en) * 2002-09-17 2004-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package
EP1659642A4 (en) * 2003-08-26 2011-07-06 Sumitomo Electric Industries SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT INSTALLER, LIGHT DIODE CONSTITUATION MEMBER THEREFOR AND LIGHT DIODE THEREWITH
FR2861217B1 (fr) * 2003-10-21 2006-03-17 St Microelectronics Sa Dispositif optique pour boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication.
US7321161B2 (en) * 2003-12-19 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED package assembly with datum reference feature
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
WO2006055094A1 (en) 2004-09-14 2006-05-26 Cdm Optics, Inc. Low height imaging system and associated methods
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
MY152857A (en) * 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
DE102006037737A1 (de) * 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Vorrichtung, optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
JP4828226B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-30 新光電気工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7785489B2 (en) * 2005-12-28 2010-08-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solvent formulations for solution deposition of organic materials onto low surface energy layers
AT503027B1 (de) * 2006-05-08 2007-07-15 Austria Tech & System Tech Leiterplattenelement mit optoelektronischem bauelement und licht-wellenleiter
WO2008052327A1 (en) 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Lighting device package
TWM322104U (en) * 2007-02-09 2007-11-11 Sin Guang Li Internat Co Ltd Improved structure of solar cell plate
DE102007021904A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
DE102007016904B4 (de) * 2007-04-10 2014-11-20 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
JP5405731B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-05 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 光源モジュール
US7539366B1 (en) 2008-01-04 2009-05-26 International Business Machines Corporation Optical transceiver module
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
JP2009302221A (ja) 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp 電子装置及びその製造方法
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
DE102010024545B4 (de) * 2010-06-22 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102010046122A1 (de) 2010-09-21 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement
DE102011114559B4 (de) 2011-09-30 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Haftschicht, Verfahren zur Herstellung einer Haftschicht in einem optoelektronischen Bauelement und Verwendung eines Klebstoffes zur Bildung von Haftschichten in optoelektronischen Bauelementen
DE102012102476B4 (de) * 2012-03-22 2022-09-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
KR102322336B1 (ko) * 2015-02-06 2021-11-05 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
DE102016223710B4 (de) * 2016-11-29 2021-01-14 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
WO2019003535A1 (ja) 2017-06-27 2019-01-03 日本碍子株式会社 透明封止部材及びその製造方法
CN109411587B (zh) * 2018-12-10 2020-11-27 浙江单色电子科技有限公司 一种含硅胶透镜的紫光led生产方法及其紫光led

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173476A (en) * 1978-02-08 1979-11-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Complex salt photoinitiator
JPS6260277A (ja) 1985-09-10 1987-03-16 Toshiba Corp 半導体発光装置
JPH0241662Y2 (ja) * 1985-12-28 1990-11-06
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
DE3875149T2 (de) * 1987-03-27 1993-02-11 Fujitsu Ltd Miniaturisierter biofuehler mit miniaturisierter sauerstoffelektrode sowie sein herstellungsverfahren.
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
DE8812039U1 (de) * 1988-09-23 1988-12-29 Jungck, Günter, 79400 Kandern Leuchtdiodengehäuse
JP2922977B2 (ja) * 1990-04-27 1999-07-26 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3214008B2 (ja) * 1991-12-27 2001-10-02 住友化学工業株式会社 表面硬化樹脂板の製造方法
JPH05186509A (ja) * 1992-01-17 1993-07-27 Mitsui Toatsu Chem Inc 塗膜の硬化方法
JP3104407B2 (ja) * 1992-06-16 2000-10-30 松下電器産業株式会社 受光部品
JPH06104461A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Canon Inc 光半導体装置及びそれを用いた光情報処理装置
JPH06203771A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 表示素子
IT1265106B1 (it) 1993-07-23 1996-10-30 Solari Udine Spa Sistema ottico per diodi emettitori di luce
US5450513A (en) * 1993-08-04 1995-09-12 Corning Incorporated Silane-treated optical components
JPH07231117A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp 発光素子の集光レンズ
DE4408352C2 (de) * 1994-03-12 1996-02-08 Meinhard Prof Dr Knoll Miniaturisierter stofferkennender Durchflußsensor sowie Verfahren zu seiner Herstellung
JPH10510401A (ja) * 1994-12-09 1998-10-06 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 表面波構成素子及びそのための減衰構造体の製法
JPH0927643A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd 受光/発光素子
JPH0983018A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
KR100702740B1 (ko) * 1996-06-26 2007-04-03 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
JP3191729B2 (ja) * 1997-07-03 2001-07-23 日本電気株式会社 光半導体モジュールとその製造方法
DE19746893B4 (de) 1997-10-23 2005-09-01 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement mit Wärmesenke im Sockelteil und Verfahren zur Herstellung
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP2000068049A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000086746A (ja) * 1998-09-17 2000-03-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 紫外線硬化型樹脂組成物
JP3674819B2 (ja) * 1998-09-30 2005-07-27 富士電機ホールディングス株式会社 カラーフィルターおよび有機多色発光表示素子
DE19851139A1 (de) * 1998-11-05 2000-05-11 Basf Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von gehärteten Lackschichten
JP2000214353A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Nec Corp 低反射特性を有する受光装置
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP3758938B2 (ja) * 1999-06-16 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
US6478477B1 (en) * 2000-04-25 2002-11-12 Oki Electric Industry Co., Ltd Planar packaged optical module having 1st and 2nd adhesives with different glass-transition temperatures
US6642068B1 (en) * 2002-05-03 2003-11-04 Donald J. Hayes Method for producing a fiber optic switch

Also Published As

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