TWI317248B - Film formation apparatus and film formation method - Google Patents

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TWI317248B TW095105238A TW95105238A TWI317248B TW I317248 B TWI317248 B TW I317248B TW 095105238 A TW095105238 A TW 095105238A TW 95105238 A TW95105238 A TW 95105238A TW I317248 B TWI317248 B TW I317248B
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Description

1317248 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於以包含在施加電場時能夠發光的有機化合物 的膜(以下稱爲有機化合物層)以及一個陽極和一個陰極形 成—個發光元件的一種沉積裝置和沉積方法。更具體而言, 本發明關於一種發光元件的製造方法,其驅動電壓比習知低 ’且壽命更長。本說明書中所述之發光元件是指一種影像顯 Φ 示裝置或是被用做發光元件的一種發光裝置。發光裝置的定 義還包括一種模組,模組中有一個附著在發光元件上的連接 器,例如是各向異性的導電膜(FPC ··軟性印刷電路), TAB (自動粘結帶)帶,或者是TCP (傳送帶包裝),一種 模組,其中的印刷線路板被設在TAB帶或TCP的尖端上, 以及這樣一種模組,在其中用COG (玻璃基晶片)方法直 接將一個1C (積體電路)安裝在發光元件上。 φ 【先前技術】 發光元件是一種在施加電場時發光的元件。其發光機制 乃是,對夾在電極之間的有機化合物膜施加一個電壓,藉由. 從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞的重組在有機化合物 層的發光中心形成分子電子-電洞對,並且在産生的分子電 子-電洞對恢復到基本狀態時,以發光的形式釋放出能量。 有機化合物有兩種類型的分子電子-電洞對;一種是單 鍵電子-電洞對,另一種是三鍵電子-電洞對。此說明輸中包 括兩種情況,也就是單鍵激發導致發光和三鍵激發導致發光 (2) 1317248 在上述的發光元件中,其有機化合物膜通常是厚度在1 Am以下的膜。另外,這種發光元件不需要一般液晶顯示器 中使用的背景光,因爲它是一種自身發光元件,並且由有機 化合物膜本身發光。因此,這種發光元件可用於製造很薄和 輕便的裝置,這是其一大優點。 例如,如果有機化合物膜的厚度是100到2 0 0nm,複合 就發生在數十毫微秒內,因爲載子是根據載子在有機化合物 φ 膜中的遷移率注入的。即使考慮到從載子複合到發光的過程 ’有機發光元件也很容易在微秒級之內發光。因此,快速回 應是這種發光元件的又一個特徵。 因爲發光元件是載子注入型的,可以用直流電壓驅動, 並且不容易産生雜訊。關於驅動電壓,有報告指出,如果有 機化合物膜採用均勻厚度爲100nm左右的很薄的膜,選擇 能夠降低相對於有機化合物膜的載子注入屏蔽的電極材料, 並且引入異性結構(雙層結構),用5.5V就能獲得 | 100cd/cm2 的足夠亮度(資料 l:C.W.Tang and S.A.VanSlyke, “Organic electroluminescent diodes'Applied Physics Letters,vol. 5 1 ,no. 1 2, 9 1 3-9 1 5 (1 987))。 藉由包括薄/重量輕,快速回應和直流低壓驅動等這些 特徵,發光元件有希望被用做下一代平板顯示元件。另外, 由於它們能自身發光並具有寬廣的視角,發光元件具有較好 的可視性,並且在用做電子設備的顯示幕幕時是有效的。 在資料1所述的發光元件中,是採用一種Mg: Ag合金 來降低載子注入屏蔽,它的工作性能低,並且對陰極相對穩 定,因而能注入更多的電子。這樣就有可能向有機化合物膜 (3) 1317248 注入大量載子。 另外’在單一異性結構中,由二胺化合物和一個三(8_ quin〇lin〇late)鋁合成物(以下稱爲Alq3)構成的電子傳送 發光層構成的一個電洞傳送層是由有機化合物膜層疊而成的 ’它可以按指數規律改善載子複合效率。有關的說明如下。 例如是在發光元件的有機化合物膜是由單層Alq3構成 的情況下’從陰極注入的大多數電子都能到達陽極,不會與 φ 電洞複合’並且發光效率很低。簡而言之,爲了使單層發光 '元件有效地發光’必須採用一種能夠以平衡的量傳送電子和 電洞的材料(以下稱其爲雙極材料),而Alq3不能滿足這 種要求。 另一方面,如果採用資料1中的單一異性結構,從陰極 注入的電子被阻擋在電洞傳送層和電子傳送發光層之間的介 面上,並且被束縛在電子傳送發光層中。這樣,在電子傳送 發光層中就會發生高效率的載子複合,引起有效的發光。 ^ 將這一載子阻擋功能的槪念加以擴展,還有可能控制載 子複合區域。例如,有報告指出,如果在電洞傳送層和電子 傳送層之間***一個能阻擋電洞的層(電洞阻擋層),並且 將電洞束縛在電洞傳送層中,就能成功地使電洞傳送層發光 。(資 B2;YasunoriKIJIMA,NobutoshiASAIandShin-ichiro TAMURA,“ A Blue Organic Light Emitting Diode”, Japanese Journal of Applied Physics,vol.3 8,5274-5277( 1 999) 亦即,資料1的發光元件的特徵在於將電洞傳送層和電 子傳送發光層的功能分開,前一層被用來傳送電洞,而後一 (4) 1317248 層被用來傳送電子並發光。將功能分開的槪念可以擴展到雙 異性結構(三層結構),其中的發光層被夾在一個電洞傳送 層和一個電子傳送層之間。(資料3 ; Chihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Shogo SAITO, “Electroluminescence in Organic Film with Three-layered Structure 'Japanese Journal of Applied Physics,vol.27,No.2, L269-L271(1988))。 功能分開的一個優點是增加了分子結構上的自由度,因 爲功能分開可以免於使一種有機材料同時(例如,功能分開 就不必一定要找到一種雙極材料)承擔各種功能(例如是發 光,載子傳送’以及從電子注入載子)。換句話說,只要將 發光特性良好的一種材料和具有良好的載子傳送能力的一種 材料加以組合,就容易獲得高發光效率。 由於這些優點’資料1 (載子阻塞功能或功能分開)中 所述的層疊結構槪念本身一直被廣泛地沿用。 另外’在製造這些發光元件時,在大批量生産的情況下 ,採用真空蒸氣將電涧傳送材料,發光層材料,電子傳送材 料等等層疊’在此時使用一種線上系統(多艙室系統)膜形 成裝置’不會污染各種材料。圖15是這種膜形成裝置的頂 視圖。 依照圖15所示的膜形成裝置,形成電洞傳送層,發光 層和電子傳送層的一種三層結構(雙異性結構),蒸氣沉積 一個陰極,並且可以在具有一個陽極的基底(例如是IT0) 上執行密封工序。 首先,將具有陽極的基底裝載到一個裝載室。基底通過 -8- (5) 1317248 第一傳送室被傳送到紫外線照射室,並且在真空環境中執行 紫外線照射以清理陽極的表面。如果陽極是例如IT〇的氧化 物’就在一個預處理室中執行氧化方法。 接著在蒸發室1501中形成一個電洞傳送層,在蒸發室 1 502到1 504中形成發光層(在圖15中是三種顔色紅,綠 ’藍),在蒸發室1505中形成一個電子傳送層,以及在蒸 發室1506中形成一個陰極。最後在密封室中執行密封方法 ’並從卸載室獲得發光元件。 這種線上系統膜形成裝置的的一個特徵是在不同的蒸發 室1501到1 505中執行對各個層的蒸發。因此它總地來說足 以在每個蒸發室1501到1 505中提供一個蒸氣源(1511到 1515)。這樣,在藉由添加顔料在蒸發室1502到1504中形 成發光層時’需要用兩個蒸氣源形成一個共蒸發層。換句話 說,該裝置的結構使得各層材料彼此之間幾乎不會發生混合 〇 在圖16Α和16Β中顯示以圖15所示的膜形成裝置製造 的發光元件的結構。在圖16Α和16Β中,在陽極16 02和陰 極1 603之間形成一個有機化合物層1604,它們都形成在一 個基底1601上。關於形成的有機化合物層16 04,在不同的 蒸發室中形成不同的有機化合物。這樣就能清楚地分開如此 形成的第一有機化合物層1605,第二有機化合物層1606和 第三有機化合物層1607之間的層疊介面。 在圖16Β中顯示第一有機化合物層1 605和第二有機化 合物層1 606之間的介面附近的一個區域1 608。由此圖可知 ,在第一有機化合物層1605和第二有機化合物層1606之間 (6) 1317248 的介面1609中混入了雜質1610。換句話說,在圖15所示 的習知膜形成裝置中,各個層是在獨立的膜形成室中形成的 。因此,在膜形成室之間移動基底時,就會有雜質1610粘 在基底表面上’從而混入介面1 609。此處所述的雜質是特 指氧氣,水等等。 因爲上述的層疊結構是通過不同類型材料間的接合形成-的,在介面上需要産生一種能量屏蔽。如果存在能量屏蔽, φ 就會阻礙載子在介面中的運動,由此導致以下的問題。 第一個問題是能量屏蔽對進一步降低驅動電壓形成了一 個障礙。實際上有報告指出,對於現有發光元件的驅動電壓 而言,採用共軛聚合物的具有單層結構的元件是很好的,並 且在功率效率(單位:〔1 m/W〕)上能達到頂級資料(與 執行單鍵激發狀態來發光相比較)(資料4 : Tetsuo Tsutsui,“The Japan Society of Applied Physics, Organic Molecule and Bioelectronics Division”, Vol. 1 1, No. 1, • P.8(2000 ))。 資料4所述的共軛聚合物是一種雙極材料,並且在有關 載子的複合效率方面的等級相當於層疊結構。這樣,在不使 用層疊結構的情況下,只要能夠獲得等效的載子複合效率, 採用雙極材料等等也能用介面比較少的單層結構獲得較低的 驅動電壓。 已知有一種在介面中***用於釋放能量屏蔽的材料例如 是一個電極的方法,用來改善載子的注入效率,從而較低驅 動電壓。(資料 5 : Takeo Wakimoto,Yoshinori Fukuda, Kenichi Nagayama, Akira Yo ko i,Hi t o shi N akad a, and Mas am i -10- (7) 1317248
Tsuchida,“Organic EL Cells Using Alkaline Metal Compounds as Electron Injection Materials”,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,VOL.44,NO.8, 1 245- 1 248( 1 997))。在資料5中是用Li20作爲其電子注入層 以實現驅動電壓的降低。 然而,載子在有機材料之間的介面(例如是電洞傳送層 和發光層之間的介面,以下稱爲有機介面)內的遷移率仍然 是一個沒有解決的問題,它對於在單層結構中實現低驅動電 壓是很重要的。 另外,對發光元件的元件壽命的影響也被認爲是能量屏 蔽所造成的一個問題。也就是說,由於載子遷移受阻造成的 電荷儲存會導致亮度降低。 關於這一劣化機制的明確的理論尙未建立。然而有報告 指出,如果在陽極和電洞傳送層之間***電洞注入層,並且 用矩形波驅動代替dc驅動,就能抑制亮度的降低。(資料 6 : S.A.Vanslke, C.H.Chen,and C.W.Tang, uOrganic electrluminescent devices with improved stability”,Applied Physics Letters,Vol.69,N〇.15,2160-2162(1996))。此乃具有 實驗支持的,藉由***電洞注入層和ac驅動來阻止電荷儲 存,因而能抑制亮度的降低。 因此,對於層疊結構來說,它的優點是容易改善載子的 複合效率,並且從功能分開的角度來看擴展了材料的選擇範 圍。另一方面,因爲會産生大量的有機介面,載子的遷移受 阻,這對於驅動電壓的降低和亮度有不利影響。 再者,在採用習知膜形成裝置的情況下,若採用真空蒸 -11 - (8) 1317248 氣來層疊電洞傳送材料’發光層材料,電子傳送材料等等, 各個室中的蒸氣源是單獨提供的,不會污染各種材料,並且 不同的層是在不同的室中分開形成的。然而,在採用這種裝 置形成上述層叠結構的情況下有〜個問題,那就是有機介面 並非清析可辨別的’而是當基底在各室之間移動時,還會有 諸如水或氧等雜質混入有機介面。 【發明內容】 因此’本發明的目的是提供一種膜形成裝置,用於減輕 有機化合物膜中存在的能量屏蔽,改善載子的遷移率,並且 製造出一種具有多種材料的各種功能的元件,根據與習知層 疊結構不同的原理’這種層疊結構在功能上是分開的。本發 明的再一個目的是提供這種膜形成裝置之膜形成方法。本發 明進一步的目的是提供一種膜形成裝置,它能夠形成緻密的 膜,從而爲改善元件特性’並延長元件壽命,並改善所形成 的有機化合物膜的特性。 層疊結構中的能量屏蔽的減輕在資料5中所述***一個 載子注入層之技術中特別明顯。換句話說,如果在具有大能 量屏蔽的層疊結構的介面上***一種用於減輕能量屏蔽的材 料,就能將能量屏蔽設計成步階形。 這樣就能改善從電極注入載子的效率,並且能在一定程 度上降低驅動電壓。然而,問題在於隨著層數的增加會增加 有機介面的數量。如資料4所述’這可能正是單層結構在驅 動電壓和電源效率方面能獲得頂級資料的原因。 另一方面,如果能克服上述問題’就能在維持層疊結構 -12- (9) 1317248 (也就是能夠複合各種材料,而並不需要複雜的分子結構) 的優點的同時獲得單層結構的驅動電壓和電源效率。 依照本發明的有機化合物膜1〇4如圖1A所示,它包括 在發光元件的陽極1 02和陰極丨03之間形成的多個功能區。 在追種情況下可獲得一種結構’其中的第—混合區丨〇 8是在 第一功能區1 〇5和第二功能區1 06之間形成的。第—混合區 107是由構成第一功能區105的材料和構成第二功能區ι〇6 φ 的材料二者形成的。 在另外的一種結構中,第二混合區〗〇9是在第二功能區 106和第三功能區107之間形成的。第二混合區108是由構 成第二功能區106的材料和構成第三功能區1〇7的材料二者 形成的。 如果採用圖1 A所示的結構,就能夠減輕功能區之間存 在的能量屏蔽,並且改善載子的注入效率。因而使降低驅動 電壓成爲可能,並且能防止亮度的劣化。 φ 這樣,依照本發明的膜形成裝置的特徵在於,—個發光 元件包括一個區域’其中的第一有機化合物能提供—種功能 (第一功能區),和一個區域,在其中與構成第一功能區的 材料不同的第二有機化合物能提供一種功能(第二功能區) ’並且形成一個具有這種發光元件的發光裝置,在第—功能 區和第二功能區之間形成由構成第一功能區的有機化合物和 構成第二功能區的有機化合物構成的一個混合區。 再者,如圖1A所示在第一功能區1 〇5和第二功能區 106之間形成的第一混合區107是在圖1B所示的同一個膜 形成室中順序形成的。這樣還能防止如圖1 6B所示般混入雜 -13- (10) 1317248 質。 第一有機化合物和第二有機化合物各自具有從以下組中 選擇的一種特性,該組特性包括從陽極接收電洞的電洞注入 特性,電洞遷移率大於電子遷移率的電洞傳送特性,電子遷 移率大於電洞遷移率的電子傳送特性,從陰極接收電子的電 子注入特性,阻擋電洞或電子遷移的阻擋特性,以及能發射 光的發光特性。第一有機化合物的特性與第二有機化合物不 同。 酞青系化合物最適合作爲具有電洞注入特性的有機化合 物’芳香族二胺化合物最適合作爲具有高電洞傳送特性的有 機化合物,而包括喹構架的金屬合成物,包括苯喹構架的金 屬合成物,惡二唑衍生物’***衍生物或者是菲咯啉衍生物 最適合作爲具有局電子傳送特性的有機化合物。另外,包括 哇架的金屬合成物能産生穩定的發光,包括苯並唑構架的金 屬合成物或是包括苯並噻唑構架的金屬合成物最適合作爲具 有高發光特性並能産生穩定發光的有機化合物。 上述第一功能區和第二功能區的複合如表1中所示。關 於A到E的複合,可以單獨引入一種複合(例如是僅僅引入 A的複合)或者是可以組合並引入多種複合(例如a和B 雙方的複合)。 -14- (11)1317248 〔表1〕 組合 第一功能區 第二功能區 A 電洞注入特性 電洞傳送特性 B 電子注入特性 電子傳送特性 C 電洞傳送特性 發光特性 D 電子傳送特性 發光特性 E 電子傳送特性 阻擋特性 Φ 另外,在組合並引入c和D的複合時(也就是在具有 發光特性的功能區的兩個介面上引入混合區時),在發光區 內産生的分子激發的發散受到阻止,這樣就能進一步改善發 光效率。因此,發光區內的激發能量就能比各電洞傳送區內 的激發能量和電子傳送區內的激發能量低。在這種情況下, 具有差載子傳送特性的材料也可以被用做發光區。這樣的優 點是擴展了材料的選擇範圍。本文中所述的激發能量是指一 個分子中被佔據的最高分子軌道(HOMO )和未被佔據的最 φ 低電子軌道(LUMO )之間的能量差。 具體地說,發光區是用一種主材料構成的,而發光材料 (摻雜物)的激發能量比主材料要低,並且使摻雜物的激發 能量比電洞傳送區中的激發能量和電子傳送區中的激發能量 低。這樣就能阻止摻雜物的分子激發發散,並且能夠使摻雜 物有效地發光。進而,如果摻雜物是一種載子陷捕型材料, 還能夠改善載子的複合效率。 依照本發明的膜形成裝置還能夠製造出圖1C所示的一 種發光元件。如圖1C所示,相對於形成在基底101上的陽 極1 02和陰極1 03之間的有機化合物膜1 04而言,其結構爲 -15- (12) 1317248 第一混合區112被形成在第—有機化合物的第—功能區110 和第二有機化合物的第二功能區ηι之間。第—混合區112 是由構成第一功能區1 1 0的材料和構成第二功能區u丨的材 料二者組成的。如果在整個或是部分第一混合區中摻雜第三 有機化合物,就能在整個或是部分第一混合區中形成第三功 能區1 1 3。値得注意的是,所形成的第三功能區丨丨3可以是 一個發光區。 還要注意到’在形成圖1C所示的元件結構時,第一有 機化合物和第二有機化合物是由具有以下組.中選擇的一種特 性的有機化合物構成的’該組特性包括電洞注入特性,電洞 傳送特性’電子傳送特性,電子注入特性,以及阻擋特性》 構成第一有機化合物和第二有機化合物的各種有機化合物具 有不同的特性。所需的是,第三有機化合物是一種具有發光 特性的有機化合物(摻雜物),並且是一種激發能量比所使 用的第一有機化合物和第二有機化合物都低的材料。在第三 功能區113中,第一有機化合物和第二有機化合物被作爲摻 雜物的主要部份。 近來有一種有機發光元件的發光效率引起了人們的注意 ,它能夠將從三鍵激發狀態恢復到基本狀態時所産生的能量 轉換成光來發射,因爲它的發光效率高。(資料7:D.F.O ’ Brien,M.A.Baldo, Μ.E.Thompson and S.R.Forrest, “Improved energy transfer in electrophosphorescent devices'Applied Physics Letters, vo 1.7 4 ,Ν o. 3,4 42- 444(1 999)(資料 8:TSUTSUI,Moon-Jae YANG, Masayuki YAHIRO, Kenji N AKAMURA,Teruichi WATAN ABE,Taishi -16- (13) 1317248 TSUJI, Yoshinori FUKUDA,Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, uHigh Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center'Japanese Journal of Applied Physics, Vol.38,Ll 502-L1 504(1 999))。 在資料7中使用了包括鉑作爲主要金屬的一種金屬合成 物’而在資料8中使用了包括銥作爲主要金屬的金屬合成物 。這樣的有機發光元件能夠將三鍵激發能量轉換成光來發射 ,(以下稱爲三鍵發光元件),發光的亮度比較高,並且與習 知的元件相比能夠獲得較高的發光效率。 然而,依照資料8所述,如果初始亮度被設置在500 cd/m2 ’亮度在170小時內就會減半,這樣就會産生元件壽 命的問題。因此,當本發明被用於三鍵發光元件時,利用三 鍵激發狀態發出的光,就可能獲得一種在延長壽命方面具有 很高性能的發光元件,還能獲得高發光亮度和高發光效率。 在這種情況下,本發明還包括把能夠將三鍵激發能量轉 換成光來發射的一種材料作爲摻雜物加入第一混合區112中 ,在圖1C所示的發光元件中形成第三功能區113。另外, 在形成混合區時,在混合區中可以形成一個濃度梯度。 本發明的膜形成裝置的特徵在於形成多個功能區,並且 在具有多個蒸氣源的同一個膜形成室內形成具有上述混合區 的一種發光元件。 以下要以圖2A和2B來說明本發明的膜形成裝置中所 包括的膜形成室210。對與圖1A到1C中所示的相同部分採 用共同的標號。如圖2A所示,在基底1〇1下面提供保持在 -17- (14) 1317248 一個托架201中的金屬掩模202,並且將蒸氣源203設在其 下面。蒸氣源203 ( 203a到203c)是由材料室205 ( 205a到 205c )和閘門206 ( 206a到206c)構成的,材料室中裝有用 於形成有機化合物膜的有機化合物204 ( 204a到204c)。蒸 氣源或在其上執行蒸氣沉積的基底最好是能夠移動(旋轉) 的,以便在本發明的膜形成裝置中形成厚度均勻的膜。 材料室205 ( 205a到205c)也是用導電金屬材料製成的 ,並且具有圖18中所示的具體結構。如果對這些材料室施 加電壓並且用施加電壓産生的電阻來加熱裝在室內的有機化 合物204 ( 204a到204c),有機化合物就會蒸發並且蒸氣沉 積到基底101的表面上。本文中所述的“基底101的表面” 包括基底和在其上形成的一個膜。此處是在基底101上形成 —個陽極1 0 2。 蒸發的有機化合物204 ( 204a到204c)的蒸氣沉積是由 閘門206 ( 206a到206c)來控制的。也就是說,當閘門打開 時,就能蒸氣沉積通過加熱蒸發的有機化合物204 ( 204a到 2〇4c )。這樣,在本文中就將閘門被打開並且用蒸氣沉積有 機化合物的狀態稱爲“蒸氣源在工作”。 如果在蒸氣沉積之前使有機化合物204 ( 204a到204c) 加熱蒸發以便在蒸氣沉積時打開閘門206 ( 206a到206c)之 後馬上能蒸氣沉積,就能夠理想地縮短膜形成時間。 依照本發明的膜形成裝置,具有多個功能區的有機化合 物膜是在一個膜形成室中形成的,並且對應著多個功能區設 有多個蒸氣源203。在本發明中,因爲有多個蒸氣源同時工 作’可以同時蒸氣沉積多種有機化合物。另外,如果按順序 -18- (15) 1317248 操作多個蒸氣源,就能按順序蒸氣沉積多種有機化合物。進 而’可以時間上不中斷地按順序操作多個蒸氣源。値得注意 的是’在操作蒸氣源時,有機化合物被蒸發並且向上流動, 然後通過設在金屬掩模202中的開口 212蒸氣沉積到基底 101 上。 在本發明的膜形成室中設有用於對膜形成室內部抽真空 的排氣裝置。用排氣泵作爲排氣裝置來降低壓力。在減壓時 φ 需要達到的理想真空度在l(T6Pa以上。例如可以採用一個 乾燥泵’一個機器增壓泵,一個(磁懸浮式)渦輪分子泵, 和一個低溫泵等等的組合。例如,低溫泵可以用做第.一排氣 裝置214,而乾燥泵可以用做第二排氣裝置215。 依照本實施例,除了膜形成室之外,爲了縮小表面面積 以便減少對諸如氧或水等雜質的吸附,要採用電抛光用諸如 鋁或不銹鋼(SUS )等材料對諸如裝載室,對準室,密封室 和卸載室等各個加工室的內壁表面進行鏡面抛光。另外還要 φ 使用由經過加工具有極少微孔的諸如陶瓷製成的一個內部件 。這些材料各自具有一定的表面均勻度,其平均表面粗糙度 在5nm以下(最好是3nm以下)。此處所說的平均表面粗 糙度是指如依JIS B0601規定的中心線平均粗糙度般的粗糙 度是三維延伸的,以適用於整個表面。 以下要具體說明採用上述膜形成裝置的一種膜形成方法 〇 首先蒸氣沉積裝在第一材料室205a中的第一有機化合 物2〇4a。預先通過電阻加熱使第一有機化合物204a蒸發。 在打開閘門206a執行蒸氣沉積時,第一有機化合物流向基 -19- (16) 1317248 底101。這樣就形成了圖1A中所示的第一功能區105。 然後,在第一有機化合物204a的蒸氣沉積正在進行的 狀態下,打開閘門206b,並且蒸氣沉積裝在第二材料室205b 中的第二有機化合物204b。第二有機化合物也是預先通過 電阻加熱被蒸發的。在打開閘門206b執行蒸氣沉積時,第 二有機化合物流向基底101。這樣就能形成由第一有機化合 物2〇4a和第二有機化合物204b構成的第一混合區1〇8。 而後,僅僅關閉閘門206a並且蒸氣沉積第二有機化合 物204b。這樣就能形成第二功能區106。 此處所說的是同時蒸氣沉積兩種有機化合物以形成混合 區的一種方法。然而,如果在同一蒸發環境中先蒸氣沉積第 一有機化合物再蒸氣沉積第二有機化合物,也能在第一功能. 區和第二功能區之間形成混合區。 接著,在第二有機化合物204b的蒸氣沉積正在進行的 狀態下,打開閘門206c,並且蒸氣沉積裝在第三材料室 205c中的第三有機化合物2CMC。第三有機化合物也是預先 通過電阻加熱被蒸發的。在打開閘門206c執行蒸氣沉積時, 第三有機化合物流向基底101。這樣就能形成由第二有機化 合物2(Hb和第三有機化合物204c構成的第二混合區109。 而後,僅僅關閉閘門206b並且蒸氣沉積第三有機化合 物204c。這樣就能形成第三功能區107。 最後形成陰極103,這樣就製成了用本發明的膜形成裝 置製造的一個發光元件。 圖1C所示的發光元件是按以下方式,以本發明的膜形成 裝置製造的。用第一有機化合物204a形成第一功能區110, -20- (17) 1317248 然後形成由第一有機化合物204a和第二有機化合物204b構 成的第一混合區112。在形成第一混合區112的過程中短暫( 或是同時)打開閘門206c,並且同時執行第三有機化合物204c 的蒸氣沉積(或是摻雜),從而形成第三功能區113。 在短暫摻雜第三有機化合物時關閉閘門206c。這樣就 能再次形成第一混合區112。同樣,在整個第一混合區112 中摻雜第三有機化合物時,同時關閉閘門206b和206c。 進而形成第二有機化合物2 04b的第二功能區1 1 1。這 樣就形成了有機化合物膜104。然後在另一個膜形成室或是 另一個膜形成裝置中形成陰極,從而製成發光元件。 設在膜形成室中的蒸氣源如圖2B所示。圖2B表示了 從膜形成室頂上看到的設在膜形成室內的蒸氣源的安排。 以下說明用圖1A所示的三種有機化合物形成有機化合 物膜的情況。分別裝有三種有機化合物的蒸氣源203a, 203b和203c被橫向佈置成一行,共有K行(k= 1到1〇 ) 。這樣,如果在同一個膜形成室中設置各自包括同一種有機 化合物的多個蒸氣源,就能使在基底上形成的有機化合物膜 具有均句的厚度。値得注意的是,在此處所述的情況下,三 種有機化合物在相鄰的行(1 )之間是按不同的安排來放置 的。然而並不一定要採取這樣的安排,這些有機化合物可以 按相同的次序安排在所有各行中。 値得注意的是,在本發明的膜形成裝置中,膜是用同一 個膜形成室內的多個蒸氣源形成的。這樣,爲了改善膜形成 特性,在膜形成時可以將包括用於膜形成的有機化材料的蒸 氣源的功能移動到基底下面的一個合適位置’或者是可以將 -21 - (18) 1317248 基底移動到蒸氣源上面的一個合適位置。 本發明的膜形成裝置中的膜形成室的機制能夠形成由緻 密的有機化合物膜構成的有機化合物膜。 具體地說,在膜形成時,在膜形成室中加熱用於形成有 機化合物膜的有機化合物,藉由加熱使其蒸發,並且利用分 子的動能流到基底上。這樣就能在基底上形成有機化合物膜 。此處,爲了在基底上用這些有機化合物形成緻密的膜,需 φ 要延長有機化合物作爲分子在基底表面上的停留時間。 然而,藉由加熱揭供的分子動能會隨著時間流逝而降低 。這樣就需要在基底表面上的分子啓動區213內再次對氣體 分子施加能量以便加強動能。 爲此,在膜形成室210中提供了發光的光源211,用光 來照射有機化合物分子。提供光照獲得能量的有機化合物被 啓動。可以從光源211照射紅外線光,紫外線光或者是可見 光。從避免損傷有機化合物分子的角度來看,紅外線光最好 春。 光的照射可以延長有機化合物分子在基底表面上的停留 時間’有機化合物分子就容易在基底上的最佳位置形成膜。 這樣就能形成緻密的膜。 圖3A表示用普通膜形成方法形成的有機化合物膜,而 圖3B表示在分子啓動區213內用光照射有機化合物的情況 下的有機化合物膜。相對於各種結構而言,在基底上形成一 個陽極,在上面形成第一功能區221,第一混合區222,第 二功能區223’最後在上面形成一個陰極。這樣就獲得了具 有這種結構的發光元件。依照圖3B中所示的元件,有機化 -22- (19) 1317248 合物分子之間的距離變短,與圖3 A所示的元件相比’能夠 形成一種緻密的膜。値得注意的是’如圖3A所示在有機化 合物膜內部的有機化合物分子之間會産生間隙,它們是一種 缺焰,載子的運動會受到缺陷部位的阻礙。這樣,儲存的電 荷就會造成元件的亮度降低和劣化。因此’在膜形成室中提 供光源並且在膜形成時用光執行照射是有效的。 再者,在本發明的膜形成室中設有防黏著擋板207,在 φ 蒸氣沉積時防止有機化合物粘接到膜形成室的內壁上。藉由 設置防黏著擋板207,可以使無蒸氣沉積到基底上的有機化 合物粘在擋板上。在防黏著擋板207周圍設有與其接觸的加 熱器208。加熱器208能夠加熱整個防黏著擋板207。値得 注意的是,防黏著擋板207被加熱時,粘在其上的有機化合 物就會被蒸發。這樣就能使膜形成室內部保持清潔。 依照本發明的膜形成裝置能夠形成上述的有機化合物膜 ,功能區之間的介面不會受到雜質的污染,並且能在功能區 φ 之間的介面中形成混合區,因爲在同一個膜形成室內可以形 成包括多個功能區的有機化合物膜。這樣就能製成一種具有 多種功能又沒有清晰的層疊結構(也就是不包括清晰的有機 介面)的發光元件。 【實施方式】 較佳實施例的詳細說明 以下以圖4A和4B說明本發明的膜形成裝置的結構。 圖4A是膜形成裝置的頂視圖,圖4B是其截面圖。要注意 對相同的部分採用了相同的標號。還有,依照本實施例所說 -23- (20) 1317248 明的方式,在包括三個膜形成室的一個同軸系統膜形成裝置 的各個膜形成室中形成三種有機化合物膜(紅,綠和藍)。 在圖4A中,標號400代表一個裝載室。放置在裝載室 40 0基底被傳送到第一對準室401。在第一對準室401中, 按各個支架來排列預先夾持在一個支架402中的金屬掩模 403。在蒸氣沉積之前將一個基底404放置在排列好的金屬 掩模403上。這樣使基底404和金屬掩模403構成整體並且 傳送到第一膜形成室405 » 以下以圖5A到5E說明用於夾持金屬掩模403和基底 404的支架402的定位方式。請注意對圖4A和4B中所示的 相同部分採用了相同的標號。 圖5A表示一種截面結構。支架402是由掩模支架501 ,一個軸502,一個基底支架5 03,一個控制機構504和一 個輔助銷505組成。對應著掩模支架501上的突起5 06支撐 著金屬掩模403,且基底404安置在金屬掩模403上。用輔 助銷505夾持金屬掩模403上的基底4 04。 圖5B是圖5A中的一個區域507的頂視圖。基底4 04 如圖5A和5B所示被夾持在基底支架503中。 再者,圖5C是沿著線B-B’切割圖5B獲得的一個截面 圖。假設金屬掩模403在膜形成的時候是處在圖5C所示的 位置,金屬掩模403在通過朝Z_軸方向移動軸5 02而獲得 排列的時候是處在圖5D所示的位置。 在圖5D所示的狀態下,軸502可以在X-軸,Y-軸或者 是軸方向上移動。X-Y平面的傾角(e )也可以相對於Z-軸移動。控制機構504根據由CCD相機獲得的位置資訊和 -24- (21) 1317248 預先輸入的位置資訊輸出移動資訊。這樣就能藉由連接著控 制機構504的軸502使掩模支架的位置對準一個預定的位置 〇 圖5 E是金屬掩模40 3中一個區域5 08的放大圖。此處 使用的金屬掩模403是由不同材料製成的掩模509a和掩模 510b構成的。在蒸氣沉積時,通過開口 511的有機化合物 在基底上形成膜。在蒸氣沉積且掩模510b位於基底404側 面的情況下,爲了改善膜形成精度要設計這些形狀。 在金屬掩模403的排列完成之後,在Z-軸方向上移動 軸,再次將金屬掩模403移到圖5C所示的位置。然後用輔 助銷505來保持金屬掩模403和基底404。這樣就能完成金 屬掩模403的排列和金屬掩模403與基底404之間的.排列。 在本實施例中,金屬掩模403的開口可以製成正方形, 矩形,圓形,或者是橢圓形。這些開口可以安排成矩陣或者 是三角形。另外,開口也可以形成一條線。 在圖4A中,在第一膜形成室405中設置有多個蒸氣源 406。各蒸氣源406分別是由包括一種有機化合物的一個材 料室(未示出)和一個閘門(未示出)構成的,打開和關閉 閘門可以控制材料室中蒸發的有機化合物飛到材料室外。 構成發光元件的有機化合物膜且具有多種不同功能的這 些有機化合物被設置在第一膜形成室405所包括的多個蒸氣 源4 06中。注意到此處所述的有機化合物具有從以下組合中 選擇的一種特性,這一組合包括從陽極接收電洞的電洞注入 特性,電子遷移率大於電洞遷移率的電子傳送特性,從陰極 接收電子的電子注入特性,阻擋電洞或電子傳送的阻擋特性 -25- (22) 1317248 ,以及能夠發光的發光特性。 酞菁染料系統化合物最適合作爲具有高電洞注入特性的 有機化合物,芳香族二胺化合物最適合作爲具有高電洞傳送 特性的有機化合物,而包括苯喳構架,惡二唑衍生物,*** 衍生物或者是菲咯啉衍生物的金屬合成物最適合作爲具有高 電子傳送特性的有機化合物。另外,包括喹構架的金屬合成 物,包括苯並唑構架的金屬合成物,或者是能産生穩定發光 0 的包括苯並噻唑構架的金屬合成物最適合作爲具有發光特性 的有機化合物。 在第一膜形成室405中,採用如圖2A和2B所示的方 法按順序蒸氣沉積設置在這些蒸氣源中的有機化合物,形成 包括多個功能區的第一有機化合物膜(紅色).。 然後將基底404傳送到第二對準室407。在第二對準室 4〇7中將基底4〇4與金屬掩模403分離,並且將金屬掩模 403排列在形成第二有機化合物膜的位置。在排列完成之後 φ ’再次將基底404和金屬掩模403重疊並保持。 然後將基底404傳送到第二膜形成室40 8。第二膜形成 室408同樣包括多個蒸氣源。和第—膜形成室405的情況相 同’按順序蒸氣沉積多種有機化合物,形成包括具有多種功 能的區域的第二有機化合物膜(綠色)。 進而將基底404傳送到第三膜形成室409。在第三膜形 成室409中將基底404與金屬掩模403分離,並且將金屬掩 模403排列在形成第三有機化合物膜的位置。在排列完成之 後’再次將基底404和金屬掩模403重疊並保持。 然後將基底404傳送到第三膜形成室410。第三膜形成 -26- (23) 1317248 室4 1 0同樣包括多個蒸氣源。和其他膜形成室的情況相同, 按順序蒸氣沉積多種有機化合物,形成包括具有多種功能的 區域的第三有機化合物膜(藍色)。 最後將基底404傳送到一個卸載室4 1 1並且卸載到膜形 成裝置外面。 這樣,每當在形成不同的有機化合物膜時在對準室中執 行金屬掩模403的排列時,就能在同一個裝置中形成多個有 φ 機化合物膜。因爲由一個有機化合物膜構成的功能區是在同 —個膜形成室內形成的,可以防止功能區之間的雜質污染。 進而,因爲在本發明的膜形成裝置中可以在不同功能區之間 形成一個混合區,無需清晰的層疊結構就能製成具有多種功 能的發光元件。 値得注意的是,本實施例說明了能夠執行直至形成有機 化合物膜的所有步驟的一種裝置。然而,本發明的膜形成裝 置並非僅限於此,還可以採用之結構爲,它提供了用來在有 $ 機化合物膜上形成一個陰極的膜形成室和一個能夠密封發光 元件的處理室。另外,可以隨意排列發出紅,綠和藍色顯示 光的有機化合物膜的形成次序。 進而可以提供用來清潔本實施例中所述的對準室和膜形 成室的一個裝置。値得注意的是,如果將這一裝置設置在圖 4Α中所示的一個區域412內,就能提供圖.6中所示的清潔 輔助室413。 在分解諸如NF3或CF4等反應氣體以便在清潔輔助室 413內産生一種原子團並且將其引入第二對準室407時,有 可能使第二對準室407保持清潔。如果將所使用的金屬掩模 -27- (24) 1317248 預先設置在第二對準室407中,就能執行對金屬掩模的清潔 。另外,當原子團被引入第二膜形成室408時,第二膜形成 室408內部可以保持清潔。第二對準室407和第二膜形成室 408分別通過閘門(未示出)連接到清潔輔助室413。在引 入原子團時可以打開閘門。 〔實施例1〕 以下用圖7來說明本發明的膜形成裝置是一種同軸系統 的情祝。在圖7中,標號7 01代表一個裝載室,從其中傳送 一個基底。注意到本實施例中所述的基底是在上面已經形成 了 一個發光元件的陽極或陰極(在本實施例中是陽極)的一 種基底。裝載室701包括一個排氣系統700a。排氣系統 7〇〇a是由第一閥門71,低溫泵72,第二閥門73,第三閥門 74和一個乾燥泵75組成的。 在膜形成室內應該達到的理想真空度在1 (T6Pa以下。 此時最好是採用排氣速度爲l〇〇〇〇l/s以上的排氣泵。 依照本實施例,關於藉由閘門來關閉的諸如裝載室,對 準室,膜形成室,密封室和卸載室等各個處理室,其內表面 採用一種鏡面抛光的材料,例如是鋁或不銹鋼(SUS ),這 樣能藉由縮小表面面積來減少對諸如氧氣和水等雜質的吸附 。另外還採用了由經過處理具有極少微孔的陶瓷等製成的一 個內部構件。這些材料的表面光滑度時它們的平均表面粗糙 度在5nm以下(最好是3nm以下)。此處所說的“平均表 面粗糙度”是指如依照JIS B0601規定的中心線平均粗糙度 那樣的粗糙度是三維延伸的’適用於整個表面。 -28- (25) 1317248 另外提供之方法爲,在膜形成室的內壁上用易於和一種 氣體發生反應的一種材料形成一個活性表面。在這種情況下 所使用的材料最好是Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Mo,W,La, Ba等等。 第一閥門71是具有閘閥的主閥門。然而,在有的情況 下也可以用蝶形閥作爲傳導閥來使用。第二閥門73和第三 閥門74是前導閥。首先打開第二閥門73用乾燥泵75粗略 φ 降低裝載室7〇1的壓力。然後打開第一閥門71和第三閥門 74 ’用低溫泵72使裝載室701的壓力降低到高真空。也可 以用渦輪分子泵或者是機器增壓泵代替低溫泵來使用。另外 還可以在通過機器增壓泵改善真空度之後使用低溫泵。 標號702代表一個對準室。在此間執行金屬掩模的排列 和金屬掩模上的基底的佈置,以便將基底再傳送到膜形成室 中形成膜。它被稱爲對準室(A) 702。此處所說的排列最好 是按圖4A和4B所示的方法來執行。對準室(A) 702包括 φ —個蒸發系統700b。用一個閘門(未示出)使對準室(A) 702對裝載室701密封關閉。 在對準室(A) 7 02中還設有一個清潔輔助室713a。當 諸如NF3或CF4等反應氣體在清潔輔助室713a內被分解而 産生原子團並且被引入對準室(A) 702時,就能清潔對準 室(A ) 702的內部。如果將所使用的金屬掩模預先設置在 對準室(A ) 702,就能執行對金屬掩模的清潔。 標號703代表用蒸氣方法形成第一有機化合物膜的一個 膜形成室。它被稱爲膜形成室(A)。膜形成室(A) 703設 有排氣系統7〇〇c。用一個閘門(未示出)使膜形成室(A) -29 - (26) 1317248 703對對準室(A) 7 02密封關閉。 如對準室(A) 702的情況一樣’膜形成室(A) 703也 設有一個清潔輔助室713b。當分解諸如NF3或CF4等反應 氣體所産生的原子團被引入膜形成室(A) 703時,就能清 潔膜形成室(A) 703的內部。 在本實施例中爲膜形成室(A) 703提供的膜形成室具 有圖2A所示的結構,在其中形成顯示紅色發光的有機化合 φ 物膜。使用的蒸氣源包括含有電洞注入特性的有機化合物的 第一蒸氣源,含有電洞傳送特性的有機化合物的第二蒸氣源 ,含有作爲具有發光特性的有機化合物的宿主的一種具有電 洞傳送特性的有機化合物的第三蒸氣源,含有發光特性的有 機化合物的第四蒸氣源,含有阻擋特性的有機化合物的第五 蒸氣源,以及含有電子傳送特性的有機化合物的第六蒸氣源 〇 另外,在本實施例中,銅-酞菁染料(以下稱爲Cu-Pc ) φ 被用做具有電洞注入特性的有機化合物,它被包括在第一蒸 氣源中。另外 ’ 4,4 -bis ( N - ( 1-naphtyl) -N-phenyl-amino]-biphenyl (以下稱爲α -NPD )被用做具有電洞傳送特 性的有機化合物’它被包括在第二蒸氣源中。另外,4, 4dicarbaZ〇le-biPhenyl (以下稱爲CBP )被用做作爲宿主的 有機化合物(以下稱爲宿主材料),它被包括在第三蒸氣源 中。另外 ’ 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyI-21H,23H-porphyrin-platinum (以下稱爲pt〇Ep )被用做具有發光特性 的有機化合物,它被包括在第四蒸氣源中。另外,浴銅靈( 以下稱爲BCP)被用做具有阻擋特性的有機化合物,它被包 -30- (27) 1317248 括在第五蒸氣源中。另外,三(8-quinolinolato)銘(以下 稱爲Alq3)被用做具有電子傳送特性的有機化合物,它被包 括在第六蒸氣源中。 當這些有機化合物被依次蒸發時,就能在陽極上形成有 機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,電洞傳送特性,發 光特性,阻擋特性,及電子傳送特性等功能的區域。 另外,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 φ 形成一個混合區,同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和電洞傳送區之間的介面 ,該電洞傳送區和包括發光區的一個電洞傳送區之間的介面 ,包括發光區的那個電洞傳送區和一個阻擋區之間的介面, 以及阻擋區和一個電子傳送區之間的介面中分別形成混合區 〇 具體地說,在形成膜厚度爲15nm的Cu-Pc而産生第一 功能區之後,同時蒸氣沉積Cu-Pc和α-NPD而産生膜厚度 | 爲5到10nm的第一混合區。然後形成膜厚度爲40nm的α NPD而産生第二功能區。此後同時蒸氣沉積〇: -NPD和CBP 而産生膜厚度爲5到lOnm的第二混合區,再形成膜厚度爲 25到40nm的CBP而産生第三功能區。此時,在形成第三 功能區的整個過程中或者是其中的一個預定時間段內同時蒸 氣沉積CBP和PtOEP,在整個第三功能區或是其一部分上 面産生第三混合區。産生的第三混合區的膜厚度是5到 40nm。此處需要注意到第三混合區具有發光特性。接著, 在依照5到lOnm膜厚度同時蒸氣沉積CBP和BCP而産生 第四混合區之後,形成膜厚度爲8nm的BCP以産生第四功 -31 - (28) 1317248 能區。進而同時蒸氣沉積BCP和Alq3以産生膜厚度爲5到 10nm的第五混合區。最後形成膜厚度爲25nm的Alq3,由 此就能産生第五功能區。這樣就形成了第一有機化合物膜。 在此處所說的情況是,六個蒸氣源中分別包括具有不同 功能的六種有機化合物,且蒸氣沉積這些有機化合物而形成 作爲第一有機化合物膜的有機化合物膜。然而,只要是使用 多種有機化合物,本發明並非僅限於這種情況。另外,一個 φ 蒸氣源不一定要包括一種有機化合物,還可以包括另一種有 機化合物。例如,除了包括作爲具有發光特性的有機化合物 的一種材料之外,一個蒸氣源還可以包括作爲摻雜物的一種 有機化合物。可以用已知的有機化合物材料形成這一有機化 .合物膜,它具有多種功能並且顯示紅色發光。 各個蒸氣源乃是製造成可以用一個微型控制器來控制膜 形成速度。這樣就能在一個膜中同時形成多種有機化合物的 時候最佳地控制其混合比例。 $ 而後’標號706代表一個對準室。在此間執行金屬掩模 的排列和基底在金屬掩模上的佈置,以便下一步將基底送入 膜形成室形成膜。它被稱爲對準室(B ) 7 0 6。注意,此排列 是依照圖4A和4B所示的方法來執行的。對準室(B) 706 包括一個排氣系統700d。用一個閘門(未示出)使對準室 (B) 706對膜形成室(A) 703密封地關閉。對準室(b) 706包括一個用閘門(未示出)密封關閉的清潔輔助室7 13c ,如同對準室(A ) 702的情況。 標號7〇7代表用蒸發方法形成第二有機化合物膜的一個 膜形成室。它被稱作膜形成室(B)。膜形成室(B) 707包 -32- (29) 1317248 括一個蒸發系統7〇〇e。用—個閘門(未示出)使膜形成室 (B ) 707對對準室(B ) 7〇6密封地關閉。膜形成室(B ) 7 07還包括一個用聞門(未示出)密封關閉的清潔輔助室 713d’如同膜形成室(a) 703的情況。 在本實施例中’爲膜形成室(B) 707提供的膜形成室 具有圖2A所示的結構’在其中形成顯示綠色發光的第二有 機化合物膜。使用的蒸氣源包括,包括具有電洞注入特性的 φ 有機化合物的第一蒸氣源’各自包括具有一種電洞傳送特性 的有機化合物的第二蒸氣源和第三蒸氣源,包括具有電洞傳 送特性的一種宿主材料的第四蒸氣源,包括具有發光特性的 有機化合物的第五蒸氣源,包括具有阻擋特性的有機化合物 的第六蒸氣源’以及包括具有電子傳送特性的有機化合物的 第七蒸氣源。 另外’在本實施例中,Cu-Pc被用做具有電洞注入特性 的有機化合物,它被包括在第一蒸氣源中。MTDΑΤΑ被用做 | 具有電洞傳送特性的有機化合物,它被包括在第二蒸氣源中 。另外,a -NPD被用做具有電洞傳送特性的有機化合物, 它被包括在第三蒸氣源中》CBP被用做具有電洞傳送特性的 宿主材料,它被包括在第四蒸氣源中。三(2-苯基砒啶)銥 (Ir ( ppy ) 3 )被用做具有發光特性的有機化合物,它被包 括在第五蒸氣源中。BCP被用做具有阻擋特性的有機化合物 ,它被包括在第六蒸氣源中。AIq3被用做具有電子傳送特性 的有機化合物,它被包括在第七蒸氣源中。 當這些有機化合物被依次蒸發時,就能在陽極上形成第 二有機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,電洞傳送特性 -33- (30) 1317248 ,發光特性,阻擋特性,及電子傳送特性等功能的區域。 同樣,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 形成一個混合區,同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和電洞傳送區之間的介面 ,該電洞傳送區和包括發光區的一個電洞傳送區之間的介面 ,包括發光區的那個電洞傳送區和一個阻擋區之間的介面, 以及阻擋區和一個電子傳送區之間的介面中分別形成混合區 〇 具體地說,在形成膜厚度爲l〇nm的Cu-Pc而産生第一 功能區之後,同時蒸氣沉積Cu-Pc和MTDATA而産生膜厚 度爲5到lOnm的第一混合區。然後形成膜厚度爲20nm的 MTDATA而産生第二功能區並且同時蒸氣沉積MTDATA和 a -NPD而産生膜厚度爲5到10nm的第二混合區。此後形 成膜厚度爲l〇nm的ct -NPD而産生第三功能區,並且同時 蒸氣沉積a -NPD和CBP而産生膜厚度爲5到10nm的第三 混合區。然後形成厚度爲20到40nm的CBP而産生第四功 能區。此時,在形成第四功能區的整個過程中或者是其中的 一個預定時間段內同時蒸氣沉積CBP和Ir ( ppy) 3,在整個 第四功能區或是其一部分上面産生第四混合區。産生.的第四 混合區的膜厚度是5到40nm。此處需要注意到第四混合區 具有發光特性。接著,在依照5到10nm膜厚度同時蒸氣沉 積CBP和BCP而産生第五混合區之後,形成膜厚度爲l〇nm 的BCP以産生第五功能區。進而同時蒸氣沉積BCP和Alq3 以産生膜厚度爲5到lOnm的第六混合區。最後形成膜厚度 爲40nm的Alq3,由此就能産生第六功能區。這樣就形成了 -34- (31) 1317248 第二有機化合物膜。 在此處所說的情況是,七個蒸氣源中分別包括具有不同 功能的有機化合物,並且蒸氣沉積這些有機化合物而形成作 爲第二有機化合物膜的有機化合物膜。然而,只要是使用多 種有機化合物,本發明並非僅限於這種情況。可以用已知的 有機化合物材料形成這一有機化合物膜,它具有多種功能並 且顯不綠色發光。 各個蒸氣源乃是製作成可以用一個微型控制器來控制膜 形成速度。這樣就能在一個膜中同時形成多種有機化合物的 時候最佳地控制其混合比例。 而後,標號708代表一個對準室。在此間執行金屬掩模 的排列和基底在金屬掩模上的佈置,以便下一步將基底送入 膜形成室形成膜。它被稱爲對準室(C ) 708。此排列是依照 圖4A和4B所示的方法來執行的。對準室(C) 708包括一 個排氣系統700f。用一個閘門(未示出)使對準室(C) 708對膜形成室(B ) 707密封地關閉。對準室(C ) 708包 括一個用閘門(未示出)密封關閉的清潔輔助室713e,如 同對準室(A ) 702的情況。 標號709代表用蒸發方法形成第三有機化合物膜的一個 膜形成室。它被稱作膜形成室(C)。膜形成室_(〇 709包 括一個排氣系統700g。用一個閘門(未示出)使膜形成室 (C) 709對對準室(C) 708密封地關閉。膜形成室(C) 709還包括一個用閘門(未示出)密封關閉的清潔輔助室 713f,如同膜形成室(a) 703的情況。 在本實施例中,爲膜形成室(C) 709提供的膜形成室 -35- (32) 1317248 具有圖2A所示的結構,在其中形成顯示藍色發光的第三有 機化合物膜。使用的蒸氣源包括,包括具有電洞注入特性的 有機化合物的第一蒸氣源,包括具有發光特性的有機化合物 的第二蒸氣源,包括具有阻擋特性的有機化合物的第三蒸氣 源,以及包括具有電子傳送特性的有機化合物的第四蒸氣源 〇 另外,在本實施例中,Cu-Pc被用做具有電洞注入特性 的有機化合物,它被包括在第一蒸氣源中。另外,a -NPD 被用做具有發光特性的有機化合物,它被包括在第二蒸氣源 中。BCP被用做具有阻擋特性的有機化合物,它被包括在第 三蒸氣源中。Alq3被用做具有電子傳送特性的有機化合物, 它被包括在第四蒸氣源中。 當這些有機化合物被依次蒸發時,就能在陽極上形成第 三有機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,發光特性,阻 擋特性,及電子傳送特性等功能的區域。 同樣,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 形成一個混合區,同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和發光區之間的介面,在 發光區和阻擋區之間的介面,以及阻擋區和一個電子傳送區 之間的介面中分別形成混合區。 具體地說,在形成膜厚度爲20nm的Cu-Pc而産生第一 功能區之後,同時蒸氣沉積Cu-Pc和α-NPD而産生膜厚度 爲5到10nm的第一混合區。然後形成膜厚度爲40nm的α -NPD而産生第二功能區並且同時蒸氣沉積a -NPD和BCP而 産生膜厚度爲5到1 Onm的第二混合區。此後形成膜厚度爲 -36- (33) 1317248 1 0 nm的B CP而産生第三功能區’並且同時蒸氣沉積b CP和 Alq3而産生膜厚度爲5到10nm的第三混合區。最後形成膜 厚度爲40nm的Alqs ’由此就能産生第四功能區。這樣就形 成了第三有機化合物膜。 在此處所說的情況是’四個蒸氣源中分別包括具有不同 功能的四種有機化合物,並且依次蒸氣沉積這些有機化合物 而形成作爲第三有機化合物膜的有機化合物膜。然而,只要 是使用多種有機化合物,本發明並非僅限於這種情況。另外 ,一個蒸氣源不一定要包括一種有機化合物,還可以包括多 種有機化合物。例如’除了包括作爲具有發光特性的有機化 合物的一種材料之外’一個蒸氣源還可以包括作爲摻雜物的 另一種有機化合物。可以用已知的有機化合物材料形成這一 有機化合物膜,它具有多種功能並且顯示藍色發光。 各個蒸氣源乃是製作成可以用一個微型控制器來控制膜 形成速度。這樣就能在一個膜中同時形成多種有機化合物的 時候最佳地控制其混合比例。 同樣,在本實施例所說明的情況下,在第一膜形成室的 膜形成室(A) 703中形成顯示紅色發光的有機化合物,在 第二膜形成室的膜形成室(B) 707中形成顯示綠色發光的 有機化合物,並在第三膜形成室的膜形成室(C) 709中形 成顯示藍色發光的有機化合物。然而,形成的次序並非僅限 於此,在膜形成室(A) 703,膜形成室(B) 707或膜形成 室(C) 709中可以形成任何一種顯示紅色發光的有機化合 物,顯示綠色發光的有機化合物,以及顯示藍色發光的有機 化合物。進而還可以提供另一個膜形成室用來形成顯示白色 -37- (34) 1317248 發光的有機化合物。 標號710代表用一種蒸發方法形成作爲發光元件的陽極 或陰極的一個導電膜的膜形成室(在本實施例中是作爲陰極 的金屬膜)。它被稱作膜形成室(D)。膜形成室(D) 710 包括一個排氣系統700h。用一個閘門(未示出)使膜形成 室(D) 710對膜形成室(C) 709密封地關閉。膜形成室( D) 7 1 0還包括一個用閘門(未示出)密封關閉的清潔輔助 φ 室713g’如同膜形成室(A) 703的情況。 在本實施例中,在膜形成室(D) 710中用蒸發方法形 成作爲導電膜的一個Al-Li合金膜(鋁和鋰的合金膜),用 做發光兀件的陰極。注意到在此時可以同時蒸氣沉積屬於元 素周期表中第1族或第2族的元素和鋁。 另外,在膜形成室(A ) 703,膜形成室(B ) 707,膜 形成室(C) 709和膜形成室(D) 710中都設有用來加熱各 膜形成室內部的裝置。這樣就能清除膜形成室內的一部分雜 質。 另外’作爲各膜形成室中包括的排氣系統可以採用乾燥 泵’機器增壓泵,(磁懸浮式)渦輪分子泵,低溫泵等等。 在本實施例中選用了一個低溫泵和一個乾燥泵。 還要用排氣泵降低各膜形成室(A) 703,膜形成室(B )7〇7’膜形成室(C) 70 9和膜形成室(D) 710中的壓力 。此時需要達到的真空度在1 〇'6Pa以上。例如,如果採用 排氣速度爲1 00001/s ( H20 )的低溫泵,膜形成室內部的表 面面積是10m2,最好是採用鋁材料來製作膜形成室的內部 ,其20小時的滲透率在4.1xl(T7Pa.m3· s·1以下。爲了 -38- (35) 1317248 獲得這樣的真空度,藉由電解抛光來縮小膜形成室內部的表 面面積是一種有效的方法。 此處還可以提供一個CVD室來形成作爲發光元件的保 護膜(被動膜)的一層絕緣膜,例如是氮化砂膜,氮氧化砂 膜或者是DLC膜。在提供這一 CVD室的情況下,最好是預 先設置一個氣體淨化裝置來提高在CVD室中使用的材料的 純淨度。 標號7Π代表一個密封室,它包括一個排氣系統700i。 用一個閘門(未示出)使密封室711對膜形成室(D) 710 密封關閉。注意到密封室711處在真空狀態。在各自具有已 經形成了陰極的一個發光元件的多個基底被傳送到密封室時 ’就關閉閘門’用一種惰性氣體(氮氣,氦,氬等等)使密 封室7 11達到一個大氣壓的狀態,最後在密閉空間中執行對 發光元件的密封處理。在密封室711中設有一個傳送機構( 未示出),這樣就能從膜形成室(D) 710中卸載。此處的. 密封處理是爲了給形成的發光元件提供對氧氣和濕氣的防護 ’並且意味著在這一工序中採用一個蓋構件執行機械密封, 或者是用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂來密封。 在密封室中也預先提供一個蓋構件。蓋構件可以採用玻 璃,陶瓷’塑膠或者是金屬。然而,如果光是向蓋構件一側 發射的,就要求蓋構件是透明的。使用熱固化樹脂,紫外線 固化樹脂等等製成的一個密封件將蓋構件粘接到上面已經形 成了發光元件的基底上,然後用熱處理或紫外線光照射處理 使樹脂凝固,形成密閉的空間。還可以在密閉空間中提供用 氧化鋇製成的濕氣吸附劑。在上面形成了發光元件的基底和 -39- (36) 1317248 蓋構件之間的粘接是在用連接到CCD相機的一個排列機構 對準之後執行的。另外還設有一個機構用來自動處理密封劑 和添加的濕氣吸附劑的施加。 另外,在蓋構件和上面形成了發光元件的基底之間可以 塡充一種熱固化樹脂或紫外線固化樹脂。在這種情況下,在 熱固化樹脂或紫外線固化樹脂中添加一種用氧化鋇製成的濕 氣吸附劑是有效的。 在圖7所示的膜形成裝置中,在密封室711的內部設有 一個用來照射紫外線的機構(以下稱爲紫外線照射機構), 並且用紫外線照射機構發出的紫外線使紫外線固化樹脂固化 〇 最後’標號712代表一個卸載室,它包括一個排氣系統 7 00j。從這一室中取出在上面形成了蓋構件的基底。 另外在圖8A和8B中表示了在本實施例的膜形成裝置 所包括的一個膜形成室中提供了可以交換有機化合物的功能 的情況,而在圖8C中表示了密封室711的具體結構。 在圖8A中’一個基底8〇2被設置在膜形成室801中。 用於在基底上形成有機化合物膜的有機化合物被包括在蒸氣 源8〇3中。注意到此處的蒸氣源8〇3被包括在—個材料交換 室8〇4中,通過一個閘門805將其與基底所處的膜形成室 801隔開。在本實施例中,當閘門805關閉時,參考交換室 8〇4與膜形成室801被隔開。處在真空狀態的材料交換室 804的內部壓力被排氣系統806恢復到一個大氣壓,然後如 圖8A所示拖動材料交換室8〇4。這樣就能向材料交換室8〇4 的蒸氣源中添加或是交換有機化合物。 -40- (37) 1317248 然後,在完成了有機化合物的添加或交換之後,使材料^ 交換室8 04回到其如圖8B所示的原始位置。然後,當排_ 系統806使其內部達到真空狀態並且達到與膜形成室等壓的 狀態時,打開閘門805,讓來自蒸氣源802的蒸氣到達基底 802 » 在材料交換室804中設有用來加熱交換和材料的—個力口 熱器。如果材料被預先加熱,就能除去諸如水等等雜質。& 時的加熱溫度最好在200°C以下。 如圖8C所示,在密封室711中還包括多個處理機構。 密封用的多個蓋構件被設置在一個儲存位置811。用—jg胃 送機構(A) 812從膜形成室(D) 710中傳送等待密封處理 的基底,並且臨時儲存在一個儲存位置813。 當儲存位置813儲存了預定數量的基底時,閘門使密封 室形成一個密閉空間,然後用一種惰性氣體(氮氣,氨,氣 等等)使其達到一個大氣壓的狀態。 當密封室達到一個大氣壓的狀態時,一個接一個地處理 基底。首先用一個傳送機構(A) 812將基底從儲存位置813 傳送到一個對準機構8 I 4。此時在基底上設置密封劑和濕氣 吸附劑。然後用一個傳送機構(B ) 8 1 5將蓋構件從儲存位 置811傳送到對準機構814並且粘接到基底上。 然後從一個紫外線照射機構(未示出)照射紫外線,從 而完成基底的密封。在密封完成之後用一個傳送機構(C) 816將基底傳送到卸載室712並取出。 如上所述,在採用圖7 (或圖8A到8C )所示的膜形成 裝置時’一直到發光元件被完全密封成密閉空間爲止,發光 -41 - (38) 1317248 元件都不會暴露於外部空氣。這樣就能製成具有高度可靠性 的發光元件。 〔實施例2〕 以下用圖9A和9B來說明本發明的一種膜形成裝置。 在圖9A中,標號901代表一個傳送室。在傳送室901中包 括一個用來傳送基底903的傳送機構(A) 902。傳送室901 被保持在低大氣壓,並且通過閘門連接到各個處理室。在閘 門打開時由傳送機構(A) 902向各處理室往復傳送基底。 爲了降低傳送室90 1的壓力,可以使用一個排氣系統,例如 是乾燥泵,機器增壓泵,(磁懸浮式)渦輪分子栗或者是一 個低溫泵。低溫泵對.於清除水等等是最有效的,並且能和一 個乾燥泵一起使用。 以下說明各個處理室。應該注意到,因爲傳送室901處 在減壓狀態,在直接連接到傳送室901的所有處理室中都設 有排氣栗(未示出)。排氣泵可以採用上述的乾燥栗,機器 增壓泵,(磁懸浮式)渦輪分子泵或者是低溫泵。這其中低 溫泵最適合和一個乾燥泵一起使用。 標號904代表用於設置(定位)一個基底的裝載室。裝 載室904通過閘門900a和用來安置基底的一個托架(未示 出)連接到傳送室901 »注意到裝載室904還被當成一個傳 送室,用來向密封室傳送已經完全形成了一個元件的基底。 裝載室904可以包括彼此隔離的一個基底裝載間和一個基底 卸載間。裝載室904還可以包括上述的排氣泵和一條用於引 入高純度氮氣或惰性氣體的淨化線路。低溫泵最適合作爲排 -42- (39) 1317248 氣泵。另外,淨化線路中包括一個氣體淨化裝置,這樣就能 預先清除引入該裝置的氣體中的雜質(氧氣和水)。 値得注意的是,在本實施例中是將在上面已經形成了作 爲發光元件陽極的透明導電膜的一種基底用做基底903。在 本實施例中,基底90 3被設置在托架中,使準備形成膜的那 個表面朝下,變成在此後易於用一種蒸發方法執行膜形成的 面向下的方式(也稱爲向上沉積方式)。面向下的方式是在 φ 基底上準備形成膜的那一面朝下的狀態下執行膜形成的一種 方法。依照這種方法就能夠減少塵埃的吸附。 標號905代表用來排列金屬掩模的一個對準室,並且在 上面已經形成了發光元件的陽極或陰極(在本實施例中是陽 極)的基底和金屬掩模之間對準。對準室905通過閘門 9 0 0b連接到傳送室901。値得注意的是,每當形成一種不同 的有機化合物膜時,金屬掩模的排列和基底與金屬掩模之間 的排列是在對準室中執行的。另外,如果在對準室905中設 $ 置可作爲影像感測器的CCD (電荷耦合裝置),在採用金屬 掩模形成膜的過程中可以高精度地執行基底和金屬掩模之間 的排列。金屬掩模的排列最好是採用圖4A和4B所示的方 法來執行。 另外有一個清潔輔助室922a連接到對準室905。清潔 輔助室922a的結構如圖9B所示。設有用來發生波的一 個从-波發生器931,所産生的波通過一個波導管932發 射到一個電漿排放管933。此處採用的波產生器931能發 出2.45GHz的//-波。還要從一個氣體導管934向電漿排放 管93 3提供反應氣體。此處將NF3作爲反應氣體。也可以採 -43- (40) 1317248 用諸如cf4或C1F3等反應氣體。 反應氣體在電漿排放管933中被μ-波分解後産生一種 原子團。原子團藉由氣體導管934被引入通過一個閘門(未 示出)與其連接的對準室905。最好在電漿排放管93 3中設 置一個反射板9 3 5來有效地提供y -波。 然後將上面沉積了一個有機化合物膜的金屬掩模設置在 對準室905中。當設在清潔輔助室922a和對準室905之間 φ 的一個閘門(未示出)打開時,原子團就能被引入對準室 905。這樣就能清潔金屬掩模。 在使用-波電漿時,可以高效地將反應氣體變成原子 團狀態。這樣就能降低産生雜質等副産品的可能性。另外, 由於.這種機制不同於通常産生原子團的情況,産生的原子團 不會被加速。另外,由於在膜形成室中不會産生原子團,能 夠防止電槳對膜形成室的內部和金屬掩模的損害。 應該注意到,採用這種方法來清潔對準室只是一種最佳 $ 方式’而本發明並非僅限於這種方法。用這種方法將反應氣 體引入膜形成室中産生電漿,這樣就能執行乾燥的清潔。進 而引入A r等等氣體,這樣就能藉由濺射執行一種物理清潔 方法。 標號906代表用蒸氣方法形成一個有機化合物膜的膜形 成室’它被稱作膜形成室(A)。膜形成室(a) 906通過一 個閘門900c連接到傳送室901。在本實施例中採用具有圖 2A和2B所示結構的膜形成室作爲膜形成室(a) 90 6。 在本實施例中,在膜形成室(A) 906內部的一個膜形 成部位907中形成用於紅色發光的第一有機化合物膜。膜形 -44 - (41) 1317248 成室(A) 906包括多個蒸氣源,具體地說就是包括具有電 洞注入特性的有機化合物的第一蒸氣源,包括具有電洞傳送 特性的有機化合物的第二蒸氣源,包括作爲具有發光特性的 有機化合物的宿主的一種具有電洞傳送特性的有機化合物的 第三蒸氣源,包括具有發光特性的一種有機化合物的第四蒸 氣源’包括具有阻擋特性的一種有機化合物的第五蒸氣源, 以及包括具有電子傳送特性的一種有機化合物的第六蒸氣源 〇 如果依次蒸氣沉積這些有機化合物,就能在陽極上形成 一個有機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,電洞傳送特 性,發光特性,阻擋特性,及電子傳送特性等功能的區域。 同樣,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 形成一個混合區,同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和電洞傳送區之間的介面 ’電洞傳送區和包括一個發光區的電洞傳送區之間的介面, 在包括發光區的電洞傳送區和阻擋區之間的介面,以及阻擋 區和一個電子傳送區之間的介面中分別形成混合區。 在此處所說的情況是,在六個蒸氣源中分別包括六種有 機化合物,並且蒸氣沉積這些有機化合物而形成作爲第一有 機化合物膜的有機化合物膜。然而,只要是使用多種有機化 合物,本發明並非僅限於這種情況。另外,一個蒸氣源不一 定要包括一種有機化合物,還可以包括另一種有機化合物。 例如,除了包括作爲具有發光特性的有機化合物的一種材料 之外,一個蒸氣源還可以包括能夠作爲摻雜物的一種有機化 合物。在實施例1中所述的有機化合物可以被用做形成具有 -45- (42) 1317248 多種功能的有機化合物膜的有機化合物,並且顯示紅色發光 。也可以採用已知材料的自由組合。 膜形成室(A) 906通過一個閘門900g連接到一個材料 交換室914。注意在材料交換室914中設有一個加熱器,用 來加熱被交換的有機化合物。如果預先加熱有機化合物,就 能清除諸如水等雜質。此時的加熱溫度最好在200°C以下。 在材料交換室91 4中包括能夠使其內部形成減壓狀態的一個 φ 排氣泵。這樣,在從外部添加或是交換有機化合物並執行熱 處理之後,就能在其內部形成減壓狀態。然後,當材料交換 室達到與膜形成室等壓的狀態時,打開閘門900g。這樣就 能將有機化合物放置在膜形成室內部的蒸氣源中。應該注意 到,有機化合物是由傳送機構等等放置到膜形成室的蒸氣源 中。 關於在膜形成室(A) 906中的膜形成過程可以參見圖 2A和2B的說明。 $ —個清潔輔助室922b通過閘門(未示出)連接到膜形 成室(A) 906,如同對準室905的情況一樣。清潔輔助室 922b的具體結構和清潔輔助室922a相同。當清潔輔助室 922b中産生的原子團被引入膜形成室(a ) 906時 ',就能清 除沉積在膜形成室(A) 906內部的有機化合物等等。 標號908代表用蒸發方法形成第二有機化合物膜的一個 膜形成室,被稱作膜形成室(B)。膜形成室(B) 908通過 一個閘門900d連接到傳送室901。在本實施例中採用具有 圖2A和2B所示結構的膜形成室作爲膜形成室(b ) 908。 在本實施例中’在膜形成室(B ) 908內部的一個膜形成部 -46- (43) 1317248 位909中形成用於綠色發光的一個有機化合物膜。 膜形成室(B ) 908包括多個蒸氣源,具體地說就是包 括具有電洞注入特性的有機化合物的第一蒸氣源,各自包括 具有一種電洞傳送特性的有機化合物的第二蒸氣源和第三蒸 氣源’包括具有電洞傳送特性的一種宿主材料的第四蒸氣源 ,包括具有發光特性的有機化合物的第五蒸氣源,包括具有 阻擋特性的有機化合物的第六蒸氣源,以及包括具有電子傳 送特性的有機化合物的第七蒸氣源。 如果依次蒸氣沉積這些有機化合物,就能在陽極上形成 第二有機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,電洞傳送特 性’發光特性’阻擋特性,及電子傳送特性等功能的區域。 同樣,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 形成一個混合區’同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和電洞傳送區之間的介面 ’該電洞傳送區和包括發光區的一個電洞傳送區之間的介面 ,包括發光區的那個電洞傳送區和一個阻擋區之間的介面, 以及阻擋區和一個電子傳送區之間的介面中分別形成混合區 〇 在此處所說的情況是,在七個蒸氣源中分別包括七種有 機化合物’並且依次蒸氣沉積這些有機化合物而形成作爲上 述第二有機化合物膜的有機化合物膜。然而,本發明並非僅 限於上述情況,並且最好是採用多種有機化合物。另外,一 個蒸氣源不一定要包括一種有機化合物,還可以包括多種有 機化合物。例如,除了包括作爲具有發光特性的有機化合物 的一種材料之外,一個蒸氣源還可以包括能夠作爲摻雜物的 -47- (44) 1317248 另一種有機化合物。在實施例1中所述的有機化合物可以被 用做形成具有多種功能的有機化合物膜的有機化合物,並且 顯示綠色發光。也可以採用已知材料的自由組合。 另外,膜形成室(B ) 9〇8通過一個閘門900h連接到一 個材料交換室915。注意在材料交換室915中設有一個加熱 器’用來加熱被交換的有機化合物。如果預先加熱有機化合 物,就能清除諸如水等雜質。此時的加熱溫度最好在200t φ 以下。在材料交換室915中包括能夠使其內部形成減壓狀態 的一個排氣泵。這樣,在從外部添加或是交換有機化合物並 執行熱處理之後,就能在其內部形成減壓狀態。然後,當材 料交換室達到與膜形成室等壓的狀態時,打開閘門900h。 這樣就能將有機化合物放置在膜形成室內部的蒸氣源中。應 該注意到,有機化合物是由傳送機構等等放置到膜形成室的 蒸氣源中。 關於在膜形成室(B) 90 8中的膜形成過程可以參見圖 $ 2A和2B的說明。 一個清潔輔助室922c通過閘門(未示出)連接到膜形 成室(B ) 908,如同對準室905的情況一樣。清潔輔助室 922c的具體結構和清潔輔助室922a相同。當清潔輔助室 922c中産生的原子團被引入膜形成室(B ) 908時,就能清 除沉積在膜形成室(B ) 908內部的有機化合物等等。 標號910代表用蒸發方法形成第三有機化合物膜的一個 膜形成室,被稱作膜形成室(C)。膜形成室(C) 910通過 —個閘門900e連接到傳送室901。在本實施例中採用具有 圖2A和2B所示結構的膜形成室作爲膜形成室(C) 910。 -48- (45) 1317248 在本實施例中,在膜形成室(C) 910內部的一個膜形成部 位911中形成用於藍色發光的一個有機化合物膜。 在膜形成室(C) 910內部設置有多個蒸氣源,具體地 說就是包括具有電洞注入特性的有機化合物的第一蒸氣源, 包括具有發光特性的有機化合物的第二蒸氣源,包括具有阻 擋特性的有機化合物的第三蒸氣源,以及包括具有電子傳送 特性的有機化合物的第四蒸氣源。 如果依次蒸氣沉積這些有機化合物,就能在陽極上形成 有機化合物膜,它包括具有電洞注入特性,發光特性,阻擋 特性,及電子傳送特性等功能的區域。 同樣,在本實施例中,爲了在不同功能區之間的介面中 形成一個混合區,同時蒸氣沉積用來形成兩個相鄰功能區的 有機化合物。也就是在電洞注入區和發光區之間的介面,發 光區和阻擋區之間的介面,以及阻擋區和一個電子傳送區之 間的介面中分別形成混合區。 在此處所說的情況是,在四個蒸氣源中分別包括具有不 同功能的四種有機化合物,並且依次蒸氣沉積這些有機化合 物而形成作爲上述第三有機化合物膜的有機化合物膜。然而 ’只要是採用多種有機化合物,本發明並非僅限於上述情況 。另外,一個蒸氣源不一定要包括一種有機化合物,還可以 包括多種有機化合物。例如,除了包括作爲具有發光特性的 有機化合物的一種材料之外,一個蒸氣源還可以包括能夠作 爲摻雜物的另一種有機化合物。在實施例1中所述的有機化 合物可以被用做形成具有多種功能的有機化合物膜的有機化 合物’並且顯示藍色發光。也可以採用已知材料的自由組合 -49- (46) 1317248 膜形成室(C) 910通過一個閘門900i連接到~個材料 交換室916。注意在材料交換室916中設有一個加熱器,用 來加熱被交換的有機化合物。如果預先加熱有機化合物,就 能清除諸如水等雜質。此時的加熱溫度最好在200°C以下。 在材料交換室916中包括能夠使其內部形成減壓狀態的一個 排氣泵。這樣,在從外部添加或是交換有機化合物並執行熱 處理之後,就能在其內部形成減壓狀態。然後,當材料交換 室達到與膜形成室等壓的狀態時,打開閘門900i。這樣就能 將有機化合物放置在膜形成室內部的蒸氣源中。應該注意到 ,有機化合物是由傳送機構等等放置到膜形成室的蒸氣源中 〇 關於在膜形成室(C) 910中的膜形成過程可以參見圖 2 A和2 B的說明。 一個清潔輔助室922d通過閘門(未示出)連接到膜形 成室(C) 910,如同對準室905的情況一樣。清潔輔助室 922d的具體結構和清潔輔助室922a相同。當清潔輔助室 922d中産生的原子團被引入膜形成室(C) 910時,就能清 除沉積在膜形成室(C) 910內部的有機化合物等等。 標號912代表用一種蒸發方法形成作爲發光元件的陽極 或陰極的一個導電膜的膜形成室(在本實施例中是作爲陰極 的金屬膜),它被稱作膜形成室(D)。膜形成室(d) 912 通過一個閘門900f連接到傳送室901。在本實施例中,在膜 形成室(D) 912的膜形成部位913中形成作爲導電膜的— 個Al-Li合金膜(鋁和鋰的合金膜),用做發光元件的陰極 -50- (47) 1317248 。注意到在此時可以同時蒸氣沉積屬於元素周期表中第1 g 或第2族的元素和鋁。共同蒸發是這樣一種蒸發方法,同胃 加熱各蒸氣源,在一個膜形成階段中混合不同的材料。 膜形成室(D) 912通過一個閘門900j連接到—個材料 交換室917。注意在材料交換室917中設有一個加熱器,用 來加熱被交換的導電材料。如果預先加熱導電材料,就tg胃 除諸如水等雜質。此時的加熱溫度最好在200°C以下。.在材 φ 料交換室9 1 7中包括能夠使其內部形成減壓狀態的一個排氣 泵。這樣,在從外部引入導電材料之後,就能在其內部形成 減壓狀態。然後,當材料交換室達到與膜形成室內部等壓的 狀態時,打開閘門900j。這樣就能將導電材料放置在膜形成 室內部的蒸氣源中。 一個清潔輔助室922e通過閘門(未示出)連接到膜形 成室(D ) 912,如同對準室905的情況一樣。清潔輔助室 922e的具體結構和清潔輔助室922a相同。當清潔輔助室 ^ 922e中産生的原子團被引入膜形成室(D) 912時,就能清 除沉積在膜形成室(D) 912內部的導電材料等等。 在膜形成室(A) 906,膜形成室(B) 908,膜形成室 (C) 910和膜形成室(D) 912中都設有用來加熱各膜形成 室內部的裝置。這樣就能清除膜形成室內諸如水等等的雜質 〇 另外,作爲上述各膜形成室中包括的排氣泵可以採用乾 燥泵,機器增壓泵,(磁懸浮式)渦輪分子泵,低溫泵等等 。在本實施例中選用了一個低溫泵和一個乾燥泵。
還要用排氣泵降低各膜形成室(A) 906,膜形成室(B -51 - (48) 1317248 )908,膜形成室(C) 910和膜形成室(D) 912中的壓力 。此時需要達到的真空度在l(T6Pa以上。例如,如果採用 排氣速度爲360001/s ( H2〇 )的低溫泵,膜形成室內部的表 面面積是1.5m2’最好是採用諸如8-18不绣鋼材料來製作膜 形成室的內部,其滲透率在9.3xl0_7Pa.m3· s-i以下。爲 了獲得這樣的真空度,藉由電解抛光來縮小膜形成室內部,的 表面面積是一種有效的方法,因爲這樣能減少氧氣或水導等 φ 雜質的吸附。 另外,對內壁表面採用藉由電解抛光進行鏡面抛光的鋁 等的材料。另外還要使用由經過加工具有極少微孔的諸如陶 瓷製成的一個內部件。這些材料具有一定的表面粗糙度,其 平均表面粗糙度在5nm以下(最好是3nm.以下)。此處所 述平均表面粗糙度是指如依照JIS B0601規定的中心線平均 粗糙度般的粗糙度是三維延伸的,適用於整個表面。 另外還有一種用易於和一氣體發生反應的材料在膜形成 φ 室的內壁上形成一個活性表面的方法。在這種情況下可以使 用 Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Mo,W,La,Ba 等材料。 標號9 1 8代表一個密封室(也被稱作塡充室或乾燥箱) ,它通過一個閘門900 k連接到裝載室904。最後在密閉空 間中執行對發光元件的密封處理。在密封室918中執行在密 閉空間中最終封裝發光元件的處理。這種處理是爲了給形成 的發光元件提供對氧氣和濕氣的防護。採用用一個蓋構件執 行機械密封的裝置’或者是用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂 來密封。 蓋構件可以採用玻璃,陶瓷,塑膠或者是金屬。然而, -52- (49) 1317248 如果光是向蓋構件一側發射的,就要求蓋構件是透明的。使 用熱固化樹脂’紫外線固化樹脂等製成的密封劑將蓋構件粘 接到上面已經形成了發光元件的基底上,然後用熱處理或紫 外線光照射處理使樹脂凝固,形成密閉的空間。還可以在密 閉空間中提供用氧化鋇製成的濕氣吸附劑。 在蓋構件和上面形成了發光元件的基底之間的空間中可 以塡充熱固化樹脂或紫外線固化樹脂。在這種情況下,在熱 φ 固化樹脂或紫外線固化樹脂中添加一種用氧化鋇製成的濕氣 吸附劑是有效的。 在圖9A和9B所示的膜形成裝置中,設有一個用來向 密封室9 1 8內部照射紫外線光的機構9 1 9 (以下稱爲紫外線 光照射機構),並且用紫外線光照射機構919發出的紫外線 光使紫外線光固化樹脂固化。進而,可以附帶用一個排氣泵 使密封室9 1 8的內部達到一種減壓狀態。如果上述密封步驟 是在減壓狀態下由機器人操作的機械方式來執行的,就能防 I 止混入氧氣和濕氣。具體地說,氧氣和水的理想濃度在 0.3pPm以下。另一方面可以使密封室918的內部達到一種 減壓狀態。在這種情況下,用一種高純度氮氣或惰性氣體執 行淨化,形成一種加壓狀態。這樣就能防止從外部吸入氧氣 等。 接著有一個傳送室(傳送箱)92 0連接到密封室918上 。在傳送室920中設有一個傳送機構(B) 921,並且將在密 封室918中完成了對發光元件的密封的基底傳送到傳送室 920。傳送室920也可以藉由附帶一個排氣泵而達到減壓狀 態。傳送室92 0是一個輔助裝置,使密封室918不會直接暴 -53- (50) 1317248 露於外部空氣,並且能從其中取出基底。另外還可以提供一 個零件供應室(未示出),用來提供在密封室中使用的零件 〇 應該注意到,儘管在本實施例中沒有表示,在形成發光 元件之後,可以在發光元件上形成一種含矽的化合物,例如 是氮化矽或氧化矽,或者是一種絕緣膜,其中有一個含碳的 DLC (金剛石狀碳)膜層疊在化合物上面。DLC (金剛石狀 碳)膜是一種非晶體膜,其中的金剛石鍵(sp3鍵)和石墨 鍵(SP2鍵)是混合的。在這種情況下最好是提供一種包括 CVD (化學蒸氣沉積)裝置的膜形成裝置,在其中藉由自偏 置産生電漿,並且藉由原料氣體的電漿釋放分解而形成膜。 在包括CVD (化學蒸氣沉積)裝置的膜形成裝置中可 以使用氧(〇2 ),氫(H2 ),甲烷(CH4 ),氨(NH3 )或 者是矽烷(SiH4 )。最好再使用一個具有平行板電極和 13.56MHz的RF電源的CVD裝置。 再者,可以提供一個膜形成室,用一種濺射方法(也被 稱作噴射方法)來執行膜形成,這是因爲,如果是在發光元 件的陰極上形成有機化合物膜之後再形成陽極,用濺射形成 膜是有效的。也就是說這種方法在圖素電極是陰極的情況下 是有效的》如果膜形成室的內部在膜形成時處於在氧氣中添 加氬氣的環境中,就能控制形成的膜中的氧濃度,這樣就能 形成具有高透明度和低電阻的膜。和其他膜形成室的情況一 樣,這種膜形成室也應該用閘門與傳送室隔離。 在執行濺射的膜形成室中,可以提供一個機構用來控制 要在上面形成膜的一個基底的溫度。基底應該保持在20到 -54- (51) 1317248 1 50 °C。膜形成室中所包括的排氣泵可以使用乾燥泵,機器 增壓泵’(磁懸浮式)渦輪分子泵,低溫泵等等。在本實施 例中是採用低溫泵和乾燥泵。 如上所述,在使用圖9A和9B所示的膜形成裝置時, 發光元件完全被封閉在密閉空間中,不會暴露於外部空氣。 這樣就能製成具有高可靠性的發光元件。 〔實施例3〕 在本實施例中要參照圖10A和10B說明一種膜形成裝 置,其中的基底傳送方法和膜形成室的結構和實施例1所述 的同軸式膜形成裝置都是不同的。 在圖10A和10B中,設置在一個裝載室1〇〇〇內的基底 1 0 04通過與其連接的閘門(未示出)被傳送到第一對準單 元1001。注意到基底1004是依照圖5A到5 E所示的方法 排列的,並且和一個金屬掩模1 0 03 —起被夾持在一個支架 1002 中 ° 然後將基底1004和支架1002 —起傳送到第一膜形成單 元1 005。爲了産生同一個空間,第一對準單元1〇〇1連接到 第一膜形成單元1 005,沒有閘門。在本實施例中提供的手 段是能夠在第一對準單元1001和第一膜形成單元1 005之間 自由移動支架1002的軌道1012,支架10 02在軌道1012上 移動,並且執行各種處理。在排列和膜形成時的處理位置是 由支架1 002所包括的一個控制機構來控制的。 然後在第一膜形成單元1 005中用各自包括不同有機化 合物的多個蒸氣源1 006執行蒸發,形成第一有機化合物膜 -55- (52) 1317248 。値得注意的是’爲了形成第二有機化合物膜,在支架被傳 送到第二對準單元1 007和第二膜形成單元1〇〇8的情況下也 要使用上述的移動裝置。 另外’在形成第三有機化合物膜時,支架按同樣的方式 被傳送到第三對準單元1009和第三膜形成單元1010。 如上所述,在本實施例中,在同一空間內可以形成三種 有機化合物膜。第三膜形成單元1010通過一個閘門(未示 φ 出)連接到一個卸載室1011,並且在膜形成之後可以取出 基底。 應該注意到,在本實施例中,在對準單元和膜形成單元 中的處理方法最好是經歷在實施例1的對準室和膜形成室中 的處理過程。. 另外,在本實施例中,如果在對準單元和膜形成單元之 間提供一個隔離壁,並且不妨礙基底的傳送,就能防止在膜 形成時從蒸氣源流出的有機化合物流到膜形成單元以外的各 I 單元(對準單元和其他膜形成單元)。 另外,即使是在本實施例的膜形成裝置的情況下也應提 供一個清潔輔助室1013來清潔膜形成室的內部和金屬掩模 〇 如果用上述的膜形成裝置在同一空間內形成多個有機化 合物膜,在形成不同的有機化合物膜的過程中比較容易移動 。這樣就能縮短處理時間。 另外,依照本實施例所說明的膜形成裝置,蒸發是在膜 形成室中連續執行的,這樣就能在上面已經形成了發光已經 的陽極或陰極的基底上形成各自包括多種功能的三種有機化 -56- (53) 1317248 合物膜。還提供了用來形成一個導電膜的膜形成室,以便連 續執行發光元件的陰極或陽極的形成。應該注意到,除了 Al-Li合金膜(銘和鋰的合金膜)之外,在需要形成陰極的 情況下,可以同時蒸氣沉積屬於元素周期表中第1族或第2 族的元素和鋁作爲導電膜。另外,如果要形成陽極,最好是 採用氧化銦,氧化錫,氧化鋅或是其化合物.(ITO等等)。 另外還可以提供一個用來密封製成的發光元件的密封室. 〇 在本實施例的膜形成裝置中還可以安裝在實施例1或2 中所述的排氣泵。爲了保持膜形成室內的壓力穩定,最好是 提供各自具有同一類和相同的蒸發容量的單個栗或是多個泵 〔實施例4〕 在本實施例中要說明用本發明的膜形成裝置製成的一種 發光裝置。圖11是一個主動矩陣發光裝置的截面圖。値得 注意的是,儘管在此處使用了 一個薄膜電晶體(以下稱爲“ TFT” )作爲主動元件,也可以採用MOS電晶體。 另外,圖中的TFT是一個頂部閘極TFT (也就是平面 TFT)。然而也可以採用底部閘極TFT (典型的是一個反向 排列TFT)。 在圖11中,標號1101代表一個基底。此處採用一個能 發射可見光的基底。具體地說最好是採用玻璃基底,石英基 底,結晶玻璃基底,或者是塑膠基底(包括塑膠膜)。注意 到基底1101的表面上包括一個絕緣膜。 -57- (54) 1317248 在基底1101上設有圖素部分ιηι和一個驅動電路 1112。首先來說明圖素部分lnl。 圖素部分1111是用於影像顯示的一個區域。在基底上 有多個圖素。在每個圖素中設有用來控制流一入發光元件的電 流的一個TFT (以下稱爲“電流控制TFT” )1102,一個圖 素電極(陽極)1103’ 一個有機化合物膜11〇4,和一個陰 極Π 05。注意到標號u丨3代表用來控制施加到電流控制 φ TFT的閘極上的電壓的一個TFT (以下稱爲“開關TFT” ) 〇 此處的電流控制TFT1102最好是採用p-通道TFT。儘 管也可以採用η·通道TFT,在電流控制TFT如圖1 1所示被 連接到發光元件的陽極的情況下,採用p-通道TFT可以更 加有效地降低功率消耗。注意到開關TFT 1 1 1 3可以是η-通 道TFT或者是ρ-通道TFT。 另外’圖素電極1103用電路連接到電流控制TFT 1102 | 的汲極。在本實施例中,圖素電極Π03所使用的材料是工 作電壓在4.5到5.5eV的導電材料。這樣,圖素電極1103 就能作爲發光元件的陽極。對於典型的圖素電極1 1 〇 3最好 是採用氧化銦,氧化錫,氧化鋅或是其化合物(ITO等等) 。有機化合物膜1104被設在圖素電極1103上面。 進而在有機化合物膜11 0.4上面設有一個陰極1105。陰 極1105所使用的理想材料是工作電壓在2.5到3.5 eV的導 電材料。對於典型的陰極1105最好是採用包括鹼金屬元素 或鹼土金屬元素的導電膜,包括鋁的導電膜,或者是在導電 膜上層疊鋁,銀等等獲得的一種膜。 -58- (55) 1317248 另外,發光元件1114是由圖素電極1103,有機化合物 膜1104,和覆蓋著一層保護膜1106的陰極1105組成的。 用保護膜1106爲發光元件1114提供對氧氣和水的防護。保 護膜1 1 〇6的材料採用氮化矽,氮氧化矽,氧化鋁,氧化鉬 或者是碳(特別是金剛石狀碳)。 接著要說明驅動電路1112。驅動電路1112是用來控制 發射給圖素部分1 1 U的訊號(選通訊號和資料訊號)時間 φ 的一個區域,並且在其中設有移位暫存器,緩衝器,閂鎖器 ,類比開關(傳送閘)或者是一個位準移位器。在圖11中 用η-通道TFT1107和p-通道TFT1108組成的一個CMOS電 路表示這些電路的一個基本單元。 注意到移位暫存器,緩衝器,閂鎖器,類比開關(傳送 閘)或者是位準移位器的電路結構可以採用公知的結構。另: 外,在圖11中,圖素部分1111和驅動電路1112被設在同 一個基底上。然而,可以用電路將一個1C或是.LSI連接到 φ 圖素部分,而不用提供驅動電路1112。 另外,在圖Π中,圖素電極(陽極)1103用電路連接 到電流控制TFT1 102。然而也可以採用將陰極連接到電流控 制TFT的結構。在這種情況下最好是用和陰極11〇5相同的 材料製作圖素電極03,並且最好是用和圖素電極Π 03 ( 陽極)相同的材料來製作陰極1105。這種情況下的電流控 制TFT最好是一個η-通道TFT。 另外,在本實施例中提供了一種由接線U09和一個絕 緣部分1110組成的帶頂蓋的形狀(以下稱爲頂蓋結構)。 如圖1 1所示,可以這樣來形成由接線1 1 0 9和絕緣部分 -59- (56) 1317248 1 11 〇組成的頂蓋結構’將組成接線11 〇 9的金屬和用來組成 絕緣部分111 〇並且蝕刻速度比金屬要慢的一種材料(例如 是金屬氮化物)層疊在一起並進行蝕刻。利甩這樣的形狀就 能防止圖素電極_ 1 1 0 3.或接線1 1 0 9與陰極π 0 5之間的短路 。在本實施例中,和普通的主動矩陣發光裝置不同,圖素上 的陰極1105是按條紋形狀形成的(如同被動矩陣中的陰極 的情況)。 在圖12Α和12Β中表示了圖11所示的主動矩陣發光裝 置的外觀。圖12Α是一個頂視圖,而圖〗2Β是沿Α-Α’線 切開圖12Α所獲得的一個截面圖。另外還採用了與圖π中 相同的標號。 各自用虛線表示的標號1201,1202和1 203分別代表源 極側驅動電路,圖素部分,和閘極側驅動電路。標號1204 代表一個蓋構件,而標號1205代表一種密封劑。在被密封 劑1205包圍的區域內形成一個空間1207。 標號1208代表用來發送準備輸入到源極側驅動電路 1201和閘極側驅動電路1203的訊號的接線。此一接線從作 爲外部輸入端子的FPC(軟性印刷電路)1210接收一個視 頻訊號和一個時鐘訊號。儘管圖中僅僅表示了 FPC,在FPC 上可以連接一個印刷接線板(PWB )。這種規格的發光裝置 不僅包括有一個FPC或PWB連接到發光板上的一個發光模 組,還包括裝有1C的一個發光模組。 下面要用圖12B來說明一種截面結構。圖素部分1202 和閘極側驅動電路1 203形成在基底1101上面。組成圖素部 分1202的多個圖素各自包括電流控制TFT1102和用電路連 -60- (57) 1317248 接到其汲極上的圖素電極1 1 03。閘極側驅動電路1 203是由 η-通道TFT1107和p-通道TFT1108相互組合而成的一個 CMOS電路組成的。 圖素電極1103被作爲發光元件的陽極。在圖素電極 110 3的兩端形成一個中間層絕緣膜1206。發光元件的有機 化合物膜1104和陰極1105被形成在圖素電極1103上面。 陰極1105還被用做多個圖素共用的接線,並且藉由連 φ 接接線1209用電路連接到FPC1210。用保護膜1106覆蓋圖 素部分1 202和閘極側驅動電路1 203中所包括的所有元件。 另外,藉由密封劑1 205將蓋構件1 204粘接到基底上。 可以提供一個用樹脂膜製成的墊片來保持蓋構件1 204和發 光元件之間的間隔。在密封劑1205內側形成一個密閉的空 間,其中充滿諸如氮氣或氬氣等惰性氣體。在這一密閉空間 中提供一種由氧化鋇製成的濕氣吸附劑也是有效的。 另外,玻璃、陶瓷、塑膠或金屬也可以用做蓋構件。如 φ 果光是向蓋構件一側發射的,就要求蓋構件是透明的。FRP (玻璃纖維-強化塑膠)、PVF ( polyvinylfuroride)、聚醋 膜、聚酯、或者是丙烯酸可以用做塑膠。 這樣,當形成在基底上的發光元件1104被蓋構件1204 和密封劑1 205封裝時,就能完全與外部隔絕,並且能防止 會通過氧化促使有機化合物層劣化的水或氧氣從外部侵入基 底。這樣就能獲得高可靠性的發光裝置。 應該注意到,可以用實施例1到3中所述的膜形成裝置 形成本實施例的發光裝置。 -61 - (58) 1317248 〔實施例5〕 在本實施例中要說明用本發明的膜形成裝置製成的—種 被動(簡單矩陣)發光裝置。圖13可用來說明。在圖13中 ’標號1301代表一個玻璃基底,標號13〇2代表用透明導電 膜製成的一個陽極。在本實施例中將採用蒸發方法形成的氧 化鋇和氧化鋅的一種化合物作爲透明導電膜。儘管在圖1 3 中沒有表示’在與紙面平行的方向上依照條紋方式佈置有許 0 多_陽極® 讓形成的陰極隔離壁( 1303a和1303 b)與按條紋方式 佈置的陽極1302交叉。陰極隔離壁( 1303a和1303b)被形 成在與紙面垂直的方向上。 然後形成一個有機化合物膜1304。對於所形成的有機 化合物膜而言,最好是藉由組合各自具有一種功能的多種有 機化合物來形成多個功能區,這些功能有電洞注入特性,電 洞傳送特性,發光特性,阻擋特性,電子傳送特性,或者是 φ 電子注入特性。 在本實施例中仍然可以在各功能區之間形成一個混合區 。在形成混合區時,最好是採用上述實施例中所說明的方法 〇 這些有機化合物膜是沿著陰極隔離壁( 1 303a和1 303 b )所産生的溝槽形成的,因此,它們被佈置在與紙面垂直的 方向上。 然後按條紋方式佈置多個陰極1305,使垂直於紙面的 方向變成其縱向,並且使其與陽極1302交叉。在本實施例 中,陰極1 305是用MgAg製成的,並且用蒸發方法形成。 -62- (59) 1317248 同樣,儘管沒有表示,對於陰極13 05而言,一接線向上延 伸到此後要連接FPC以便施加一個預定電壓的一個部位。 進而,在形成陰極1 305之後提供一個氮化矽膜作爲保護膜 1306 ° 因此,就在基底1301上形成了 一個發光元件1311。値 得注意的是,因爲下面一側的電極在本實施例中是透明的陽 極,在有機化合物膜中産生的光朝著下表面(基底1301) 發射。然而也可以顛倒發光元件1311的結構,讓下面一側 的電極也可以用做一個遮光的陰極。在這種情況下,在有機 化合物膜中産生的光朝著上表面(基底1301的對面一側) 發射。 接著製備一個陶瓷基底作爲蓋構件1 307。依照本實施 例的結構採用了陶瓷基底,從而使蓋構件1307具有遮光的 特性。當然,如果按上述方式顛倒發光元件的結構,蓋構件 就應該是透明的。此時最好是採用塑膠或玻璃製成的基底。 使用由紫外線光固化樹脂製成的一種密封劑1 3 09將製 備好的蓋構件1 307粘接到基底上。注意到在密封劑1 3 09內 側産生的空間1 3 0 8是一個密閉的空間,並且充滿諸如氮氣 或氬氣等惰性氣體。在這一密閉空間1 308中提供一種由氧 化鋇製成的濕氣吸附劑也是有效的。最後將一個各向異性的 導電膜(FPC) 13 10貼在製成的基底上,就製成了此一被動 發光裝置。 應該注意到,可以用依照實施例1到3的任何一種膜形 成裝置形成本實施例中所述的發光裝置。 -63- (60) 1317248 〔實施例6〕 與液晶顯示裝置相比,採用發光元件的自身發光的發光 裝置在明亮的場所具有較好的可視性和較寬的視角。採用本 發明的發光裝置可以製成各種電子設備。 採用依照本發明製造的發光裝置的電子設備的例子有視 頻相機、數位相機、眼鏡式顯示器(頭帶式顯示器)、導航 系統、聲音再生設備(例如是汽車音響和音響組合)、筆記 φ 型電腦、遊戲機、手持資訊終端(例如是攜帶型電腦、行動 電話、手持遊戲機和電子書)、以及裝備有記錄媒體的影像
再生設備(具體地說就是具有能夠再生諸如數位視盤(DVD )等記錄媒體中的資料來顯示影像資料之顯示裝置)。寬視 角對於手持資訊終端是很重要的,因爲它的螢幕在觀看時往 往是傾斜的。因此,手持資訊終端最好是採用具有發光元件 的發光裝置。這些電子設備的具體例子可參見圖14A到14H 〇 φ 圖14A表示一個顯示裝置,它是由殼2001,支持座 2002 ’顯示單元2003,揚聲器單元2004,視頻輸入端2005 等組成的。顯示單元2003可以採用依照本發明製造的發光 裝置。因爲這種發光裝置的發光元件是自身發光的,該裝置 不需要背景光,並且能做成比液晶顯示裝置更薄的顯示單元 。這種顯示裝置適用於所有顯示資訊的顯示設備,這其中包 括個人電腦,TV廣播接收和用於廣告的顯示設備。 圖14B表示一個數位靜止相機,它是由主體2101,顯 示單元2102,影像接收單元2103,操作鍵2104,外部連接 _ 2105 ’快門2106等等組成的。依照本發明製造的發光裝 -64- (61) 1317248 置可以應用於顯示單元2102。 圖14C表示一種筆記型個人電腦,它是由主體2201, 殻2202,顯示單元2203,鍵盤2204,外部連接埠2205,指 標滑鼠2206等等組成的。依照本發明製造的發光裝置可以 應用於顯示單元2203。 圖14D表示一個手持電腦,它是由主體23 01,顯示單 元2302,開關2303,操作鍵23 04,紅外線埠2305等等組 φ 成的。依照本發明製造的發光裝置可以應用於顯示單元 2 3 02。 圖14 E表示一種裝備有記錄媒體的手持影像再生設備 (例如是DVD唱機)。該設備是由主體240 1,殼2402,顯 示單元A2403,顯示單元B2404,記錄媒體(DVD等等)讀 出單元24 05,操作鍵24 06,揚聲器單元24 07等組成的。顯 示單元A2403主要顯示影像資訊,而顯示單元B2404主要 顯示文字資訊。依照本發明製造的發光裝置可以應用於顯示 | 單元A2403和B2404。裝備有記錄媒體的影像再生設備還包 括家用電視遊戲機。 圖14F表示一種眼鏡式顯示器(頭帶式顯示器),它是 由主體2501,顯示單元2502和一個臂單元2503組成的。 依照本發明製造的發光裝置可以應用於顯示單元2502。 圖14G表示一種視頻相機,它是由主體2601,顯示單 元2 602,殼26 03,外部連接埠26 04,遙控接收單元2605, 影像接收單元2606,電池2607,音頻輸入單元2608,操作 鍵26 09,接目鏡2610等組成的。依照本發明製造的發光裝 置可以應用於顯示單元2602。 -65- (62) 1317248 圖14H表示一個行動電話,它是由主體2701,殼2702 ,顯示單元2 703,音頻輸入單元27 04,音頻輸出單元270 5 ,操作鍵2706,外部連接埠2707,天線2708等組成的。依 照本發明製造的發光裝置可以應用於顯示單元2703。如果 用顯示單元2703在黑色背景上顯示白色字母,行動電話消 耗的功率比較少。 如果在未來能進一步提高有機材料的發光亮度,只要通 過透鏡和投影光來放大包含影像資訊的輸出光,這種發光裝 置還可以用於正面或背面投影儀。 這些電子設備可以顯示藉由如網際網路和有線電視等電 子通信線路傳送的資訊,其頻率正在不斷提高,特別是動畫 資訊。由於有機化合物具有很快的回應速度,這種發光裝置 適合動畫顯示。 在這種發光裝置中,發光部分要消耗功率,因而就希望 依照一種需要少量發光部分的方式來顯示資訊。如果在手持 資訊終端特別是主要顯示文字資訊的行動電話和音頻再生設 備的顯示單元中採用這種發光裝置,最好是這樣來驅動發光 裝置,用不發光部分構成背景,而用發光部分構成文字資訊 〇 如上所述,用本發明的沉積設備製造的發光裝置的應用 範圍非常廣’可以應用於任何領域的電氣設備。本實施例中 的電氣設備的顯示單元可以採用實施例4或5中所示的任何 一種顯不裝置’它是用實施例1到3所示的沉積方法形成的 -66- (63) 1317248 〔實施例7〕 在本實施例中說明了按本發明的沉積方法形成的發光裝 置的圖素部分結構。 在圖17A中表示了圖素部分1911的局部頂面圖。在圖 素部分1911中形成了多個圖素1912。該頂面圖表示所形成 的絕緣層19 02的狀態是覆蓋住在圖素中形成的圖素電極的 邊沿部位。這樣形成的絕緣層1 902就能覆蓋源極線1913, 掃描線1 9 1 4和電源線1 9 1 5。絕緣層1 9 0 2還覆蓋住圖素電 極的連接部分所處的區域a ( 1903),並且在底部形成TFT 〇 另外,圖17B的狀態是沿著圖素部分1911的A-A’線 截取的一個截面圖。在圖17B中表示了在圖素電極1901上 形成有機化合物膜1 905的狀態。另外,在垂直方向的空間 中形成由相同的材料組成的有機化合物膜,並且在水平方向 的空間中形成由不同的材料組成的有機化合物膜。 例如圖1 7A中所示,在圖素(R ) 1 91 2a中形成發射紅 色光的有機化合物膜(R) 1905a,在圖素(G) 1912 b中形 成發射綠色光的有機化合物膜(G) 1 905 b,而在圖素(B) 1912c中形成發射藍色光的有機化合物膜(B) 1 905c。絕緣 膜1902在形成有機化合物膜時可作爲邊緣。只要是處在絕 緣膜1902上就沒有問題,即使有機化合物膜的沉積位置有 所偏移,並且不同材料構成的有機化合物膜連續沉積在絕緣 膜1902上面》 另外,在圖17A中表示的是沿著圖素部分1911的點劃 線B-B’截取的一個截面圖。在圖17C中和圖17B—樣表示 -67- (64) 1317248 了在圖素電極1901上面形成的有機化合物膜1905的狀態。 沿著點劃線B-B’截取的的圖素具有圖17C所示的結構 ,因爲形成了作爲圖素(R) 1912a的發射紅色光的有機化 合物膜(R ) 1 905a。 這樣就在圖素部分1911中形成了發射紅色光的有機化 合物膜(R ) 19〇5a,發射綠色光的有機化合物膜(G) 1905b,和發射藍色光的有機化合物膜(B) 1905c。這樣就 能獲得一種全色的發光裝置。 如上所述,如果發光元件中的有機化合物膜是用本發明 的膜形成裝置形成的,因爲這種有機化合物膜包括了可以在 同一個膜形成室中連續形成的多個功能區’能夠防止雜質在 各功能區之間的介面上造成污染。另外,由於在相鄰的功能 區之間形成由形成各功能區的有機化合物組成的混合區,就 能緩解在各功能區之間的介面中的有機化合物層間産生的能 量屏蔽。這樣,由於在有機化合物層之間的載子傳送特性得 以改善,就能形成具有降低的驅動電壓和延長的元件壽命的 發光元件。進而,如果從設在膜形成室中的光源對準備形成 膜的一種有機化合物分子施加能量,就能形成緻密的膜。 【圖式簡單說明】 在附圖中: 圖1A到1C是用本發明的膜形成裝置製成的一種元件 結構的示意圖; 圖2A和2B是一個膜形成室的示意圖; 圖3A和3B是元件結構的示意圖; -68- (65) 1317248 圖4A和4B是膜形成裝置的示意圖; 圖5A到5E是金屬掩模的一種排列方法的示意圖; 圖6是一個清潔輔助室的示意圖; 圖7是膜形成裝置的示意圖; 圖8A到8C是材料交換室的示意圖; 圖9A和9B是膜形成裝置的示意圖; 圖10A和10B是膜形成裝置的示意圖; 圖11是一個發光裝置的示意圖; 圖12A和12B是一種密封結構的示意圖; 圖13是發光裝置的示意圖; 圖14A到14H表示電氣設備的例子; 圖15是一種習知例的示意圖; 圖1 6A和1 6B是一種習知例的示意圖;和 圖17A到17C是一個發光裝置中的一個圖素部分的結 構示意圖;
圖18爲用導電金屬材料製成的材料室的詳細結構圖。 【主要元件之符號說明】 1 50 1 - 1 506,1511·1515:蒸發室 1601:基底 1 602:陽極 1 604:有機化合物層 1 606:第二有機化合物層 1608:區 1610:雜質 1 0 2 :陽極 1 603:陰極 1 605:第一有機化合物層 1 607:第三有機化合物層 1 609:介面 101:基底 103:陰極 -69- (66) 1317248 104:有機化合物膜 1 0 6 :第二功能區 1 0 8 :第一混合區 1 1 0 :第一功能區 1 1 2 :第一混合區 201 :托架 2 0 3 :蒸發源 2 0 5 :材料室 2 1 2 :開□ 215:第二排氣機構 213:分子啓動區 2 2 2 :第一混合區 207:防粘著擋板 400:裝載室 402:托架 404:基底 501:掩模托架 5 03:基底支架 5 05:輔助銷 5 07,508:區 5 10:掩模b 700a,700d,700g:排氣系統 701 :裝載室 7 2 :低溫栗 74:第三閥門 1 0 5 :第一功能區 1 0 7 :第三功能區 1 0 9 :第二混合區 1 1 1 :第二功能區 113:第二功能區 202:金屬掩模 204:有機化合物 2 0 6 :快門 214:第一排氣機構 2 1 1 :光源 221 :第一功能區 2 2 3 :第二功能區 2 0 8 :加熱器 401:第一對準室 403:金屬掩模 405:第一膜形成室 502:軸 504:控制機構 506:突起 5 0 9 :掩模a 5 1 1 :開口 700h,700i:排氣系統 71:第一閥門 73:第二閥門 7 5 :乾燥泵 -70- (67)1317248 7 Ο 2 :對準室 713e,713g:清潔輔助室 7 0 6 :對準室 7〇〇e:蒸發系統 709,7 1 0:膜形成室 7 1 2 :卸載室 802:基底 804:材料交換室 81 1 :儲存位置 8 13:儲存位置 8 15:傳送機構 902:傳送機構 90:5:對準室 922d,922e:清潔輔助室 932:波導管 934:氣體導管 906:膜形成室 907:膜形成部份 9〇〇g:閘門 900d:閘門 900h,900e,900i:閘門 9 0 Of:閘門 900j:閘門 900k:閘門 920:傳送室 713a,713d:清潔輔助室 703:膜形成室 707:膜形成室 7 0 8 :對準室 . 7 1 1 :密封室 801:膜形成室 803:蒸發源 805:閘門 812:傳送機構 814:對準機構 901:傳送室 903:基底 922a,922b,922c:清潔輔助室 931: //波產生器 933:電漿排放管 93 5:反射板 9 0 0 c:閘門 914:材料交換室 908:膜形成室 915:材料交換室 916:材料交換室 917:材料交換室 9 1 8 :密封室 919:紫外線照射機構 1 000:裝載室 -71 - (68)1317248 1001:第一對準單元 1 002:托架 1 0 0 3 :金屬掩模 1 004:基底 1 005:第一膜形成單元 1 〇 1 2 :軌道 1 006:蒸發源 - 1 007:第二對準單元 1 008:第二膜形成單元 1 009:第三對準單元 1010:第三膜形成單元 1 0 1 1:卸載室 1013:清潔輔助室 1 101:基底 1 1 1 1 :圖素部份 1 1 1 2 :驅動電路 1 102:電流控制TFT 1 103:圖素電極 1 104:有機化合物膜 1 105:陰極 1 1 13:開關 TFT 1114:發光元件 1106:保護膜 1 1 07:n 通道 TFT 1 108:P 通道 TFT 1 1 〇 9 :接線 1110:隔離部份 1201:源極側驅動電路 1202:圖素部份 1 203:閘極側驅動電路 1 204:蓋構件 1 2 0 5 :密封劑 1 2 0 8 :接線 1 2 0 7 :空間 1210:FPC 1 2 0 6:中間層絕緣膜 1 2 0 9 :接線 1301:玻璃基底 1 302:陽極 1 303:陰極隔離壁 1 3 04:有機化合物膜 1 305:陰極 1 3 06:保護膜 1311:發光元件 1 3 0 7 :蓋構件 1 3 0 8 :氣密空間 1 3 0 9 :密封劑 1310:各向異性導電膜 2101 :主體 2 1 02:顯示單元 -72- (69)1317248 2103:影像接收單元 2 104:操作鍵 2105:外部連接埠 2106:快門 2201:主體 2202:殼 2203:顯示單元 2204:鍵盤 2205:外部連接埠 2206:指標滑鼠 2301 :主體 2302:顯示單元 2 3 0 3 :開關 23 04:操作鍵 2 3 0 5 :紅外線埠 2401 :主體 2402:殼 2403:顯示單元A 2404:顯示單元B 2405:記錄媒體採取單元 2406:操作鍵 2407:揚聲器單元 2 5 0 1 :主體 2502:顯示單元 25 03:臂部份 2601 :主體 2602:顯示單元 2603:殼 2604:外部連接埠 2605:遙控接收單元 2606:影像接收單元 2 6 0 7 :電池 2608:聲音輸入單元 2 6 0 9 :操作鍵 2610:接目鏡部份 2701 :主體 2702:殼 2703:顯示單元 2704:聲音輸入單元 2705:聲音輸出單元 2606:操作鍵 2707:外部連接埠 2 7 0 8 :天線 1 9 1 1 :圖素部份 1912:圖素 1 9 0 2 :絕緣層 1 9 1 3 :源極線 1 9 1 4 :掃描線 1 9 1 5 :電源線 1 9 0 5 :有機化合物膜 -73- (70) 1317248 1901 :圖素電極 2002:支持座 2004:揚聲器單元 2001:殼 2003 :顯示單元 2 0 0 5 :視頻輸入端
-74-

Claims (1)

1317248 十、申請專利範圍 第95 1 0523 8號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 *****"** ~*" .I 民13 ·和销1明f·囉).]H满翊· L____' ^ 1. 一種發光裝置的製造方法,包含: ~ ^ 在一沉積室中以光照射時,在一電極上,形成包含第 一有機化合物的第一功能區; 在該沉積室中以光照射時,在第一功能區上,形成包 含第一有機化合物和第二有機化合物的混合區;和 在該沉積室中以光照射時,在混合區上,形成包含第 二有機化合物的第二功能區。 2 .如申請專利範圍第1項的方法,其中光照射方向係 平行於該電極的表面。 3 ·如申請專利範圍第1項的方法,其中第一有機化合 物所蒸發的蒸發源和第二有機化合物所蒸發的蒸發源不同 〇 4.如申請專利範圍第1項的方法,其中第一有機化合 物從第一蒸發源蒸發和第二有機化合物從第二蒸發源蒸發 〇 5 .如申請專利範圍第4項的方法,其中第一蒸發源和 第二蒸發源各以多數提供。 6 .如申請專利範圍第1項的方法,其中該光爲紫外線 1 ·如申請專利範圍第1項的方法,其中該光爲可見光 1317248 8 .如申請專利範圍第1項的方法,其中該光爲紅外光 〇 9.一種發光裝置的製造方法,包含: 在一沉積室中以光照射時,在一電極上,形成包含從 第一蒸發源蒸發的第一有機化合物的第一功能區; 在該沉積室中以光照射時,在第一功能區上,形成包 含從第一蒸發源蒸發的第一有機化合物和從第二蒸發源蒸 發的第二有機化合物的混合區;和 在該沉積室中以光照射時,在混合區上,形成包含從 第二蒸發源蒸發但並非從第一蒸發源蒸發的第二有機化合 物的第二功能區。 -2-
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
AU2002303084B2 (en) * 2001-02-02 2006-05-25 Pharmacopiea, Inc. 3,4-di-substituted cyclobutene-1, 2 -diones as CXC chemokine receptor antagonists
TW582121B (en) * 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
TW574398B (en) * 2002-10-25 2004-02-01 Ritek Display Technology Corp Evaporation method and equipment for evaporation
KR100504477B1 (ko) * 2002-11-05 2005-08-03 엘지전자 주식회사 유기 el의 열 소스 장치
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
WO2005117499A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 有機el素子
JP4858169B2 (ja) * 2004-07-23 2012-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20060020031A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
KR101384785B1 (ko) 2006-06-01 2014-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 전자기기
US20080008837A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Yasuhiro Shiba Substrate processing apparatus and substrate processing method for heat-treating substrate
KR101426717B1 (ko) * 2006-12-04 2014-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
TWI479712B (zh) * 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
WO2009116605A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
WO2009116547A1 (en) 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP5611538B2 (ja) * 2008-05-16 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 ベンゾオキサゾール誘導体、およびベンゾオキサゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、並びに電子機器
WO2010026859A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2010055851A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
EP2200407B1 (en) 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
CN101752514B (zh) * 2008-12-17 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、照明装置、发光装置以及电子设备
TWI528862B (zh) 2009-01-21 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件,發光裝置以及電子裝置
EP2230703A3 (en) 2009-03-18 2012-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법
JP5902515B2 (ja) * 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
US9273079B2 (en) 2011-06-29 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20130334648A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and Apparatus for High Voltage Diodes
KR20140010303A (ko) * 2012-07-16 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP6013077B2 (ja) * 2012-08-13 2016-10-25 株式会社カネカ 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法
KR102048051B1 (ko) 2012-09-04 2019-11-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
US9741946B2 (en) 2012-12-20 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element containing organic iridium exhibits blue-green to blue light emission
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN109477204B (zh) * 2016-05-10 2020-10-23 应用材料公司 操作沉积设备的方法和沉积设备
US20180127875A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-10 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Apparatus for performing selenization and sulfurization process on glass substrate
CN106637087B (zh) * 2016-11-18 2019-05-17 上海天马微电子有限公司 蒸镀设备
KR102323245B1 (ko) * 2017-03-15 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하는 박막 증착 장치
US11409139B2 (en) * 2019-12-13 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device including waveguide heater, and method and system for generating layout diagram of same
JP7177130B2 (ja) * 2020-11-30 2022-11-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び足場ユニット

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654525A (en) 1965-10-23 1972-04-04 Donald Leonard Maricle Electrochemiluminescent device including one of naphthacene, perylene and 5, 6, 11, 12-tetraphenyl-naphthacene in aprotic solvent
US4717585A (en) * 1985-02-09 1988-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JPS6233760A (ja) 1985-08-06 1987-02-13 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 非晶質磁性合金薄膜の製造方法
JPS63297549A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Komatsu Ltd 真空蒸着装置
WO1990002215A1 (en) * 1988-08-19 1990-03-08 Regents Of The University Of Minnesota Preparation of superconductive ceramic oxides using ozone
KR910004067A (ko) * 1989-07-31 1991-02-28 이헌조 박막 el표시소자 및 그 제조방법
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5017863A (en) 1989-10-20 1991-05-21 Digital Equipment Corporation Electro-emissive laser stimulated test
JPH03162561A (ja) * 1989-11-17 1991-07-12 Olympus Optical Co Ltd プラスチック基板への成膜方法
WO1991008412A1 (en) 1989-12-01 1991-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum valve and vacuum treatment device using said vacuum valve
JPH03180500A (ja) * 1989-12-07 1991-08-06 Fujitsu Ltd ステンレス鋼製の真空容器内壁の表面処理方法
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JPH0448515A (ja) 1990-06-14 1992-02-18 Hitachi Aic Inc 透明導電性フィルムの製造方法
US5271089A (en) 1990-11-02 1993-12-14 Nec Corporation Speech parameter encoding method capable of transmitting a spectrum parameter at a reduced number of bits
JP3025811B2 (ja) 1991-02-18 2000-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 基板処理装置
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH04357694A (ja) 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜el素子
JPH0536613A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Canon Inc 半導体表面処理方法及び装置
JPH0665724A (ja) * 1992-05-20 1994-03-08 Yoichi Murayama インラインプラズマ蒸着装置
US6022458A (en) * 1992-12-07 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of production of a semiconductor substrate
DE69434907D1 (de) 1993-07-21 2007-02-15 Migaku Takahashi Magnetisches aufzeichnungsmedium und dessen herstellung
JPH07138747A (ja) * 1993-11-15 1995-05-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 被膜の形成方法
JPH07278800A (ja) 1994-04-06 1995-10-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 被膜形成装置及びその被膜形成方法
US5513499A (en) 1994-04-08 1996-05-07 Ebara Technologies Incorporated Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
JP2739441B2 (ja) * 1994-12-07 1998-04-15 川崎重工業株式会社 赤外光レーザーによる有機薄膜の製造方法及び装置
JP3505257B2 (ja) 1995-02-24 2004-03-08 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1996027878A1 (fr) 1995-03-08 1996-09-12 Migaku Takahashi Support d'enregistrement magnetique et procede de fabrication
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
JP3831968B2 (ja) * 1996-02-23 2006-10-11 ソニー株式会社 光学的素子の製造方法
DE69717182T2 (de) * 1996-03-07 2003-07-24 Tadahiro Ohmi Excimerlasergenerator
DE69719136T2 (de) 1996-04-25 2003-10-16 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente vorrichtung
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
EP1992672A1 (en) 1996-08-19 2008-11-19 TDK Corporation Organic electroluminescent device
DE19638770A1 (de) 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
JP3847871B2 (ja) * 1996-12-17 2006-11-22 株式会社アルバック 蒸着装置
JPH10233288A (ja) 1996-12-20 1998-09-02 Tdk Corp 有機el素子
US5817431A (en) 1996-12-23 1998-10-06 Motorola, Inc. Electron injecting materials for organic electroluminescent devices and devices using same
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JPH10247587A (ja) * 1997-02-28 1998-09-14 Tdk Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6121727A (en) 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US5925980A (en) 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
US6130001A (en) 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
JPH1161386A (ja) 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
JPH1185059A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6030715A (en) 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6368730B1 (en) 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
JPH11135258A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
KR100320455B1 (ko) * 1997-11-17 2002-02-19 구자홍 유기이엘(el)소자
JPH11158630A (ja) * 1997-11-26 1999-06-15 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空搬送装置
JPH11189862A (ja) 1997-12-26 1999-07-13 Nippon Paint Co Ltd 有機着色薄膜の製造法
JP3989083B2 (ja) 1998-03-31 2007-10-10 株式会社アルバック 真空容器
US6284050B1 (en) 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
US6275649B1 (en) 1998-06-01 2001-08-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus
US6558817B1 (en) 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
JP4505067B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6759144B2 (en) 1998-12-16 2004-07-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6468676B1 (en) 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6228228B1 (en) 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
US6541909B1 (en) 1999-03-02 2003-04-01 Nec Corporation Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method
JP2000277256A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子の製造装置
JP3734239B2 (ja) 1999-04-02 2006-01-11 キヤノン株式会社 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置
JP3782255B2 (ja) 1999-04-28 2006-06-07 株式会社アルバック 有機化合物用の蒸着源、及び蒸着装置
KR100317284B1 (ko) * 1999-04-30 2001-12-22 구자홍 유기 이엘(el) 소자
JP3885412B2 (ja) 1999-05-25 2007-02-21 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP2000340367A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Fuji Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機el素子
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100683050B1 (ko) 1999-06-28 2007-02-15 모토로라 인코포레이티드 유기 전계발광 장치
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
US6372154B1 (en) 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
US6432255B1 (en) 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR20010104215A (ko) 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
US6528824B2 (en) 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
KR100360308B1 (ko) 2000-07-03 2002-11-18 한국화학연구원 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
KR100348893B1 (ko) * 2000-07-31 2002-08-30 학교법인 영남학원 패릴린박막 증착장치, 유기발광소자 제조방법 및유기발광소자
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
TW463522B (en) 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
JP2002146516A (ja) 2000-11-07 2002-05-22 Sony Corp 有機薄膜の蒸着方法
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
TW582121B (en) 2001-02-08 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20020109316A1 (en) * 2001-02-12 2002-08-15 Cassidy Robert K. Apparatus for the vertical transport and storage of tables
TW550672B (en) 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020066205A (ko) 2002-08-14
CN1783533A (zh) 2006-06-07
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US20040154542A1 (en) 2004-08-12
CN1240106C (zh) 2006-02-01
US20030010288A1 (en) 2003-01-16
US7629025B2 (en) 2009-12-08
JP2012214908A (ja) 2012-11-08
CN1369900A (zh) 2002-09-18

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