JP2002372650A

JP2002372650A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2002372650A
Application number: JP2001181723A
Authority: JP
Inventors: Masachika Yoshino; 正親吉野; Toshio Shiobara; 利夫塩原; Tsutomu Kashiwagi; 努柏木
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2001-06-15
Filing date: 2001-06-15
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】【解決手段】光半導体素子及び／又は光導波路素子と
光ファイバーとを支持部材に固定して構成した光モジュ
ールにおいて、上記光半導体素子及び／又は光導波路素
子と上記光ファイバーとを支持部材に固定する部材の少
なくとも一部が接着剤により支持部材に接着されている
光ディバイスであって、該接着剤の温度−３０℃，周波
数３０Ｈｚにおける複素弾性率が１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／
ｃｍ²以下であることを特徴とする光ディバイス。【効果】本発明の光モジュールは、優れた耐熱衝撃性
を有するという特徴がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光モジュールに関
し、更に詳しくは、光半導体素子、例えば半導体レーザ
ー、発光ダイオード、フォトダイオードなど、及び／又
は光導波路素子、例えばアレイ導波路格子、光学スイッ
チ、光変調素子などと、光ファイバーとを固定して構成
した光モジュールであって（以後、光半導体素子及び／
又は光導波路素子を光素子と略記する）、該光素子と該
光ファイバーとを光学的に接続する部材の少なくとも一
部が接着剤により接着されている光モジュールに関す
る。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光ファ
イバー通信は情報スーパーハイウェー構想の追い風を受
け、近年その適応範囲を急速に拡大しつつある。その光
ファイバー通信の主要構成要素である光モジュールは、
光ディバイス特有の光軸調整を必要とする。光モジュー
ルに占める光軸調整のコストは極めて高く、低コスト
化、高信頼化のためには光軸調整を簡略にするあるいは
省略することが望まれている。従来、光モジュールは、
光素子をリードフレームなどの支持部材に固定させる方
法として、ハンダ、銀ペーストなどダイボンディング材
を用いて個々に接着する方法が用いられてきた。しか
し、ハンダ、銀ペースト、エポキシ系接着剤を用いて接
着させた場合、ハンダ、銀ペースト、接着剤の弾性が高
いため、製造時の加熱による変形や、熱衝撃性などの信
頼性試験において、光素子とリードフレームなどの支持
部材と接着剤の熱膨張の違いから光素子が湾曲して光素
子と光学的に接続された光ファイバーとの接合部に歪が
かかり、光軸がずれてしまう問題が起こっている。

【０００３】従って、本発明の目的は、光軸調整を簡略
にするために優れた耐熱衝撃性を有する光モジュールを
提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、本発明に到達したもので、本発明は、光半導体素
子及び／又は光導波路素子と光ファイバーとを支持部材
に固定して構成した光モジュールにおいて、上記光半導
体素子及び／又は光導波路素子と上記光ファイバーとを
支持部材に固定する部材の少なくとも一部が接着剤によ
り支持部材に接着されている光ディバイスであって、該
接着剤の温度−３０℃，周波数３０Ｈｚにおける複素弾
性率が１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／ｃｍ²以下であることを特
徴とする光ディバイスを提供する。

【０００５】本発明によれば、上記複素弾性率が１×１
０¹⁰ｄｙｎｅ／ｃｍ²以下の接着剤を用いて光素子（光
半導体素子及び／又は光導波路素子）及び光ファイバー
固定用部材と支持部材とを接着することにより、優れた
耐熱衝撃性を与え、このため光軸調整を簡略化し得る。

【０００６】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の光モジュールは、光素子と光ファイバーとを支
持部材に固定して構成した光モジュールであって、該光
素子と該光ファイバーとを支持部材に固定する部材（光
素子及び光ファイバー固定用部材）の少なくとも一部が
支持部材と接着剤により接着されている光ディバイスで
あって、該接着剤の−３０℃，周波数３０Ｈｚにおける
複素弾性率が１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／ｃｍ²以下であるこ
とを特徴とする。

【０００７】本発明の光モジュールを詳細に説明する。
本発明の光モジュールは、光素子と光ファイバーとを支
持部材に固定して構成した光モジュールであって、該光
素子と該光ファイバーとを支持部材に固定する部材の少
なくとも一部が支持部材と接着剤により接着されている
光モジュールであり、レーザーダイオードモジュール、
フォトダイオードモジュール、光増幅モジュール、光変
調モジュールなどが例示される。このような光モジュー
ルの構造としては、図１、図２及び図３で示されるよう
な光モジュールが例示される。本発明の光モジュールを
これらの図面より詳細に説明する。

【０００８】図１で示される光モジュール１において
は、光半導体素子５が光ファイバー８と向き合った形で
Ｓｉ基板（光素子及び光ファイバー固定用部材）４上に
配置されている。Ｓｉ基板４は接着剤３によってフレー
ム（支持部材）２に接着されている。光モジュールと電
気信号を送受信する場合、フレーム２として金属系のも
のを使用し、Ｓｉ基板４上の電気回路とリード線で接続
される。光ファイバー８もＳｉ基板４上にＶ字状の溝に
よって固定されている。光半導体素子５が接合される電
極パッド及び光ファイバー８が固定されるＶ溝はフォト
リソグラフィープロセスによって高精度に設定され、予
め光軸調整がなされている。モジュール全体は金属ケー
スあるいは封止樹脂で保護される。必要に応じて、Ｓｉ
基板４上に電気回路の作成、光半導体素子５と光ファイ
バー８の間にレンズ・プリズムあるいはマッチング材７
を配置し、より減衰を抑えることは任意である。

【０００９】また、図２で示される光モジュールにおい
ては、光半導体素子５は光導波路回路６と光学的に接続
されている。更に光導波路回路６の端は光ファイバー８
と光学的に接続し、この回路構成によって光ファイバー
８は複数本設置することが可能である。光ファイバー８
はＳｉ基板４上にＶ溝を必要本数作成し、そこで固定さ
れている。これら素子はＳｉ基板４上に配置されてい
て、Ｓｉ基板４は接着剤３によってフレーム２に接着さ
れている。光半導体素子５のパッド、光導波路回路６及
びＶ溝はフォトリソグラフィープロセスによって高精度
に設定され、予め光軸調整がなされている。モジュール
全体の保護は上記と同様であり、また光半導体素子５、
光導波路回路６と光ファイバー８の間にレンズ・プリズ
ムあるいはマッチング材７を配置し、より減衰を抑える
ことは任意である。

【００１０】図３で示される光モジュールにおいては、
光導波路回路６と光ファイバー８及び８’が光学的に接
続されている。光導波路回路６はＳｉ基板４上に配置さ
れている。Ｓｉ基板４は接着剤３によってフレーム２に
接着されている。光ファイバー８，８’はＳｉ基板４上
のＶ溝によって固定されている。光導波路回路６及びＶ
溝はフォトリソグラフィープロセスによって高精度に設
定され、予め光軸調整がなされている。モジュール全体
は金属ケースあるいは封止樹脂で保護される。必要に応
じて、光導波路回路６と光ファイバー８の間にレンズ・
プリズムあるいはマッチング材７を配置し、より減衰を
抑えることは任意である。

【００１１】本発明の光モジュールにおいて、光素子は
限定されず、発光素子・受光素子のどちらでもよい。ま
た、Ｓｉ基板保持フレーム（支持部材）も特に限定され
ず、例えばアルミナ、ガラス等のセラミック系、エポキ
シ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の有機樹脂系、ス
テンレス、銅等の金属系のものが例示される。一方、Ｓ
ｉ基板の表面もしくは内部には、印刷、蒸着、貼り付
け、積層、めっき等の手段により回路配線が形成されて
おり、また、ハンダボール等のボールグリッド、ピング
リッドの外部接続端子、その他の電気素子や電気部品が
搭載されていてもよい。光ファイバー固定Ｖ溝もまた特
に限定されるものではなく、必要に応じて光ファイバー
の上部から同じようなＶ溝を作成した押え基板を作成
し、接着固定させてもよい。また、光素子とこのＳｉ基
板の電気回路配線とを電気的に接続する部材としては、
ボンディングワイヤ、リード、バンプが例示される。こ
のような部材は、半導体装置が熱衝撃を受けた場合に、
この部材に働く応力を緩和するために、湾曲させたり、
曲げたボンディングワイヤやリードを用いたり、ヤング
率の小さい材料からなるバンプを用いることも好まし
い。

【００１２】本発明の光モジュールでは、光半導体素子
及び／又は光導波路素子（即ち、光素子）及び光ファイ
バーを設置あるいは埋設した、Ｓｉ基板等の光素子及び
光ファイバー固定用部材（以下、単に固定用部材と記
す）を支持部材に固定する接着剤として、温度−３０
℃，周波数３０Ｈｚにおける複素弾性率が１×１０¹⁰ｄ
ｙｎｅ／ｃｍ²以下である接着剤を用いることが必要で
あり、更にこの複素弾性率が１×１０⁹ｄｙｎｅ／ｃｍ²
〜１×１０³ｄｙｎｅ／ｃｍ²の範囲内であることが好ま
しく、特に１×１０⁸ｄｙｎｅ／ｃｍ²〜１×１０³ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ²の範囲内であることが好ましい。これは、
温度−３０℃，周波数３０Ｈｚにおいて、複素弾性率が
上記範囲外である接着剤により作成された光モジュール
が熱衝撃を受けた場合に、光素子及び光ファイバー固定
用部材やその他構成部材の熱膨張率の差に起因する膨張
・収縮による応力から、光素子と光ファイバーとを光学
的に接続する固定用部材の変形により該固定用部材から
光素子や光ファイバーが剥離したり、Ｓｉ基板等の固定
用部材の反り、変形、クラックが生じてしまい、光モジ
ュールの光軸のずれによる減衰が増加するためである。
この接着剤の温度−３０℃，周波数３０Ｈｚにおける複
素弾性率は、短冊状もしくは円盤状の接着剤を市販の動
的粘弾性試験装置により測定して求めることができる。

【００１３】また、本発明の光モジュールにおいては、
その接着剤は５０℃から１５０℃での熱膨張係数が６×
１０^-4／℃以下であることが好ましい。光モジュール製
造時に熱履歴が加えられた場合でも、接着剤の熱膨張係
数が６×１０^-4／℃以下であれば光軸のずれが少なくな
り、光軸調整が容易になるためである。好ましくは５×
１０^-4／℃以下である。特に好ましくは４×１０^-4／℃
以下である。

【００１４】このような接着剤を形成するための接着剤
組成物としては、エポキシ樹脂接着剤組成物、シリコー
ン変性エポキシ樹脂（オルガノポリシロキサン−エポキ
シ樹脂共重合体）接着剤組成物等のエポキシ系接着剤組
成物；シリコーン接着剤組成物、エポキシ変性シリコー
ン（エポキシ官能性有機基を側鎖置換基として有するオ
ルガノポリシロキサン）接着剤組成物、アクリル変性シ
リコーン接着剤組成物、ポリイミド変性シリコーン接着
剤組成物等のシリコーン系接着剤組成物；アクリル樹脂
接着剤組成物、シリコーン変性アクリル樹脂接着剤組成
物等のアクリル系接着剤組成物；ポリイミド樹脂接着剤
組成物、シリコーン変性ポリイミド樹脂接着剤組成物等
のポリイミド系接着剤組成物が例示され、特にシリコー
ン系接着剤組成物であることが好ましい。シリコーン系
接着剤組成物の具体例としては、ヒドロシリル化付加反
応硬化型シリコーン組成物、有機過酸化物硬化型シリコ
ーン組成物、縮合反応硬化型シリコーン組成物、紫外線
硬化型シリコーン組成物等に接着性付与剤を含有させた
ものが挙げられるが、有機過酸化物硬化型シリコーン組
成物、縮合反応硬化型シリコーン組成物は、硬化時に有
機酸やオキシムのような副生成物が発生し、その副生成
物が光半導体素子や配線を腐食する場合があるため、好
ましくは接着性付与剤を含有するヒドロシリル化付加反
応硬化型シリコーン組成物、接着性付与剤を含有する紫
外線硬化型シリコーン組成物である。特に好ましくはア
ルケニル基含有オルガノポリシロキサン、オルガノハイ
ドロジェンポリシロキサン、白金系触媒及び接着性付与
剤を含有し、任意に無機質充填剤、三次元網状構造のシ
リコーンレジン等を配合し得るヒドロシリル化付加反応
硬化型シリコーン組成物である。なお、本発明におい
て、接着剤とは、接着剤組成物が加熱や紫外線等により
硬化して接着効果を与える場合、この接着剤組成物の硬
化物を意味する。しかし、シリコーン系の接着剤組成物
を使用した場合、シリコーン系の接着剤に環状のオルガ
ノポリシロキサン（Ｄ_n体）が多く含まれると、光モジ
ュール製造時の熱履歴や、耐熱性、耐熱衝撃性などの信
頼性試験時、環状の低分子シロキサンが気化した後、光
モジュール中の光導波路やレンズ・プリズムあるいはマ
ッチング材に付着し、各材料の透過率や屈折率に影響を
及ぼし減衰を大きくする場合がある。そのため接着剤が
シリコーン系のものである場合、１０量体以下の低分子
環状ジメチルポリシロキサン（Ｄ₃〜Ｄ₁₀）の含有量が
１，０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ま
しくは１０量体以下の低分子環状ジメチルポリシロキサ
ン（Ｄ₃〜Ｄ₁₀）の含有量が５００ｐｐｍ以下である。

【００１５】この接着剤組成物はＳｉ基板等の光素子及
び光ファイバー固定用部材を支持部材に接着するため、
ある程度高粘度の液状、グリース状、ペースト状、ある
いは、Ｂ−ステージ接着剤組成物やホットメルト接着剤
組成物等として調製したシート状やフィルム状であるこ
とが好ましい。この接着剤組成物により固定用部材を支
持部材に接着する方法としては、例えば、これらの接着
剤組成物を、熱風や熱線により加熱したり、湿気と接触
させたり、紫外線や電子線を照射したりする方法が挙げ
られる。本発明の光モジュールにおいては、これらの接
着剤組成物により固定用部材を支持部材に接着する方法
として、加熱硬化性の接着剤組成物を加熱により硬化さ
せる方法や紫外線硬化により硬化、加熱により接着する
加熱接着性のシート状シリコーン接着剤が好ましい。ま
た、この接着剤組成物は、常温でゲル状もしくはゴム状
の硬化物を形成するものであることが好ましく、更に
は、常温でゴム状のシリコーン系硬化物を形成するもの
であることが好ましい。

【００１６】本発明の光モジュールを作成する方法は限
定されず、例えば、図１で示される光モジュールを作成
する方法としては、光半導体素子５を有するＳｉ基板４
とフレーム２とを、高粘度液状、グリース状、ペースト
状、フィルム状、ないしはシート状の接着剤組成物で密
着させ、この接着剤組成物を硬化させる。次いで、Ｓｉ
基板４の回路配線とフレーム２とをリードにより電気的
に接続する。更にＳｉ基板４のＶ溝に光ファイバー８を
固定し、マッチング材７を光半導体素子５と光ファイバ
ー８の間に塗布して光学的に接続する。その後、樹脂封
止を行う場合、モジュール全体を封止材で覆い、樹脂を
硬化させる。

【００１７】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。［接着剤の複素弾性率の測定方法］接着剤の、温度−３
０℃，周波数３０Ｈｚにおける複素弾性率は、加熱接着
性の接着剤組成物をそれぞれテフロン（登録商標）製金
型内で２００℃・３０分間加熱して作成した、１０ｍｍ
×５ｍｍ×２ｍｍの短冊状の硬化物を粘弾性測定装置
（岩本製作所社製の粘弾性スペクトロメーターＶＥＳ−
Ｆ）により測定して求めた。［接着剤の熱膨張係数の測定方法］接着剤の５０℃から
１５０℃での熱膨張係数は、加熱接着性の接着剤組成物
をそれぞれテフロン製金型内で２００℃・３０分間加熱
して作成した、１０ｍｍ×５ｍｍ×５ｍｍの角柱状の硬
化物を熱膨張計（パーキンエルマ社製ＤＭＡ−７）によ
り測定して求めた。［シリコーン系接着剤の低分子環状シロキサン含有量の
測定方法］シリコーン系接着剤の低分子環状シロキサン
含有量は、加熱接着性のシリコーン接着剤組成物をそれ
ぞれテフロン製金型内で２００℃・３０分間加熱して作
成した、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍのシート状の硬化
物から低分子環状シロキサンをアセトンにより抽出し、
その抽出量をガスクロマトグラフのＦＩＤ法（島津製作
所製ＧＣ−９Ａ、ＦＤＩ仕様）により測定した。

【００１８】また、光半導体素子としては放射角±６０
°、波長６６０ｎｍのＬＥＤを使用した。光ファイバー
としては市販のクラッド径１ｍｍのステップインデック
ス型プラスチックファイバーを５ｍ使用した。本発明の
実施例、比較例として、図１、図２及び図３で示される
光モジュールを次のようにして作成した。［図１で示される光モジュールの作成方法］まず、光半
導体素子５をＳｉ基板４にダイボンダで固定し、Ｓｉ基
板４を加熱接着性の接着剤組成物によりフレーム２に密
着させ、この接着剤組成物を２００℃で３０分間加熱す
ることにより硬化接着させた。続いて、光ファイバー８
はＶ溝に沿って固定し、マッチング材７を塗布して光半
導体素子５と光ファイバー８を光学的に接続した。また
Ｓｉ基板４とフレーム２の回路配線をリードにより電気
的に接続した。最後に、モジュール全部を、セラミック
ケースで覆った。［図２で示される光モジュールの作成方法］まず、Ｓｉ
基板４上に光導波路回路６（光半導体素子側及び光ファ
イバー側）を作成し、光半導体素子５をＳｉ基板４にダ
イボンダで固定し、Ｓｉ基板４を加熱接着性の接着剤組
成物によりフレーム２に密着させ、この接着剤組成物を
２００℃で３０分間加熱することにより硬化接着させ
た。続いて、光ファイバー８（２本）は２本のＶ溝に沿
っておのおの固定し、マッチング材７を光導波路回路６
との間に塗布して光導波路回路６と光ファイバー８を光
学的に接続し、光半導体素子５と光導波路回路６の間に
もマッチング材７を塗布した。またＳｉ基板４とフレー
ム２の回路配線をリードにより電気的に接続した。最後
に、モジュール全部を、セラミックケース１で覆った。［図３で示される光モジュールの作成方法］まず、Ｓｉ
基板４上に光導波路回路６を作成し、Ｓｉ基板４を加熱
接着性の接着剤組成物によりフレーム２に密着させ、こ
の接着剤組成物を２００℃で３０分間加熱することによ
り硬化接着させた。続いて、光ファイバー８，８’はＶ
溝に沿って固定し、マッチング材７を塗布して光導波路
回路６と光ファイバー８，８’を光学的に接続した。最
後に、モジュール全部を、金属ケースで覆った。

【００１９】図１、図２で示される光モジュールにおい
ては、リードを定電流電源に接続し、ＬＥＤを発光さ
せ、光ファイバーの先端で損失を測定した。図３で示さ
れる光モジュールにおいては、波長６６０ｎｍのＬＥＤ
を光ファイバー８の先端に取り付け、光ファイバー８’
の先端で損失を測定した。［光モジュールの耐熱衝撃性の評価方法］また、この光
モジュールの耐熱衝撃性を次のようにして評価した。光
モジュールを、−５０℃で３０分間、＋１５０℃で３０
分間それぞれ放置することを１サイクルとする熱衝撃試
験を行った。３，０００サイクル後の光モジュールにつ
いて損失を測定した。

【００２０】［実施例１］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴム硬化物を形成して接着する加熱硬化性のシリコ
ーン接着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの熱膨
張係数は１．０×１０^-4／℃であり、低分子環状シロキ
サン量は２００ｐｐｍ、また、温度−３０℃，周波数３
０Ｈｚにおける複素弾性率は１．６×１０⁸ｄｙｎｅ／
ｃｍ²であった。この接着剤組成物を用いて、図１で示
される光モジュールを作製した。この光モジュールの損
失、耐熱衝撃後の損失を評価して、これらの評価結果を
表１に示した。

【００２１】［実施例２］実施例１で用いたシリコーン
接着剤組成物を用いて図２で示される光モジュールを作
製した。この光モジュールの損失、耐熱衝撃後の損失を
評価して、これらの評価結果を表１に示した。

【００２２】［実施例３］接着剤を形成するため、予め
紫外線硬化により硬化させてあり、加熱により接着する
加熱接着性のフィルム状シリコーン接着剤組成物を用い
た。このシリコーンゴム硬化物の熱膨張係数は３．５×
１０^-4／℃であり、低分子環状シロキサン量は３００ｐ
ｐｍ、また、温度−３０℃，周波数３０Ｈｚにおける複
素弾性率は２．０×１０⁶ｄｙｎｅ／ｃｍ²であった。こ
の接着剤組成物を用いて、図１で示される光モジュール
を作製した。この光モジュールの損失、耐熱衝撃後の損
失を評価して、これらの評価結果を表１に示した。

【００２３】［実施例４］実施例３で用いたシリコーン
接着剤組成物を用いて図２で示される光モジュールを作
製した。この光モジュールの損失、耐熱衝撃後の損失を
評価して、これらの評価結果を表１に示した。

【００２４】［実施例５］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりシリコ
ーンゴム硬化物を形成して接着する加熱硬化性のシリコ
ーン接着剤組成物を用いた。このシリコーンゴムの熱膨
張係数は１．０×１０^-4／℃であり、低分子環状シロキ
サン量は２００ｐｐｍ、また、温度−３０℃，周波数３
０Ｈｚにおける複素弾性率は１．６×１０⁸ｄｙｎｅ／
ｃｍ²であった。この接着剤組成物を用いて、図３で示
される光モジュールを作製した。この光モジュールの損
失、耐熱衝撃後の損失を評価して、これらの評価結果を
表１に示した。

【００２５】［実施例６］接着剤を形成するため、紫外
線硬化により硬化、加熱により接着する加熱接着性のシ
ート状シリコーン接着剤組成物を用いた。このシリコー
ンゴム硬化物の熱膨張係数は３．５×１０^-4／℃であ
り、低分子環状シロキサン量は３００ｐｐｍ、また、温
度−３０℃，周波数３０Ｈｚにおける複素弾性率は２．
０×１０⁶ｄｙｎｅ／ｃｍ²であった。この接着剤組成物
を用いて、図３で示される光モジュールを作製した。こ
の光モジュールの損失、耐熱衝撃後の損失を評価して、
これらの評価結果を表１に示した。

【００２６】［比較例１］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱により硬化接
着する加熱硬化性のエポキシ樹脂接着剤組成物を用い
た。このエポキシ樹脂硬化物の熱膨張係数は０．５×１
０^-4／℃であり、また、温度−３０℃，周波数３０Ｈｚ
における複素弾性率は１．６×１０¹³ｄｙｎｅ／ｃｍ²
であった。この接着剤組成物を用いて、図１で示される
光モジュールを作製した。この光モジュールの損失、耐
熱衝撃後の損失を評価して、これらの評価結果を表１に
示した。

【００２７】［比較例２］接着剤を形成するための接着
剤組成物として、グリース状であり、加熱によりウレタ
ン樹脂を形成して接着する加熱硬化性のウレタン樹脂組
成物を用いた。このウレタン樹脂硬化物の熱膨張係数は
６．１×１０^-4／℃であり、また、温度−３０℃，周波
数３０Ｈｚにおける複素弾性率は２．８×１０¹²ｄｙｎ
ｅ／ｃｍ²であった。この接着剤組成物を用いて、図１
で示される光モジュールを作製した。この光モジュール
の損失、耐熱衝撃後の損失を評価して、これらの評価結
果を表１に示した。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【発明の効果】本発明の光モジュールは、優れた耐熱衝
撃性を有するという特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光モジュールの一例を示す概略図
である。

【図２】本発明に係る光モジュールの他の例を示す概略
図である。

【図３】本発明に係る光モジュールの別の例を示す概略
図である。

【符号の説明】

１光モジュール２フレーム３接着剤４Ｓｉ基板５光半導体素子６光導波路回路７マッチング材８光ファイバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塩原利夫群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内 (72)発明者柏木努群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内Ｆターム(参考） 2H037 BA02 BA11 BA24 DA02 DA03 DA04 DA06 DA17 DA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光半導体素子及び／又は光導波路素子と
光ファイバーとを支持部材に固定して構成した光モジュ
ールにおいて、上記光半導体素子及び／又は光導波路素
子と上記光ファイバーとを支持部材に固定する部材の少
なくとも一部が接着剤により支持部材に接着されている
光ディバイスであって、該接着剤の温度−３０℃，周波
数３０Ｈｚにおける複素弾性率が１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／
ｃｍ²以下であることを特徴とする光ディバイス。
【請求項２】上記接着剤の５０℃から１５０℃での熱
膨張係数が６×１０ ^-4／℃以下であることを特徴とする
請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】上記接着剤がシリコーン系のものである
ことを特徴とする請求項２記載の光モジュール。
【請求項４】上記接着剤がシリコーン系のものであ
り、かつ１０量体以下の低分子環状シロキサンの含有量
が１，０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項
２記載の光モジュール。