JP3885412B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイ等の各種の表示装置として広範囲に利用される発光素子であって、特に低い駆動電圧、高輝度、安定性に優れた有機電界発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界発光素子は、自己発光のために液晶素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、旧来多くの研究者によって研究されてきた。
【0003】
現在、実用レベルに達し商品化されている電界発光素子としては、無機材料のZnSを用いた素子がある。
【0004】
しかし、この様な無機の電界発光素子は発光のための駆動電圧として200V程度必要であるため、広く使用されるには至っていない。
【0005】
これに対して、有機材料を用いた電界発光素子である有機電界発光素子は、従来、実用的なレベルからはほど遠いものであったが、アプライド・フィジックス・レターズ、51巻,913頁,1987年(Applied PhysicsLetters, Vol.51, P.913, 1987)で開示されているように、コダック社のC.W.Tangらによって開発された積層構造素子により、その特性が飛躍的に進歩した。
【0006】
彼らは、蒸着膜の構造が安定であって電子を輸送することのできる蛍光体と、正孔を輸送することのできる有機物を積層し、両方のキャリヤーを蛍光体中に注入して発光させることに成功した。
【0007】
これによって、有機電界発光素子の発光効率が向上し、10V以下の電圧で1000cd/m2以上の発光が得られるようになった。
【0008】
さらに、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、65巻,3610頁,1989年(J.Appl.Phys., Vol.65, P.3610,1989)で開示されているように、1989年には同じくコダック社のC.W.Tangらによりゲストホストシステムによる発光層が提案され、素子の発光効率の向上および多様な発光材料の使用が可能となった。現在、発光効率が高い有機電界発光素子の多くは、ゲストホストシステムによる発光層を用いている。
【0009】
しかしながら、ゲストホストシステムで発光効率の向上した素子を得るためには、ゲスト材料である発光材料を1mol%程度の低濃度でホスト材料にドープする必要がある。有機電界発光素子では発光層の膜厚は数十nm程度であり、その形成方法は通常真空蒸着法を用いている。このため、このような低濃度にドーピされた薄膜発光層を大面積の基板に均一に形成することは困難であり、ゲストホストシステムによる素子の実用化において大きな問題となっている。
【0010】
また、ゲスト材料として用いられる発光材料を通常の方法で発光層として用いても発光効率の良い有機電界発光素子を得るのは困難である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、発光効率が高く、様々な色の発光が可能である有機電界発光素子を容易に提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、あるいは発光層に含まれる濃度消光を起す有機物の蛍光寿命が前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短いものであって、かつ前記発光層はその膜厚が4nm以下に形成され、前記発光層が前記正孔輸送層の中に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。
また本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、あるいは発光層に含まれる濃度消光を起す有機物の蛍光寿命が前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短いものであって、かつ前記発光層はその膜厚が4nm以下に形成されたものであり、前記発光層が、前記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、又は前記電子輸送層の中のいずれか複数の部位に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。
【0013】
このような構成によれば、発光効率が高く、様々な色の発光が可能である有機電界発光素子が容易に提供される。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が、ゲストホストシステムによるものではないものであって、前記濃度消光を起す所定の1つの有機物からなるものであり、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子である。濃度消光とは濃度を上げると光らなくなる現象であるが、このように濃度消光を起こす有機物を発光層に用いても、発光層の膜厚を4nm以下にすることで高効率な電界発光が可能となる。ここで用いられる濃度消光を起こす発光材料としては、レーザ色素等の各種の蛍光性有機化合物から選べることができるものであり、特に有用な発光材料としてはキナクリドン誘導体、クマリン誘導体、メロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、スチリル誘導体、フラボン誘導体、キノリン誘導体、アクリジン誘導体、縮合多環化合物などが挙げられる。具体的には、N,N' -ジメチルキナクリドン(以下DMQという)、N,N'-ジフェニルキナクリドン、3-(2'-ベンゾチアゾリル)-7-ジエチルアミノクマリン(以下クマリン6という)、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(以下DCMという)、ルブレン、ジフェニルテトラセン、ペリレンなどが挙げられる。
【0015】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された1つの有機物からなる発光層と、電子又は正孔を輸送する電荷輸送層を少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層がゲストホストシステムによるものではなく、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷輸送層に含まれる材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子である。このような発光層を設けることにより、電荷輸送層で電子と正孔が再結合して生成する励起子のエネルギーを発光層の材料に効率良く移すことができ、発光層から高効率な電界発光を得ることが可能となる。ここでいう蛍光寿命とは蛍光強度が初期の1/eになるまでの時間を示しており、汎用の蛍光寿命測定装置により測定されるものである。このような素子の具体例としては、例えば、発光層に用いる有機物として4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(以下DCMという)を用い、電荷輸送層に用いられる材料としてトリス(8-キノリノール)アルミニウム(以下Alqという)を用いた例を挙げられる。DCMの蛍光寿命は2〜3n秒で、Alqの蛍光寿命は約12n秒である。なお、電子と正孔が再結合して励起子を生成する現象は発光層でも起こりうるのはいうまでもない。
【0016】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が、ゲストホストシステムによるものではないものであって、所定の1つの有機物からなるものであり、前記有機物の蛍光寿命が10n秒以下であり、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子である。このように発光層に用いる有機物の蛍光寿命を10n秒以下のものを用いることにより電子と正孔の再結合により生成した励起子のエネルギーを効率よく発光層に移すことができ、発光層の膜厚を4nmのとしても効率良い電界発光を得ることができる。蛍光寿命が10n秒以下の有機物としては、例えばDCMが挙げられる。DCMの蛍光寿命は2〜3n秒である。
【0017】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が、ゲストホストシステムによるものではないものであって、前記濃度消光を起す所定の1つの有機物からなるものであり、かつ前記発光層が島状に形成されたものであることを特徴とする有機電界発光素子である。このように、濃度消光を起こす有機物を発光層に用いても、発光層を島状に形成することで高効率な電界発光が可能となる。ここで用いられる濃度消光を起こす発光材料としては、レーザ色素等の各種の蛍光性有機化合物から選べられるものであり、特に有用な発光材料としてはキナクリドン誘導体、クマリン誘導体、メロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、スチリル誘導体、フラボン誘導体、キノリン誘導体、アクリジン誘導体、縮合多環化合物などが挙げられる。具体的には、N,N'-ジメチルキナクリドン(DMQ)、N,N'-ジフェニルキナクリドン、3-(2'-ベンゾチアゾリル)-7-ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(DCM)、ルブレン、ジフェニルテトラセン、ペリレンなどが挙げられる。一般に薄膜形成する際に、極薄膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合は、膜が島状に形成されている場合が多い。
【0018】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された所定の1つの有機物からなる発光層と、電子又は正孔を輸送する電荷輸送層を少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層がゲストホストシステムによるものではなく、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷輸送層に含まれる材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層が島状に形成されたものであることを特徴とする有機電界発光素子である。このような発光層を設けることにより、電荷輸送層でのエネルギーを発光層の材料に効率良く移すことができ、発光層を島状に形成しても発光層から高効率な電界発光を得ることが可能となる。ここでいう蛍光寿命とは蛍光強度が初期の1/eになるまでの時間を示しており、汎用の蛍光寿命測定装置により測定されるものである。一般に薄膜形成する際に、極薄膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合は、膜が島状に形成されている場合が多い。なお、電子と正孔が再結合して励起子を生成する現象は発光層でも起こりうるのはいうまでもない。
【0019】
本発明の一参考例は、陽極と、リチウムを含む陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成された発光層とを少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が、ゲストホストシステムによるものではないものであって、所定の1つの有機物からなるものであり、前記有機物の蛍光寿命が10n秒以下であり、かつ前記発光層が島状に形成されたものであることを特徴とする有機電界発光素子である。このように発光層に用いる有機物の蛍光寿命を10n秒以下のものを用いることにより電子と正孔の再結合により生成した励起子のエネルギーを効率よく発光層に移すことができ、発光層を島状に形成しても効率良い電界発光を得ることができる。一般に薄膜形成する際に、極薄膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合は、膜が島状に形成されている場合が多い。
【0020】
本発明の一参考例は、正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記正孔輸送層と前記電子輸送層の間に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。このように発光層を正孔輸送層と電子輸送層の間に設けることにより、発光層へ注入される正孔と電子のバランスがよくなり発光効率の向上がなされる。
【0021】
請求項1又は2記載の発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、あるいは発光層に含まれる濃度消光を起す有機物の蛍光寿命が前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短いものであって、かつ前記発光層はその膜厚が4nm以下に形成され、前記発光層が前記正孔輸送層の中に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。このような構成をとることにより、正孔輸送層と電子輸送層の界面近傍に多く存在すると考えられている励起子のエネルギーを効率良く発光層に移すことができ、正孔輸送層の中に発光層を設けても高効率発光が可能となる。発光層を設ける位置は正孔輸送層と電子輸送層の界面に近い方がよい。
【0022】
本発明の一参考例は、正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記電子輸送層の中に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。このような構成をとることにより、正孔輸送層と電子輸送層の界面近傍に多く存在すると考えられている励起子のエネルギーを効率良く発光層に移すことができ、電子輸送層の中に発光層を設けても高効率発光が可能となる。発光層を設ける位置は正孔輸送層と電子輸送層の界面に近い方がよいが、電子輸送層の中に設ける場合は正孔輸送層の中に設ける場合と違って20nm程度離しても発光層から発光が十分得られる。
【0023】
請求項3又は4記載の発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、あるいは発光層に含まれる濃度消光を起す有機物の蛍光寿命が前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短いものであって、かつ前記発光層はその膜厚が4nm以下に形成されたものであり、前記発光層が、前記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、又は前記電子輸送層の中のいずれか複数の部位に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子である。このように複数の部位に設けることにより励起子から発光層へのエネルギー移動がさらに効率良く起こり発光効率の向上がなされる。
【0024】
請求項記載の発明は、発光層に接して正孔ブロック層を設けたことを特徴とする有機電界発光素子であり、発光層近傍に正孔と電子の再結合領域を限定することができ発光効率の向上が可能となる。ここで用いられる正孔ブロック層としては、従来から有機電界発光素子で用いられているもので良く、トリアゾール誘導体や8キノリノール誘導体の金属錯体などの有機化合物や、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物や酸化アルミなどの無機化合物の超薄膜が挙げられる。具体的には、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニリル-5-ターシャルブチルフェニリル-1,2,4-トリアゾール、トリス(8-キノリノール)アルミニウム、LiF、Li2O、MgF、CaF、SiO、GeOなどが挙げられる。
【0025】
請求項記載の発明は、発光層に接して電子ブロック層を設けたことを特徴とする有機電界発光素子であり、発光層近傍に正孔と電子の再結合領域を限定することができ発光効率の向上が可能となる。ここで用いられる電子ブロック層としては、従来から有機電界発光素子で用いられているもので良く、芳香族アミン化合物などの有機化合物や、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物や酸化物、フッ化物などの無機化合物の超薄膜が挙げられる。具体的には、LiF、Li2O、MgF、CaF、SiO、GeOなどが挙げられる。
【0026】
請求項記載の発明は、発光層に接して正孔輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設けたことを特徴とする有機電界発光素子である。このように正孔輸送材料と発光材料の混合層を設けることにより発光材の界面の状態を安定化することができ、特に駆動時の発光安定性を向上させることが可能となる。
【0027】
請求項記載の発明は、発光層に接して電子輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設けたことを特徴とする有機電界発光素子である。このように電子輸送材料と発光材料の混合層を設けることにより発光材の界面の状態を安定化することができ、特に駆動時の発光安定性を向上させることが可能となる。
【0028】
請求項記載の発明は、発光層が多層構造になっていることを特徴とした有機電界発光素子であり、発光領域の増大により発光効率の向上が可能となる。さらに発光層を、それぞれ異なる色を発光する複数の発光層からなる多層構造にすることが可能であり、これにより複数の発光色を混合して様々な発光色を実現することができる。
【0029】
請求項10記載の発明は、それぞれ異なる色を発光する複数の発光層からなる多層構造を設けることにより白色発光となることを特徴とした有機電界光素子であり、高効率の白色発光が可能となる。白色発光の形成方法としては、青色、緑色、赤色の三原色を発光させるほかにも、青緑色系発光とオレンジ色系発光の混色を用いるなどさまざまな方法が可能である。
【0030】
請求項11記載の発明は、発光層がブロック状になっていることを特徴とした有機電界発光素子であり、発光領域の分割化により発光の安定性が向上する。さらに、発光層を複数の色を発光する複数のブロック領域を設けることができ、複数の発光色を混合することにより様々な発光色を実現することができる。
【0031】
請求項12記載の発明は、複数の色を発光する領域からなるブロック状の発光層を設けることにより白色発光となることを特徴とした有機電界発光素子であり、高効率の白色発光が可能となる。白色発光の形成方法としては、青色、緑色、赤色の三原色を発光させるほかにも、青緑色系発光とオレンジ色系発光の混色するなどさまざまな方法が可能である。また、請求項13に記載のように、発光層を気相成長法により形成することにより、4nm以下の発光層の形成が容易にできる。気相成長法としては真空蒸着法が最適である。
【0032】
以下に、本発明を具体的な実施の形態によりに説明する。
【0033】
以下の実施の形態では、正孔輸送材として(化1)で示すN,N'-ビス[4'-(N,N'-ジフェニルアミノ)-4-ビフェニリル]-N,N'-ジフェニルベンジジン(以下TPTという)を、電子輸送材として(化2)で示すトリス(8-キノリノール)アルミニウム(以下Alqという。)を用い、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極の順に積層した素子の構成を代表的に示すが、本発明はこの構成に限定されるものではもちろんない。また、通常は基板上に陽極から陰極の順に積層するが、これとは逆に基板上に陰極から陽極の順に積層してもよい。
【0034】
【化1】
Figure 0003885412
【0035】
【化2】
Figure 0003885412
【0036】
(実施の形態1)
本発明の第1の実施の形態における有機電界発光素子は、図1にその断面図を示すように、ガラス基板1上に透明電極2としてITO電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔を輸送する正孔輸送層3、発光現象が起こる発光層4、電子を輸送する電子輸送層5、陰極6の順に蒸着して作製した構成を有する。発光層としては(化3)に示すDCMを用いた。DCMは濃度消光を起こす有機物である。
【0037】
【化3】
Figure 0003885412
【0038】
まず、十分に洗浄したITO電極付きのガラス基板、TPT、DCM、Alq、アルミニウム及びリチウムを蒸着装置にセットした。
【0039】
ついで、2×10−6torrまで排気した後、0.1nm/秒の速度でセットしたTPTを蒸着し正孔輸送層を50nm形成した。ついで、セットした発光材のDCMを0.01nm/秒の速度で蒸着し、膜厚0.2nmの発光層を形成した。次に、電子輸送材のAlqを0.1nm/秒で蒸着し、膜厚50nmの電子輸送層を積層した。その後、アルミニウムとリチウムをそれぞれ別の蒸着源より蒸着しアルミニウムとリチウムの共蒸着層を150nm形成して陰極とした。なお、これらの蒸着はいずれも真空を破らずに連続して行い、膜厚は水晶振動子によってモニターした。
【0040】
そして、素子作製後、直ちに乾燥窒素中で電極の取り出しを行い、引続き特性測定を行った。ここで、得られた素子の発光効率は、発光輝度100cd/m2の場合の値で定義した。また、駆動寿命は初期輝度を1000cd/m2として一定電流で駆動したときに、輝度が初期の半分の500cd/m2になる間での時間で定義した。
【0041】
同様の測定を発光層の膜厚を変化させて行った。その結果を、以下の(表1)に示す。
【0042】
【表1】
Figure 0003885412
【0043】
(表1)より、本実施の形態の有機電界発光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認された。
【0044】
なお、DCMの蛍光寿命は2〜3n秒で、Alqの蛍光寿命は約12n秒である。また、膜厚が1nm以下の場合、薄膜は島状に形成されている可能性が高く、その場合も良好な結果が得られているのが(表1)よりわかる。
【0045】
(実施の形態2)
本発明の第2の実施の形態における有機電界発光素子は、図2及び図3にその断面図を示すように発光層を電子輸送層の中または正孔輸送層の中に設けた以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性を評価した。図2及び図3において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4は発光現象が起こる発光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極である。発光層の位置の詳細は(表2)に示した通りであるが、表中のX及びYとは図2及び図3に示したように、発光層が電子輸送層と正孔輸送層の界面からどれだけ離れているかを示しいる。
【0046】
その結果を、以下の(表2)に示す。
【0047】
【表2】
Figure 0003885412
【0048】
(表2)より、本実施の形態の有機電界発光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認された。発光層を設ける位置としては正孔輸送層と電子輸送層の間だけでなく、正孔輸送層の中や電子輸送層の中に設けることも有効であることが確認された。しかし、発光層を正孔輸送層の中に設けるた場合には、正孔輸送層と電子輸送層の界面より2nm離れてしまうと電子輸送層であるAlqからの緑色の発光となりDCMからの発光は得られなかった。一方、電子輸送層の中に設ける場合では、界面から20nm離れたところに設けてもDCMからのオレンジ色の発光が得られることが確認された。さらに、発光層を複数の部位に設けることにより、発光効率及び駆動寿命が向上したことが確認された。
【0049】
(実施の形態3)
本発明の第3の実施の形態における有機電界発光素子は、図4にその断面図を示すように発光層に接して正孔ブロック層または電子ブロック層を設けた以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性を評価した。図4において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4は発光現象が起こる発光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極、7は電子ブロック層、8は正孔ブロック層である。正孔または電子ブロック層としてはLiFおよびトリアゾール誘導体(TAZ)を用い(表3)に示した構成の素子を作製した。
【0050】
その結果を、以下の(表3)に示す。
【0051】
【表3】
Figure 0003885412
【0052】
(表3)より、本実施の形態の有機電界発光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認された。
【0053】
(実施の形態4)
本発明の第4の実施の形態における有機電界発光素子は、図5にその断面図を示すように発光層に接して正孔輸送層に含まれる正孔輸送材と発光層に含まれる発光材の混合層、又は電子輸送層に含まれる電子輸送材と発光材の混合層を設けた以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性を評価した。図5において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4は発光現象が起こる発光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極、9は正孔輸送材と発光材の混合層、10は電子輸送材と発光材の混合層である。なお、正孔輸送材(TPT)と発光材(DCM)の混合層は正孔輸送層と発光層の間に、電子輸送材(Alq)と発光材(DCM)の混合層は発光層と電子輸送層の間に設けた。また混合層はそれぞれの材料を1:1になるように共蒸着法により成膜し、その膜厚は10nmとした。
【0054】
その結果を、以下の(表4)に示す。
【0055】
【表4】
Figure 0003885412
【0056】
(表4)より、本実施の形態の有機電界発光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認された。
【0057】
(実施の形態5)
本発明の第5の実施の形態における有機電界発光素子は、発光層にDCMに替えて(表5)に示す材料を用いて発光層の膜厚を0.2nmにした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性を評価した。
【0058】
その結果を、以下の(表5)に示す。
【0059】
【表5】
Figure 0003885412
【0060】
(表5)より、本実施の形態の有機電界発光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認された。
【0061】
(実施の形態6)
本発明の第6の実施の形態における有機電界発光素子は、図6及び図7にその断面図を示すように発光層をその成分を異なる三層の多層構造とした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製した。図6及び図7において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4aは発光現象が起こる第1の発光層、4bは発光現象が起こる第2の発光層、4cは発光現象が起こる第3の発光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極である。各発光層(4a,4b,4c)は図6のように間隔を設けて形成してもよく、また図7のように積層されていてもよい。このように作製した素子の特性を評価したところ、良好な結果が得られた。
【0062】
また、例えば4aを赤色系、4bを緑色系、4cを青色系の発光層とすることで白色発光を実現することができる。さらに、フィルタなどにより白色発光を再度いくつかの色に分けて用いることも可能である。
【0063】
(実施の形態7)
本発明の第7の実施の形態における有機電界発光素子は、図8にその断面図を示すように発光層をそれぞれ成分の異なる3つのブロック状とした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製した。図8において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4dは発光現象が起こる第1の発光層、4eは発光現象が起こる第2の発光層、4fは発光現象が起こる第3の発光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極である。ブロック状発光層は、リソグラフィ技術及び薄膜加工技術等を用いて作製した。ブロック状発光層の形状はストライプ状や格子状等のさまざまな形態をとることができる。図9(a)に、ストライプ状、図9(b)に格子状の場合の、発光層の平面構成図の例を示す。図9(a)、(b)において、4dは発光現象が起こる第1の発光層、4eは発光現象が起こる第2の発光層、4fは発光現象が起こる第3の発光層である。このように作製した素子の特性を評価したところ、良好な結果が得られた。
【0064】
なお、例えば図8や図9で示した発光層において4dを赤色系、4eを緑色系、4fを青色系の発光層とすることで白色発光を実現することができる。さらに、フィルターなどにより白色発光を再度いくつかの色に分けて用いることもできる。
【0065】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、発光効率が高く駆動寿命時の輝度の低下が小さい有機電界発光素子が得られるという有利な効果が得られる。また、様々な色の発光が可能である有機電界発光素子を容易に得られることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図2】本発明の第2の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図3】本発明の第2の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図4】本発明の第3の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図5】本発明の第4の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図6】本発明の第6の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図7】本発明の第6の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図8】本発明の第7の実施の形態における有機電界発光素子の構成を示す断面図
【図9】本発明の第7の実施の形態におけるブロック状発光層の平面構成図
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 透明電極
3 正孔輸送層
4、4a、4b、4c、4d、4e、4f 発光層
5 電子輸送層
6 陰極
7 電子ブロック層
8 正孔ブロック層
9 正孔輸送材と発光材の混合層
10 電子輸送材と発光材の混合層

Claims (13)

  1. 一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、
    前記発光層が、濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下に形成されたものであり、
    前記発光層が前記正孔輸送層の中に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子。
  2. 一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された濃度消光を起す所定の有機物を含有する発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、
    前記有機物の蛍光寿命が、前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下に形成されたものであり、
    前記発光層が前記正孔輸送層の中に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子。
  3. 一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、
    前記発光層が、濃度消光を起す所定の有機物を含むものであり、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下に形成されたものであり、
    前記発光層が、前記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、又は前記電子輸送層の中のいずれか複数の部位に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子。
  4. 一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された濃度消光を起す所定の有機物を含有する発光層と、正孔を輸送する正孔輸送層と、電子を輸送する電子輸送層と少なくとも有する有機電界発光素子であって、
    前記有機物の蛍光寿命が、前記正孔輸送層または前記電子輸送層に含まれる所定の材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下に形成されたものであり、
    前記発光層が、前記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、又は前記電子輸送層の中のいずれか複数の部位に設けてあることを特徴とする有機電界発光素子。
  5. 発光層に接して正孔ブロック層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素子。
  6. 発光層に接して電子ブロック層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素子。
  7. 発光層に接して正孔輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素子。
  8. 発光層に接して電子輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか記載の有機電界発光素子。
  9. 発光層が多層構造になっていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか記載の有機電界発光素子。
  10. それぞれ異なる色を発光する複数の発光層からなる多層構造を設けることにより白色光を発光することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか記載の有機電界発光素子。
  11. 発光層がブロック状になっていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか記載の有機電界発光素子。
  12. 複数の色を発光する領域からなるブロック状の発光層を設けることにより白色発光となることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
  13. 発光層が気相成長法により形成されたものであることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか記載の有機電界発光素子。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6580213B2 (en) * 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG148030A1 (en) 2000-12-28 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
KR100399046B1 (ko) * 2000-12-30 2003-09-26 한국전자통신연구원 유기전기발광소자 및 그 제조방법
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
CN101397649B (zh) 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TW582121B (en) * 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP2002299063A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Japan Science & Technology Corp 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子
US7199515B2 (en) * 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
KR100596028B1 (ko) * 2001-11-12 2006-07-03 네오뷰코오롱 주식회사 고효율 유기 전계발광 소자
KR100467313B1 (ko) * 2001-11-22 2005-01-24 한국전자통신연구원 적색 유기 전기발광 화합물 및 그 제조 방법과 전기발광소자
JP3717879B2 (ja) * 2002-09-30 2005-11-16 三洋電機株式会社 発光素子
US20060099448A1 (en) * 2003-04-28 2006-05-11 Zheng-Hong Lu Top light-emitting devices with fullerene layer
JP2005100921A (ja) 2003-08-22 2005-04-14 Sony Corp 有機el素子および表示装置
JP4123106B2 (ja) * 2003-08-22 2008-07-23 ソニー株式会社 有機el素子
US7550915B2 (en) * 2004-05-11 2009-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic electronic device with hole injection
CN101847653B (zh) * 2004-05-21 2013-08-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件及使用该元件的发光装置
CN100531497C (zh) * 2004-05-21 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光设备
WO2006008977A1 (ja) * 2004-07-16 2006-01-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子および照明装置
DE112005002603A5 (de) * 2004-08-13 2007-08-09 Novaled Gmbh Schichtanordnung für ein Lichtemittierendes Bauelement
JP4496949B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機el素子
JP2007027620A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
KR101209040B1 (ko) * 2005-11-18 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JPWO2008026464A1 (ja) * 2006-08-30 2010-01-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101304903B1 (ko) * 2006-10-31 2013-09-05 한양대학교 산학협력단 유기 발광 표시 장치
KR101270169B1 (ko) * 2006-11-13 2013-05-31 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR101374891B1 (ko) * 2007-02-09 2014-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP5102522B2 (ja) * 2007-03-26 2012-12-19 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100813854B1 (ko) * 2007-04-23 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR101453874B1 (ko) * 2008-03-04 2014-10-21 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
JP5457847B2 (ja) 2009-01-23 2014-04-02 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5672077B2 (ja) 2011-03-04 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP2012186257A (ja) 2011-03-04 2012-09-27 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
CN104025333A (zh) * 2011-11-28 2014-09-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种聚合物电致发光器件及其制备方法
GB201407606D0 (en) 2014-04-30 2014-06-11 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
US10825996B2 (en) 2016-09-27 2020-11-03 Massachusetts Institute Of Technology Tunable light emitting diodes utilizing quantum-confined layered perovskite emitters
CN108550707B (zh) * 2018-04-12 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、液晶显示设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368730B1 (en) * 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法

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