JPH0851002A - 電子部品素子及びその製造方法 - Google Patents
電子部品素子及びその製造方法Info
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- JPH0851002A JPH0851002A JP18493594A JP18493594A JPH0851002A JP H0851002 A JPH0851002 A JP H0851002A JP 18493594 A JP18493594 A JP 18493594A JP 18493594 A JP18493594 A JP 18493594A JP H0851002 A JPH0851002 A JP H0851002A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】セラミック素体の表面の一部である電極不要部
分にガラス質被膜が形成され、無電解めっきによってガ
ラス質被膜で被覆されていないセラミック素体表面に、
めっき被膜からなる電極が形成された電子部品素子及び
その製造方法を提供することにある。 【構成】基板１の表面の電極不要部分にガラス質皮膜７
が形成され、このガラス質被膜７を除く基板１の表面に
無電解めっきによって、めっき皮膜８が形成されること
を特徴とする。
分にガラス質被膜が形成され、無電解めっきによってガ
ラス質被膜で被覆されていないセラミック素体表面に、
めっき被膜からなる電極が形成された電子部品素子及び
その製造方法を提供することにある。 【構成】基板１の表面の電極不要部分にガラス質皮膜７
が形成され、このガラス質被膜７を除く基板１の表面に
無電解めっきによって、めっき皮膜８が形成されること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品素子の電極を
無電解めっきによって形成する電子部品素子及びその製
造方法に関するものである。
無電解めっきによって形成する電子部品素子及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品素子及びその製造方法に
ついて図４及び図５にもとづいて説明する。例えば、円
板状の電子部品素子である、セラミックコンデンサ、及
びサーミスタなどを例にとって説明する。
ついて図４及び図５にもとづいて説明する。例えば、円
板状の電子部品素子である、セラミックコンデンサ、及
びサーミスタなどを例にとって説明する。
【０００３】図４において、例えば、セラミック製の誘
電体やサーミスタに代表される、それ自体が電気的特性
を有する円板状のセラミック素体１に無電解めっきが施
され、その全表面にめっき被膜２が形成される。次に、
センタレス加工又はサンドブラストなどの機械的方法を
用いた除去方法で、円周端縁等の不要部分のめっき被膜
が除去されて、両主面に各々円形のめっき被膜からなる
電極３が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ
等の電子部品素子を得ることができる。
電体やサーミスタに代表される、それ自体が電気的特性
を有する円板状のセラミック素体１に無電解めっきが施
され、その全表面にめっき被膜２が形成される。次に、
センタレス加工又はサンドブラストなどの機械的方法を
用いた除去方法で、円周端縁等の不要部分のめっき被膜
が除去されて、両主面に各々円形のめっき被膜からなる
電極３が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ
等の電子部品素子を得ることができる。
【０００４】一方、図５において、円周端縁等の電極不
要部分にあらかじめめっきレジスト４が塗布されたセラ
ミック素体１に無電解めっきが施され、めっきレジスト
４を含む全表面にめっき被膜５が形成される。次に、め
っきレジスト４を化学的方法を用いて除去することによ
って、めっきレジスト４とともにめっきレジスト４表面
に形成されためっき被膜が除去されて、めっき被膜から
なる円形の電極６が両主面に形成されたセラミックコン
デンサやサーミスタ等の電子部品素子を得ることができ
る。
要部分にあらかじめめっきレジスト４が塗布されたセラ
ミック素体１に無電解めっきが施され、めっきレジスト
４を含む全表面にめっき被膜５が形成される。次に、め
っきレジスト４を化学的方法を用いて除去することによ
って、めっきレジスト４とともにめっきレジスト４表面
に形成されためっき被膜が除去されて、めっき被膜から
なる円形の電極６が両主面に形成されたセラミックコン
デンサやサーミスタ等の電子部品素子を得ることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の電子部品素子及びその製造方法において、研削等
の機械的方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法
では、その除去方法による制約条件によって、複雑な形
状の電極や微細な形状の電極を形成することが難しかっ
た。
構成の電子部品素子及びその製造方法において、研削等
の機械的方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法
では、その除去方法による制約条件によって、複雑な形
状の電極や微細な形状の電極を形成することが難しかっ
た。
【０００６】また、めっきレジストの剥離等による化学
的な方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法で
は、セラミック素体１とめっきレジスト４との間にめっ
き液が侵入して、不要部分にめっき被膜が形成されるこ
とがあるという問題点を有していた。
的な方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法で
は、セラミック素体１とめっきレジスト４との間にめっ
き液が侵入して、不要部分にめっき被膜が形成されるこ
とがあるという問題点を有していた。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、セラミック素体の表面の一部である
電極不要部分にガラス質被膜が形成され、無電解めっき
によってガラス質被膜で被覆されていないセラミック素
体表面に、めっき被膜からなる電極が形成された電子部
品素子及びその製造方法を提供することにある。
くなされたもので、セラミック素体の表面の一部である
電極不要部分にガラス質被膜が形成され、無電解めっき
によってガラス質被膜で被覆されていないセラミック素
体表面に、めっき被膜からなる電極が形成された電子部
品素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品素子においては、基板の表面の電
極不要部分にガラス質皮膜が形成され、該ガラス質被膜
を除く前記基板の表面に無電解めっきによって、めっき
皮膜が形成されたことを特徴とする。
に、本発明の電子部品素子においては、基板の表面の電
極不要部分にガラス質皮膜が形成され、該ガラス質被膜
を除く前記基板の表面に無電解めっきによって、めっき
皮膜が形成されたことを特徴とする。
【０００９】そして、前記基板は、電子回路または電子
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
【００１０】また、前記基板は、それ自体が電気的特性
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
【００１１】また、前記セラミック素体は、それ自体が
電気的特性を有することを特徴とする。
電気的特性を有することを特徴とする。
【００１２】また、前記セラミック素体は、正特性サー
ミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、
圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴とす
る。
ミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、
圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴とす
る。
【００１３】そして、前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から一種類以上の成分で構成されていることを特徴
とする。
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から一種類以上の成分で構成されていることを特徴
とする。
【００１４】本発明による電子部品素子の製造方法にお
いては、基板を準備し、該基板の表面の電極不要部分に
ガラス質皮膜を形成し、前記基板に無電解めっきを施す
ことによって、前記ガラス質皮膜を除く前記基板の表面
にめっき皮膜を形成することを特徴とする。
いては、基板を準備し、該基板の表面の電極不要部分に
ガラス質皮膜を形成し、前記基板に無電解めっきを施す
ことによって、前記ガラス質皮膜を除く前記基板の表面
にめっき皮膜を形成することを特徴とする。
【００１５】そして、前記基板は、電子回路または電子
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
【００１６】また、前記基板は、それ自体が電気的特性
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
【００１７】そして、前記セラミック素体は、正特性サ
ーミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素
体、圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴
とする。
ーミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素
体、圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴
とする。
【００１８】そして、前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から選ばれた一種類以上の成分で構成されている。
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から選ばれた一種類以上の成分で構成されている。
【００１９】
【作用】本発明では、上述のように電極不要部分にガラ
ス質被膜をあらかじめ形成することによって、基板全体
を無電解めっきしても、ガラス質被膜が形成された部分
にはめっき被膜が形成されず、ガラス質被膜が形成され
ていない基板の表面にめっき被膜が形成される。
ス質被膜をあらかじめ形成することによって、基板全体
を無電解めっきしても、ガラス質被膜が形成された部分
にはめっき被膜が形成されず、ガラス質被膜が形成され
ていない基板の表面にめっき被膜が形成される。
【００２０】
【実施例】本発明による一実施例について、図１乃至図
３にもとづいて詳細に説明する。但し、前述の従来例と
同一部分については、同一の符号を付し、詳細な説明を
省略する。
３にもとづいて詳細に説明する。但し、前述の従来例と
同一部分については、同一の符号を付し、詳細な説明を
省略する。
【００２１】図１において、それ自体が電気的特性を有
する円板状のセラミック素体１の両主面に、セラミック
素体１の外形に沿った円環状及び円周端面の電極不要部
分にペースト状のガラス質被膜が印刷などによって形成
される。次に、このセラミック素体１を２００〜８００
℃の間で熱処理することによって、ガラス質被膜の焼成
をおこなう。これによって、セラミック素体１に固着し
たガラス質被膜７が形成される。ここで形成されるガラ
ス質被膜７の材質は、硼硅酸鉛系ガラス、硼硅酸亜鉛系
ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの少なくとも一種類か
ら選ばれる。
する円板状のセラミック素体１の両主面に、セラミック
素体１の外形に沿った円環状及び円周端面の電極不要部
分にペースト状のガラス質被膜が印刷などによって形成
される。次に、このセラミック素体１を２００〜８００
℃の間で熱処理することによって、ガラス質被膜の焼成
をおこなう。これによって、セラミック素体１に固着し
たガラス質被膜７が形成される。ここで形成されるガラ
ス質被膜７の材質は、硼硅酸鉛系ガラス、硼硅酸亜鉛系
ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの少なくとも一種類か
ら選ばれる。
【００２２】次に、このセラミック素体１の全体を活性
化処理をおこなってから無電解めっきを施すと、ガラス
質被膜７の表面にはめっき被膜が形成されずに、ガラス
質被膜７が形成されていない電極必要部にめっき被膜か
らなる電極８が形成され、セラミックコンデンサやサー
ミスタ等の電子部品素子を得ることができる。ここで電
極８は、例えば、ニッケル，銅，銀等の３層からなるも
のであり、半田付け等の温度に絶えることができる。
化処理をおこなってから無電解めっきを施すと、ガラス
質被膜７の表面にはめっき被膜が形成されずに、ガラス
質被膜７が形成されていない電極必要部にめっき被膜か
らなる電極８が形成され、セラミックコンデンサやサー
ミスタ等の電子部品素子を得ることができる。ここで電
極８は、例えば、ニッケル，銅，銀等の３層からなるも
のであり、半田付け等の温度に絶えることができる。
【００２３】次に、セラミック素体の両主面に円環状の
電極が形成される他の実施例を示して説明する。
電極が形成される他の実施例を示して説明する。
【００２４】図２において、セラミック素体１の両主面
に電極不要部分である小さい円形状にペースト状のガラ
ス質被膜を形成する。次に、セラミック素体１を上述と
同様に焼成することによって、セラミック素体１に固着
した円形状のガラス質被膜９が形成される。次に、この
セラミック素体１を全体に活性化処理をおこなってから
無電解めっきを施すと、ガラス質被膜９の表面にはめっ
き被膜が形成されずに、ガラス質被膜９が形成されてい
ない電極必要部及びセラミック素体１の円周端面にめっ
き被膜１０が形成される。次に、センタレス加工等によ
って、円周端面の不要なめっき被膜１０を除去すること
によって両主面に円環状のめっき被膜からなる電極１１
が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ等の電
子部品素子を得ることができる。
に電極不要部分である小さい円形状にペースト状のガラ
ス質被膜を形成する。次に、セラミック素体１を上述と
同様に焼成することによって、セラミック素体１に固着
した円形状のガラス質被膜９が形成される。次に、この
セラミック素体１を全体に活性化処理をおこなってから
無電解めっきを施すと、ガラス質被膜９の表面にはめっ
き被膜が形成されずに、ガラス質被膜９が形成されてい
ない電極必要部及びセラミック素体１の円周端面にめっ
き被膜１０が形成される。次に、センタレス加工等によ
って、円周端面の不要なめっき被膜１０を除去すること
によって両主面に円環状のめっき被膜からなる電極１１
が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ等の電
子部品素子を得ることができる。
【００２５】次に、その他の実施例として面状発熱体を
例に示して説明する。図３において、例えば、角板状の
正特性サーミスタ素体１２の一方の主表面に矩形上のガ
ラス質被膜１３を形成し、他方の主表面と端面すべてに
ガラス質被膜１３を形成する。次に、無電解めっきを施
すことによって正特性サーミスタ素体１２の一方の主表
面にガラス質被膜１３を除いて櫛歯形のめっき被膜から
なる電極１４，１４が形成される。これによって面状発
熱体である電子部品素子を得ることができる。
例に示して説明する。図３において、例えば、角板状の
正特性サーミスタ素体１２の一方の主表面に矩形上のガ
ラス質被膜１３を形成し、他方の主表面と端面すべてに
ガラス質被膜１３を形成する。次に、無電解めっきを施
すことによって正特性サーミスタ素体１２の一方の主表
面にガラス質被膜１３を除いて櫛歯形のめっき被膜から
なる電極１４，１４が形成される。これによって面状発
熱体である電子部品素子を得ることができる。
【００２６】同様にして、正特性サーミスタ素体１２の
代りに、圧電製セラミック素体（図示せづ）を用いて、
表面波フィルタなどに利用することも可能である。
代りに、圧電製セラミック素体（図示せづ）を用いて、
表面波フィルタなどに利用することも可能である。
【００２７】上述の実施例に記載したように、本発明に
よるガラス質被膜は、その表面に活性化処理を施しても
無電解めっきによるめっき被膜が形成されないものであ
る。
よるガラス質被膜は、その表面に活性化処理を施しても
無電解めっきによるめっき被膜が形成されないものであ
る。
【００２８】尚、基板は、例えば、アルミナなどの絶縁
耐力を有しているセラミック基板であってもよい。ま
た、基板は、電子回路または電子部品機能が構成された
セラミック基板であってもよい。
耐力を有しているセラミック基板であってもよい。ま
た、基板は、電子回路または電子部品機能が構成された
セラミック基板であってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による電子部
品素子及びその製造方法では、電極が不要なセラミック
素体表面にガラス質被膜が形成されて後、このセラミッ
ク素体全体に無電解めっきが施されるものであるが、ガ
ラス質被膜上にはめっき被膜が形成されることなく、ガ
ラス質被膜が形成されていないセラミック素体表面に電
極が形成される。このため、無電解めっき前にめっきレ
ジストを塗布したり、まためっき後にめっきレジストを
剥離する必要がなく、選択的にめっき被膜形成が可能に
なる。また、ガラス質被膜によって、電極の形状が決定
されるため、電極の形状を容易に且つ任意に形成するこ
とができる。
品素子及びその製造方法では、電極が不要なセラミック
素体表面にガラス質被膜が形成されて後、このセラミッ
ク素体全体に無電解めっきが施されるものであるが、ガ
ラス質被膜上にはめっき被膜が形成されることなく、ガ
ラス質被膜が形成されていないセラミック素体表面に電
極が形成される。このため、無電解めっき前にめっきレ
ジストを塗布したり、まためっき後にめっきレジストを
剥離する必要がなく、選択的にめっき被膜形成が可能に
なる。また、ガラス質被膜によって、電極の形状が決定
されるため、電極の形状を容易に且つ任意に形成するこ
とができる。
【図１】本発明に係る電子部品素子の一実施例を示す側
面断面図である。
面断面図である。
【図２】本発明に係る電子部品素子における他の実施例
の製造過程を示す側面断面図である。
の製造過程を示す側面断面図である。
【図３】本発明に係る電子部品素子のそ他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】従来の電子部品素子における製造過程を示す側
面断面図である。
面断面図である。
【図５】従来の電子部品素子における他の製造過程を示
す側面断面図である。
す側面断面図である。
１，１２ セラミック素体（基板） ７，９，１３ ガラス質被膜 ８，１１，１４ 電極（めっき被膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/12 ３０１ Ｈ０１Ｌ 41/22
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の表面の電極不要部分にガラス質皮
膜が形成され、該ガラス質被膜を除く前記基板の表面に
無電解めっきによって、めっき皮膜が形成されたことを
特徴とする電子部品素子。 - 【請求項２】 前記基板は、電子回路または電子部品機
能が構成されたセラミック基板であることを特徴とする
請求項１に記載の電子部品素子。 - 【請求項３】 前記基板は、それ自体が電気的特性を有
するセラミック素体であることを特徴とする請求項１に
記載の電子部品素子。 - 【請求項４】 前記セラミック素体は、正特性サーミス
タ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、圧電
性セラミック素体のいずれかであることを特徴とする請
求項３に記載の電子部品素子。 - 【請求項５】 前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系ガラ
ス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの群
から一種類以上の成分で構成されていることを特徴とす
る請求項１，２，３又は４に記載の電子部品素子。 - 【請求項６】 基板を準備し、該基板の表面の電極不要
部分にガラス質皮膜を形成し、前記基板に無電解めっき
を施すことによって、前記ガラス質皮膜を除く前記基板
の表面にめっき皮膜を形成することを特徴とする電子部
品素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記基板は、電子回路または電子部品機
能が構成されたセラミック基板であることを特徴とする
請求項６に記載の電子部品素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記基板は、それ自体が電気的特性を有
するセラミック素体であることを特徴とする請求項６に
記載の電子部品素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記セラミック素体は、正特性サーミス
タ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、圧電
性セラミック素体のいずれかであることを特徴とする請
求項８に記載の電子部品素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系ガラ
ス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの群
から一種類以上の成分で構成されていることを特徴とす
る請求項６，７，８又は９に記載の電子部品素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493594A JPH0851002A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 電子部品素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493594A JPH0851002A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 電子部品素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851002A true JPH0851002A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16161929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18493594A Pending JPH0851002A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 電子部品素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0851002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012059786A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Tdk Corp | セラミック積層ｐｔｃサーミスタ |
| WO2016015594A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 肇庆爱晟电子科技有限公司 | 一种高精度高可靠快速响应热敏芯片及其制作方法 |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP18493594A patent/JPH0851002A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012059786A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Tdk Corp | セラミック積層ｐｔｃサーミスタ |
| CN102403077A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-04-04 | Tdk株式会社 | 陶瓷层叠ptc热敏电阻 |
| US8339237B2 (en) | 2010-09-06 | 2012-12-25 | Tdk Corporation | Multilayer PTC thermistor |
| WO2016015594A1 (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | 肇庆爱晟电子科技有限公司 | 一种高精度高可靠快速响应热敏芯片及其制作方法 |
| US20170211991A1 (en) * | 2014-07-30 | 2017-07-27 | Exsense Electronics Technology Co., Ltd | High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof |
| US10330539B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-06-25 | Exsense Electronics Technology Co., Ltd | High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof |
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