JP5147575B2 - 成膜装置及び発光装置の作製方法 - Google Patents

成膜装置及び発光装置の作製方法 Download PDF

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Description

本発明は、電界を加えることで発光が得られる有機化合物を含む膜(以下、「有機化合物膜」と記す)と、陽極と、陰極と、を有する発光素子の作製に用いる成膜装置及び成膜方法に関する。本発明では特に、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ素子の寿命が長い発光素子の作製に関する。さらに、本明細書中における発光装置とは、素子として発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム((FPC:flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て含むものとする。
発光素子は、電界を加えることにより発光する素子である。その発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。
なお、有機化合物が形成する分子励起子の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であるが、本明細書中ではどちらの励起状態が発光に寄与する場合も含むこととする。
このような発光素子において、通常、有機化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、発光素子は、有機化合物層そのものが光を放出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているようなバックライトも必要ない。したがって、発光素子は極めて薄型軽量に作製できることが大きな利点である。
また、例えば100〜200nm程度の有機化合物層において、キャリアを注入してから再結合に至るまでの時間は、有機化合物層のキャリア移動度を考えると数十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの過程を含めてもマイクロ秒以内のオーダーで発光に至る。したがって、非常に応答速度が速いことも特長の一つである。
さらに、発光素子はキャリア注入型の発光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、ノイズが生じにくい。駆動電圧に関しては、まず有機化合物膜の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、また、有機化合物膜に対するキャリア注入障壁を小さくするような電極材料を選択し、さらにはヘテロ構造(二層構造)
を導入することによって、5.5Vで100cd/m2の十分な輝度が達成された(文献1:C. W. Tang and S. A. VanSlyke, "Organic electroluminescent diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, No.12, 913-915 (1987))。
こういった薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から、発光素子は次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であり、電気器具の表示画面に用いる素子として有効と考えられている。
ところで、文献1において示された発光素子の構成であるが、まず、キャリア注入障壁を小さくする方法として、仕事関数が低い上に比較的安定なMg:Ag合金を陰極に用い、電子の注入性を高めている。このことにより、有機化合物膜に大量のキャリアを注入することを可能としている。
さらに有機化合物膜として、ジアミン化合物からなる正孔輸送層とトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、「Alq3」と記す)からなる電子輸送性発光層とを積層するという、シングルヘテロ構造を適用することにより、キャリアの再結合効率を飛躍的に向上させている。このことは、以下のように説明される。
例えば、Alq3単層のみを有する発光素子の場合では、Alq3が電子輸送性であるため、陰極から注入された電子のほとんどは正孔と再結合せずに陽極に達してしまい、発光の効率は極めて悪い。すなわち、単層の発光素子を効率よく発光させる(あるいは低電圧で駆動する)ためには、電子および正孔の両方をバランスよく輸送できる材料(以下、「バイポーラー材料」と記す)を用いる必要があり、Alq3はその条件を満たしていない。
しかし、文献1のようなシングルへテロ構造を適用すれば、陰極から注入された電子は正孔輸送層と電子輸送性発光層との界面でブロックされ、電子輸送性発光層中へ閉じこめられる。したがって、キャリアの再結合が効率よく電子輸送性発光層で行われ、効率のよい発光に至るのである。
このようなキャリアのブロッキング機能の概念を発展させると、キャリアの再結合領域を制御することも可能となる。その例として、正孔をブロックできる層(正孔ブロッキング層)を正孔輸送層と電子輸送層との間に挿入することにより、正孔を正孔輸送層内に閉じこめ、正孔輸送層の方を発光させることに成功した報告がある。(文献2:Yasunori KIJIMA, Nobutoshi ASAI and Shin-ichiro TAMURA, "A Blue Organic Light Emitting Diode", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, 5274-5277(1999))。
また、文献1における発光素子は、いわば正孔の輸送は正孔輸送層が行い、電子の輸送および発光は電子輸送性発光層が行うという、機能分離の発想であるとも言える。この機能分離の概念はさらに、正孔輸送層と電子輸送層の間に発光層を挟むというダブルへテロ構造(三層構造)の構想へと発展した(文献3:Chihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Shogo SAITO, "Electroluminescence in Organic Films with Three-Layered Structure", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 27, No. 2, L269-L271(1988))。
こういった機能分離の利点としては、機能分離することによって一種類の有機材料に様々な機能(発光性、キャリア輸送性、電極からのキャリア注入性など)
を同時に持たせる必要がなくなり、分子設計等に幅広い自由度を持たせることができる点にある(例えば、無理にバイポーラー材料を探索する必要がなくなる)
。つまり、発光特性のいい材料、キャリア輸送性が優れる材料などを、各々組み合わせることで、容易に高発光効率が達成できるということである。
これらの利点から、文献1で述べられた積層構造の概念(キャリアブロッキング機能あるいは機能分離)自体は、現在に至るまで広く利用されている。
また、これらの発光素子の作製においては、特に量産プロセスでは、正孔輸送材料、発光層材料、電子輸送材料等を真空蒸着により積層する際に、それぞれの材料がコンタミネーションしないようにするため、インライン方式(マルチチャンバー方式)の成膜装置が用いられている。なお、図15に成膜装置の上面図を示す。
図15に示した成膜装置においては、陽極(ITOなど)を有する基板上に正孔輸送層・発光層・電子輸送層の三層構造(ダブルへテロ構造)、陰極の蒸着、及び封止処理が可能である。
まず、搬入室に陽極を有する基板を搬入する。基板は第1搬送室を経由して紫外線照射室に搬送され、真空雰囲気中での紫外線照射により、陽極表面がクリーニングされる。なお、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室にて酸化処理がされる。
次に、蒸着室1501で正孔輸送層が形成され、蒸着室1502〜1504で発光層(図15では、赤、緑、青の三色)が形成され、蒸着室1505で電子輸送層が形成され、蒸着室1506で陰極が形成される。最後に、封止室にて封止処理がなされ、搬出室から発光素子が得られる。
このようなインライン方式の成膜装置の特色としては、各層の蒸着がそれぞれ異なる蒸着室1501〜1505において行われていることである。したがって、それぞれの蒸着室1501〜1505には、通常一つの蒸発源(1511〜1515)を設ければよい(ただし、蒸着室1502〜1504において、色素をドープすることにより発光層を形成する場合、共蒸着層を形成するために二つの蒸発源が必要になることもある)。つまり、各層の材料がほとんど互いに混入しないような装置構成となっている。
図15で説明した成膜装置を用いて作製された発光素子の構造を図16に示す。図16において、基板1601上に形成される陽極1602と陰極1603との間に有機化合物層1604が形成されるが、ここで形成される有機化合物層1604は、異なる蒸着室において異なる有機化合物が形成されることから第一の有機化合物層1605、第2の有機化合物層1606、第三の有機化合物層1607で示される積層界面は明確に分離して形成されている。
ここで、第一の有機化合物層1605と第2の有機化合物層1606の界面付近にある領域1608を図16(B)で示す。ここでは、第一の有機化合物層1605と第2の有機化合物層1606の界面1609に不純物1610が混入されている様子が分かる。つまり、図15に示した従来の成膜装置においては、それぞれの層を別の成膜室で形成することから、その成膜室間を基板が移動する際に、不純物1609が基板表面に付着してしまい、界面1609に不純物1610が混入されてしまうのである。なお、ここでいう不純物とは、具体的には、酸素や水などである。
以上で述べたような積層構造は異種物質間の接合であるため、その界面には必ずエネルギー障壁が生じることになる。エネルギー障壁が存在すれば、その界面においてキャリアの移動は妨げられるため、以下に述べるような問題点が提起される。
まず一つは、駆動電圧のさらなる低減へ向けての障害になるという点である。
実際、現在の発光素子において、駆動電圧に関しては共役ポリマーを用いた単層構造の素子の方が優れており、パワー効率(単位:[lm/W])でのトップデータ(ただし、一重項励起状態からの発光を比較)を保持していると報告されている(文献4:筒井哲夫、「応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌」、Vol. 11、No. 1、P.8(2000))。
なお、文献4で述べられている共役ポリマーはバイポーラー材料であり、キャリアの再結合効率に関しては積層構造と同等なレベルが達成できる。したがって、バイポーラー材料を用いるなどの方法で、積層構造を用いることなくキャリアの再結合効率さえ同等にできるのであれば、界面の少ない単層構造の方が実際は駆動電圧が低くなることを示している。
例えば電極との界面においては、エネルギー障壁を緩和するような材料を挿入し、キャリアの注入性を高めて駆動電圧を低減する方法がある(文献5:Takeo Wakimoto, Yoshinori Fukuda, Kenichi Nagayama, Akira Yokoi, Hitoshi Nakada, and Masami Tsuchida, "Organic EL Cells Using Alkaline Metal Compounds as Electron Injection Materials", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO. 8, 1245-1248(1997))。文献5では、電子注入層としてLi2Oを用いることにより、駆動電圧の低減に成功している。
しかしながら、有機材料間(例えば正孔輸送層と発光層との間のことであり、以下、「有機界面」と記す)のキャリア移動性に関してはいまだ未解決の分野であり、単層構造の低駆動電圧に追いつくための重要なポイントであると考えられる。
さらに、エネルギー障壁に起因する問題点として、発光素子の素子寿命に対する影響が考えられる。すなわち、キャリアの移動が妨げられ、チャージが蓄積することによる輝度の低下である。
この劣化機構に関してははっきりした理論は確立されていないが、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を挿入し、さらにdc駆動ではなく矩形波のac駆動にすることによって、輝度の低下を抑えることができるという報告がある(文献6:S. A. VanSlyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, "Organic electroluminescent devices with improved stability", Applied Physics Letters, Vol. 69, No. 15, 2160-2162(1996))。このことは、正孔注入層の挿入およびac駆動によって、チャージの蓄積を排除することにより、輝度の低下を抑えることができたという実験的な裏付けと言える。
以上のことから、積層構造は容易にキャリアの再結合効率を高めることができ、なおかつ機能分離の観点から材料の選択幅を広くできるというメリットを持つ一方で、有機界面を多数作り出すことによってキャリアの移動を妨げ、駆動電圧や輝度の低下に影響を及ぼしていると言える。
また、従来の成膜装置では、正孔輸送材料、発光層材料、電子輸送材料等を真空蒸着により積層する際に、それぞれの材料がコンタミネーションしないようにするために別々のチャンバーに蒸発源を設けて異なる層を異なるチャンバーで成膜しているが、このような装置では、上述したような積層構造を形成する場合には、有機界面が明確に分かれるばかりでなく、基板がチャンバー間を移動する際に有機界面に水や酸素といった不純物が混入されるという問題がある。
そこで本発明では、従来用いられている積層構造とは異なる概念により、有機化合物膜中に存在するエネルギー障壁を緩和してキャリアの移動性を高めると同時に、なおかつ積層構造の機能分離と同様に各種複数の材料の機能を有する素子を作製する成膜装置を提供する。また、これらの成膜装置を用いた成膜方法を提供することを課題とする。さらに、素子特性の向上及び素子寿命の長期化のために形成される有機化合物膜の特性を向上させるために、これまで以上に緻密な膜を形成することができる成膜装置を提供することを目的とする。
積層構造におけるエネルギー障壁の緩和に関しては、文献5に見られるようなキャリア注入層の挿入という技術に顕著に見られる。つまり、エネルギー障壁の大きい積層構造の界面において、そのエネルギー障壁を緩和する材料を挿入することにより、エネルギー障壁を階段状に設計することができる。
これにより電極からのキャリア注入性を高め、確かに駆動電圧をある程度までは下げることができる。しかしながら問題点は、層の数を増やすことによって、有機界面の数は逆に増加することである。このことが、文献4で示されているように、単層構造の方が駆動電圧・パワー効率のトップデータを保持している原因であると考えられる。
逆に言えば、この点を克服することにより、積層構造のメリット(様々な材料を組み合わせることができ、複雑な分子設計が必要ない)を活かしつつ、なおかつ単層構造の駆動電圧・パワー効率に追いつくことができる。
そこで本発明において、図1(A)のように発光素子の陽極102と陰極103の間に複数の機能領域からなる有機化合物膜104が形成される場合、第一の機能領域105と第二の機能領域106との間に、第一の機能領域105を構成する材料および第二の機能領域106を構成する材料の両方からなる第一の混合領域108を有する構造を形成する。
さらに、第二の機能領域106と第三の機能領域107との間に、第二の機能領域106を構成する材料および第三の機能領域107を構成する材料の両方からなる第二の混合領域109を有する構造を形成する。
図1(A)に示されるような構造を適用することで、機能領域間に存在するエネルギー障壁は緩和され、キャリアの注入性が向上すると考えられる。したがって、駆動電圧の低減、および輝度低下の防止が可能となる。
以上のことから、本発明における成膜装置では、第一の有機化合物が機能を発現できる領域(第一の機能領域)と、前記第一の機能領域を構成する物質とは異なる第二の有機化合物が機能を発現できる領域(第二の機能領域)と、を少なくとも含む発光素子、及びこれを有する発光装置の作製において、前記第一の機能領域と前記第二の機能領域との間に、前記第一の機能領域を構成する有機化合物と前記第二の機能領域を構成する有機化合物、とからなる混合領域を作製することを特徴とする。
また、図1(A)に示すように、第一の機能領域105と第二の機能領域106の間に形成される第一の混合領域107は図1(B)に示すように、同一の成膜室において連続的に成膜されるため、図16(B)で示したような不純物の混入も防ぐことができる。
なお、第一の有機化合物および第二の有機化合物は、陽極から正孔を受け取る正孔注入性、電子移動度よりも正孔移動度の方が大きい正孔輸送性、正孔移動度よりも電子移動度の方が大きい電子輸送性、陰極から電子を受け取る電子注入性、正孔または電子の移動を阻止しうるブロッキング性、発光を呈する発光性、の一群から選ばれる性質を有し、かつ、それぞれ異なる前記性質を有する。
なお、正孔注入性の高い有機化合物としては、フタロシアニン系の化合物が好ましく、正孔輸送性の高い有機化合物としては、芳香族ジアミン化合物が好ましく、また、電子輸送性の高い有機化合物としては、キノリン骨格を含む金属錯体、ベンゾキノリン骨格を含む金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、またはフェナントロリン誘導体が好ましい。さらに、発光性の有機化合物としては、安定に発光するキノリン骨格を含む金属錯体、ベンゾオキサゾール骨格を含む金属錯体、またはベンゾチアゾール骨格を含む金属錯体が好ましい。
上で述べた第一の機能領域および第二の機能領域の組み合わせを、表1に示す。組み合わせA〜Eは、単独で導入してもよい(例えばAのみ)し、複合して導入してもよい(例えばAとBの両方)。
Figure 0005147575
また、組み合わせCとDを複合して導入する場合(すなわち、発光性の機能領域の両界面に混合領域を導入する場合)、発光性領域で形成された分子励起子の拡散を防ぐことで、さらに発光効率を高めることができる。したがって、発光性領域の励起エネルギーは、正孔輸送性領域の励起エネルギーおよび電子輸送性領域の励起エネルギーよりも低いことが好ましい。この場合、キャリア輸送性に乏しい発光材料も発光性領域として利用できるため、材料の選択幅が広がる利点がある。なお、本明細書中でいう励起エネルギーとは、分子における最高被占分子軌道(HOMO:highest occupied molecular orbital)と最低空分子軌道(LUMO:lowest unoccupied molecular orbital)とのエネルギー差のことをいう。
さらに好ましくは、発光性領域を、ホスト材料と、ホスト材料よりも励起エネルギーが低い発光材料(ドーパント)とで構成し、ドーパントの励起エネルギーが、正孔輸送性領域の励起エネルギーおよび電子輸送性領域の励起エネルギーよりも低くなるように設計することである。このことにより、ドーパントの分子励起子の拡散を防ぎ、効果的にドーパントを発光させることができる。また、ドーパントがキャリアトラップ型の材料であれば、キャリアの再結合効率も高めることができる。
さらに、本発明の成膜装置においては、図1(C)に示すような構造の発光素子を形成することも可能である。図1(C)においては、基板101上の陽極102と陰極103との間に形成される有機化合物膜104において、第一の有機化合物からなる第一の機能領域110と第2の有機化合物からなる第二の機能領域111との間に第一の機能領域110を構成する材料および第二の機能領域111を構成する材料の両方からなる第一の混合領域112を有する構造を形成する。さらに、この第一の混合領域の全体若しくは、一部に第三の有機化合物をドーピングすることにより、第一の混合領域の全体若しくは、一部に第三の機能領域113を形成することができる。なお、ここで形成される第三の機能領域113は、発光を呈する領域となる。
なお、図1(C)の素子構造を形成する場合には、第一の有機化合物と第二の有機化合物は、正孔注入性、正孔輸送性、電子輸送性、電子注入性、ブロッキング性の一群から選ばれる性質を有する有機化合物から形成され、かつ、それぞれを形成する有機化合物は、異なる性質を有するものとする。さらに、第三の有機化合物は、発光性の有機化合物(ドーパント)であり、かつ、第一の有機化合物と第二の有機化合物よりも励起エネルギーの低い材料を用いる必要がある。なお、第三の機能領域113において、第一の有機化合物と第二の有機化合物は、ドーパントに対するホストとしての役割を果たす。
ところで近年、発光効率の観点で言えば、三重項励起状態から基底状態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三重項励起エネルギー」と記す)を発光に変換できる有機発光素子が、その高い発光効率ゆえに注目されている(文献7:D. F. O'Brien, M. A. Baldo, M. E. Thompson and S. R. Forrest, "Improved energy transfer in electrophosphorescent devices", Applied Physics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))(文献8:Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG, Masayuki YAHIRO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJI, Yoshinori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, "High Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999))。
文献7では白金を中心金属とする金属錯体を、文献8ではイリジウムを中心金属とする金属錯体を用いている。これらの三重項励起エネルギーを発光に変換できる有機発光素子(以下、「三重項発光素子」と記す)は、従来よりも高輝度発光・高発光効率を達成することができる。
しかしながら、文献8の報告例によると、初期輝度を500cd/m2に設定した場合の輝度の半減期は170時間程度であり、素子寿命に問題がある。そこで、本発明を三重項発光素子に適用することにより、三重項励起状態からの発光による高輝度発光・高発光効率に加え、素子の寿命も長いという非常に高機能な発光素子が可能となる。
したがって、図1(C)に示す発光素子において、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料をドーパントとして第一の混合領域112に添加し、第三の機能領域113を形成する場合も本発明に含めることとする。また、混合領域の形成においては、混合領域に濃度勾配をもたせてもよい。
本発明の成膜装置では、複数の蒸発源を有する同一の成膜室において、複数の機能領域を形成し、かつ上述したような混合領域を有する発光素子を形成することを特徴とする。
本発明の成膜装置が有する成膜室210について図2を用いて説明する。なお、図1に示したのと同一のものに関しては、共通の符号を用いることとする。図2に示すように基板101の下方には、ホルダ201に固定されたメタルマスク202が備えられており、さらにその下方には、蒸発源203が設けられている。蒸発源203(203a〜203c)は、有機化合物膜を形成する有機化合物204(204a〜204c)が備えられている材料室205(205a〜205c)と、シャッター206(206a〜206c)とで構成されている。なお、本発明の成膜装置において、膜が均一に成膜されるように、蒸発源、または、蒸着される基板が移動(回転)するようにしておくと良い。
また、材料室205(205a〜205c)は、導電性の金属材料からなり、具体的には、図18に示す構造を有する。なお、材料室205(205a〜205c)に電圧が印加された際に生じる抵抗により内部の有機化合物204(204a〜204c)が加熱されると、気化して基板201の表面へ蒸着される。なお、基板201とは本明細書中では、基板とその上に形成された薄膜も含むこととし、ここでは、図1に示す基板101上に陽極102が形成されている状態をいう。
なお、シャッター206(206a〜206c)は、気化した有機化合物204(204a〜204c)の蒸着を制御する。つまり、シャッターが開いているとき、加熱により気化した有機化合物204(204a〜204c)を蒸着することができる。よって、本明細書中では、シャッターが開き、有機化合物が蒸着させる状態になることを蒸発源が作動するという。
なお、有機化合物204(204a〜204c)は、蒸着前から加熱して気化させておき、蒸着時にシャッター206(206a〜206c)を開ければすぐに蒸着ができるようにしておくと、成膜時間を短縮できるので望ましい。
また、本発明の成膜装置においては、一つの成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜が形成されるようになっており、蒸発源203もそれに応じて複数設けられている。なお、本発明においては複数の蒸発源が同時に作動することにより、複数の有機化合物は、同時に蒸着される。また、複数の蒸発源が連続的に作動することにより複数の有機化合物を連続的に蒸着することができる。
さらに、複数の蒸発源を時間的に分断することなく続けて蒸着することもできる。なお、蒸発源が作動することにより有機化合物は気化されて上方に飛散し、メタルマスク202に設けられた開口部212を通って基板200に蒸着される。
また、本発明の成膜室においては、成膜室内部を排気するための排気手段が設けられている。なお、排気手段としては排気ポンプを用い、これにより減圧される。なお、減圧時の到達真空度は10-6Pa以上であることが望ましく、例えば、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)もしくはクライオポンプなどを組み合わせるなどして用いることが可能である。例えば、第1の排気手段214としてクライオポンプを用い、第2の排気手段215として、ドライポンプなどを組み合わせて用いることができる。
また、本実施例において、成膜室の他、成膜室を構成するロード室、アライメント室、封止室及びアンロード室等の各処理室の内部には、その表面積を小さくすることで酸素や水等の不純物の吸着性を小さくするために、電解研磨を施して鏡面化させたアルミニウムやステンレス(SUS)等の材料を内部壁面に用い、また、気孔がきわめて少なくなるように処理されたセラミックス等の材料からなる内部部材を用いる。なお、これらの材料は平均面粗さが5nm以下(好ましくは3nm以下)となるような表面平滑性を有する。ここでいう平均面粗さとは、JIS B0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものをいう。
以上のような成膜装置を用いた具体的な成膜方法について、以下に説明する。
はじめに、第一の材料室205aに備えられている、第一の有機化合物204aが蒸着される。なお、第一の有機化合物204aは予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時にシャッター206aが開くことにより基板200の方向へ飛散する。これにより、図1(A)に示す第一の機能領域105を形成することができる。
そして、第一の有機化合物204aを蒸着したまま、シャッター206bを開け、第二の材料室205bに備えられている、第二の有機化合物204bを蒸着する。なお、第二の有機化合物も予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時にシャッター206bが開くことにより基板201の方向へ飛散する。ここで、第一の有機化合物204aと第二の有機化合物204bとからなる第一の混合領域107を形成することができる。
そして、しばらくしてからシャッター206aのみを閉じ、第二の有機化合物204bを蒸着する。これにより、第二の機能領域106を形成することができる。
なお、ここでは、二種類の有機化合物を同時に蒸着することにより、混合領域を形成する方法を示したが、第一の有機化合物を蒸着した後、その蒸着雰囲気下で第二の有機化合物を蒸着することにより、第一の機能領域と第二の機能領域との間に混合領域を形成することもできる。
次に、第二の有機化合物204bを蒸着したまま、シャッター206cを開け、第三の材料室205cに備えられている、第三の有機化合物204cを蒸着する。なお、第三の有機化合物204cも予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時にシャッター206cが開くことにより基板200の方向へ飛散する。ここで、第二の有機化合物204bと第三の有機化合物204cとからなる第二の混合領域109を形成することができる。
そして、しばらくしてからシャッター206bのみを閉じ、第三の有機化合物204cを蒸着する。これにより、第三の機能領域107を形成することができる。
最後に、陰極103を形成することにより本発明の成膜装置により形成される発光素子が完成する。
さらに、本発明の成膜装置により形成される図1(C)の発光素子は、第一の有機化合物204aを用いて第一の機能領域110を形成した後、第一の有機化合物204aと第二の有機化合物204bとからなる第一の混合領域112を形成し、第一の混合領域112を形成する途中で、一時的(または、同じ時間)にシャッター206cを開いて第三の有機化合物204cの蒸着(ドーピング)を同時に行うことにより、第三の機能領域113を形成する。
一時的に第三の有機化合物をドーピングする場合には、シャッター206cを閉じることにより、再び第一の混合領域112が形成される。また、第一の混合領域112の全体に第三の有機化合物がドーピングされる場合には、シャッター206cと同時にシャッター206bを同時に閉じる。
さらに、第二の有機化合物204bにより第二の機能領域111が形成される。以上により有機化合物膜104が形成される。そして、別の成膜室もしくは、別の成膜装置において陰極を形成することにより発光素子が形成される。
ここで、図2(B)に成膜室に設けられる蒸発源について示す。図2(B)は、成膜室に設けられる蒸発源の配置の様子を成膜室の上面から見たときの配置を示すものである。
ここでは、図1(A)で示したように三種類の有機化合物を用いて有機化合物膜を形成する場合について説明する。横一列に三種類の有機化合物がそれぞれ備えられた蒸発源203a、203b、203cが並んでいる。そして、この列はk列(k=1〜10列)設けられている。このように同じ有機化合物を備えた蒸発源を複数同一の成膜室に設けることにより、基板上に成膜される有機化合物の膜厚を均一にすることができる。なお、ここでは、三種類の有機化合物は、隣り合う列(l)に異なる配列を形成する場合について示したが、必ずしもこのような配列にする必要はなく、同じ順番に配置された列を並べても良い。
なお、本発明の成膜装置では、同一の成膜室内で複数の蒸発源を用いて成膜が行われることから、成膜性を向上させるために、成膜に用いられる有機材料が備えられている蒸発源が成膜時に基板の下の最適な位置に移動するか、もしくは基板が蒸発源上の最適な位置に移動するような機能を設けても良い。
また、本発明の成膜装置が有する成膜室内には、有機化合物により形成される有機化合物膜が、より緻密な膜を形成するような機構を有している。
具体的には、成膜室において有機化合物膜を形成する有機化合物は、成膜時に加熱されることにより、気化し、分子の運動エネルギーにより基板上に飛散して基板上に成膜されるが、これらの有機化合物が基板上により緻密に成膜されるためには、分子である有機化合物が基板表面を滞留する時間を長くする必要がある。
しかし、加熱により与えられた分子の運動エネルギーは、時間と共に減少してしまうことから、基板表面の分子活性化領域213において、気体分子に再びエネルギーを与え、運動エネルギーを加速させる必要がある。
そこで、成膜室210には、光を照射する光源211を設けて、光を有機化合物分子に照射する。光照射によりエネルギーを受けた有機化合物は活性化される。なお、光源211からは、赤外光、紫外光または、可視光が照射されるが、有機化合物分子に対するダメージを考慮すると赤外光が好ましい。
光照射により、基板表面での滞留時間が長くなった有機化合物分子は、基板上の最適な位置に成膜されやすくなるため、より緻密な膜を成膜することができる。
なお、図3(A)には、通常の成膜を行った場合の有機化合物膜の構造を示し、図3(B)には、分子活性化領域213において、有機化合物に光を照射した場合の有機化合物膜の構造を示す。
それぞれ、基板上に陽極が形成されており、その上に第一の機能領域221、第一の混合領域222、第二の機能領域223が形成され、最後に陰極が形成された構造の発光素子であるが、図3(B)の方が有機化合物分子間の距離が小さくなり、図3(A)よりも緻密な膜が形成されている。なお、有機化合物膜が図3(A)に示すように有機化合物膜内部において、分子間に隙間ができると、この分子間の隙間が欠陥となり、この欠陥部においてキャリアの移動が妨げられるためチャージが蓄積されることにより輝度の低下及び素子の劣化が生じる。以上のことから、成膜室に光源を設けて、成膜時に光照射を行うことは効果的である。
さらに、本発明の成膜室には、蒸着時に有機化合物が成膜室の内壁に付着することを防止するための防着シールド207が設けられている。この防着シールド207を設けることにより、基板上に蒸着されなかった有機化合物を付着させることができる。また、防着シールド207の周囲には、ヒータ−(電熱線)208が接して設けられており、ヒーター208により、防着シールド207全体を加熱することができる。なお、防着シールド207を加熱することにより、付着した有機化合物を気化させることができる。これにより成膜室内のクリーニングを行うことが可能である。
以上のような有機化合物膜を形成することができる本発明の成膜装置は、同一の成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜を形成することができるので、機能領域界面が不純物により汚染されることなく、また、機能領域界面に混合領域を形成することができる。以上により、明瞭な積層構造を示すことなく(すなわち、明確な有機界面がなく)、かつ、複数の機能を備えた発光素子を作製することができる。
以上のように、本発明の成膜装置を用いて発光素子の有機化合物膜を形成することにより、同一の成膜室内で、複数の機能領域を有する有機化合物膜を連続的に形成することができるため、機能領域の界面における不純物の汚染を防ぐことができる。また、機能領域間にそれぞれの機能領域を形成する有機化合物からなる混合領域を形成することもできるため、機能領域界面における有機層間のエネルギー障壁を緩和することができる。これにより有機層間におけるキャリアの注入性を向上させることができるので、駆動電圧の低減や素子寿命の長い発光素子を形成することが可能となる。さらに、成膜室に設けられた光源から成膜される有機化合物分子にエネルギーを与えることにより、緻密な膜を形成することも可能である。
本発明における成膜装置の構成について図4を用いて説明する。図4(A)は、成膜装置の上面図であり、図4(B)は断面図である。なお、共通の部分には、共通の符号を用いることとする。また、本実施の形態においては、3つの成膜室を有するインライン方式の成膜装置の各成膜室において、三種類の有機化合物膜(赤、緑、青)を形成する例を示す。
図4(A)において、400はロード室であり、ロード室400に備えられた基板は、第一のアライメント室401に搬送される。なお、第一のアライメント室401では、予めホルダ402に固定されているメタルマスク403のアライメントがホルダごと行われており、アライメントが終了したメタルマスク403上に蒸着前の基板404が載せられる。これにより、基板404とメタルマスク403は一体となり、第一の成膜室405に搬送される。
ここで、メタルマスク403と基板404とを固定するホルダ402の位置関係について図5を用いて説明する。なお、図4と同一のものについては、同一の符号を用いる。
図5(A)には、断面構造を示す。ホルダ402は、マスクホルダ501、軸502、基板ホルダ503、制御機構504及び補助ピン505で構成されている。なお、マスクホルダ501上の突起506に合わせてメタルマスク403が固定され、メタルマスク403上に基板404が載せられている。なお、メタルマスク403上の基板404は、補助ピン505により固定されている。
図5(A)の領域507における上面図を図5(B)に示す。なお、基板404は、図5(A)または図5(B)に示すように基板ホルダ503により固定されている。
さらに、図5(B)をB−B’で切ったときの断面図を図5(C)に示す。図5(C)に示すメタルマスク403の位置が成膜時のものであるとすると、軸502をZ軸方向に移動させた図5(D)に示すメタルマスク403の位置がアライメント時のものである。
図5(D)の時には、軸502は、X軸、Y軸、Z軸方向への移動が可能であり、さらに、X―Y平面のZ軸に対する傾き(θ)の移動も可能である。なお、制御機構504は、CCDカメラにより得られた位置情報と予め入力されている位置情報から移動情報を出力するため、制御機構504と接続された軸502を介してマスクホルダの位置を所定の位置に合わせることができる。
なお、メタルマスク403の領域508における拡大図を図5(E)に示す。
ここで用いるメタルマスク403は、異なる材料を用いて形成されるマスクa509とマスクb510からなる。なお、蒸着時には、これらの開口部511を通過した有機化合物が基板上に成膜される。これらの形状はマスクを用いて蒸着した際の成膜精度を向上させる様に工夫されており、マスクb510が基板404側になるようにして用いる。
メタルマスク403のアライメントが終了したところで、Z軸方向に軸を移動させてメタルマスク403を再び図5(C)の位置に移動させ、補助ピン505でメタルマスク403と基板404を固定させることにより、メタルマスク403のアライメントおよびメタルマスク403と基板404の位置合わせを完了させることができる。
なお、本実施の形態において、メタルマスク403の開口部は正方形、長方形、円、または楕円形でも良く、これらがマトリクス状に配列されていてもデルタ配列であっても良い。その他、線状に形成されていても良い。
図4における、第一の成膜室405には、複数の蒸発源406が設けられている。なお、蒸発源406は、有機化合物を備えておく材料室(図示せず)と材料室において気化した有機化合物が材料室の外に飛散するのを開閉により制御するシャッター(図示せず)により構成されている。
また、第一の成膜室405に備えられている複数の蒸発源406には、発光素子の有機化合物膜を構成する複数の異なった機能を有する有機化合物がそれぞれ備えられている。なお、ここでいう有機化合物とは、陽極から正孔を受け取る正孔注入性、電子移動度よりも正孔移動度の方が大きい正孔輸送性、正孔移動度よりも電子移動度の方が大きい電子輸送性、陰極から電子を受け取る電子注入性、正孔または電子の移動を阻止しうるブロッキング性、発光を呈する発光性、といった性質を有する有機化合物である。
なお、正孔注入性の高い有機化合物としては、フタロシアニン系の化合物が好ましく、正孔輸送性の高い有機化合物としては、芳香族ジアミン化合物が好ましく、また、電子輸送性の高い有機化合物としては、ベンゾキノリン骨格を含む金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、またはフェナントロリン誘導体が好ましい。さらに、発光を呈する有機化合物としては、安定に発光するキノリン骨格を含む金属錯体、ベンゾオキサゾール骨格を含む金属錯体、またはベンゾチアゾール骨格を含む金属錯体が好ましい。
第一の成膜室405では、これらの蒸発源に備えられている有機化合物を図2で説明した方法により順番に蒸着することで複数の機能領域を有する第一の有機化合物膜(ここでは、赤)が形成される。
次に、基板404は第二のアライメント室407へ搬送される。第二のアライメント室407において、基板404とメタルマスク403を一度離してから、第二の有機化合物膜を成膜する位置に合うようにメタルマスク403のアライメントを行う。そして、アライメント終了後に再び基板404とメタルマスク403を重ねて固定する。
そして、基板404を第二の成膜室408へ搬送する。第二の成膜室408にも同様に複数の蒸発源が備えられており、第一の成膜室405と同様に複数の有機化合物を順番に用いて蒸着することにより、複数の機能を有する領域からなる第二の有機化合物膜(ここでは、緑)が形成される。
さらに、基板404を第三のアライメント室409へ搬送する。第三のアライメント室409において、基板404とメタルマスク403を一度離してから、第三の有機化合物膜を成膜する位置に合うようにメタルマスク403のアライメントを行う。アライメント終了後に再び基板404とメタルマスク403を重ねて固定する。
そして、基板404を第三の成膜室410へ搬送する。第三の成膜室410にも同様に複数の蒸発源が備えられており、他の成膜室と同様に複数の有機化合物を順番に用いて蒸着することにより、複数の機能を有する領域からなる第三の有機化合物膜(ここでは、青)が形成される。
最後に、基板404は、アンロード室411に搬送され、成膜装置の外部に取り出される。
このように、異なる有機化合物膜を形成するたびにアライメント室においてメタルマスク403のアライメントを行うことにより、同一装置内で、複数の有機化合物膜を形成することができる。このように、一つの有機化合物膜を形成する機能領域は同一の成膜室において成膜されるため、機能領域の間における不純物汚染を避けることができる。さらに本成膜装置において、異なる機能領域の間に混合領域を形成することが可能であるため、明瞭な積層構造を示すことなく複数の機能を有する発光素子を作製することができる。
なお、本実施の形態においては、有機化合物膜の形成までを行う装置について示したが、本発明の成膜装置はこの構成に限られることはなく、有機化合物膜上に形成される陰極を形成する成膜室や、発光素子を封止することが可能である処理室が設けられる構成であっても良い。また、赤、緑、青色の発光を示す有機化合物膜が成膜される順番は、どのような順番であっても良い。
さらに、本実施の形態において示した、アライメント室および成膜室をクリーニングするための手段を設けても良い。なお、図4の領域412において、このような手段を設ける場合には、図6に示すようなクリーニング予備室413を設けることができる。
クリーニング予備室413において、NF3やCF4といった反応性のガスを分解してラジカルを発生させ、これを第二のアライメント室407に導入することにより、第二のアライメント室407でのクリーニングが可能となる。なお、第二のアライメント室407に予め使用済みのメタルマスクを備えておくことにより、メタルマスクのクリーニングを行うことができる。また、ラジカルを第二の成膜室408に導入することにより第二の成膜室408の内部をクリーニングすることもできる。なお、第二のアライメント室407及び第二の成膜室408には、クリーニング予備室413が、それぞれゲート(図示せず)を介して連結されており、ラジカルを導入する際にゲートが開くようにしておけばよい。
本発明の成膜装置をインライン方式とした場合について図7を用いて説明する。図7において701はロード室であり、基板の搬送はここから行われる。なお、本実施例において基板とは、基板上に発光素子の陽極もしくは陰極まで(本実施例では陽極まで)形成されたもののことをいう。また、ロード室701には排気系700aが備えられ、排気系700aは第1バルブ71、クライオポンプ72、第2バルブ73、第3バルブ74及びドライポンプ75を含んだ構成からなっている。
また、成膜室内の到達真空度は10-6Pa以下であることが望ましいことから、排気速度は10000l/s以上の排気ポンプを用いることが望ましい。
また、本実施例において、ゲートで遮断されたロード室、アライメント室、成膜室、封止室及びアンロード室等の各処理室の内部に用いる材料としては、その表面積を小さくすることで酸素や水等の不純物の吸着性を小さくすることができるので、電解研磨を施して鏡面化させたアルミニウムやステンレス(SUS)等の材料を内部壁面に用い、また、気孔がきわめて少なくなるように処理されたセラミックス等の材料からなる内部部材を用いる。なお、これらの材料は平均面粗さが5nm以下(好ましくは3nm以下)となるような表面平滑性を有する。なお、ここでいう平均面粗さとは、JIS B0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものをいう。
その他にも、ガスと反応しやすい材料を用いて成膜室の内壁に活性な表面を形成する方法もある。この場合の材料としては、Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、La、Baなどを用いるとよい。
第1バルブ71は、ゲート弁を有するメインバルブであるが、コンダクタンスバルブを兼ねてバタフライバルブを用いる場合もある。第2バルブ73および第3バルブ74はフォアバルブであり、まず第2バルブ73を開けてドライポンプ75によりロード室701を粗く減圧し、次に第1バルブ71及び第3バルブ74を空けてクライオポンプ72でロード室701を高真空まで減圧する。なお、クライオポンプの代わりにターボ分子ポンプやメカニカルブースターポンプを用いても良いし、メカニカルブースターポンプで真空度を高めてからクライオポンプを用いても良い。
次に、702で示されるのはアライメント室である。ここでは、次に搬送される成膜室での成膜のためにメタルマスクのアライメントとメタルマスク上への基板の配置が行われ、アライメント室(A)702と呼ぶ。なお、ここでのアライメントの方法については、図4で説明した方法で行えばよい。なお、アライメント室(A)702は排気系700bを備えている。また、ロード室701とは図示しないゲートで密閉遮断されている。
さらに、アライメント室(A)702は、クリーニング予備室713aを設けており、NF3やCF4といった反応性のガスを分解してラジカルを発生させ、これをアライメント室(A)702に導入することにより、アライメント室(A)
702でのクリーニングが可能となる。なお、アライメント室(A)702に予め使用済みのメタルマスクを備えておくことにより、メタルマスクのクリーニングを行うことができる。
次に、703は蒸着法により第一の有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(A)と呼ぶ。成膜室(A)703は排気系700cを備えている。
また、アライメント室(A)702とは図示しないゲートで密閉遮断されている。
また、成膜室(A)703は、アライメント室(A)702と同様にクリーニング予備室713bを設けている。なお、ここではNF3やCF4といった反応性のガスを分解することにより発生させたラジカルを成膜室(A)703に導入することにより成膜室(A)703の内部をクリーニングすることができる。
本実施例では成膜室(A)703として図2に示した構造の成膜室を設け、赤色の発光を示す第一の有機化合物膜を成膜する。また、蒸発源としては、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、正孔輸送性の有機化合物を備えた第二の蒸発源と、発光性を有する有機化合物のホストとなる正孔輸送性の有機化合物を備えた第三の蒸発源と、発光性を有する有機化合物を備えた第四の蒸発源と、ブロッキング性を有する有機化合物を備えた第五の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第六の蒸発源が備えられている。
また、本実施例においては、第一の蒸発源に備える正孔注入性の有機化合物として、銅フタロシアニン(以下、Cu−Pcと示す)、第二の蒸発源に備える正孔輸送性の有機化合物として、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、α−NPDと示す)、第三の蒸発源に備えるホストとなる有機化合物(以下、ホスト材料という)として、4,4’−ジカルバゾール−ビフェニル(以下、CBPと示す)、第四の蒸発源に備える発光性の有機化合物として、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H、23H−ポルフィリン−白金(以下、PtOEPと示す)、第五の蒸発源に備えるブロッキング性の有機化合物として、バソキュプロイン(以下、BCPと示す)、第六の蒸発源に備える電子輸送性の有機化合物として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3と示す)を用いる。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、正孔輸送性、発光性、ブロッキング性および電子輸送性の機能を有する領域からなる有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入性領域と正孔輸送性領域との界面、正孔輸送性領域と発光性領域を含む正孔輸送性領域の界面、発光性領域を含む正孔輸送性領域とブロッキング性領域の界面、ブロッキング性領域の界面と電子輸送性領域の界面にそれぞれ混合領域を形成している。
具体的には、Cu−Pcを15nmの膜厚に成膜して第一の機能領域を形成した後、Cu−Pcとα−NPDとを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第一の混合領域を形成し、α−NPDを40nmの膜厚で成膜して第二の機能領域を形成し、α−NPD、CBPを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第二の混合領域を形成した後、CBPを25〜40nmの膜厚で成膜して、第三の機能領域を形成するが、第三の機能領域を形成する全ての期間もしくは、一定期間にCBPとPtOEPとを同時に蒸着することにより第三の機能領域全体、もしくは一部に第三の混合領域を形成する。第三の混合領域は5〜40nmの膜厚で形成される。なお、ここでは、第三の混合領域が発光性を有する。
次に、CBPとBCPを5〜10nmの膜厚で同時に蒸着することにより第四の混合領域を形成した後、BCPを8nmの膜厚で成膜することにより、第四の機能領域を形成する。さらに、BCPとAlq3を同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第五の混合領域を形成する。最後にAlq3を25nmの膜厚で形成することにより、第五の機能領域を形成することができ、以上により、第一の有機化合物膜を形成する。
なお、ここでは第一の有機化合物膜として、6種類の機能の異なる有機化合物を6つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。また、一つの蒸発源に備えられる有機化合物は必ずしも一つである必要はなく、複数であっても良い。例えば、蒸発源に発光性の有機化合物として備えられている一種類の材料の他に、ドーパントとなりうる別の有機化合物を一緒に備えておいても良い。なお、これらの複数の機能を有し、赤色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては公知の材料を用いれば良い。
なお、蒸発源は、マイクロコンピュータによりその成膜速度を制御できるようにしておくと良い。また、これにより、同時に複数の有機化合物を成膜する際の混合比率を制御することができるようにしておくとよい。
次に、706で示されるのはアライメント室である。ここでは、次に搬送される成膜室での成膜のためにメタルマスクのアライメントとメタルマスク上への基板の配置が行われ、アライメント室(B)706と呼ぶ。なお、ここでのアライメントの方法については、図4で説明した方法で行えばよい。なお、アライメント室(B)706は排気系700dを備えている。また、成膜室(A)703とは図示しないゲートで密閉遮断されている。さらにアライメント室(A)702と同様に図示しないゲートで密閉遮断されたクリーニング予備室713cを備えている。
次に、707は蒸着法により第二の有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(B)と呼ぶ。成膜室(B)707は排気系700eを備えている。
また、アライメント室(B)706とは図示しないゲートで密閉遮断されている。さらに成膜室(A)703と同様に図示しないゲートで密閉遮断されたクリーニング予備室713dを備えている。
本実施例では成膜室(B)707として図2に示した構造の成膜室を設け、緑色の発光を示す第二の有機化合物膜を成膜する。また、蒸発源としては、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、正孔輸送性の有機化合物を備えた第二の蒸発源と第三の蒸発源、正孔輸送性のホスト材料を備えた第四の蒸発源と、発光性の有機化合物を備えた第五の蒸発源と、ブロッキング性を有する有機化合物を備えた第六の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第七の蒸発源が備えられている。
また、本実施例においては、第一の蒸発源に備える正孔注入性の有機化合物として、Cu−Pc、第二の蒸発源に備える正孔輸送性の有機化合物として、MTDATA、第三の蒸発源に備える正孔輸送性の有機化合物として、α−NPD、第四の蒸発源に備える正孔輸送性のホスト材料としてCBP、第五の蒸発源に備える発光性の有機化合物としてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)、第六の蒸発源に備えるブロッキング性の有機化合物として、BCP、第七の蒸発源に備える電子輸送性の有機化合物として、Alq3を用いる。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、正孔輸送性、発光性、ブロッキング性、および電子輸送性の機能を有する領域からなる第二の有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入層と正孔輸送層の界面、正孔輸送性領域と発光性領域を含む正孔輸送性領域の界面、発光性領域を含む正孔輸送性領域とブロッキング性領域との界面、ブロッキング性領域と電子輸送性領域の界面にそれぞれ混合領域を形成している。
具体的には、Cu−Pcを10nmの膜厚に成膜して第一の機能領域を形成した後、Cu−PcとMTDATAとを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第一の混合領域を形成し、MTDATAを20nmの膜厚に成膜して、第二の機能領域を形成し、MTDATAとα−NPDとを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第二の混合領域を形成し、α−NPDを10nmの膜厚に成膜して、第三の機能領域を形成し、α−NPDとCBPとを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第三の混合領域を形成し、CBPを20〜40nmの膜厚に成膜して、第四の機能領域を形成し、第四の機能領域を形成する全ての期間もしくは、一定期間にCBPと(Ir(ppy)3)とを同時に蒸着することにより、第四の機能領域全体、もしくは一部に第四の混合領域を形成する。第四の混合領域は5〜40nmの膜厚で形成される。なお、ここでは、第四の混合領域が発光性を有する。次に、CBPとBCPを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第五の混合領域を形成した後、BCPを10nmの膜厚に成膜することにより、第五の機能領域を形成する。さらに、BCPとAlq3を同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第六の混合領域を形成する。最後にAlq3を40nmの膜厚で形成することにより、第六の機能領域を形成することができ、以上により、第二の有機化合物膜を形成する。
なお、ここでは第二の有機化合物膜として、機能の異なる有機化合物を7つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。なお、これらの複数の機能を有し、緑色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては公知の材料を用いれば良い。
なお、蒸発源は、マイクロコンピュータによりその成膜速度を制御できるようにしておくと良い。また、これにより、同時に複数の有機化合物を成膜する際の混合比率を制御することができるようにしておくとよい。
次に、708で示されるのはアライメント室である。ここでは、次に搬送される成膜室での成膜のためにメタルマスクのアライメントとメタルマスク上への基板の配置が行われ、アライメント室(C)708と呼ぶ。なお、ここでのアライメントの方法については、図4で説明した方法で行えばよい。なお、アライメント室(C)708は排気系700fを備えている。また、成膜室(B)707とは図示しないゲートで密閉遮断されている。さらにアライメント室(A)702と同様に図示しないゲートで密閉遮断されたクリーニング予備室713eを備えている。
次に、709は蒸着法により第三の有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(C)と呼ぶ。成膜室(C)709は排気系700gを備えている。
また、アライメント室(C)708とは図示しないゲートで密閉遮断されている。さらに成膜室(A)703と同様に図示しないゲートで密閉遮断されたクリーニング予備室713fを備えている。
本実施例では成膜室(C)709として図2に示した構造の成膜室を設け、青色発光を示す第三の有機化合物膜を成膜する。また、蒸発源としては、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、発光性を有する有機化合物を備えた第二の蒸発源と、ブロッキング性を有する有機化合物を備えた第三の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第四の蒸発源が備えられている。
また、本実施例においては、第一の蒸発源に備える正孔注入性の有機化合物として、Cu−Pc、第二の蒸発源に備える発光性の有機化合物として、α−NPD、第三の蒸発源に備えるブロッキング性の有機化合物として、BCP、第四の蒸発源に備える電子輸送性の有機化合物として、Alq3を用いる。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、発光性、ブロッキング性および電子輸送性の機能を有する領域からなる第三の有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入性領域と発光性領域の界面、および発光性領域とブロッキング性領域との界面、ブロッキング性領域と電子輸送性領域との界面、にそれぞれ混合領域を形成している。
具体的には、Cu−Pcを20nmの膜厚に成膜して第一の機能領域を形成した後、Cu−Pcとα−NPDとを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第一の混合領域を形成し、α−NPDを40nmの膜厚で成膜して第二の機能領域を形成し、α−NPDとBCPを同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第二の混合領域を形成し、BCPを10nmの膜厚に成膜して第三の機能領域を形成し、BCPとAlq3を同時に蒸着することにより5〜10nmの膜厚で第三の混合領域を形成し、最後にAlq3を40nmの膜厚で形成することにより、第四の機能領域を形成することができ、以上により、第三の有機化合物膜を形成する。
なお、ここでは第三の有機化合物膜として、4種類の機能の異なる有機化合物を4つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを順に蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。また、一つの蒸発源に備えられる有機化合物は必ずしも一つである必要はなく、複数であっても良い。例えば、蒸発源に発光性の有機化合物として備えられている一種類の材料の他に、ドーパントとなりうる別の有機化合物を一緒に備えておいても良い。なお、これらの複数の機能を有し、青色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては公知の材料を用いれば良い。
なお、蒸発源は、マイクロコンピュータによりその成膜速度を制御できるようにしておくと良い。また、これにより、同時に複数の有機化合物を成膜する際の混合比率を制御することができるようにしておくとよい。
また、本実施例においては、第一の成膜室である成膜室(A)703において、赤色の発光を示す有機化合物膜を形成し、第二の成膜室である成膜室(B)707において、緑色の発光を示す有機化合物膜を形成し、第三の成膜室である成膜室(C)709において、青色の発光を示す有機化合物膜を形成する場合について説明したが、形成される順番はこれに限られることはなく、成膜室(A)703、成膜室(B)707、成膜室(C)710において、赤色の発光を示す有機化合物膜、緑色の発光を示す有機化合物膜、青色の発光を示す有機化合物膜のいずれかが形成されればよい。さらに、もう一つ成膜室を設けて白色発光を示す有機化合物膜を形成されるようにしても良い。
次に、710は蒸着法により発光素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための成膜室であり、成膜室(D)と呼ぶ。成膜室(D)710は排気系700hを備えている。また、成膜室(C)709とは図示しないゲートで密閉遮断されている。さらに成膜室(A)703と同様に図示しないゲートで密閉遮断されたクリーニング予備室713gを備えている。
本実施例では、成膜室(D)710において、発光素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)を蒸着法により成膜する。なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。
また、成膜室(A)703、成膜室(B)707、成膜室(C)709及び成膜室(D)710には、各成膜室内を加熱する機構を備えておく。これにより、成膜室内の不純物の一部を除去することができる。
さらにこれらの成膜室に備える排気ポンプとしては、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)もしくはクライオポンプなどを用いることが可能であるが、本実施例ではクライオポンプ及びドライポンプの両方を用いるのが望ましい。
また、成膜室(A)703、成膜室(B)707、成膜室(C)709及び成膜室(D)710は、排気ポンプにより減圧される。なお、この時の到達真空度は10-6Pa以上であることが望ましく、例えば、排気速度が10000l/s(H2O)のクライオポンプを用いて、成膜室内部の表面積が10m2であるときに、リーク速度が20時間で4.1×10-7Pa・m3・s-1以下であるアルミニウムのような材料を用いて成膜室内部を形成することが望ましく、この様な真空度を得るためには、成膜室内部を電解研磨により表面積を小さくすることが効果的である。
また、ここでCVD室を設けて、窒化珪素膜、酸化珪素膜及びDLC膜等の絶縁膜を発光素子の保護膜(パッシベーション膜)として形成させてもよい。なお、CVD室を設ける場合には、CVD室で用いる材料ガスを予め高純度化するためのガス精製機を設けておくと良い。
次に、711は封止室であり、排気系700iを備えている。また、成膜室(D)710とは図示しないゲートで密閉遮断されている。なお、封止室711は真空状態になっており、陰極まで形成された発光素子を有する基板が複数封止室に搬送されたところで、ゲートを閉じ、封止室711を不活性ガス(窒素、ヘリウム、アルゴンなど)を用いて大気圧状態にして、最終的に発光素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。なお、封止室711に搬送機構(図示せず)
を設けておき、成膜室(D)710からの基板の搬出を行う。ここでの封止処理は形成された発光素子を酸素や水分から保護するための処理であり、カバー材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂もしくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。
また、封止室には、カバー材が予め備えられているが、カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等のシール材を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿剤を設けることも有効である。なお、発光素子が形成された基板とカバー材の張り合わせは、CCDカメラに接続された位置合わせ機構により、位置合わせをした後に行う。さらに、シール剤の塗布および吸湿剤の添加を自動的に処理する機構も設けられている。
また、カバー材と発光素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂もしくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂もしくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
図7に示した成膜装置では、封止室711の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)が設けられており、この紫外光照射機構から発した紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。
最後に、712はアンロード室であり、排気系700jを備えている。発光素子が形成された基板はここから取り出される。
さらに、本実施例で示した成膜装置が有する成膜室に有機化合物を交換できるような機能を設けた場合について図8(A)及び(B)に示し、さらに封止室711の詳細な構造について図8(C)に示す。
図8(A)において、成膜室801には、基板802が備えられている。そして、基板上に有機化合物膜を形成するための有機化合物は蒸発源803に備えられている。なお、ここで蒸発源803は、ゲート805を介して基板が備えられている成膜室801と分離される材料交換室804に備えられている。従って、本実施例では、ゲート805を閉じることにより材料交換室804は成膜室801と分離され、真空状態にある材料交換室804の内部を排気系806により大気圧に戻してから、これを図8(A)に示すように引き出すことで、材料交換室804の蒸発源に備えられている有機化合物を追加または、交換することができる。
そして、有機化合物の追加または交換が終了したら、図8(B)に示すように材料交換室804を再び元に戻し、排気系806により内部を真空状態にして、成膜室内と同じ圧力状態になってから、ゲート805を開くことにより、蒸発源803から基板802への蒸着が可能となる。
なお、材料交換室804には、交換した材料を加熱するヒーターが設けられている。予め材料を加熱することで水等の不純物を除去することができる。この時加える温度は200℃以下であることが望ましい。
また、図8(C)に示すように封止室711には、複数の処理機構が備えられている。まず、ストック位置811には、封止の際に用いるカバー材が複数備えられている。また、封止処理を行うための基板が成膜室(D)710から、搬送機構(A)812により搬送され、保管場所813に一時的に保管される。
保管場所813に基板がある一定量蓄積されたところで、封止室は、ゲートで密閉空間にされた後、不活性ガス(窒素、アルゴン、ヘリウム等)により大気圧状態にされる。
封止室が、大気圧状態になったところで、基板が一枚ずつ処理される。まず、搬送機構(A)812により保管位置813から位置合わせ機構814に基板が搬送される。このとき、基板上にシール剤及び吸湿剤が備えられ、ストック位置811からカバー材が搬送機構(B)815により、位置合わせ機構814に搬送され、基板との貼り合わせが行われる。
次に、紫外線照射機構(図示せず)から紫外線を照射することにより、基板の封止が完了する。基板の封止が完了したら、搬送機構(C)816により、アンロード室712に搬送され、取り出される。
以上のように、図7(または図8)に示した成膜装置を用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
本発明の成膜装置について図9を用いて説明する。図9において、901は搬送室であり、搬送室901には搬送機構(A)902が備えられ、基板903の搬送が行われる。搬送室901は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構(A)902によって行われる。また、搬送室901を減圧するには、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)
もしくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分等の除去に優れているクライオポンプをドライポンプと組み合わせて用いるのが好ましい。
以下に、各処理室についての説明を行う。なお、搬送室901は減圧雰囲気となるので、搬送室901に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。排気ポンプとしては上述のドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)もしくはクライオポンプが用いられるが、ここでもクライオポンプをドライポンプと組み合わせて用いるのが好ましい。
まず、904は基板のセッティング(設置)を行うロード室である。ロード室904はゲート900aにより搬送室901と連結され、ここに基板903をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。なお、ロード室904は、素子形成まで終了した基板を封止室への搬送室の役割も兼ねる。なお、ロード室904は基板搬入用と基板搬送用とで部屋が区別されていても良い。また、ロード室904は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。なお、排気ポンプとしては、クライオポンプが望ましい。さらに、このパージラインには、ガス精製機が備えられており、装置内に導入されるガスの不純物(酸素や水)が予め除去されるようになっている。
なお、本実施例では基板903として、発光素子の陽極となる透明導電膜まで形成した基板を用いる。本実施例では基板903を、被成膜面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後に蒸着法による成膜を行う際に、フェイスダウン方式(デポアップ方式ともいう)を行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、基板の被成膜面が下を向いた状態で成膜する方式をいい、この方式によればゴミの付着などを抑えることができる。
次に、905で示されるのはメタルマスクのアライメント及び発光素子の陽極もしくは陰極(本実施例では陽極)まで形成された基板とメタルマスクの位置合わせを行うアライメント室であり、アライメント室905はゲート900bにより搬送室901と連結される。なお、異なる有機化合物膜を形成するたびにアライメント室においてメタルマスクのアライメント及び基板とメタルマスクの位置合わせが行われる。また、アライメント室905には、イメージセンサーとして知られているCCD(Charge Coupled Device)を備えておくことにより、メタルマスクを用いて成膜を行う際に基板とメタルマスクの位置合わせを精度良く行うことを可能にする。なお、メタルマスクのアライメント法については、図4を用いればよい。
さらに、アライメント室905には、クリーニング予備室922aが連結されている。クリーニング予備室922aの構成は、図9(B)に示すとおりである。まずμ波を発生させるμ波発振器931を有し、ここで発生したμ波は導波管932を通ってプラズマ放電管933に送られる。なお、ここで用いるμ波発振器931からは、約2.45GHzのμ波が放射される。また、プラズマ放電管933には、ガス導入管934から反応性ガスが供給される。なお、ここでは反応性ガスとして、NF3を用いる。但し、CF4やClF3などの他の反応性ガスを用いても良い。
そして、プラズマ放電管933において反応性ガスがμ波により分解されてラジカルが発生する。このラジカルは、ガス導入管934を通り、ゲート(図示せず)を介して連結されたアライメント室905に導入される。なお、プラズマ放電管933には、効率よくμ波を供給するために反射板935を設けておくと良い。
そして、アライメント室905には、有機化合物膜が付着したメタルマスクを備えておく。そして、クリーニング予備室922aとアライメント室905の間に設けられているゲート(図示せず)を開くことにより、アライメント室905にラジカルを導入することができる。これにより、メタルマスクのクリーニングを行うことができる。
μ波プラズマを用いることで、反応性ガスのラジカル化を高い効率で行うことができるため、副生成物等の不純物の発生確率が低い。また、通常のラジカル発生と機構が異なるため、発生したラジカルが加速されることも無く、さらに成膜室内部でラジカルを発生させないことからプラズマによる成膜室内部、また、メタルマスクのダメージを防ぐことができる。
なお、このような方法を用いてアライメント室をクリーニングするのは好ましい形態の一つであるため、この方法に限られることはない。従って、成膜室内に反応性ガスを導入して、成膜室内でプラズマを発生させてドライクリーニングを行っても良いし、Arガス等を導入してスパッタ法による物理的なクリーニングを行っても良い。
次に、906は蒸着法により有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(A)と呼ぶ。成膜室(A)906はゲート900cを介して搬送室901に連結される。本実施例では成膜室(A)906として図2に示した構造の成膜室を設けている。
本実施例では、成膜室(A)906内の成膜部907において、赤色に発光する第一の有機化合物膜を成膜する。成膜室(A)906内には複数の蒸発源が備えられており、具体的には、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、正孔輸送性の有機化合物を備えた第二の蒸発源と、発光性を有する有機化合物のホストとなる正孔輸送性の有機化合物を備えた第三の蒸発源と、発光性を有する有機化合物を備えた第四の蒸発源と、ブロッキング性を有する有機化合物を備えた第五の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第六の蒸発源が備えられている。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、正孔輸送性、発光性、ブロッキング性および電子輸送性の機能を有する領域からなる有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入性領域と正孔輸送性領域との界面、正孔輸送性領域と発光性領域を含む正孔輸送性領域の界面、発光性領域を含む正孔輸送性領域とブロッキング性領域の界面、ブロッキング性領域の界面と電子輸送性領域の界面にそれぞれ混合領域を形成している。
なお、ここでは第一の有機化合物膜として、6種類の異なる有機化合物を6つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを順に蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。また、一つの蒸発源に備えられる有機化合物は必ずしも一種類である必要はなく、複数種であっても良い。例えば、蒸発源に発光性の有機化合物として備えられている一種類の材料の他に、ドーパントとなりうる別の有機化合物を一緒に備えておいても良い。なお、これらの複数の機能を有し、赤色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては、実施例1で示したものを用いることができるが、公知の材料を自由に組み合わせて用いても良い。
また、成膜室(A)906はゲート900gを介して材料交換室914に連結される。なお、材料交換室914には、交換した有機化合物を加熱するヒーターが設けられている。予め有機化合物を加熱することで水等の不純物を除去することができる。この時加える温度は200℃以下であることが望ましい。また、材料交換室914には、内部を減圧状態にすることができる排気ポンプが備えられているので、外部から有機化合物を追加または交換して加熱処理した後、内部を減圧状態にする。そして、成膜室内と同じ圧力状態になったところでゲート900gを開け、成膜室内部の蒸発源に有機化合物を備えることができるようになっている。なお、有機化合物は、搬送機構などにより成膜室内の蒸発源に備えられる。
なお、成膜室(A)906内における成膜プロセスに関しては、図2の説明を参照すれば良い。
なお、成膜室(A)906にもアライメント室905と同様にクリーニング予備室922bがゲート(図示せず)を介して連結されている。なお、具体的な構成は、クリーニング予備室922aと同様であり、クリーニング予備室922bで発生させたラジカルを成膜室(A)906に導入することにより、成膜室(A)906内部に付着した有機化合物等を除去することができる。
次に、908は蒸着法により第二の有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(B)と呼ぶ。成膜室(B)908はゲート900dを介して搬送室901に連結される。本実施例では成膜室(B)908として図2に示した構造の成膜室を設けている。本実施例では、成膜室(B)908内の成膜部909において、緑色に発光する有機化合物膜を成膜する。
成膜室(B)908内には複数の蒸発源が備えられており、具体的には、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、正孔輸送性の有機化合物を備えた第二の蒸発源と第三の蒸発源、正孔輸送性のホスト材料を備えた第四の蒸発源と、発光性の有機化合物を備えた第五の蒸発源と、ブロッキング性を有する有機化合物を備えた第六の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第七の蒸発源が備えられている。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、正孔輸送性、発光性、ブロッキング性、および電子輸送性の機能を有する領域からなる第二の有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入性領域と正孔輸送性領域の界面、正孔輸送性領域と発光性領域を含む正孔輸送性領域の界面、発光性領域を含む正孔輸送性領域とブロッキング性領域との界面、ブロッキング性領域と電子輸送性領域の界面にそれぞれ混合領域を形成している。
なお、ここでは第二の有機化合物膜として、7種類の有機化合物を7つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを順に蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。また、一つの蒸発源に備えられる有機化合物は必ずしも一種類である必要はなく、複数種であっても良い。例えば、蒸発源に発光性の有機化合物として備えられている一種類の材料の他に、ドーパントとなりうる別の有機化合物を一緒に備えておいても良い。なお、これらの複数の機能を有し、緑色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては、実施例1において示したものを用いても良いが、公知の材料を自由に組み合わせて用いることもできる。
また、成膜室(B)908はゲート900hを介して材料交換室915に連結される。なお、材料交換室915には、交換した有機化合物を加熱するヒーターが設けられている。予め有機化合物を加熱することで水等の不純物を除去することができる。この時加える温度は200℃以下であることが望ましい。また、材料交換室915には、内部を減圧状態にすることができる排気ポンプが備えられているので、外部から有機化合物を導入し、加熱処理した後、内部を減圧状態にする。そして、成膜室内と同じ圧力状態になったところでゲート900hを開け、成膜室内部の蒸発源に有機化合物を備えることができるようになっている。なお、有機化合物は、搬送機構などにより成膜室内の蒸発源に備えられる。
なお、成膜室(B)908内における成膜プロセスに関しては、図2の説明を参照すれば良い。
なお、成膜室(B)908にもアライメント室905と同様にクリーニング予備室922cがゲート(図示せず)を介して連結されている。なお、具体的な構成は、クリーニング予備室922aと同様であり、クリーニング予備室922cで発生させたラジカルを成膜室(B)908に導入することにより、成膜室(B)908内部に付着した有機化合物等を除去することができる。
次に、910は蒸着法により第三の有機化合物膜を成膜するための成膜室であり、成膜室(C)と呼ぶ。成膜室(C)910はゲート900eを介して搬送室901に連結される。本実施例では成膜室(C)910として図2に示した構造の成膜室を設けている。本実施例では、成膜室(C)910内の成膜部911において、青色に発光する有機化合物膜を成膜する。
成膜室(C)910内には複数の蒸発源が備えられており、具体的には、正孔注入性の有機化合物を備えた第一の蒸発源と、発光性を有する有機化合物を備えた第二の蒸発源と、ブロッキング性の有機化合物を備えた第三の蒸発源と、電子輸送性の有機化合物を備えた第四の蒸発源が備えられている。
なお、これらの有機化合物を順に蒸着していくことにより、陽極上に正孔注入性、発光性、ブロッキング性および電子輸送性の機能を有する領域からなる有機化合物膜を形成することができる。
また、本実施例においては、異なる機能領域の界面には、両方の機能領域を形成する有機化合物を同時に蒸着することにより混合領域を形成する。つまり、正孔注入性領域と発光性領域の界面、発光性領域とブロッキング性領域との界面、およびブロッキング性領域と電子輸送性領域の界面にそれぞれ混合領域を形成している。
なお、ここでは第三の有機化合物膜として、4種類の機能の異なる有機化合物を4つの蒸発源にそれぞれ備えておき、これらを順に蒸着して有機化合物膜を形成する場合について説明したが、本発明は、これに限られることはなく複数であればよい。また、一つの蒸発源に備えられる有機化合物は必ずしも一種類である必要はなく、複数種であっても良い。例えば、蒸発源に発光性の有機化合物として備えられている一種類の材料の他に、ドーパントとなりうる別の有機化合物を一緒に備えておいても良い。なお、これらの複数の機能を有し、青色発光を示す有機化合物膜を形成する有機化合物としては、実施例1に示したものを用いることができるが、公知の材料を自由に組み合わせて用いることもできる
また、成膜室(C)910はゲート900iを介して材料交換室916に連結される。なお、材料交換室916には、交換した有機化合物を加熱するヒーターが設けられている。予め有機化合物を加熱することで水等の不純物を除去することができる。この時加える温度は200℃以下であることが望ましい。また、材料交換室916には、内部を減圧状態にすることができる排気ポンプが備えられているので、外部から有機化合物を導入し、加熱処理した後、内部を減圧状態にする。そして、成膜室内と同じ圧力状態になったところでゲート900iを開け、成膜室内部の蒸発源に有機化合物を備えることができるようになっている。なお、有機化合物は、搬送機構などにより成膜室内の蒸発源に備えられる。
なお、成膜室(C)910内における成膜プロセスに関しては、図2の説明を参照すれば良い。
なお、成膜室(C)910にもアライメント室905と同様にクリーニング予備室922dがゲート(図示せず)を介して連結されている。なお、具体的な構成は、クリーニング予備室922aと同様であり、クリーニング予備室922dで発生させたラジカルを成膜室(C)910に導入することにより、成膜室(C)910内部に付着した有機化合物等を除去することができる。
次に、912は蒸着法により発光素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための成膜室であり、成膜室(D)と呼ぶ。成膜室(D)912はゲート900fを介して搬送室901に連結される。
本実施例では、成膜室(D)912内の成膜部913において、発光素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)を成膜する。なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。共蒸着とは、同時に蒸発源を加熱し、成膜段階で異なる物質を混合する蒸着法をいう。
また、成膜室(D)912はゲート900jを介して材料交換室917に連結される。なお、材料交換室917には、交換した導電材料を加熱するヒーターが設けられている。予め導電材料を加熱することで水等の不純物を除去することができる。この時加える温度は200℃以下であることが望ましい。また、材料交換室917には、内部を減圧状態にすることができる排気ポンプが備えられているので、外部から導電材料を導入した後、内部を減圧状態にする。そして、成膜室内と同じ圧力状態になったところでゲート900jを開け、成膜室内部の蒸発源に導電材料を備えることができるようになっている。
なお、成膜室(D)912にもアライメント室905と同様にクリーニング予備室922eがゲート(図示せず)を介して連結されている。なお、具体的な構成は、クリーニング予備室922aと同様であり、クリーニング予備室922eで発生させたラジカルを成膜室(D)912に導入することにより、成膜室(D)912内部に付着した導電材料等を除去することができる。
また、成膜室(A)906、成膜室(B)908、成膜室(C)910及び成膜室(D)912には、各成膜室内を加熱する機構を備えておく。これにより、成膜室内の水分等の不純物を除去することができる。
さらにこれらの成膜室に備える排気ポンプとしては、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)もしくはクライオポンプなどを用いることが可能であるが、本実施例ではクライオポンプ及びドライポンプを用いるのが望ましい。
また、成膜室(A)906、成膜室(B)908、成膜室(C)910及び成膜室(D)912は、排気ポンプにより減圧される。なお、この時の到達真空度は10-6Pa以上であることが望ましく、例えば、排気速度が36000l/s(H2O)のクライオポンプを用いて、成膜室内部の表面積が1.5m2としたときには、リーク速度が9.3×10-7Pa・m3・s-1以下である18−8ステンレス鋼のような材料を用いて成膜室内部を形成することが望ましい。この様な真空度を得るためには、成膜室内部を電解研磨により表面積を小さくすることは、酸素や水等の不純物の吸着性を小さくすることができるので効果的である。
その他にも、電解研磨を施して鏡面化させたアルミニウム等の材料を内部壁面に用いたり、また、気孔がきわめて少なくなるように処理されたセラミックス等の材料からなる内部部材を用いる。なお、これらの材料は平均面粗さが5nm以下(好ましくは3nm以下)となるような表面平滑性を有する。なお、ここでいう平均面粗さとは、JIS B0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものをいう。
その他にも、ガスと反応しやすい材料を用いて成膜室の内壁に活性な表面を形成する方法もある。この場合の材料としては、Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、La、Baなどを用いるとよい。
次に、918は封止室(封入室またはグローブボックスともいう)であり、ゲート900kを介してロード室904に連結されている。封止室918では、最終的に発光素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。この処理は形成された発光素子を酸素や水分から保護するための処理であり、カバー材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。
カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等のシール剤を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿剤を設けることも有効である。
また、カバー材と発光素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
図9に示した成膜装置では、封止室918の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)919が設けられており、この紫外光照射機構919から発した紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。また、封止室918の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧にすることも可能である。上記封入工程をロボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことができる。なお、具体的には、酸素や水の濃度は0.3ppm以下にすることが望ましい。また、逆に封止室918の内部を与圧とすることも可能である。この場合、高純度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。
次に、封止室918には受渡室(パスボックス)920が連結される。受渡室920には搬送機構(B)921が設けられ、封止室918で発光素子の封入が完了した基板を受渡室920へと搬送する。受渡室920も排気ポンプを取り付けることで減圧とすることが可能である。この受渡室920は封止室918を直接外気に晒さないようにするための設備であり、ここから基板を取り出す。その他、封止室において用いる部材を供給する部材供給室(図示せず)を設けることも可能である。
なお、本実施例において図示しなかったが、発光素子の形成後に窒化珪素や酸化珪素等の珪素を含む化合物やこれらの化合物の上に炭素を含むDLC(Diamond Like Carbon)膜を積層させた絶縁膜を発光素子上に形成させても良い。なお、DLC(Diamond Like Carbon)膜とは、ダイヤモンド結合(sp3結合)とグラファイト結合(SP2結合)が混在した非晶質膜である。またこの場合には、自己バイアスを印加することでプラズマを発生させ、原料ガスのプラズマ放電分解により薄膜を形成させるCVD(chemical vapor deposition)装置を備えた成膜室を設ければよい。
なお、CVD(chemical vapor deposition)装置を備えた成膜室においては、酸素(O2)、水素(H2)、メタン(CH4)、アンモニア(NH3)、シラン(SiH4)を用いることができる。また、CVD装置としては、平行平板型の電極を有しRF電源が13.56MHzのものを用いればよい。
さらに、スパッタリング法(または、スパッタ法ともいう)により成膜を行う成膜室を設けることも可能である。発光素子の陰極上に有機化合物膜が形成された後、陽極を形成する場合にスパッタリングによる成膜が有効であるためである。すなわち画素電極が陰極である場合に有効である。なお、成膜時の成膜室内は、アルゴン中に酸素を添加した雰囲気にしておくことで成膜された膜中の酸素濃度を制御し、透過率の高い低抵抗な膜を形成することができる。また、その他の成膜室と同様に成膜室はゲートにより搬送室と遮断されるのが望ましい。
また、スパッタリングを行う成膜室においては、成膜基板の温度を制御する機構を設けても良い。なお、成膜基板は20〜150℃に維持されることが望ましい。さらに、成膜室に備える排気ポンプとしては、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ(磁気浮上型)もしくはクライオポンプなどを用いることが可能であるが、本実施例ではクライオポンプ及びドライポンプが望ましい。
以上のように、図9に示した成膜装置を用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
本実施例では、実施例1で示したインライン型の成膜装置と、基板の搬送方法及び成膜室の構造が異なる成膜装置について図10を用いて説明する。
図10において、ロード室1000に投入された基板1004は、ゲート(図示せず)を介して連結された第一のアライメント部1001に搬送される。なお、基板1004は、図5において説明した方法によりアライメントされ、メタルマスク1003と共にホルダ1002に固定される。
そして、基板1004は、ホルダ1002ごと第一の成膜部1005に搬送される。なお、第一のアライメント部1001と第一の成膜部1005は、ゲートを介さずに連結されており、同一の空間を有している。そこで、本実施例では、第一のアライメント部1001と第一の成膜部1005との間を自由に移動できる手段として、レール1012を設けておき、このレール1012上をホルダ1002が移動することにより、それぞれの処理を行う。なお、アライメント、及び成膜の際の処理位置は、ホルダ1002が有する制御機構により制御されるようになっている。
そして、第一の成膜部1005において、異なる有機化合物がそれぞれ備えられている複数の蒸発源1006により蒸着されることにより、第一の有機化合物膜が形成される。なお、この移動手段は、第二の有機化合物膜を形成するために、第二のアライメント部1007及び第二の成膜部1008へ搬送する場合にも同様に用いられる。
さらに、第三の有機化合物を形成する場合にも、第三のアライメント部1009及び第三の成膜部1010へ同様に搬送される。
以上のように本実施例においては、三種類の有機化合物膜を同一の空間内で形成することが可能である。第三の成膜部1010は、ゲート(図示せず)を介して、アンロード室1011と連結されており、成膜後の基板を取り出すことができる。
なお、本実施例におけるアライメント部および成膜部における処理方法は、実施例1のアライメント室及び成膜室において説明したのと同様の処理を行えばよい。
また、本実施例において、アライメント部と成膜部のあいだに基板の搬送を妨げない程度にこれらを仕切るための隔壁を設けることは、成膜時に蒸発源から飛散する有機化合物が成膜部以外のところ(アライメント部や他の成膜部)へ飛散するのを防ぐことができる。
また、本実施例における成膜装置においても、クリーニング予備室1013を設けて、成膜室内及びメタルマスクのクリーニングを行うと良い。
以上に説明した成膜装置を用いて、複数の有機化合物膜を同一空間内で形成することにより、異なる有機化合物膜の形成における移動が容易になるため、処理時間を短縮することが可能になる。
また、本実施例に示す成膜装置においては、成膜室において連続的に蒸着を行い、発光素子の陽極若しくは陰極まで形成された基板上に複数の機能を有する三種類の有機化合物膜を形成することができるが、さらに、導電膜を成膜するための成膜室を設けて、連続的に発光素子の陰極若しくは陽極まで形成することができるようにしても良い。なお、導電膜としては、陰極を形成する場合にはAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)の他、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することにより得られる膜を用いれば良く、陽極を形成する場合には酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物(ITOなど)を用いればよい。
その他にも、作製した発光素子の封止を行う処理室を設けておくことも可能である。
また、本実施例における成膜装置には、実施例1や実施例2で示したような排気ポンプを設置することができるが、成膜室内の圧力を一定にするためには、同じ種類で、同じ排気能力を有するポンプを単数または複数設ければよい。なお、ドライポンプとクライオポンプを組み合わせたものを用いるのが好ましい。
本実施例では、本発明の成膜装置を用いて作製した発光装置について説明する。図11は、アクティブマトリクス型の発光装置の断面図である。なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。
また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
図11において、1101は基板であり、ここでは可視光を透過する基板を用いる。具体的には、ガラス基板、石英基板、結晶化ガラス基板もしくはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いればよい。なお、基板1101とは、表面に設けた絶縁膜も含めるものとする。
基板1101の上には画素部1111および駆動回路1112が設けられている。まず、画素部1111について説明する。
画素部1111は画像表示を行う領域である。基板上には複数の画素が存在し、各画素には発光素子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、「電流制御用TFT」と記す)1102、画素電極(陽極)1103、有機化合物膜1104および陰極1105が設けられている。なお、1113は、電流制御用TFTのゲートに加わる電圧を制御するためのTFT(以下、「スイッチング用TFT」と記す)である。
電流制御用TFT1102は、ここではpチャネル型TFTを用いることが好ましい。nチャネル型TFTとすることも可能であるが、図11のように発光素子の陽極に電流制御用TFTを接続する場合は、pチャネル型TFTの方が消費電力を押さえることができる。ただし、スイッチング用TFT1113はnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでもよい。
また、電流制御用TFT1102のドレインには画素電極1103が電気的に接続されている。本実施例では、画素電極1103の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電性材料を用いるため、画素電極1103は発光素子の陽極として機能する。画素電極1103として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物(ITOなど)を用いればよい。画素電極1103の上には有機化合物膜1104が設けられている。
さらに、有機化合物膜1104の上には陰極1105が設けられている。陰極1105の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。陰極1105として代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ土類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。
また、画素電極1103、有機化合物膜1104、および陰極1105からなる発光素子1114は、保護膜1106で覆われている。保護膜1106は、発光素子1114を酸素および水から保護するために設けられている。保護膜1106の材料としては、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドライクカーボン)を用いる。
次に、駆動回路1112について説明する。駆動回路1112は画素部1111に伝送される信号(ゲート信号およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であり、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタが設けられている。図11では、これらの回路の基本単位としてnチャネル型TFT1107およびpチャネル型TFT1108からなるCMOS回路を示している。
なお、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。また図11では、同一の基板上に画素部1111および駆動回路1112を設けているが、駆動回路1112を設けずにICやLSIを電気的に接続することもできる。
また、図11では電流制御用TFT1102に画素電極(陽極)1103が電気的に接続されているが、陰極が電流制御用TFTに接続された構造をとることもできる。その場合、画素電極1103を陰極1105と同様の材料で形成し、陰極を画素電極(陽極)1103と同様の材料で形成すればよい。その場合、電流制御用TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。
また、本実施例では、配線1109と分離部1110からなるひさしのある形状(以下、ひさし構造と呼ぶ)を設けた。図11で示されるような配線1109および分離部1110からなる「ひさし構造」は、配線1109を構成する金属と、分離部1110を形成する前記金属よりもエッチレートの低い材料(例えば金属窒化物)とを積層し、エッチングすることにより形成することができる。この形状により、画素電極1103や配線1109が陰極1105とショートすることを防ぐことができる。なお、本実施例においては、通常のアクティブマトリクス型の発光装置と異なり、画素上の陰極1105は、ストライプ状(パッシブマトリクス型の陰極と同様)に形成される。
ここで、図11に示したアクティブマトリクス型の発光装置の外観を図12に示す。なお、図12(A)には上面図を示し、図12(B)には図12(A)をA−A'で切断した時の断面図を示す。また、図11に用いた符号を引用する。
点線で示された1201はソース側駆動回路、1202は画素部、1203はゲート側駆動回路である。また、1204はカバー材、1205はシール剤であり、シール剤1205で囲まれた内側には空間1207が設けられる。
なお、1208はソース側駆動回路1201及びゲート側駆動回路1203に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)1210からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光パネルにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態の発光モジュールだけではなく、ICを実装した発光モジュールをも含むものとする。
次に、断面構造について図12(B)を用いて説明する。基板1101の上方には画素部1202、ゲート側駆動回路1203が形成されており、画素部1202は電流制御用TFT1102とそのドレインに電気的に接続された画素電極1103を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路1203はnチャネル型TFT1107とpチャネル型TFT1108とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。
画素電極1103は発光素子の陽極として機能する。また、画素電極1103の両端には層間絶縁膜1206が形成され、画素電極1103上には有機化合物膜1104および発光素子の陰極1105が形成される。
陰極1105は複数の画素に共通の配線としても機能し、接続配線1209を経由してFPC1210に電気的に接続されている。さらに、画素部1202及びゲート側駆動回路1203に含まれる素子は全て保護膜1106で覆われている。
また、シール剤1205によりカバー材1204が貼り合わされている。なお、カバー材1204と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤1205の内側は密閉された空間になっており、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが充填されている。なおこの密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿剤を設けることも有効である。
また、カバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。なお、プラスチックとしては、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
以上のようにして基板上に形成された発光素子1114をカバー材1204及びシール剤1205を用いて封入することにより、外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を促す物質が侵入するのを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
なお、本実施例における発光装置は、実施例1〜実施例3で説明した成膜装置を用いて成膜することが可能である。
本実施例では本発明の成膜装置を用いて作製されたパッシブ型(単純マトリクス型)の発光装置について説明する。説明には図13を用いる。図13において、1301はガラス基板、1302は透明導電膜からなる陽極である。本実施例では、透明導電膜として酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を蒸着法により形成する。なお、図13では図示されていないが、複数本の陽極が紙面と平行な方向へストライプ状に配列されている。
また、ストライプ状に配列された陽極1302に対して交差するように陰極隔壁(1303a、1303b)が形成される。陰極隔壁(1303a、1303b)は紙面に垂直な方向に形成されている。
次に、有機化合物膜1304が形成される。ここで形成される有機化合物膜は、正孔注入性、正孔輸送性、発光性、ブロッキング性、電子輸送性または、電子注入性の機能を有する有機化合物を複数組み合わせて、複数の機能領域を形成すると良い。
なお、本実施例においても、機能領域間には混合領域を形成する。なお、混合領域の作製については、実施の形態に示した方法を用いればよい。
また、これらの有機化合物膜は陰極隔壁(1303a、1303b)によって形成された溝に沿って形成されるため、紙面に垂直な方向にストライプ状に配列される。
その後、複数本の陰極1305が紙面に垂直な方向が長手方向となり、且つ、陽極1302と直交するようにストライプ状に配列される。なお、本実施例では、陰極1305は、MgAgからなり、蒸着法により形成される。また、図示されていないが陰極1305は所定の電圧が加えられるように、後にFPCが取り付けられる部分まで配線が引き出されている。さらに、陰極1305を形成したら、保護膜1306として窒化珪素膜を設ける。
以上のようにして基板1301上に発光素子1311を形成する。なお、本実施例では下側の電極が透光性の陽極となっているため、有機化合物膜で発生した光は下面(基板1301)に放射される。しかしながら、発光素子1311の構造を反対にし、下側の電極を遮光性の陰極とすることもできる。その場合、有機化合物膜で発生した光は上面(基板1301とは反対側)に放射されることになる。
次に、カバー材1307としてセラミックス基板を用意する。本実施例の構造では遮光性で良いのでセラミックス基板を用いたが、勿論、前述のように発光素子の構造を反対にした場合、カバー材は透光性のほうが良いので、プラスチックやガラスからなる基板を用いるとよい。
こうして用意したカバー材1307は、紫外線硬化樹脂からなるシール剤1309により貼り合わされる。なお、シール剤1309の内側の空間1308は密閉された空間になっており、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉された空間1308の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。最後に異方導電性フィルム(FPC)1310を取り付けてパッシブ型の発光装置が完成する。
なお、本実施例に示した発光装置は、実施例1〜実施例3に示したいずれの成膜装置を用いても作製することが可能である。
発光素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、本発明の発光装置を用いて様々な電気器具を完成させることができる。
本発明により作製した発光装置を用いた電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光素子を有する発光装置を用いることが好ましい。それら電気器具の具体例を図14に示す。
図14(A)は表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2003に用いることにより作製される。発光素子を有する発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
図14(B)はデジタルスチルカメラであり、本体2101、表示部2102、受像部2103、操作キー2104、外部接続ポート2105、シャッター2106等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2102に用いることにより作製される。
図14(C)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2203に用いることにより作製される。
図14(D)はモバイルコンピュータであり、本体2301、表示部2302、スイッチ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2302に用いることにより作製される。
図14(E)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体(DVD等)読み込み部2405、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示するが、本発明により作製した発光装置を、これら表示部A、B2403、2404に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
図14(F)はゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)であり、本体2501、表示部2502、アーム部2503を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2502に用いることにより作製される。
図14G)はビデオカメラであり、本体2601、表示部2602、筐体2603、外部接続ポート2604、リモコン受信部2605、受像部2606、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キー2609、接眼部2610等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2602に用いることにより作製される。
ここで図14(H)は携帯電話であり、本体2701、筐体2702、表示部2703、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。本発明により作製した発光装置を、その表示部2703に用いることにより作製される。なお、表示部2703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
なお、将来的に有機材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
また、上記電気器具はインターネットやCATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが好ましい。
以上の様に、本発明の成膜装置を用いて作製された発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1〜実施例3に示した成膜装置により形成される実施例4または実施例5に示す発光装置をその表示部に用いることにより完成させることができる。
本実施例では、本発明の成膜装置により形成された発光装置の画素部の構造について説明する。
図17(A)には、画素部1911の一部の上面図を示す。画素部1911には、複数の画素1912(1912(a)〜1912(C))が形成されている。また、ここで示す上面図は、画素に形成された画素電極の端部を覆って形成された絶縁層1902まで形成された状態を示している。つまり、絶縁層1902は、ソース線1913、走査線1914および電流供給線1915を覆うように形成されている。また、下方に画素電極とTFTとの接続部分が形成されている領域a(1903)の部分も絶縁層1902で覆われている。
さらに、図17(A)に示す画素部1911の点線AA’における断面図であって、画素電極1901上に有機化合物膜1905(1905(a)〜1905(C))が形成された状態を図17(B)に示す。なお、ここでは、紙面に対して縦方向に同一の材料からなる有機化合物膜が形成されており、横方向にそれぞれ異なる材料からなる有機化合物膜が形成されている。
例えば、図17(A)の画素(R)1912aには赤色発光を示す有機化合物膜(R)1905aが形成され、画素(G)1912bには緑色発光を示す有機化合物膜(G)1905bが形成され、画素(B)1912cには青色発光を示す有機化合物膜(B)1905cが形成される。なお、絶縁層1902は、有機化合物膜形成時のマージンとなり、有機化合物膜の成膜位置が多少ずれて、図17(B)に示すように絶縁層1902上で異なる材料からなる有機化合物膜が重なってしまったとしても、それが絶縁層1902上であれば何ら問題はない。
さらに、図17(A)に示す画素部1911の点線BB’における断面図であって、図17(B)と同様に画素電極1901上に有機化合物膜1905が形成された状態を図17(C)に示す。
なお、点線BB’で切断される画素には、画素(R)1912aと同様の赤色発光を示す有機化合物膜(R)1905aが形成されるため、図17(C)で示す構造を有する。
以上により、画素部1911には、赤色発光を示す有機化合物膜(R)1905aが形成され、緑色発光を示す有機化合物膜(G)1905bが形成され、および青色発光を示す有機化合物膜(B)1905cが形成され、発光装置のフルカラー化が可能となる。
本発明の成膜装置により作製される素子構造を説明する図。 成膜室について説明する図。 素子構造について説明する図。 成膜装置について説明する図。 メタルマスクのアライメント方法を説明する図。 クリーニング予備室について説明する図。 成膜装置について説明する図。 材料交換室について説明する図。 成膜装置について説明する図。 成膜装置について説明する図。 発光装置について説明する図。 封止構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 電気器具の一例を示す図。 従来例を説明する図。 従来例を説明する図。 画素部について説明する図。 成膜室における材料室について説明する図。

Claims (8)

  1. 内壁の表面が電解研磨されている成膜室であって、
    成膜部と、前記成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手段とを有し、
    前記成膜部は、それぞれ異なる材料が充填された第一の蒸発源を有する第一の蒸着手段と、第二の蒸発源を有する第二の蒸着手段と、第三の蒸発源を有する第三の蒸着手段とを有し、
    前記第一の蒸発源、前記第二の蒸発源、および前記第三の蒸発源は複数列設けられており、かつ、同じ行における隣り合う蒸着源には異なる材料が充填されており、
    前記第一の蒸着手段と前記第二の蒸着手段と前記第三の蒸着手段とが同時に作動する手段が備えられ、
    前記基板搬送手段は、前記成膜部の上方に設けられ、前記成膜部と同一空間を有しており、前記成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有し、
    前記成膜部は、前記基板搬送手段による前記基板の搬送空間を含んで設けられ、前記基板搬送手段に前記基板が保持された状態で蒸着が行われることを特徴とする成膜装置。
  2. 内壁の表面が電解研磨されている成膜室であって、
    成膜部と、前記成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手段とを有し、
    前記成膜部は、それぞれ異なる材料が充填された第一の蒸発源を有する第一の蒸着手段と、第二の蒸発源を有する第二の蒸着手段と、第三の蒸発源を有する第三の蒸着手段とを有し、
    前記第一の蒸発源、前記第二の蒸発源、および前記第三の蒸発源は複数列設けられており、かつ、同じ行における隣り合う蒸着源には異なる材料が充填されており、
    前記第一の蒸着手段から前記第二の蒸着手段へ連続的に作動する手段が備えられ、
    前記第二の蒸着手段から前記第三の蒸着手段へ連続的に作動する手段が備えられ、
    前記基板搬送手段は、前記成膜部の上方に設けられ、前記成膜部と同一空間を有しており、前記成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有し、
    前記成膜部は、前記基板搬送手段による前記基板の搬送空間を含んで設けられ、前記基板搬送手段に前記基板が保持された状態で蒸着が行われることを特徴とする成膜装置。
  3. 内壁の表面が電解研磨されている成膜室であって、
    成膜部と、前記成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手段とを有し、
    前記成膜部は、それぞれ異なる材料が充填された第一の蒸発源を有する第一の蒸着手段と、第二の蒸発源を有する第二の蒸着手段と、第三の蒸発源を有する第三の蒸着手段とを有し、
    前記第一の蒸発源、前記第二の蒸発源、及び前記第三の蒸発源は複数列設けられており、かつ、同じ行における隣り合う蒸着源には異なる材料が充填されており、
    前記第一の蒸着手段から前記第二の蒸着手段へ時間的に分断することなく作動する手段が備えられ、
    前記第二の蒸着手段から前記第三の蒸着手段へ時間的に分断することなく作動する手段が備えられ、
    前記基板搬送手段は、前記成膜部の上方に設けられ、前記成膜部と同一空間を有しており、前記成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有し、
    前記成膜部は、前記基板搬送手段による前記基板の搬送空間を含んで設けられ、前記基板搬送手段に前記基板が保持された状態で蒸着が行われることを特徴とする成膜装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記蒸着を行う際の処理位置は、制御機構により制御されることを特徴とする成膜装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする成膜装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記成膜装置は、ロード室及びアンロード室を有することを特徴とする成膜装置。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記蒸着はメタルマスクを用いて行われ、前記メタルマスクは前記基板と共に前記基板搬送手段に保持されることを特徴とする成膜装置。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の前記成膜装置を用いて有機化合物膜を蒸着することを特徴とする発光装置の作製方法。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
AU2002303084B2 (en) * 2001-02-02 2006-05-25 Pharmacopiea, Inc. 3,4-di-substituted cyclobutene-1, 2 -diones as CXC chemokine receptor antagonists
TW582121B (en) * 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
TW574398B (en) * 2002-10-25 2004-02-01 Ritek Display Technology Corp Evaporation method and equipment for evaporation
KR100504477B1 (ko) * 2002-11-05 2005-08-03 엘지전자 주식회사 유기 el의 열 소스 장치
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
WO2005117499A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 有機el素子
JP4858169B2 (ja) * 2004-07-23 2012-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20060020031A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
KR101384785B1 (ko) 2006-06-01 2014-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 전자기기
US20080008837A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Yasuhiro Shiba Substrate processing apparatus and substrate processing method for heat-treating substrate
KR101426717B1 (ko) * 2006-12-04 2014-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
TWI479712B (zh) * 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
WO2009116605A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
WO2009116547A1 (en) 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP5611538B2 (ja) * 2008-05-16 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 ベンゾオキサゾール誘導体、およびベンゾオキサゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、並びに電子機器
WO2010026859A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2010055851A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
EP2200407B1 (en) 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
CN101752514B (zh) * 2008-12-17 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、照明装置、发光装置以及电子设备
TWI528862B (zh) 2009-01-21 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件,發光裝置以及電子裝置
EP2230703A3 (en) 2009-03-18 2012-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법
JP5902515B2 (ja) * 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
US9273079B2 (en) 2011-06-29 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20130334648A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and Apparatus for High Voltage Diodes
KR20140010303A (ko) * 2012-07-16 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP6013077B2 (ja) * 2012-08-13 2016-10-25 株式会社カネカ 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法
KR102048051B1 (ko) 2012-09-04 2019-11-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
US9741946B2 (en) 2012-12-20 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element containing organic iridium exhibits blue-green to blue light emission
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN109477204B (zh) * 2016-05-10 2020-10-23 应用材料公司 操作沉积设备的方法和沉积设备
US20180127875A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-10 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Apparatus for performing selenization and sulfurization process on glass substrate
CN106637087B (zh) * 2016-11-18 2019-05-17 上海天马微电子有限公司 蒸镀设备
KR102323245B1 (ko) * 2017-03-15 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하는 박막 증착 장치
US11409139B2 (en) * 2019-12-13 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device including waveguide heater, and method and system for generating layout diagram of same
JP7177130B2 (ja) * 2020-11-30 2022-11-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び足場ユニット

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654525A (en) 1965-10-23 1972-04-04 Donald Leonard Maricle Electrochemiluminescent device including one of naphthacene, perylene and 5, 6, 11, 12-tetraphenyl-naphthacene in aprotic solvent
US4717585A (en) * 1985-02-09 1988-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JPS6233760A (ja) 1985-08-06 1987-02-13 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 非晶質磁性合金薄膜の製造方法
JPS63297549A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Komatsu Ltd 真空蒸着装置
WO1990002215A1 (en) * 1988-08-19 1990-03-08 Regents Of The University Of Minnesota Preparation of superconductive ceramic oxides using ozone
KR910004067A (ko) * 1989-07-31 1991-02-28 이헌조 박막 el표시소자 및 그 제조방법
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5017863A (en) 1989-10-20 1991-05-21 Digital Equipment Corporation Electro-emissive laser stimulated test
JPH03162561A (ja) * 1989-11-17 1991-07-12 Olympus Optical Co Ltd プラスチック基板への成膜方法
WO1991008412A1 (en) 1989-12-01 1991-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum valve and vacuum treatment device using said vacuum valve
JPH03180500A (ja) * 1989-12-07 1991-08-06 Fujitsu Ltd ステンレス鋼製の真空容器内壁の表面処理方法
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JPH0448515A (ja) 1990-06-14 1992-02-18 Hitachi Aic Inc 透明導電性フィルムの製造方法
US5271089A (en) 1990-11-02 1993-12-14 Nec Corporation Speech parameter encoding method capable of transmitting a spectrum parameter at a reduced number of bits
JP3025811B2 (ja) 1991-02-18 2000-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 基板処理装置
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH04357694A (ja) 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜el素子
JPH0536613A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Canon Inc 半導体表面処理方法及び装置
JPH0665724A (ja) * 1992-05-20 1994-03-08 Yoichi Murayama インラインプラズマ蒸着装置
US6022458A (en) * 1992-12-07 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of production of a semiconductor substrate
DE69434907D1 (de) 1993-07-21 2007-02-15 Migaku Takahashi Magnetisches aufzeichnungsmedium und dessen herstellung
JPH07138747A (ja) * 1993-11-15 1995-05-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 被膜の形成方法
JPH07278800A (ja) 1994-04-06 1995-10-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 被膜形成装置及びその被膜形成方法
US5513499A (en) 1994-04-08 1996-05-07 Ebara Technologies Incorporated Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
JP2739441B2 (ja) * 1994-12-07 1998-04-15 川崎重工業株式会社 赤外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置
JP3505257B2 (ja) 1995-02-24 2004-03-08 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1996027878A1 (fr) 1995-03-08 1996-09-12 Migaku Takahashi Support d'enregistrement magnetique et procede de fabrication
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
JP3831968B2 (ja) * 1996-02-23 2006-10-11 ソニー株式会社 光学的素子の製造方法
DE69717182T2 (de) * 1996-03-07 2003-07-24 Tadahiro Ohmi Excimerlasergenerator
DE69719136T2 (de) 1996-04-25 2003-10-16 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente vorrichtung
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
EP1992672A1 (en) 1996-08-19 2008-11-19 TDK Corporation Organic electroluminescent device
DE19638770A1 (de) 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
JP3847871B2 (ja) * 1996-12-17 2006-11-22 株式会社アルバック 蒸着装置
JPH10233288A (ja) 1996-12-20 1998-09-02 Tdk Corp 有機el素子
US5817431A (en) 1996-12-23 1998-10-06 Motorola, Inc. Electron injecting materials for organic electroluminescent devices and devices using same
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JPH10247587A (ja) * 1997-02-28 1998-09-14 Tdk Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6121727A (en) 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US5925980A (en) 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
US6130001A (en) 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
JPH1161386A (ja) 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
JPH1185059A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6030715A (en) 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6368730B1 (en) 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
JPH11135258A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
KR100320455B1 (ko) * 1997-11-17 2002-02-19 구자홍 유기이엘(el)소자
JPH11158630A (ja) * 1997-11-26 1999-06-15 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空搬送装置
JPH11189862A (ja) 1997-12-26 1999-07-13 Nippon Paint Co Ltd 有機着色薄膜の製造法
JP3989083B2 (ja) 1998-03-31 2007-10-10 株式会社アルバック 真空容器
US6284050B1 (en) 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
US6275649B1 (en) 1998-06-01 2001-08-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus
US6558817B1 (en) 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
JP4505067B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6759144B2 (en) 1998-12-16 2004-07-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6468676B1 (en) 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6228228B1 (en) 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
US6541909B1 (en) 1999-03-02 2003-04-01 Nec Corporation Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method
JP2000277256A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子の製造装置
JP3734239B2 (ja) 1999-04-02 2006-01-11 キヤノン株式会社 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置
JP3782255B2 (ja) 1999-04-28 2006-06-07 株式会社アルバック 有機化合物用の蒸着源、及び蒸着装置
KR100317284B1 (ko) * 1999-04-30 2001-12-22 구자홍 유기 이엘(el) 소자
JP3885412B2 (ja) 1999-05-25 2007-02-21 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP2000340367A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Fuji Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機el素子
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100683050B1 (ko) 1999-06-28 2007-02-15 모토로라 인코포레이티드 유기 전계발광 장치
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
US6372154B1 (en) 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
US6432255B1 (en) 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR20010104215A (ko) 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
US6528824B2 (en) 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
KR100360308B1 (ko) 2000-07-03 2002-11-18 한국화학연구원 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
KR100348893B1 (ko) * 2000-07-31 2002-08-30 학교법인 영남학원 패릴린박막 증착장치, 유기발광소자 제조방법 및유기발광소자
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
TW463522B (en) 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
JP2002146516A (ja) 2000-11-07 2002-05-22 Sony Corp 有機薄膜の蒸着方法
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
TW582121B (en) 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20020109316A1 (en) * 2001-02-12 2002-08-15 Cassidy Robert K. Apparatus for the vertical transport and storage of tables
TW550672B (en) 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same

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