JP2000068049A - 電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
電界発光素子及びその製造方法Info
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
寿命の長いた電界発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板1の上にアノード電極2と正孔
輸送層4と電子輸送層5をカソード電極6を形成して電
界発光部とし、電界発光部全体を覆う有機保護膜7と無
機保護膜8を形成する。背面基板9と透明基板1とを対
向させてUV硬化樹脂でなるUV接着剤10を介して両
基板9、10を貼り合わせてUV照射を行ってUV接着
剤10を硬化させる。光硬化であるため、ガスの発生を
抑えることができると共に、極めて短時間で硬化するた
め、未硬化樹脂により電子輸送層5と背面電極6を劣化
させることがなく、ダークスポットの発生・成長を抑制
できる。
Description
クトロルミネッセンス)材料を用いた電界発光素子及び
その製造方法に関する。
素子は、自己発光を行うため視認性が良く、固体素子で
あるため耐衝撃性に優れ、直流低電圧駆動素子を実現す
るものとして注目を集めている。このような有機EL材
料を用いた電界発光素子は、無機薄膜素子(有機分散型
無機EL素子)、例えばZnS:Mn系の無機薄膜素子
に比較して、長期保存信頼性(寿命)に欠けるなどの実
用化を阻む問題点を有していた。しかし、最近では、有
機薄膜層を形成する有機材料の改良、カソード金属材料
の改良、パッシベーション(ガスバリヤ膜)の研究が進
み、環境放置信頼性試験においても改善されてきてい
る。有機EL材料層を発光層に用いた電界発光素子とし
ては、2層型構造(正孔輸送層と発光層)の開発と、さ
らにその発光層にレーザ色素をドーピングすることによ
り発光効率が改善され、素子駆動時の半減寿命も1万時
間を越える報告がなされている。
うな電界発光素子の半減寿命の測定は、窒素雰囲気、不
活性ガス雰囲気、真空下の常温の環境で測定されたもの
がほとんどであり、実際の使用においての信頼性に欠け
る点が指摘されている。また、このような電界発光素子
における大きな問題点の1つとして、非発光領域である
ダークスポットの成長がある。このダークスポットは、
封止プロセスにおいて例えば100℃以上の熱履歴を与
えることで成長が助長されたり、接着樹脂から出るガス
の影響などにより成長が助長される。さらに、このよう
な電界発光素子においては、既存接着樹脂(封止樹脂)
での低ガスバリヤ性の問題などが指摘されている。
抑制した電界発光素子及びその製造方法を提供すること
を目的としている。
前面基板上に、順次、前面電極、電界発光層、背面電極
が積層された電界発光素子であって、少なくとも、前記
電界発光層及び背面電極を覆うように保護膜が形成さ
れ、前記保護膜の上方に前記前面基板と対向する背面基
板が配置され、前記前面基板と前記背面基板とで挟まれ
る空間に光硬化性樹脂が硬化されて充填されてなること
を特徴としている。
とも電界発光層と背面電極とが保護膜で覆われているた
め、酸素や水分などによる電界発光層の劣化や背面電極
の酸化などを抑制することができる。また、光硬化性樹
脂で封止されているため、光照射により直ちに光硬化性
樹脂全体を硬化させることができる。このため、未硬化
部分の樹脂が存在する時間を極めて短くすることが可能
であり、未硬化樹脂による電界発光層や背面電極に対す
る影響を極力抑えることができる。さらに、光硬化性樹
脂は硬化に伴ってガスを発生させないため、電界発光層
や背面電極の劣化を抑制することができる。
界発光素子であって、前記保護膜は、有機材料でなるこ
とを特徴としている。
造方法であって、前面基板上に、順次、前面電極、電界
発光層、背面電極を積層する工程と、前記前面基板上の
少なくとも電界発光層及び背面電極を覆う保護膜を形成
する工程と、光硬化性樹脂を介して前記前面基板と背面
基板とを貼り合わせて、前記前面電極、電界発光層、背
面電極、及び保護膜を前記光硬化性樹脂内に封止する工
程と、前記光硬化性樹脂を光照射を行って硬化させる工
程と、を備えることを特徴としている。請求項3記載の
発明では、前面基板と背面基板との貼り合わせによる応
力が光硬化性樹脂で緩和されるため、背面電極が電界発
光層を突き破り前面電極とショートすることを防止でき
る。
界発光素子の製造方法であって、前記光硬化性樹脂は、
前記背面基板に塗布しておくことを特徴としている。
界発光素子の製造方法であって、前記背面基板と前記前
面基板とを真空状態で貼り合わせた後、真空状態又は窒
素ガス雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下で光照射を行う
ことを特徴としている。
子及びその製造方法の詳細を図面に示す実施形態に基づ
いて説明する。
に複数のアノード電極2を平行に形成する。ここで、透
明基板1の材料としては、ポリエステル、ポリアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポスルホン、ポリエーテルケ
トンなどのプラスチックや、ガラスなどの透明材料を用
いる。また、アノード電極2の材料としては、アルミニ
ウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、マグネシウム
(Mg)、ニッケル(Ni)、亜鉛−バナジウム(Zn
V)、インジウム(In)、スズ(Sn)などの単体
や、これらの化合物或いは混合物や、金属フィラーが含
まれる導電性接着剤などで構成される。このアノード電
極2の形成は、好ましくはスパッタリング、イオンプレ
ーティング、真空蒸着法によって行われるが、スピンコ
ータ、グラビアコータ、ナイフコータなどによる印刷
や、スクリーン印刷、フレキソ印刷などを用いて形成し
てもよい。そして、アノード電極2の光透過率は、80
%以上に設定することが好ましい。
は、アノード電極2における、後記する正孔輸送層4と
接合させる表面を、露出させる開口部3Aを有する層間
絶縁膜3を、アノード電極2を含む透明基板1上に形成
する。この層間絶縁膜3は、例えばSiO2をCVD法
により基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー
技術及びエッチング技術を用いてパターン形成すること
ができる。
光領域全体に亙って、順次、正孔輸送層4、電子輸送層
5を積層する。この正孔輸送層4としては、例えば、カ
ルバゾール重合体とTPD:トリフェニル化合物とを共
蒸着して10〜1000nm(好ましくは、100〜7
00nm)の膜厚に形成する。また、電子輸送層5とし
ては、金属と有機配位子から形成される金属錯体化合
物、好ましくは、Alq3(トリス(8-キノリノレート)
アルミニウム錯体)、Znq2(ビス(8-キノリノレー
ト)亜鉛錯体)、Bebq2(ビス(8-キノリノレート)
ベリリウム錯体)、Zn−BTZ(2-(o-ヒドロキシ
フェニル)ベンゾチアゾール亜鉛)、ペリレン誘導体な
どを10〜1000nm(好ましくは、100〜700
nm)の膜厚になるように蒸着して積層する。
上に、アノード電極2と交差する方向に沿って複数のカ
ソード電極6を形成する。このカソード電極6は、電子
輸送層5へ効率的に電子注入を行える仕事関数の低い金
属、好ましくは、Mg、Sn、In、Ag、Li、Al
などの単体、又はこれらの合金で形成する。
6を含む電子輸送層5及び正孔輸送層4の全体を覆うよ
うに、パラキシレン樹脂でなる有機保護膜7を形成す
る。この有機保護膜7の成膜法としては、CVD法、蒸
着法を用いることができ、その膜厚は1000nm〜1
0000nmとなるように形成する。その後、図6に示
すように、有機保護膜7を覆うように、二酸化セリウム
(CeO2)中にSiO2を導入してなる無機保護膜8
を、膜厚が0.1nm〜10000nmとなるように形
成する。なお、無機保護膜8の成膜法としては、蒸着
法、スパッタ法、イオンプレーティング法を用いること
ができる。また、この無機保護膜8を形成するには、カ
ソード電極6を形成した後、有機保護膜7を形成しその
真空を破らずに連続成膜するか、もしくはN2雰囲気
中、又は不活性ガス中でロードロックした状態で搬送
し、再度真空中において形成する。
意し、この背面基板9の表面に、カチオン硬化触媒を用
いたUV硬化エポキシ樹脂でなるUV接着剤10を塗布
する。このUV接着剤10を塗布する厚さは、UV接着
剤10の中に電界発光部を埋め込める程度の厚さに設定
する。そして、減圧下(100Torr以下が好まし
い)でUV接着剤10を介して透明基板1と背面基板9
とを貼り合わせて図8に示すような構造にする。このよ
うな貼り合わせの直後に、真空中、又は、窒素ガス雰囲
気中や不活性ガス不活性中で、紫外光を照射してUV接
着剤10を硬化させ保護膜12を形成する。なお、硬化
時は、加熱してもよい。本実施形態では、紫外光の積算
光量を100000mj/cm2以下に設定した。この
ようにして、図8に示すような電界発光素子11を製造
することにより透明基板1と背面基板9との貼り合わせ
による応力がUV接着剤10で緩和されるため、カソー
ド電極6が正孔輸送層4及び電子輸送層5を突き破りア
ノード電極2とショートすることを防止できる。
V硬化エポキシ樹脂でなり、その成分はエポキシ樹脂、
絶縁性フィラー、光カチオン重合開始剤、カップリング
剤、増感剤である。
形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビス
フェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラッ
ク形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェ
ニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプ
ロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチ
ロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノー
ルA形、水添ビスフェノールA形、又はこれらの混合物
などがあり、好ましくは、ビスフェノールA形、ビスフ
ェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノール
S形がある。
ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチ
レン共重合体、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリ
レートなどの各種アクリレート、並びに、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリエステル、ポリ塩化ビニフェノール−ホルマ
リン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、フラン樹
脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノキシ樹脂、シリコ
ーン樹脂、酸化チタン、二酸化珪素、炭酸カルシウム、
リン酸カルシウム、酸化アルミニウム、三酸化二アンチ
モン、シリカなどがあり、好ましくは、超微粒子状無水
シリカ:日本アエロジル社製#130、200、30
0、380、OX50、TT600、MOX80、17
0、疎水性R−972、シリコーン処理R−202、8
05、812がある。
(Ar−N2+X−)で表せるアリルジアゾニウム塩
(Arは、ニトロ基、メトキシ基、モルホリノ基、塩素
を置換基として持つベンゼン又はベンゼン単体であり、
X−は、PF6−、AsF6−、SbF6−、SbCl
6−、BF4−、SnCl6−、FeCl4−、BiCl5
−である。)、一般式(Ar2I+X−)及び一般式
(Ar3S+X−)で表せるジアリールヨードニウム
塩、トリアリールスルホニウム塩(Arは、ニトロ基、
メトキシ基、t−ブチル基、メチル基、塩素基、アセト
アミド基を置換基として持つベンゼン又はベンゼン単体
であり、X−は、PF6−、AsF6−、BF4−、Sb
F6−、ClO4−、CF3SO4−、FSO3−、F2PO
2−、好ましくは、PF6−、AsF6−、BF4−、Sb
F6−とArとの塩)である。
ノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、アミノシラン、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミ
ノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン・
塩酸塩、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
[3−(トリメトキシシリル)プロピル]アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシランなどのシランカ
ップリング剤が好ましく、その中でも、γ−(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシシランが、より好ましい。
などのキサンテン系色素、アクリジンオレンジ、アクリ
ジンイエロ、ベンゾフラビン、セトフラビン、ホスヒン
R、ペリレン、アントラセン、フェノチアジン、チオキ
サントン、クロルチオキサントン、ベンゾフェノン、フ
ルオレノン、アントラキノンなどがある。
施例の詳細な構成を以下に示す。 (実施例) アノード電極2 ITO(8Ω/□) 正孔輸送層4 トリフェニルジアミン誘導体(TPD)、厚さ50nm 電子輸送層5 Alq3:トリス(8−ハイドロキシキノリンアルミニウム、 厚さ50nm カソード電極6 MgIn、厚さ400nm UV接着剤10 成分 ○エポキシ(ビスフェノールA) 油化シェル製828(エポキシ当量190)60部 油化シェル製1001(エポキシ当量470)40部 上記エポキシを基剤100部に対して、以下、 ○光カチオン重合開始剤 メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネー ト0.5部 ○無機充填剤(シリカ) 日本アエロジル製R−927(シリカパウダー)10部 ○シランカップリング剤 東レ・ダウコーニング・シリコン製γ−(2−アミノエチ ル)アミノプロピルトリメトキシシラン0.1部 上記した構成の実施例1〜5を用意し、常温動作(25
℃、湿度65%)と、高温高湿動作(40℃、湿度95
%)と、高温動作(60℃)での環境で、黒点(ダーク
スポット)の成長(黒点の直径)を経時的に測定した結
果を図9〜図11に示す。なお、このとき、電流密度を
2.5mA/cm2、デューティー比を1/2、パルス
駆動を1kHz、発光領域を2mm□に設定した。
のすべてが、常温動作、高温高湿動作、及び高温動作の
いずれにおいても1000時間を経過した時点でもダー
クスポットの最大直径は95μm以下に抑えられている
ことが判る。このように、UV接着剤10で封止したこ
とによる、有機層及び背面電極6の劣化を有効に抑えて
ダークスポットの成長を抑制することができた。以上、
実施形態について説明した、本発明はこれに限定される
ものではなく、構成の要旨に付随する各種の変更が可能
である。例えば、上記した実施形態では、有機層として
正孔輸送層4と電子輸送層5とを積層した2層構造の場
合について説明したが、これらの間に発光層を介在させ
る構成としてもよい。
明によれば、ダークスポットの発生・成長を抑制し、発
光寿命の長いた電界発光素子を実現することができる。
態を示す工程断面図。
グラフ。
すグラフ。
を示すグラフ。
Claims (5)
- 【請求項1】 前面基板上に、順次、前面電極、電界発
光層、背面電極が積層された電界発光素子であって、 少なくとも、前記電界発光層及び背面電極を覆うように
保護膜が形成され、前記保護膜の上方に前記前面基板と
対向する背面基板が配置され、前記前面基板と前記背面
基板とで挟まれる空間に光硬化性樹脂が硬化されて充填
されてなることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項2】 前記保護膜は、有機材料でなることを特
徴とする請求項1記載の電界発光素子。 - 【請求項3】 前面基板上に、順次、前面電極、電界発
光層、背面電極を積層する工程と、 前記前面基板上の少なくとも電界発光層及び背面電極を
覆う保護膜を形成する工程と、 光硬化性樹脂を介して前記前面基板と背面基板とを貼り
合わせて、前記前面電極、電界発光層、背面電極、及び
保護膜を前記光硬化性樹脂内に封止する工程と、 前記光硬化性樹脂を光照射を行って硬化させる工程と、
を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記光硬化性樹脂は、前記背面基板に塗
布しておくことを特徴とする請求項3記載の電界発光素
子の製造方法。 - 【請求項5】 前記背面基板と前記前面基板とを真空状
態で貼り合わせた後、真空状態又は窒素ガス雰囲気下又
は不活性ガス雰囲気下で光照射を行うことを特徴とする
請求項4記載の電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10251804A JP2000068049A (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 電界発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004512670A (ja) * | 2000-05-12 | 2004-04-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトニック素子及びその製造方法 |
JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
US7182664B2 (en) | 2003-03-12 | 2007-02-27 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method and an apparatus for manufacturing an organic EL display device |
JP2007066580A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2009245734A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Rohm Co Ltd | 有機el素子 |
US7828617B2 (en) | 2001-11-01 | 2010-11-09 | Sony Corporation | Display apparatus |
JP2015524146A (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子装置の製造方法 |
CN105825781A (zh) * | 2010-10-14 | 2016-08-03 | 上海科斗电子科技有限公司 | 层叠led阵列嵌入式led基板 |
JP2018097943A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
JP2021073673A (ja) * | 2021-02-10 | 2021-05-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP10251804A patent/JP2000068049A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004512670A (ja) * | 2000-05-12 | 2004-04-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトニック素子及びその製造方法 |
US9425427B2 (en) | 2001-11-01 | 2016-08-23 | Joled Inc. | Display apparatus including organic electroluminescent devices |
US9716246B2 (en) | 2001-11-01 | 2017-07-25 | Joled Inc. | Display apparatus |
US8896203B2 (en) | 2001-11-01 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Display apparatus including a plurality of organic electroluminescent devices |
US10249841B2 (en) | 2001-11-01 | 2019-04-02 | Joled Inc. | Display apparatus |
US10008688B2 (en) | 2001-11-01 | 2018-06-26 | Joled Inc. | Display apparatus including organic electroluminescence devices |
US11258036B2 (en) | 2001-11-01 | 2022-02-22 | Joled Inc. | Display apparatus including organic electroluminescence devices |
US8179038B2 (en) | 2001-11-01 | 2012-05-15 | Sony Corporation | Display apparatus |
US9653699B2 (en) | 2001-11-01 | 2017-05-16 | Joled Inc. | Method of manufacturing a display apparatus |
US10930877B2 (en) | 2001-11-01 | 2021-02-23 | Joled, Inc. | Display apparatus including organic electroluminescence devices |
US7828617B2 (en) | 2001-11-01 | 2010-11-09 | Sony Corporation | Display apparatus |
US8519622B2 (en) | 2001-11-01 | 2013-08-27 | Sony Corporation | Display apparatus |
US7182664B2 (en) | 2003-03-12 | 2007-02-27 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method and an apparatus for manufacturing an organic EL display device |
JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2007066580A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP4706394B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-06-22 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2009245734A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Rohm Co Ltd | 有機el素子 |
CN105825781A (zh) * | 2010-10-14 | 2016-08-03 | 上海科斗电子科技有限公司 | 层叠led阵列嵌入式led基板 |
JP2015524146A (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機電子装置の製造方法 |
JP2018097943A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
JP2021073673A (ja) * | 2021-02-10 | 2021-05-13 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
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