TWI626665B - Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種晶圓電阻製造方法及其電阻裝置。前述方法包含下列步驟：於電阻之本體沉積電阻層、於本體之二端分別套上第一帽蓋、接著對套上第一帽蓋和本體沉積絕緣保護層、並自本體移除第一帽蓋、以及於本體之二端分別套上第二帽蓋，其中第二帽蓋其蓋合本體之面積係大於第一帽蓋其蓋合本體之面積，以使第二帽蓋之開口端部覆蓋一部分的絕緣保護層。藉由上述之製造流程所生產的電阻裝置可避免由帽蓋接縫處滲入的水氣直接影響電阻裝置之阻值。

Description

晶圓電阻製造方法及其電阻裝置

本發明係一種電阻製造方法及其電阻裝置，尤指一種晶圓電阻製造方法及其電阻裝置。

請參閱圖1，其為習知電阻裝置之製造流程圖，為說明習知電阻裝置之缺失，請參閱下述之流程說明：在製造步驟S101中，製造商會在電阻本體10沉積上電阻層11，接著在步驟S102會將已經沉積上電阻層11的電阻本體10二端套上導電之帽套12，並在電阻層11配置刻痕來設定所需之電阻值，最後，步驟S103會在帽套12之間覆蓋上絕緣保護層13來防止電阻層11受到水氣等物質影響電阻裝置1之電阻值。

然而，由前揭技術所製造的電阻裝置1在帽套以及絕緣保護層13之間會不可避免的產生接縫JP，因此水氣等外來物質會經由接縫JP滲入，進而影響電阻層11之特性(電阻層11受潮後會影響其阻值)，使得電阻裝置1之阻值產生變異，而降低了電阻裝置1之品質。

綜上所述，如何提供一種可解決前述問題之方案乃本領域亟需解決之技術問題。

為解決前揭之問題，本發明之目的係提供一種可在電阻帽蓋接縫處鍍膜之技術方案

為達上述目的，本發明提出一種晶圓電阻製造方法。前述方法包含下列步驟：於電阻之本體沉積電阻層、於本體之二端分別套上第一帽蓋、接著對套上第一帽蓋和電阻本體沉積第一絕緣保護層、並自本體移除第一帽蓋、以及於本體之二端分別套上第二帽蓋，其中第二帽蓋其蓋合本體之面積係大於第一帽蓋其蓋合本體之面積，以使第二帽蓋之開口端部覆蓋一部分的第一絕緣保護層，再覆蓋第二絕緣保護層於第一絕緣保護層上方。

為達上述目的，本發明提出一種電阻裝置。前述電阻裝置包含本體、電阻層、第一絕緣保護層、第二絕緣保護層以及二導電帽蓋。前述電阻層沉積於本體上。前述第一絕緣保護層於電阻層上之一部分，第二絕緣保護層於第一絕緣保護層上方。前述二導電帽蓋套設於本體之二端，此外，導電帽蓋之開口端部係覆蓋一部分的第一絕緣保護層。

綜上所述，本發明晶圓電阻製造方法及其電阻裝置透過上述之配置，得以有效解決因帽蓋接縫滲漏而影響電阻裝置品質之技術問題。

S101~S105‧‧‧習知技術製造流程

JP‧‧‧接縫

1‧‧‧電阻裝置

10‧‧‧本體

11‧‧‧電阻層

12‧‧‧帽蓋

13‧‧‧絕緣保護層

S201~S205‧‧‧步驟

2‧‧‧電阻裝置

20‧‧‧本體

21‧‧‧電阻層

22‧‧‧第一帽蓋

23‧‧‧第一絕緣保護層

24‧‧‧第二帽蓋

25‧‧‧第二絕緣保護層

Ed‧‧‧開口端部

圖1為習知技術之製造流程圖。

圖2為本發明第一實施例晶圓電阻製造方法之製造流程圖。

圖3為本發明第二實施例電阻裝置之剖面示意圖。

以下將描述具體之實施例以說明本發明之實施態樣，惟其並非用以限制本發明所欲保護之範疇。

請參閱圖2，其為本發明第一實施例晶圓電阻製造方法之製造流程圖，流程說明如下：

S201：於電阻之本體20沉積電阻層21(鍍上電阻薄膜)。

S202：於本體20之二端分別套上第一帽蓋22。

S203：對套上第一帽蓋22之本體20整體沉積第一絕緣保護層23(鍍上絕緣材質)。

S204：自本體20移除第一帽蓋22，由圖式可知，被第一帽蓋22所蓋合位置不會被第一絕緣保護層23所包覆。

S205：於本體20之二端分別套上第二帽蓋24，其中第二帽蓋24其蓋合本體20之面積係大於第一帽蓋22其蓋合本體20之面積，以使第二帽蓋24之開口端部Ed覆蓋一部分的第一絕緣保護層23。

S206：於第一絕緣保護層23上方再配置第二絕緣保護層25。

於另一實施例中，前述製造方法之第一帽蓋22內部空間可填充聚合物材料，做為第一帽蓋和本體之間連接，並在覆蓋第一絕緣保護層後移除該填充聚合物，使第一帽蓋可輕易從本體移除。於另一實施例中，前述製造方法之第一帽蓋22之材質係選擇的為金屬材質或為高分子材質。於另一實施例中，前述製造方法之第二帽蓋24之材質係為導電材質，並與 電阻層21連接。

於另一實施例中，前述製造方法之本體20套上第一帽蓋22之區域排除沉積第一絕緣保護層23。於另一實施例中，前述製造方法之本體20套上第二帽蓋24之區域係包含一部分的第一絕緣保護層23。於另一實施例中，前述第二絕緣保護層25係覆蓋第一絕緣保護層23上。

請參閱圖3，其為本發明第三實施例電阻裝置2之剖面示意圖。前述電阻裝置2包含本體20、電阻層21、第一絕緣保護層23、二個導電帽蓋(第二帽蓋24)、以及第二絕緣保護層25。前述電阻層21沉積於本體20上。前述第一絕緣保護層23沉積於電阻層21上之一部分。前述二個導電帽(第二帽蓋24)蓋套設於本體20之二端，此外導電帽蓋(第二帽蓋24)之開口端部Ed係覆蓋一部分的第一絕緣保護層23。前述之第二絕緣保護層25係配置於第一絕緣保護層23之上方。

於另一實施例中，前述電阻裝置2之本體20係為陶瓷材料並為棒狀結構。於另一實施例中，前述電阻裝置2其導電帽蓋(第二帽蓋24)之材質係為導電材料，並與電阻層21接觸連接。於另一實施例中，前述電阻裝置2之第一絕緣保護層23排除沉積位於本體20二端之區域。於另一實施例中，前述第二絕緣保護層25係覆蓋於第一絕緣保護層23之上方。

由於本發明晶圓電阻製造方法所產生之電阻元件及其電阻裝置2其帽蓋之開口端部Ed覆蓋了部分的第一絕緣保護層23，如水氣經由開口端部Ed邊滲入，第一絕緣保護層23可以避免水氣直接接觸到電阻層21，因而提高電阻裝置的可靠度。

上列詳細說明係針對本發明之一可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。

Claims (11)

1. 一種晶圓電阻製造方法，包含：於本體沉積電阻層；於該本體之二端分別套上第一帽蓋；對套上等第一帽蓋和電阻本體沉積第一絕緣保護層，該本體套上該第一帽蓋之區域排除沉積第一絕緣保護層；自該本體移除該等第一帽蓋；於該本體之二端分別套上等第二帽蓋，其中該等第二帽蓋其蓋合該本體之面積係大於該等第一帽蓋其蓋合該本體之面積，以使該第二帽蓋之開口端部覆蓋一部分的該第一絕緣保護層；以及於該第一絕緣保護層上方配置第二絕緣保護層。
2. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中該等第一帽蓋之材質係選擇的為金屬材質或為高分子材質。
3. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中該等第二帽蓋之材質係為導電材質，並與該電阻層連接。
4. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中沉積該電阻層為氣相沉積、電鍍或是化學鍍。
5. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中沉積該第一絕緣保護層為氣相沉積。
6. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中該第二絕緣保護層係覆蓋該第一絕緣保護層。
7. 如請求項1所述之晶圓電阻製造方法，其中該電阻層上係配置刻痕以設定所需之電阻值。
8. 一種電阻裝置，包含：本體；電阻層，沉積於該本體上；第一絕緣保護層，沉積於該電阻層上之一部分；二個導電帽蓋，套設於該本體之二端，其中該二導電帽蓋之開口端部係覆蓋一部分的第一絕緣保護層；以及第二絕緣保護層，配置於該第一絕緣保護層之上，該第二絕緣保護層覆蓋於第一絕緣保護層。
9. 如請求項8所述之電阻裝置，其中該本體係為陶瓷材料並為棒狀結構。
10. 如請求項8所述之電阻裝置，其中該等導電帽蓋之材質係為導電材料，並與該電阻層接觸連接。
11. 如請求項8所述之電阻裝置，其中該第一絕緣保護層排除沉積位於該本體二端之區域。