JP3265126B2 - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品とその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の保護膜は、例え
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電子部品は複数の内部電極を有する素子と、
この素子の前記内部電極の露出した両端面のみに設けた
下層外部電極と、前記素子表面の前記下層外部電極非形
成部を覆うように設けた拡散層と、前記下層外部電極を
被覆すると共に、この下層外部電極に続く前記拡散層の
一部を被覆するように設けた上層外部電極と、前記素子
の前記上層外部電極非形成部及び前記上層外部電極端部
を覆うように設けた保護膜とを備え、前記拡散層は前記
保護膜成分が素子表面に拡散することにより形成された
ものである。
に本発明の電子部品は複数の内部電極を有する素子と、
この素子の前記内部電極の露出した両端面のみに設けた
下層外部電極と、前記素子表面の前記下層外部電極非形
成部を覆うように設けた拡散層と、前記下層外部電極を
被覆すると共に、この下層外部電極に続く前記拡散層の
一部を被覆するように設けた上層外部電極と、前記素子
の前記上層外部電極非形成部及び前記上層外部電極端部
を覆うように設けた保護膜とを備え、前記拡散層は前記
保護膜成分が素子表面に拡散することにより形成された
ものである。
【０００５】
【作用】この構成によると、拡散層により保護膜の素子
に対する付着強度は極めて大きいものとなる。また上層
外部電極端部を覆うように保護膜を形成しているので上
層外部電極と保護膜との境界から水分が浸入しにくくな
るのはもちろんであるが、例えこの部分から水分が浸入
したとしても、さらにこの上層外部電極と保護膜との境
界部分の下部には拡散層が存在しているので、素子内部
への水分の浸入をより効果的に防止することが可能とな
る。
に対する付着強度は極めて大きいものとなる。また上層
外部電極端部を覆うように保護膜を形成しているので上
層外部電極と保護膜との境界から水分が浸入しにくくな
るのはもちろんであるが、例えこの部分から水分が浸入
したとしても、さらにこの上層外部電極と保護膜との境
界部分の下部には拡散層が存在しているので、素子内部
への水分の浸入をより効果的に防止することが可能とな
る。
【０００６】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【０００７】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
【０００８】以上のように耐湿性、耐酸性に優れた電子
部品を提供することができる。
部品を提供することができる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００１０】図１において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分と
してＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成
分としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂを
Ａｇで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面に
は、保護膜４が付着形成されている。
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分と
してＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成
分としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂを
Ａｇで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面に
は、保護膜４が付着形成されている。
【００１１】ここで、バリスタ素子１表面と上層３ｂ
に、保護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、
この層５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子１は、
その外表面を保護膜４および外部電極３で覆われ、しか
も、バリスタ素子１と外部電極３の当接部分において
は、バリスタ素子１の表面に、保護膜４の成分が拡散し
た層５が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
に、保護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、
この層５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子１は、
その外表面を保護膜４および外部電極３で覆われ、しか
も、バリスタ素子１と外部電極３の当接部分において
は、バリスタ素子１の表面に、保護膜４の成分が拡散し
た層５が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
【００１２】図２は、製造工程を示し、（５）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
【００１３】セラミックシート１ａと、内部電極２とを
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面取り（９）した。
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面取り（９）した。
【００１４】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着（１
２）させ、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電
極を塗布（１３）し、７００〜８５０℃で再酸化のため
加熱（１４）する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子１を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着（１５）させ、７００〜８５０℃で加
熱処理（１６）する。
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着（１
２）させ、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電
極を塗布（１３）し、７００〜８５０℃で再酸化のため
加熱（１４）する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子１を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着（１５）させ、７００〜８５０℃で加
熱処理（１６）する。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】なお、実施例１において、１回目の保護膜
形成用物質の付着後の熱処理（１４）では、保護膜４
は、ほとんど形成されず、２回目の保護膜形成用物質の
付着後の熱処理（１６）で、はじめて保護膜４が形成さ
れる。
形成用物質の付着後の熱処理（１４）では、保護膜４
は、ほとんど形成されず、２回目の保護膜形成用物質の
付着後の熱処理（１６）で、はじめて保護膜４が形成さ
れる。
【００２０】１回目の熱処理（１４）により保護膜形成
用物質はバリスタ素子１表面に拡散し、２回目の熱処理
（１６）時に、この拡散した成分が核となり保護膜４が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にＢｉ2
Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
用物質はバリスタ素子１表面に拡散し、２回目の熱処理
（１６）時に、この拡散した成分が核となり保護膜４が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にＢｉ2
Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
【００２１】また、実施例１においては、外部電極３の
外表面全体にも保護膜４が形成されるので、導通をはか
るため、面取り（１７）を行い、外部電極３上の保護膜
４を取り除く。その後、外部電極３表面にＮｉメッキ、
その上に半田メッキ（１８）を行うとよい。
外表面全体にも保護膜４が形成されるので、導通をはか
るため、面取り（１７）を行い、外部電極３上の保護膜
４を取り除く。その後、外部電極３表面にＮｉメッキ、
その上に半田メッキ（１８）を行うとよい。
【００２２】さらに、保護膜形成用物質を付着させたバ
リスタ素子１を熱処理する際、図４に示すように、直接
Ｎｉ製のアミ２２の上にのせ７００〜８５０℃で加熱し
て、保護膜４を形成してもよい。
リスタ素子１を熱処理する際、図４に示すように、直接
Ｎｉ製のアミ２２の上にのせ７００〜８５０℃で加熱し
て、保護膜４を形成してもよい。
【００２３】さらに、実施例１においては、積層バリス
タを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイル、バ
リスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層セラミ
ックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できるもので
あり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問わな
い。
タを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイル、バ
リスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層セラミ
ックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できるもので
あり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問わな
い。
【００２４】また、製造工程上重要なことは、 （１）バリスタ素子１を保護膜形成用物質を含む液体中
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
【００２５】（２）浸漬前のバリスタ素子１の表面には
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
【００２６】（３）浸漬後のバリスタ素子１は、乾燥さ
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
【００２７】また、外部電極３において、下層３ａをバ
リスタ素子１の端面にのみ形成し、上層３ｂのみがバリ
スタ素子１の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子１表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極３、内部電極２ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
リスタ素子１の端面にのみ形成し、上層３ｂのみがバリ
スタ素子１の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子１表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極３、内部電極２ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
【００２８】（４）保護膜形成用物質を含む液体は、加
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
【００２９】（５）保護膜形成用物質を含む液体を保存
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】以上本発明によると、拡散層により保護
膜の素子に対する付着強度は極めて大きいものとなる。
また上層外部電極端部を覆うように保護膜を形成してい
るので上層外部電極と保護膜との境界から水分が浸入し
にくくなるのはもちろんであるが、例えこの部分から水
分が侵入したとしても、さらにこの上層外部電極と保護
膜との境界部分の下部には拡散層が存在しているので、
素子内部への水分の浸入をより効果的に防止することが
可能となる。
膜の素子に対する付着強度は極めて大きいものとなる。
また上層外部電極端部を覆うように保護膜を形成してい
るので上層外部電極と保護膜との境界から水分が浸入し
にくくなるのはもちろんであるが、例えこの部分から水
分が侵入したとしても、さらにこの上層外部電極と保護
膜との境界部分の下部には拡散層が存在しているので、
素子内部への水分の浸入をより効果的に防止することが
可能となる。
【００３１】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【００３２】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
【００３３】以上のように、本発明の電子部品は、耐湿
性、耐酸性に優れたものである。
性、耐酸性に優れたものである。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図２】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
図
図
【図３】本発明の他の実施例におけるバリスタの製造工
程を示す断面図
程を示す断面図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ４ 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の内部電極を有する素子と、この素
子の前記内部電極の露出した両端面のみに設けた下層外
部電極と、前記素子表面の前記下層外部電極非形成部を
覆うように設けた拡散層と、前記下層外部電極を被覆す
ると共に、この下層外部電極に続く前記拡散層の一部を
被覆するように設けた上層外部電極と、前記素子の前記
上層外部電極非形成部及び前記上層外部電極端部を覆う
ように設けた保護膜とを備え、前記拡散層は、前記保護
膜成分が素子表面に拡散することにより形成されたもの
である電子部品。 - 【請求項２】 保護膜はＳｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも
一種類以上を含む請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 複数の内部電極を有する素子の前記内部
電極の露出した両端面のみに下層外部電極を形成する第
１工程と、次に前記素子表面に保護膜形成用物質を付着
させると共に前記下層外部電極および前記素子上、下面
の一部を覆うように上層外部電極を形成して加熱する第
２工程と、次いで前記素子表面に保護膜形成用物質を付
着させて加熱する第３工程とを備えた電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831601A JPH0831601A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3265126B2 true JP3265126B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=15859077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16795194A Expired - Fee Related JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265126B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371056B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2003-02-06 | 한국과학기술연구원 | ＳｒＴｉＯ3계 ＳＭＤ형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 |
| TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP16795194A patent/JP3265126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831601A (ja) | 1996-02-02 |
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