JP5182421B2

JP5182421B2 - 基板の製造方法

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Publication number: JP5182421B2
Application number: JP2011518250A
Authority: JP
Inventors: 裕之関本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-06-01
Filing date: 2010-05-31
Publication date: 2013-04-17
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Also published as: JPWO2010140335A1; US8794499B2; WO2010140335A1; US20120298728A1

Description

本発明は、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着された金属箔間や、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着された金属箔と絶縁性樹脂層に内蔵された電子部品の電極との間を、絶縁樹脂層に圧入したバンプの金属柱により接続する基板の製造方法に関し、詳しくは、電気的な接続信頼性の向上に関する。

一般に、両面配線基板や多層配線基板は、絶縁樹脂層（有機樹脂層）の一主面の配線パターンの金属箔と、他主面の配線パターンの金属箔とを、絶縁樹脂層を貫通する金属柱で接続して製造される。この場合、金属柱をビアにより形成すると、絶縁樹脂層の穴あけ加工やめっき加工等が必要になり、製造工程が複雑化して高価になり、さらには、部品の実装密度が制約される不都合もある。

そこで、絶縁樹脂層の両主面側から導体のバンプを絶縁樹脂層に圧入し、両主面側のバンプの先端部を互いに押し潰すように接合して前記金属柱を形成し、この種の基板を製造することが提案されている（例えば、特許文献１（段落［０００６］−［００１７］、図１等）参照）。

図１０は前記特許文献１に記載の基板の製造方法の一例を模式的に示したものであり、ポリイミド樹脂フィルムの支持基体シート１００の一面に導電性ペーストの山形のパンブ２００を形成する（図１０（ａ））。また、熱可塑性のポリエーテルイミド樹脂フィルムを合成樹脂シート（絶縁樹脂層）３００として用意する。そして、導電性パンブ２００を形成した支持基体シート１００、合成樹脂シート３００、同じく導電性パンブ２００を形成した支持基体シート１００の３層を、導電性バンプ２００を互いに対向させて積層体化する。さらに、積層体化した支持シート１００のバンプ形成面の反対側の面に、支持シート１００と同一種類のポリイミド樹脂フィルムやアルミ箔などを当て板４００として積層・配置し（図１０（ｂ））、それらを１２０℃に保持した熱プレスの熱板間に配置して合成樹脂シート３００を加圧状態で熱可塑化し、その後冷却してシート１００、４００を剥離し、最終的な基板５００を形成する。基板５００は、図１０（ｃ）に示すように、合成樹脂シート３００の両主面側の導電性のバンプ２００が合成樹脂シート３００中に圧入されて両バンプ２００の先端部が押し潰されて塑性変形することにより、物理接触で電気的に接続された金属柱６００を前記接続導体として形成する。この金属柱６００の両端面が例えば合成樹脂シート３００の両主面に印刷等して形成された配線パターンの金属箔に接合することにより、金属柱６００により合成樹脂シート３００を貫通する接続導体が形成された印刷配線板（基板）５００を製造する。

特許第３４７４８９４号公報

前記特許文献１に記載の基板の製造方法の場合、合成樹脂シート３００を貫通する金属柱６００は、合成樹脂シート３００に圧入された両主面側のバンプ２００の先端部が互いに押し潰されて塑性変形することにより形成され、物理接触で電気的な接続導体を形成しているに過ぎない。そのため、電気的な接続導体としての信頼性に欠け、合成樹脂シート３００の両主面間の電気的な接続信頼性を向上できない問題点がある。

そして、両面配線基板や多層配線基板等の基板を製造する分野においては、合成樹脂シート３００のような絶縁樹脂層の穴あけ加工やめっき加工等を必要としない簡単で安価な手法により、絶縁樹脂層の両主面の金属箔間の電気的な接続信頼性を向上して基板を製造することが望まれている。さらに、合成樹脂シート３００等の絶縁樹脂層にコンデンサ、コイルやトランジスタ等の電子部品を内蔵した部品内蔵基板を製造する分野においては、配線パターンの金属箔と前記電子部品の電極（外部電極）の電気的な接続についても、簡単で安価な手法により信頼性を向上することが望まれている。

本発明は、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着された金属箔間や、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着された金属箔と絶縁性樹脂層に内蔵された電子部品の電極の間を、絶縁樹脂層に圧入したバンプの金属柱により、絶縁樹脂層の穴あけ加工やめっき加工等を行うことなく簡単かつ安価に接続し、基板を製造する際に、前記金属柱の電気的な接続信頼性を飛躍的に向上することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の基板の製造方法は、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着される金属箔に、前記絶縁樹脂層の硬化温度より低い温度で溶融可能な金属フィラーを含有した導電性ペーストのバンプを形成し、前記バンプを前記硬化温度より低く前記金属フィラーが溶融する温度に加熱し、前記金属フィラー同士の溶融結合状態を形成するとともに前記バンプと前記金属箔とを金属結合して前記金属箔に前記バンプの金属柱を一体に接続し、前記金属柱を完全硬化に至る前の前記絶縁樹脂層に圧入して前記金属箔を前記絶縁樹脂層に圧着するとともに前記金属柱の先端部を対向する金属部材に接合し、該接合後に前記絶縁樹脂層を熱処理して前記金属柱を再加熱し、前記金属フィラーを再溶融するとともに前記金属柱と前記金属部材とを金属結合して前記金属柱を前記金属部材に一体に接続することを特徴としている（請求項１）。

そして、本発明の基板の製造方法の前記金属箔は前記絶縁樹脂の一主面に圧着された金属箔であり、前記金属部材は前記絶縁樹脂の他主面に圧着された金属箔であることが好ましい（請求項２）。また、前記絶縁層は電子部品を内蔵し、前記金属部材は前記電子部品の電極であることも好ましい（請求項３）。さらに、前記金属ペーストはＢｉ−Ｓｎの合金ペーストであることが好ましい（請求項４）。

請求項１の発明によれば、熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着される金属箔の導体上に形成した金属のバンプを低温で加熱処理することにより、バンプの金属フィラー同士の溶融結合および、バンプと金属箔との固層拡散による金属結合を生じさせ、金属箔と、バンプの金属柱とを電気的に良好に接続することができる。つぎに、未硬化、半硬化等の完全硬化に至る前の状態の絶縁樹脂層に前記金属柱を圧入し、金属箔を絶縁樹脂層に圧着するとともに金属柱の先端部を絶縁樹脂層の層内または層外の対向する金属部材に接合し、その後、絶縁樹脂層を熱処理して金属柱を再加熱することにより、金属柱の金属フィラーを再溶融するとともに金属柱と金属部材とを固層拡散により合金化して金属結合し、金属柱を金属部材に電気的に良好に接続することができる。

この場合、絶縁樹脂層に圧着された金属箔と金属部材とは、従来のように絶縁樹脂層の両主面側から対向するように圧入された金属のバンプ同士の物理的接触により接続されるのではなく、金属箔に一体になって絶縁樹脂層に一方の主面側から圧入された金属のバンプと、前記金属部材との固層拡散による合金化の金属結合により、電気的に極めて強固に接続され、電気的な接続信頼性が飛躍的に向上する。

請求項２の発明によれば、金属のバンプは、絶縁樹脂層の一主面側の金属箔に形成されて低温で加熱され一体化された後、絶縁樹脂層に圧入される。そして、絶縁樹脂層に圧入された絶縁樹脂層のバンプの金属柱は、再加熱に基づき、絶縁樹脂層の他主面に圧着されている金属箔に、固層拡散による合金化の金属結合により、電気的に極めて強固に接続され、電気的な接続信頼性が飛躍的に向上する。

請求項３の発明によれば、前記金属部材が絶縁樹脂層に内蔵された電子部品の外部電極であるので、絶縁樹脂層の一主面側または他主面側の金属箔と前記外部電極とを前記固層拡散による合金化の金属結合により電気的に極めて強固に接続され、電気的な接続信頼性が飛躍的に向上した部品内蔵基板を製造することができる。しかも、絶縁樹脂層の電子部品が、電極を絶縁樹脂層の他主面側の金属箔に接続した部品であると、絶縁樹脂層の一主面の金属箔が金属柱、電子部品の電極を介して絶縁樹脂の他主面の金属箔に電気的に接続される。そのため、絶縁樹脂層の両主面の金属箔が、新たに貫通ビアを形成したりすることなく接続され、貫通ビアの形成に必要なスペースを用意する必要がなくなり、部品内蔵基板の小型化を図ることも可能になる。

請求項４の発明によれば、絶縁樹脂層より低い温度で溶融可能な金属ペーストを融点が低いＢｉ−Ｓｎの合金ペーストとする実用的な構成で、電気的な接続信頼性が飛躍的に向上した前記の両面基板や部品内蔵基板を製造することができる。

本発明の第１の実施形態の基板（単層基板）の製造方法の説明図である。図１のバンプ形成工程（加熱前）のバンプの状態を示す断面図である。図１の金属柱形成工程（加熱後）のバンプの状態を示す断面図である。図１の再加熱・圧着工程（再加熱後）のバンプの状態を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の基板（部品内蔵基板）の製造方法の説明図である。本発明の第２の実施形態の変形例の説明図である。本発明の第３の実施形態の基板（部品内蔵基板）の製造方法の説明図である。本発明の第４の実施形態の基板（部品内蔵基板）の製造方法の説明図である。本発明の第５の実施形態の基板（多層基板）の製造方法の説明図である。従来の基板の製造方法の説明図である。

本発明の実施形態について、図１〜図９を参照して詳述する。

（第１の実施形態）
まず、請求項１、２、４に対応する第１の実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。

図１は本実施形態の基板の製造方法を工程順に示す。

最初のバンプ形成工程（図１（ａ））においては、エポキシ樹脂等で形成される後述の熱硬化性の絶縁樹脂層の一主面に圧着されるキャリアとしての一方の金属箔１を用意し、金属箔１の表面に、前記絶縁樹脂層の硬化温度（１８０℃前後）より低い温度で溶融可能な金属フィラーを含有した導電性ペーストのバンプ２を形成する。図２はバンプ形成工程（加熱前）のバンプ２の横断面の状態を示し、加熱前のバンプ２は導電性ペースト３に金属フィラー４の粒子が略均一に散在している。

金属箔１は、基本的には半田付き性のよい種々の金属箔であればよく、本実施形態では実用的な銅（Ｃｕ）箔とするが、半田の濡れが悪い金属の表面に濡れのよい金属（アルミニューム（Ａｌ）等）をメッキした金属箔等であってもよい。但し、金属箔１は基板形成後に適当な機械的強度を有する必要があるのは勿論である。そして、金属箔１は必要に応じてサブトラクティブ法等で所望の配線パターンに形成される。

バンプ２は金属フィラー４を含有した導電性ペースト３を周知のメタルマスク法等で金属箔１の表面に印刷等して形成され、金属箔１の表面から円錐形状に盛り上がっている。

バンプ２の金属フィラー４は、半田のリフロー温度（２４０〜２６０℃程度）より十分に低く、前記したように絶縁樹脂層の硬化温度（２００℃前後）より低い温度で溶融可能な金属材料のフィラーであればよく、具体的には、本実施形態の場合、略１４０℃の融点をもつＢｉ（ビスマス）−Ｓｎ（錫）の合金フィラーとしているが、つぎの表１に示すＩｎ（インジューム）以下の低融点の各種の金属フィラーであってもよい。なお、溶融による金属結合後の金属の機械的強度等を考慮すると、金属フィラー４は前記したＢｉ−Ｚｎの合金フィラーであることが最も好ましい。

つぎの金属柱形成工程（図１（ｂ））においては、バンプ２を前記硬化温度より低く金属フィラー４が溶融する温度、例えば１４０℃以上１８０℃以下の温度に加熱し、金属フィラー４同士の溶融結合状態を形成するとともにバンプ２と金属箔１とを金属結合して金属箔１にバンプ２の金属柱５を一体に接続する。図３は金属柱形成工程（加熱後）のバンプ２の横断面の状態を示し、加熱後のバンプ２は金属フィラー４が溶融して互いに接着しているが、外形状の変化は少ない。

つぎの圧入工程（図１（ｃ））においては、まず、熱硬化性の絶縁樹脂層６を用意し、未硬化の絶縁樹脂層６の他主面に他方の（新たな）金属箔７を圧着して樹脂付き金属箔８を形成する。

絶縁樹脂層６は、前記した半田のリフロー温度より低い温度で熱硬化する種々の有機基板用の絶縁樹脂の適当な厚みの層であってよく、具体的には、硬化温度が２００℃前後のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹、シアネート樹脂等の層であり、無機フィラーとしてシリカ粉末、アルミナ粉末などの無機粉末のフィラーが含まれていてもよい。金属箔７は、金属箔１と同様の条件の金属材料、例えば銅箔からなり、絶縁樹脂層６の他主面側の配線パターンを形成する。

そして、樹脂付き金属箔８を、金属箔７を上側にして金属柱５の上方に金属箔１に重なるように位置決めし、プレス機等により、１００℃〜１４０℃に加温しながら樹脂付き金属箔８を下方に押し下げて加圧し、金属柱５により絶縁樹脂層６を貫通して金属柱５の先端部を金属箔７に当接（接触）し、金属柱５と金属箔７を物理的に接続する。

このとき、バンプ２は先端が平らな円錐台形状であってもよいが、本実施形態の場合、バンプ２は先端が尖った円錐形状であり、バンプ２が形成する金属柱５も略同様の形状であるため、金属柱５による絶縁樹脂層６の貫通が容易に行なえ、金属柱５が金属箔７に良好に接続される利点がある。すなわち、バンプ２が円錐台形状の場合、バンプ２の金属フィラー４がバンプ２の先端の天面にトラップされる等して、前記天面が平らになることから、絶縁樹脂層６の貫通が容易でなく、金属柱５と金属箔７との接続不良が生じるおそれがある。これに対して、本実施形態のように、バンプ２を先端が尖った円錐形状に形成すると、絶縁樹脂層６の貫通が容易であり、金属柱５が金属箔７に確実に当接して金属柱５と金属箔７とが確実に電気的に接続される。

なお、安定して円錐形状のバンプ２を形成する方法として、従来は円錐形状の溝にペーストを充填して転写するなどの方法が提案されているが、このような従来手法では工数が増えて実用的でない。

そこで、本実施形態の場合、印刷法によりバンプ２を形成する前記バンプ形成工程において、まず、予め所定の位置（バンプ形成位置）に穴をあけたシートあるいは板（以下、印刷マスクという）を用意する。つぎに、印刷マスクと被印刷物となる金属箔１と密着させた上で、印刷マスク上からスキージなどで金属フィラー４を含む樹脂ペースト３を塗布して前記穴の部分に樹脂ペースト３を充填する。つぎに、前記印刷により印刷表面側に５０〜１００μｍ程度のペースト残渣を残した状態で印刷マスクを鉛直方向に金属箔１から引き離す。このとき、余分な樹脂ペースト３が印刷マスクに付着して金属箔１から引き剥がされ、自動的に円錐形状のバンプ２を形状する。

このようにすることで、樹脂ペースト３を印刷した後、印刷マスクを引き剥がして樹脂ペースト３の一部を金属箔１の表面に残す簡単な作業により、高価な装置等を新たに導入することなく、安定して円錐形状のバンプ２を得ることができる。

そして、つぎの再加熱・圧着工程（図１（ｄ））においては、金属柱５が貫通した絶縁樹脂層６を、絶縁樹脂層６の硬化温度以上の例えば１８０℃〜２００℃に加熱しつつ加圧し、絶縁樹脂６の硬化を行いながら金属柱５内部の金属フィラー４を再溶融し、金属柱５と金属箔７とを金属結合して金属柱５を金属箔７に一体に接続し、金属箔１、７間に絶縁樹脂層６を挟んだ構造の基板９を製造する。図４は金属結合により金属柱５が金属箔７に一体に接続された状態を示す金属柱５の縦断面図である。

以上のようにして基板９を製造することにより、（１）基板９の金属箔１、７の層間接続が金属柱５によって行なわれ、ビア形成のための穴あけ加工等の処理が不要になって工数削減が可能となり、大幅なコストダウンを図ることができる。（２）金属柱５は、従来のバンプ同士の物理的接触で形成されるのではなく、バンプ２の金属フィラー４の溶融および金属柱５と金属箔１、７との金属結合により形成されるため、電気的接続の信頼性が極めて向上し、信頼性の高い両面配線の基板９を提供できる。

（第２の実施形態）
つぎに、請求項１、３、４に対応する第２の実施形態について、図５を参照して説明する。

本実施形態の場合、第１の実施形態のバンプ形成工程、金属柱形成工程により、図１（ｂ）の金属箔１に金属柱５を一体に接続したものを、例えば転写板（図示せず）に形成する。

つぎに、図１（ｃ）の圧入工程に代わる図２（ａ）の圧入工程において、部品内蔵の絶縁樹脂層１０を用意する。絶縁樹脂層１０は例えば第１の実施形態の未硬化の樹脂層６にコイル、コンデンサ、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品１１を１または複数個埋設して形成され、絶縁樹脂層１０の下面に図１（ｃ）の金属箔７に相当する金属箔１２の配線パターンが圧着されている。電子部品１１の例えば左右端部の外部電極１１ａはランド１３を介して金属箔１２に接続されている。

そして、絶縁樹脂層１０の上方に、金属柱５を下向きにして金属箔１をセットし、プレス機等により、１００℃〜１４０℃に加温しながら金属箔１を押し下げるか絶縁樹脂層１０を押し上げるかして加圧する。このとき、金属柱５は対応する外部電極１１ａの直上に位置し、金属柱５を絶縁樹脂層６に圧入して金属柱５の先端部を外部電極１１ａの少なくとも上面に当接（接触）し、金属柱５が外部電極１１ａに物理的に接続する。

つぎの再加熱・圧着工程（図５（ｂ））においては、絶縁樹脂層１０を、絶縁樹脂層１０の硬化温度以上に加熱しつつ加圧し、絶縁樹脂６の硬化を行いながら金属柱５内部の前記金属フィラー４を再溶融し、金属柱５と外部電極１１ａとを金属結合して金属柱５を外部電極１１ａに一体に接続する。

その後、金属箔１をフォトエッチング処理等して絶縁樹脂層１０の上面に所定の配線パターンの金属箔１４を形成し、金属箔１４と電子部品１１の外部電極１１ａとを金属柱５で接続して部品内蔵の基板１５を製造する。

以上のようにして部品内蔵の基板１５を製造することにより、（１）基板１５の金属箔１４と電子部品１１の外部電極１１ａとの接続が金属柱５によって行なわれ、ビア形成のための穴あけ加工等の処理が不要になって工数削減が可能となり、大幅なコストダウンを図ることができる。（２）金属柱５は、従来のバンプ同士の物理的接触で形成されるのではなく、バンプ２の金属フィラー４の溶融および金属柱５と外部電極１１ａ、金属箔１４との金属結合により形成されるため、電気的接続の信頼性が極めて向上し、信頼性の高い部品内蔵の基板１５を提供できる。そして、図５（ｂ）の矢印線に示すように、金属箔１２、１４がビアを形成することなく電気的に接続される。

（変形例）
ところで、金属柱５は金属箔１側の底面積が広く外部電極１１ａをまたがってはみ出す形に接触することが好ましい。図６は前記圧入工程により金属柱５が外部電極１１ａをまたがってはみ出す形に接触している状態を示す。

すなわち、従来のビアにより接続する場合は、外部電極に損傷なく有底加工を行わないといけないため、ビア加工そのものが難しく、加工条件の管理が難しい。また、部品の高さばらつきや実装ばらつきなどから外部電極１１ａ上の絶縁樹脂層１０の厚みの管理ができず、加工不良の原因となる。

また、図５の金属柱５の場合、上から見た金属柱５の投影面積は外部電極１１ａの上面より狭く、電子部品１１が小さくなる程小さくなるため、部品実装精度とも相まって非常に高い加工精度が要求され、確実に接続するように形成することは容易ではない。

そこで、図６に示したように、金属柱５を外部電極１１ａをまたがってはみ出すように投影面積を広く形成することが考えられる。

この場合、金属箔１上に予め、低融点成分を混合物として持つ前記導電性ペースト３のバンプ２を所定の位置に印刷し、熱処理して金属柱５を形成する際、導電性ペースト３のバンプ２を電子部品１１の外部電極１１ａをまたがってはみ出す形に形成しておく。なお、バンプ２の形状は外部電極１１ａの投影面積部分からはみ出す形状であれば、円形、四角形、クロス等どのような平面投影形状になるものであってもよい。

そして、金属柱５を外部電極１１ａをまたがってはみ出すように形成すると、電子部品１１が小さくなっても、金属柱５が外部電極１１ａに確実に金属結合して接続され、信頼性の高い電気接続を容易に実現できる。

また、電子部品１１上の絶縁樹脂層１０の厚みよりも高いバンプ２を作ると、バンプ２を外部電極１１ａに衝突させ、その先端を押し潰すことにより、金属柱５の高さを調整することが可能となり、内蔵する電子部品１１の高さのばらつきに対しても広く対応できる（数十μｍのレベル）利点がある。

さらに、外部電極１１ａにレーザーを照射しなくてもよいため、外部電極１１ａの損傷の心配がない。

また、導電性ペーストと外部電極１１ａを接触させるために必要な加工精度が緩和される利点もある。

（第３の実施形態）
つぎに、金属柱５により絶縁樹脂層１０の両主面側の配線パターンの層間の電気的接続に金属柱５を使用した図７の実施形態について説明する。

この場合、図７（ａ）の圧入工程、同図（ｂ）の再加熱・圧着工程に示すように、金属柱５を電子部品１１の近傍に例えば下向きに圧入し、金属柱５の先端を金属箔１２に接続することにより、従来の貫通ビアの形成に比して簡単に、かつ、確実に、部品内蔵の基板１５の層間の電気的接続を実現することができる。

（第４の実施形態）
つぎに、電子部品１１を内蔵した絶縁樹脂層１０の両主面側から金属柱５を圧入して外部電極１１ａを電気的に接続する実施形態について、図８を参照して説明する。

本実施形態の場合、圧入工程（図８（ａ））において、絶縁樹脂層１０の上下に、金属柱５を形成した金属箔１をセットし、金属柱５を絶縁樹脂層６に両主面側から圧入して金属柱５の先端部を外部電極１１ａの上下面に当接（接触）し、両主面側の金属柱５を外部電極１１ａに物理的に接続する。

また、つぎの再加熱・圧着工程（図８（ｂ））において、絶縁樹脂層１０を、絶縁樹脂層１０の硬化温度以上に加熱しつつ加圧し、両主面側の金属柱５と外部電極１１ａとを金属結合して金属柱５を外部電極１１ａに一体に接続する。

その後、両主面側の金属箔１をフォトエッチング処理等して絶縁樹脂層１０の上、下面に所定の配線パターンの金属箔１４を形成し、金属箔１４と電子部品１１の外部電極１１ａとを金属柱５で電気的に接続して部品内蔵の基板１６を製造する。

（第５の実施形態）
つぎに、第１の実施形態の基板９に相当する基板を多層に積み重ねた構造の多層基板の製造に適用した図９の実施形態について説明する。

まず、初回の圧入工程（図９（ａ））、再加熱・圧着工程（図９（ｂ））により、図１（ｃ）の基板９に相当する基板１７を形成する。基板１７は上下の金属箔１が配線パターンの金属箔１８に加工されている。

つぎに、２回目の圧入工程（図９（ｃ））、再加熱・圧着工程（図９（ｄ））により、基板１７の上下に絶縁樹脂層６をさらに圧着し、その上下から金属柱５を形成した金属箔１を圧入した後、再加熱・圧着により金属結合して４層構造の基板１９を製造する。

この場合も、各相の層間の電気的接続が金属柱５で実現され、第１の実施形態等と同様の効果が得られる。

そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことが可能であり、例えば、上記した第５の実施形態の多層の基板１９は、部品内蔵の基板であってもよいのは勿論である。

つぎに、各実施形態の絶縁樹脂層６、１０や金属柱５等の形状、大きさ等は、各実施形態のものに限るものではない。

本発明は、種々の用途の両面配線基板や多層配線基板の製造方法に適用することができる。

１、７、１２、１４、１８金属箔
２バンプ
３導電性ペースト
４金属フィラー
５金属柱
６、１０絶縁樹脂層
１１電子部品
１１ａ外部電極

Claims

熱硬化性の絶縁樹脂層に圧着される金属箔に、前記絶縁樹脂層の硬化温度より低い温度で溶融可能な金属フィラーを含有した導電性ペーストのバンプを形成し、
前記バンプを前記硬化温度より低く前記金属フィラーが溶融する温度に加熱し、前記金属フィラー同士の溶融結合状態を形成するとともに前記バンプと前記金属箔とを金属結合して前記金属箔に前記バンプの金属柱を一体に接続し、
前記金属柱を完全硬化に至る前の前記絶縁樹脂層に圧入して前記金属箔を前記絶縁樹脂層に圧着するとともに前記金属柱の先端部を対向する金属部材に接合し、
該接合後に前記絶縁樹脂層を熱処理して前記金属柱を再加熱し、前記金属フィラーを再溶融するとともに前記金属柱と前記金属部材とを金属結合して前記金属柱を前記金属部材に一体に接続することを特徴とする基板の製造方法。
請求項１記載の基板の製造方法において、
前記金属箔は前記絶縁樹脂の一主面に圧着された金属箔であり、
前記金属部材は前記絶縁樹脂の他主面に圧着された金属箔であることを特徴とする基板の製造方法。
請求項１記載の基板の製造方法において、
前記絶縁層は電子部品を内蔵し、
前記金属部材は前記電子部品の電極であることを特徴とする基板の製造方法。
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板の製造方法において、
前記金属ペーストはＢｉ−Ｓｎの合金ペーストであることを特徴とする基板の製造方法。