JPH04263478A - 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法Info
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- JPH04263478A JPH04263478A JP3023434A JP2343491A JPH04263478A JP H04263478 A JPH04263478 A JP H04263478A JP 3023434 A JP3023434 A JP 3023434A JP 2343491 A JP2343491 A JP 2343491A JP H04263478 A JPH04263478 A JP H04263478A
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード用エピ
タキシャルウェーハ及びその製造方法に関し、特に、Ｇ
ａＰ単結晶基板上に液相成長法によりＰＮ接合を形成す
るようにした発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
及びその製造方法に関するものである。
タキシャルウェーハ及びその製造方法に関し、特に、Ｇ
ａＰ単結晶基板上に液相成長法によりＰＮ接合を形成す
るようにした発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＰ単結晶基板上に液相成長法により
Ｎ型エピタキシャル層とＰ型エピタキシヤル層とを順次
形成し、発光素子を製造することは知られている。この
方法は、Ｇａ溶液中にＧａＰと、Ｎ型又はＰ型不純物を
溶解させた後、Ｇａ溶液にＧａＰ基板を浸漬し、この後
温度を徐々に下げて、Ｎ型又はＰ型エピタキシャル層を
形成するものである。ここで、Ｎ型エピタキシャル層及
びＰ型エピタキシャル層のキャリア濃度は、例えば、Ｎ
型では１０１６〜１０１７ｃｍ−３程度であり、Ｐ型で
は１〜５Ｘ１０１８ｃｍ−３程度となっている。
Ｎ型エピタキシャル層とＰ型エピタキシヤル層とを順次
形成し、発光素子を製造することは知られている。この
方法は、Ｇａ溶液中にＧａＰと、Ｎ型又はＰ型不純物を
溶解させた後、Ｇａ溶液にＧａＰ基板を浸漬し、この後
温度を徐々に下げて、Ｎ型又はＰ型エピタキシャル層を
形成するものである。ここで、Ｎ型エピタキシャル層及
びＰ型エピタキシャル層のキャリア濃度は、例えば、Ｎ
型では１０１６〜１０１７ｃｍ−３程度であり、Ｐ型で
は１〜５Ｘ１０１８ｃｍ−３程度となっている。
【０００３】近年、高効率な緑色発光素子を得るために
、Ｎ型エピタキシャル層のキャリア濃度をできるだけ低
くし、キャリアのライフタイムの向上を計ることが、発
光中心となる窒素濃度の増加以上に、重要になってきて
いる。
、Ｎ型エピタキシャル層のキャリア濃度をできるだけ低
くし、キャリアのライフタイムの向上を計ることが、発
光中心となる窒素濃度の増加以上に、重要になってきて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャル層が再
現性良く得られないという問題があった。例えば、キャ
リア濃度を５Ｘ１０１５ｃｍ−３以下にしようとすると
、炉部材のベーキングを行ない、Ｇａ溶液を毎回新液と
し、アンドープで行なわねばならない。しかし、液相成
長の反応管の多くが石英管である。このため、Ｇａ蒸気
と石英とが反応して、ＳｉがＧａ溶液中に混入する。ま
たＧａＰ基板をメルトバックさせるときに、基板の不純
物であるＳｉやＳ等が、Ｇａ溶液中に混入する。あるい
は、ボート等のカーボン製部材に吸着していた不純物が
揮発して、やはりＧａ溶液中に混入する。これらの混入
により、汚染レベルが高まり、濃度のばらつきが大きく
、再現性が低くなる。さらに、Ｇａ溶液を再使用するこ
とができず、コスト高になる。
方法では、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャル層が再
現性良く得られないという問題があった。例えば、キャ
リア濃度を５Ｘ１０１５ｃｍ−３以下にしようとすると
、炉部材のベーキングを行ない、Ｇａ溶液を毎回新液と
し、アンドープで行なわねばならない。しかし、液相成
長の反応管の多くが石英管である。このため、Ｇａ蒸気
と石英とが反応して、ＳｉがＧａ溶液中に混入する。ま
たＧａＰ基板をメルトバックさせるときに、基板の不純
物であるＳｉやＳ等が、Ｇａ溶液中に混入する。あるい
は、ボート等のカーボン製部材に吸着していた不純物が
揮発して、やはりＧａ溶液中に混入する。これらの混入
により、汚染レベルが高まり、濃度のばらつきが大きく
、再現性が低くなる。さらに、Ｇａ溶液を再使用するこ
とができず、コスト高になる。
【０００５】そこで、Ｐ型不純物をＧａ溶液に少量ドー
プし、不純物補償によりキャリア濃度を下げようとする
等の方法が考えられる。しかし、この場合には、キャリ
ア濃度は下がっても、同時に移動度も低下してしまう。 これにより、抵抗が高くなり過ぎて、発光素子としての
順方向電圧が増大したり、Ｐ型反転層ができてしまい導
通不良が発生する等の欠点がある。併せて、Ｐ型不純物
としては、Ｃｄ、ＢｅあるいはＺｎ等があるが、Ｃｄや
Ｂｅは毒性が強く安全上の問題があり、Ｚｎは揮発性で
且つ拡散も早いためドープ量の管理が難しいという欠点
がある。
プし、不純物補償によりキャリア濃度を下げようとする
等の方法が考えられる。しかし、この場合には、キャリ
ア濃度は下がっても、同時に移動度も低下してしまう。 これにより、抵抗が高くなり過ぎて、発光素子としての
順方向電圧が増大したり、Ｐ型反転層ができてしまい導
通不良が発生する等の欠点がある。併せて、Ｐ型不純物
としては、Ｃｄ、ＢｅあるいはＺｎ等があるが、Ｃｄや
Ｂｅは毒性が強く安全上の問題があり、Ｚｎは揮発性で
且つ拡散も早いためドープ量の管理が難しいという欠点
がある。
【０００６】以上説明したように、従来の発光ダイオー
ド用エピタキシャルウェーハの製造方法では、低キャリ
ア濃度のコントロールが困難で、高効率な緑色の発光素
子を安定して歩留り良く製造することが実際上著しく困
難であった。
ド用エピタキシャルウェーハの製造方法では、低キャリ
ア濃度のコントロールが困難で、高効率な緑色の発光素
子を安定して歩留り良く製造することが実際上著しく困
難であった。
【０００７】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャル層を
再現性よく成長可能とし、高効率な緑色発光素子を得る
ことにある。
その目的は、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャル層を
再現性よく成長可能とし、高効率な緑色発光素子を得る
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
用エピタキシャルウェーハは、ＧａＰ基板と、前記Ｇａ
Ｐ基板上に、形成されたＮ型エピタキシャル層とＰ型エ
ピタキシャル層とを備え、前記Ｎ型エピタキシャル層は
、キャリア濃度が１Ｘ１０１６ｃｍ−３以下で且つ周期
律表の第４周期〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ
族に属する元素のうちの少なくとも１種類を、１０１４
ｃｍ−３以上、１０１６ｃｍ−３以下含んでいるものと
して構成される。
用エピタキシャルウェーハは、ＧａＰ基板と、前記Ｇａ
Ｐ基板上に、形成されたＮ型エピタキシャル層とＰ型エ
ピタキシャル層とを備え、前記Ｎ型エピタキシャル層は
、キャリア濃度が１Ｘ１０１６ｃｍ−３以下で且つ周期
律表の第４周期〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ
族に属する元素のうちの少なくとも１種類を、１０１４
ｃｍ−３以上、１０１６ｃｍ−３以下含んでいるものと
して構成される。
【０００９】本発明の発光ダイオード用エピタキシャル
ウェーハの第１の製造方法は、ＧａＰ基板上にＧａ溶液
を用いてＮ型エピタキシャル層とＰ型エピタキシャル層
とを成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェー
ハ製造方法において、前記Ｇａ溶液中に、ＧａＰエピタ
キシャル層への偏析係数が小さく且つＧａ溶液中のシャ
ロードナー不純物と反応して化合物を形成する元素を添
加して前記Ｎ型エピタキシャル層をそのキャリア濃度が
１Ｘ１０１６ｃｍ−３以下となるように成長させるもの
として構成される。
ウェーハの第１の製造方法は、ＧａＰ基板上にＧａ溶液
を用いてＮ型エピタキシャル層とＰ型エピタキシャル層
とを成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェー
ハ製造方法において、前記Ｇａ溶液中に、ＧａＰエピタ
キシャル層への偏析係数が小さく且つＧａ溶液中のシャ
ロードナー不純物と反応して化合物を形成する元素を添
加して前記Ｎ型エピタキシャル層をそのキャリア濃度が
１Ｘ１０１６ｃｍ−３以下となるように成長させるもの
として構成される。
【００１０】本発明の第２の製造方法は、前記第１の方
法において、前記添加する元素は、周期律表の第４周期
〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に属する元素
のうちの少なくとも１種であるものとして構成される。
法において、前記添加する元素は、周期律表の第４周期
〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に属する元素
のうちの少なくとも１種であるものとして構成される。
【００１１】本発明の第３の製造方法は、前記第１又は
第２の方法において、前記Ｇａ溶液中の前記シャロード
ナー不純物はＳｉ又はＳであるものとして構成される。
第２の方法において、前記Ｇａ溶液中の前記シャロード
ナー不純物はＳｉ又はＳであるものとして構成される。
【００１２】
【作用】ＧａＰ基板上に液相成長法によりＮ型エピタキ
シャル層を形成するに際して、Ｇａ溶液中にＧａＰエピ
タキシャル層への偏析係数が小さく且つＧａ溶液中のシ
ャロードナー不純物（例えばＳｉ、Ｓ等と反応して化合
物を形成する元素、例えばＶ、Ｙｂ等）をゲッター剤と
してドープしておく。これにより、低キャリア濃度化を
妨げているシャロードナー不純物がＧａ溶液より除去さ
れる。これにより、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャ
ル層が成長させられる。
シャル層を形成するに際して、Ｇａ溶液中にＧａＰエピ
タキシャル層への偏析係数が小さく且つＧａ溶液中のシ
ャロードナー不純物（例えばＳｉ、Ｓ等と反応して化合
物を形成する元素、例えばＶ、Ｙｂ等）をゲッター剤と
してドープしておく。これにより、低キャリア濃度化を
妨げているシャロードナー不純物がＧａ溶液より除去さ
れる。これにより、低キャリア濃度のＮ型エピタキシャ
ル層が成長させられる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例に係る発光ダイ
オード用エピタキシャルウェーハの製造方法の説明図で
あり、特に液相成長装置の断面を示すものである。
オード用エピタキシャルウェーハの製造方法の説明図で
あり、特に液相成長装置の断面を示すものである。
【００１５】図１に示すように、低キャリア濃度のＮ型
エピタキシャル成長をさせるに当たっては、先ず開管式
の成長炉１内の成長ボート２に、例えば、２Ｘ１０１７
ｃｍ−３のキャリア濃度のＮ型ＧａＰ基板３を挿入する
。また、第１の原料溶液溜め４内に、Ｇａ溶液５と原料
となるＧａＰ多結晶６及びゲッター剤７を入れ、溶解さ
せておく。第２の原料溶液溜め８内にも、Ｇａ溶液９と
図示しないＧａＰ多結晶及びＰ型ドーパントであるＺｎ
を入れて溶解させておく。
エピタキシャル成長をさせるに当たっては、先ず開管式
の成長炉１内の成長ボート２に、例えば、２Ｘ１０１７
ｃｍ−３のキャリア濃度のＮ型ＧａＰ基板３を挿入する
。また、第１の原料溶液溜め４内に、Ｇａ溶液５と原料
となるＧａＰ多結晶６及びゲッター剤７を入れ、溶解さ
せておく。第２の原料溶液溜め８内にも、Ｇａ溶液９と
図示しないＧａＰ多結晶及びＰ型ドーパントであるＺｎ
を入れて溶解させておく。
【００１６】次に、図２のプログラム図に示す温度プロ
グラムに従って、ヒータ１０によって成長炉１の温度Ｔ
１ を、例えば、１０００℃に保ち、水素ガスと窒素ド
ープ用のＮＨ３ ガスを成長炉１の中に流す。この後、
スライド棒１１により成長ボート２を移動させて、Ｇａ
Ｐ基板３をＧａ溶液５に浸漬させ、Ｎ型エピタキシャル
層１２（図３参照）を成長させる。その結果、図３の断
面図に示すように、ＧａＰ基板３の上にＮ型エピタキシ
ャル層１２が成長し、更にその上に、Ｐ型エピタキシャ
ル層１３が成長した、発光ダイオード用エピタキシャル
ウェーハが得られる。以上のようにして得られたウェー
ハにおいては、例えば、図４に示すように、Ｎ型エピタ
キシャル層１２の不純物濃度は〜２Ｘ１０１５ｃｍ−３
となり、Ｐ型エピタキシャル層１３の不純物濃度は１Ｘ
１０１８ｃｍ−３となる。つまり、従来に比べて急峻な
濃度勾配が得られる。
グラムに従って、ヒータ１０によって成長炉１の温度Ｔ
１ を、例えば、１０００℃に保ち、水素ガスと窒素ド
ープ用のＮＨ３ ガスを成長炉１の中に流す。この後、
スライド棒１１により成長ボート２を移動させて、Ｇａ
Ｐ基板３をＧａ溶液５に浸漬させ、Ｎ型エピタキシャル
層１２（図３参照）を成長させる。その結果、図３の断
面図に示すように、ＧａＰ基板３の上にＮ型エピタキシ
ャル層１２が成長し、更にその上に、Ｐ型エピタキシャ
ル層１３が成長した、発光ダイオード用エピタキシャル
ウェーハが得られる。以上のようにして得られたウェー
ハにおいては、例えば、図４に示すように、Ｎ型エピタ
キシャル層１２の不純物濃度は〜２Ｘ１０１５ｃｍ−３
となり、Ｐ型エピタキシャル層１３の不純物濃度は１Ｘ
１０１８ｃｍ−３となる。つまり、従来に比べて急峻な
濃度勾配が得られる。
【００１７】以上のようにして形成された発光ダイオー
ド用エピタキシャルウェーハを用いて実際に、発光ダイ
オードを作製した。得られた発光ダイオードは、従来の
ものに比べて、１．５倍程度効率のよい緑色発光ダイオ
ードを得ることができた。ちなみに、得られた発光ダイ
オードの少数キャリアのライフタイムを調べた。その結
果は、従来の装置は２００〜３００ｎｓであるのに対し
、本発明に係る装置では３５０〜４５０ｎｓであった。 このことから、発光効率の向上は主としてライフタイム
の増加に依存するものであることが理解できた。
ド用エピタキシャルウェーハを用いて実際に、発光ダイ
オードを作製した。得られた発光ダイオードは、従来の
ものに比べて、１．５倍程度効率のよい緑色発光ダイオ
ードを得ることができた。ちなみに、得られた発光ダイ
オードの少数キャリアのライフタイムを調べた。その結
果は、従来の装置は２００〜３００ｎｓであるのに対し
、本発明に係る装置では３５０〜４５０ｎｓであった。 このことから、発光効率の向上は主としてライフタイム
の増加に依存するものであることが理解できた。
【００１８】なお、液相成長法自体は知られているとし
ても、Ｇａ溶液５にゲッター剤７を入れることが本実施
例の製造方法の特徴である。このため、従来の製造方法
をほとんど変更することなく、容易に実現可能な方法と
いえる。また、本発明を適用すれば、工業的な生産性を
大幅に向上し得る。
ても、Ｇａ溶液５にゲッター剤７を入れることが本実施
例の製造方法の特徴である。このため、従来の製造方法
をほとんど変更することなく、容易に実現可能な方法と
いえる。また、本発明を適用すれば、工業的な生産性を
大幅に向上し得る。
【００１９】さて、Ｇａ溶液５にゲッター剤７として、
例えばバナジウムＶをドープして得られたＮ型エピタキ
シャル層における、キャリア濃度と移動度との関係を調
べた。その結果は、図５に示される。この図５から、ド
ープ量の増加によりキャリア濃度が減少し、移動度が増
加することから判断するに、不純物補償ではなく、混入
不純物の減少により低キャリア濃度化していることが判
る。ドープ量としては１０１６〜１０２０ｃｍ−３が適
している。実際には、〜１０１８ｃｍ−３程度が望まし
い。これは、キャリア濃度の低下に伴い、少数キャリア
のライフタイムが飽和するためである。
例えばバナジウムＶをドープして得られたＮ型エピタキ
シャル層における、キャリア濃度と移動度との関係を調
べた。その結果は、図５に示される。この図５から、ド
ープ量の増加によりキャリア濃度が減少し、移動度が増
加することから判断するに、不純物補償ではなく、混入
不純物の減少により低キャリア濃度化していることが判
る。ドープ量としては１０１６〜１０２０ｃｍ−３が適
している。実際には、〜１０１８ｃｍ−３程度が望まし
い。これは、キャリア濃度の低下に伴い、少数キャリア
のライフタイムが飽和するためである。
【００２０】一方、ゲッター剤としては、他に周期律表
の第４周期〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に
属する元素の中でイッテルビウムＹｂ等の稀土類元素や
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点元素等を使用しても
良い。重要なことは、ＧａＰエピタキシャル層への偏析
係数が約〜１Ｘ１０−４以下と小さく、ＳｉやＳ等と化
合物を構成する元素が適しているということである。
の第４周期〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に
属する元素の中でイッテルビウムＹｂ等の稀土類元素や
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点元素等を使用しても
良い。重要なことは、ＧａＰエピタキシャル層への偏析
係数が約〜１Ｘ１０−４以下と小さく、ＳｉやＳ等と化
合物を構成する元素が適しているということである。
【００２１】以上のような製造方法を用いても、得られ
る発光ダイオード用エピタキシャルウェーハのＧａＰエ
ピタキシャル層にゲッター剤が微量混入するのは避けら
れない。しかし、その量は１０１４〜１０１５ｃｍ−３
程度である。この量は、高感度ＳＩＭＳ分析の検出限界
レベル以下ではあるが、フォトルミネッセンス測定等に
よればその存在を確認することができる程度の低いレベ
ルである。
る発光ダイオード用エピタキシャルウェーハのＧａＰエ
ピタキシャル層にゲッター剤が微量混入するのは避けら
れない。しかし、その量は１０１４〜１０１５ｃｍ−３
程度である。この量は、高感度ＳＩＭＳ分析の検出限界
レベル以下ではあるが、フォトルミネッセンス測定等に
よればその存在を確認することができる程度の低いレベ
ルである。
【００２２】なお、本発明の製造方法は、他の液相成長
法やハイライド法、あるいはクロライド法によりＧａを
輸送する気相成長法にも適用可能であり、種々のバリエ
ーションが考えられることは言うまでもない。
法やハイライド法、あるいはクロライド法によりＧａを
輸送する気相成長法にも適用可能であり、種々のバリエ
ーションが考えられることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｎ
型キャリア濃度を基板よりも２桁程度低くでき、従来方
法による場合の１０１６〜１０１７ｃｍ−３よりも大幅
に改善でき、このため、ＰＮ接合の濃度勾配よりも急峻
で理想的な階段接合が得られ、これにより少数キャリア
の注入効率及びライフタイムを向上でき、またＮ型エピ
タキシャル層のキャリア濃度の低減と且つ移動度が増加
することにより発光素子としての順方向電圧の増大やＰ
型反転層による導通不良をなくすことができ、またその
結果として発光効率が向上し、劣化の少ない緑色発光素
子を実現することができる。
型キャリア濃度を基板よりも２桁程度低くでき、従来方
法による場合の１０１６〜１０１７ｃｍ−３よりも大幅
に改善でき、このため、ＰＮ接合の濃度勾配よりも急峻
で理想的な階段接合が得られ、これにより少数キャリア
の注入効率及びライフタイムを向上でき、またＮ型エピ
タキシャル層のキャリア濃度の低減と且つ移動度が増加
することにより発光素子としての順方向電圧の増大やＰ
型反転層による導通不良をなくすことができ、またその
結果として発光効率が向上し、劣化の少ない緑色発光素
子を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオード用エピ
タキシャルウェーハの製造方法の説明図である。
タキシャルウェーハの製造方法の説明図である。
【図２】成長過程における温度プログラム図である。
【図３】製造された発光ダイオード用エピタキシャルウ
ェーハの断面図である。
ェーハの断面図である。
【図４】得られたウェーハのキャリア濃度の特性図であ
る。
る。
【図５】パナジウムＶをドープして得られたＮ型エピタ
キシャル層における、キャリア濃度と移動度との関係を
示す特性図である。
キシャル層における、キャリア濃度と移動度との関係を
示す特性図である。
１ 成長炉
２ 成長ボート
３ ＧａＰ基板
４ 第１の原料溶液溜め
５ Ｇａ溶液
６ ＧａＰ多結晶
７ ゲッター剤
８ 第２の原料溶液溜め
９ Ｇａ溶液
１０ ヒータ
１１ スライド棒
１２ Ｎ型エピタキシャル層
１３ Ｐ型エピタキシャル層
Claims (4)
- 【請求項１】ＧａＰ基板と、前記ＧａＰ基板上に、形成
されたＮ型エピタキシャル層とＰ型エピタキシャル層と
を備え、前記Ｎ型エピタキシャル層は、キャリア濃度が
１Ｘ１０１６ｃｍ−３以下で且つ周期律表の第４周期〜
第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に属する元素の
うちの少なくとも１種類を、１０１４ｃｍ−３以上、１
０１６ｃｍ−３以下含んでいる、発光ダイオード用エピ
タキシャルウェーハ。 - 【請求項２】ＧａＰ基板上にＧａ溶液を用いてＮ型エピ
タキシャル層とＰ型エピタキシャル層とを成長させる発
光ダイオード用エピタキシャルウェーハ製造方法におい
て、前記Ｇａ溶液中に、ＧａＰエピタキシャル層への偏
析係数が小さく且つＧａ溶液中のシャロードナー不純物
と反応して化合物を形成する元素を添加して前記Ｎ型エ
ピタキシャル層をそのキャリア濃度が１Ｘ１０１６ｃｍ
−３以下となるように成長させることを特徴とする発光
ダイオード用エピタキシャルウェーハの製造方法。 - 【請求項３】前記添加する元素は、周期律表の第４周期
〜第６周期の第 ＩＩＩａ族〜第ＶＩａ族に属する元素
のうちの少なくとも１種である、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】前記Ｇａ溶液中の前記シャロードナー不純
物はＳｉ又はＳである、請求項２又は３記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023434A JPH04263478A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| KR1019920002267A KR920017288A (ko) | 1991-02-18 | 1992-02-15 | 발광다이오드용 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023434A JPH04263478A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263478A true JPH04263478A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12110400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023434A Pending JPH04263478A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263478A (ja) |
| KR (1) | KR920017288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156534A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Gallium phosphide luminescent device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000312026A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Showa Denko Kk | 赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子 |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023434A patent/JPH04263478A/ja active Pending
-
1992
- 1992-02-15 KR KR1019920002267A patent/KR920017288A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156534A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Gallium phosphide luminescent device |
| EP1156534A4 (en) * | 1999-10-29 | 2006-09-06 | Shinetsu Handotai Kk | LIGHT-EMITTING DEVICE WITH GALLIUM PHOSPHIDE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920017288A (ko) | 1992-09-26 |
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