JPH0831601A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH0831601A JPH0831601A JP6167951A JP16795194A JPH0831601A JP H0831601 A JPH0831601 A JP H0831601A JP 6167951 A JP6167951 A JP 6167951A JP 16795194 A JP16795194 A JP 16795194A JP H0831601 A JPH0831601 A JP H0831601A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品とその製造方法に関するも
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜4を素子1表面に、その少なくとも一部が拡散し
た層により構成されたものである。
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜4を素子1表面に、その少なくとも一部が拡散し
た層により構成されたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品とその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の保護膜は、例え
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、素子の外周に保護膜を形成すると共
に、この素子表面に、この保護膜の成分を拡散させるも
のである。
るために本発明は、素子の外周に保護膜を形成すると共
に、この素子表面に、この保護膜の成分を拡散させるも
のである。
【0005】
【作用】上記構成とすれば、保護膜の一部が素子表面に
拡散しているので、結論として保護膜の素子に対する付
着強度は極めて強い。その上、水分等が素子内部へ浸入
するのを防ぐことができる。
拡散しているので、結論として保護膜の素子に対する付
着強度は極めて強い。その上、水分等が素子内部へ浸入
するのを防ぐことができる。
【0006】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【0007】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
【0008】以上のように耐湿性、耐酸性に優れた電子
部品を提供することができる。
部品を提供することができる。
【0009】
(実施例1)以下、本発明の第1の実施例について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【0010】図1において、1はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極2が設けられ、その両端には外
部電極3が設けられている。バリスタ素子1は、SrT
iO 3を主成分とし、副成分としてNb2O5,Ta
2O5,SiO2,MnO2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極2はNiを主成分とし、副成分と
してLi2CO3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極3は、下層3aをNiを主成分とし、副成
分としてLi2CO3などを添加して形成し、上層3bを
Agで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子1の上下面およびそれに接する上層3b表面に
は、保護膜4が付着形成されている。
内部には複数の内部電極2が設けられ、その両端には外
部電極3が設けられている。バリスタ素子1は、SrT
iO 3を主成分とし、副成分としてNb2O5,Ta
2O5,SiO2,MnO2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極2はNiを主成分とし、副成分と
してLi2CO3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極3は、下層3aをNiを主成分とし、副成
分としてLi2CO3などを添加して形成し、上層3bを
Agで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子1の上下面およびそれに接する上層3b表面に
は、保護膜4が付着形成されている。
【0011】ここで、バリスタ素子1表面と上層3b
に、保護膜4の成分が拡散した層5が形成されており、
この層5は、Si,Ti,Alの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子1は、
その外表面を保護膜4および外部電極3で覆われ、しか
も、バリスタ素子1と外部電極3の当接部分において
は、バリスタ素子1の表面に、保護膜4の成分が拡散し
た層5が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
に、保護膜4の成分が拡散した層5が形成されており、
この層5は、Si,Ti,Alの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子1は、
その外表面を保護膜4および外部電極3で覆われ、しか
も、バリスタ素子1と外部電極3の当接部分において
は、バリスタ素子1の表面に、保護膜4の成分が拡散し
た層5が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
【0012】図2は、製造工程を示し、(5)に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート1aを作製した。
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート1aを作製した。
【0013】セラミックシート1aと、内部電極2とを
積層(6)し、それを切断(7)、脱バイ・仮焼
(8)、面取り(9)した。
積層(6)し、それを切断(7)、脱バイ・仮焼
(8)、面取り(9)した。
【0014】次に、バリスタ素子1の端面に、下層3a
となるNi外部電極を塗布(10)し、1200〜13
00℃で還元焼成(11)し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着(1
2)させ、下層3aの上に、上層3bとなるAg外部電
極を塗布(13)し、700〜850℃で再酸化のため
加熱(14)する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子1を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着(15)させ、700〜850℃で加
熱処理(16)する。
となるNi外部電極を塗布(10)し、1200〜13
00℃で還元焼成(11)し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着(1
2)させ、下層3aの上に、上層3bとなるAg外部電
極を塗布(13)し、700〜850℃で再酸化のため
加熱(14)する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子1を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着(15)させ、700〜850℃で加
熱処理(16)する。
【0015】(実施例2)以下、本発明の第2の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【0016】実施例1と同様にして、上層3bを付与し
たバリスタ素子1を還元焼成(11)した後、M(OC
H3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n
[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=Alのと
き)、n=4(M=Si,Tiのとき)]のうち少なく
とも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリスタ素
子1の表面に保護膜形成用物質を付着(12)させた。
次に、図3に示す受皿19上に、セラミック製の板20
を設け、その上に、バリスタ素子1を粉体21内に埋設
させて、700〜850℃で30分熱処理(14)し
た。
たバリスタ素子1を還元焼成(11)した後、M(OC
H3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n
[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=Alのと
き)、n=4(M=Si,Tiのとき)]のうち少なく
とも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリスタ素
子1の表面に保護膜形成用物質を付着(12)させた。
次に、図3に示す受皿19上に、セラミック製の板20
を設け、その上に、バリスタ素子1を粉体21内に埋設
させて、700〜850℃で30分熱処理(14)し
た。
【0017】ここで粉体21は、SiO2,TiO2,A
l2O3,MgO,ZnO2のうち少なくとも一種類以上
よりなる反応抑制剤である。
l2O3,MgO,ZnO2のうち少なくとも一種類以上
よりなる反応抑制剤である。
【0018】次に、再度バリスタ素子1を、M(OC
H3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n
[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=Alのと
き)、n=4(M=Ti,Alのとき)]のうち少なく
とも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子1
の表面に保護膜形成用物質を付着(15)させた。その
後、再び図3に示すように、受皿19上にセラミック製
の板20を設け、850℃で30分加熱(16)した。
この後、面とり(17)、メッキ(18)を行うことに
より、図1に示すごとく保護膜4を有する電子部品を得
た。
H3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n
[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=Alのと
き)、n=4(M=Ti,Alのとき)]のうち少なく
とも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子1
の表面に保護膜形成用物質を付着(15)させた。その
後、再び図3に示すように、受皿19上にセラミック製
の板20を設け、850℃で30分加熱(16)した。
この後、面とり(17)、メッキ(18)を行うことに
より、図1に示すごとく保護膜4を有する電子部品を得
た。
【0019】なお、実施例1,2において、1回目の保
護膜形成用物質の付着後の熱処理(14)では、保護膜
4は、ほとんど形成されず、2回目の保護膜形成用物質
の付着後の熱処理(16)で、はじめて保護膜4が形成
される。
護膜形成用物質の付着後の熱処理(14)では、保護膜
4は、ほとんど形成されず、2回目の保護膜形成用物質
の付着後の熱処理(16)で、はじめて保護膜4が形成
される。
【0020】1回目の熱処理(14)により保護膜形成
用物質はバリスタ素子1表面に拡散し、2回目の熱処理
(16)時に、この拡散した成分が核となり保護膜4が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にBi2
O3,Sb2O3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
用物質はバリスタ素子1表面に拡散し、2回目の熱処理
(16)時に、この拡散した成分が核となり保護膜4が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にBi2
O3,Sb2O3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
【0021】また、実施例1,2においては、外部電極
3の外表面全面にも保護膜4が形成されるので、導通を
はかるため、面取り(17)を行い、外部電極3上の保
護膜4を取り除く。その後、外部電極3表面にNiメッ
キ、その上に半田メッキ(18)を行うとよい。
3の外表面全面にも保護膜4が形成されるので、導通を
はかるため、面取り(17)を行い、外部電極3上の保
護膜4を取り除く。その後、外部電極3表面にNiメッ
キ、その上に半田メッキ(18)を行うとよい。
【0022】さらに、保護膜形成用物質を付着させたバ
リスタ素子1を熱処理する際、図4に示すように、直接
Ni製のアミ22の上にのせ700〜850℃で加熱し
て、保護膜4を形成してもよい。
リスタ素子1を熱処理する際、図4に示すように、直接
Ni製のアミ22の上にのせ700〜850℃で加熱し
て、保護膜4を形成してもよい。
【0023】さらに、実施例1,2においては、積層バ
リスタを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイ
ル、バリスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層
セラミックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できる
ものであり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問
わない。
リスタを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイ
ル、バリスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層
セラミックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できる
ものであり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問
わない。
【0024】また、製造工程上重要なことは、 (1)バリスタ素子1を保護膜形成用物質を含む液体中
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
【0025】(2)浸漬前のバリスタ素子1の表面には
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
【0026】(3)浸漬後のバリスタ素子1は、乾燥さ
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
【0027】また、外部電極3において、下層3aをバ
リスタ素子1の端面にのみ形成し、上層3bのみがバリ
スタ素子1の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子1表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極3、内部電極2ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
リスタ素子1の端面にのみ形成し、上層3bのみがバリ
スタ素子1の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子1表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極3、内部電極2ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
【0028】(4)保護膜形成用物質を含む液体は、加
水分解するので、バリスタ素子1を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
水分解するので、バリスタ素子1を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
【0029】(5)保護膜形成用物質を含む液体を保存
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明は、素子の表面に、
保護膜の成分が拡散した層を形成すると共に、この上
に、保護膜を設けたものであり、上記構成とすれば、保
護膜成分が素子表面に拡散しているので、結論として保
護膜の素子に対する付着強度は極めて強く、水分などが
素子内に浸入するのを防ぐため素子の変成を防止するこ
とが出来る。
保護膜の成分が拡散した層を形成すると共に、この上
に、保護膜を設けたものであり、上記構成とすれば、保
護膜成分が素子表面に拡散しているので、結論として保
護膜の素子に対する付着強度は極めて強く、水分などが
素子内に浸入するのを防ぐため素子の変成を防止するこ
とが出来る。
【0031】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【0032】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
【0033】以上のように、本発明の電子部品は、耐湿
性、耐酸性に優れたものである。
性、耐酸性に優れたものである。
【図1】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図2】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
図
図
【図3】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
を示す断面図
を示す断面図
【図4】本発明の他の実施例におけるバリスタの製造工
程を示す断面図
程を示す断面図
1 バリスタ素子 2 内部電極 3 外部電極 4 保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年8月10日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】実施例1と同様にして、上層3bを付与し
たバリスタ素子1を再酸化(14)した後、M(OCH
3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4
H9) n[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=A
lのとき)、n=4(M=Si,Tiのとき)]のうち
少なくとも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリ
スタ素子1の表面に保護膜形成用物質を付着(12)さ
せた。次に、図3に示す受皿19上に、セラミック製の
板20を設け、その上に、バリスタ素子1を粉体21内
に埋設させて、700〜850℃で30分熱処理(1
4)した。
たバリスタ素子1を再酸化(14)した後、M(OCH
3)n,M(OC2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4
H9) n[但し、M=Si,Ti,Al、n=3(M=A
lのとき)、n=4(M=Si,Tiのとき)]のうち
少なくとも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリ
スタ素子1の表面に保護膜形成用物質を付着(12)さ
せた。次に、図3に示す受皿19上に、セラミック製の
板20を設け、その上に、バリスタ素子1を粉体21内
に埋設させて、700〜850℃で30分熱処理(1
4)した。
Claims (10)
- 【請求項1】 素子と、この素子の外周部に設けた保護
膜とを備え、前記素子表面には、前記保護膜を形成する
成分が拡散している電子部品。 - 【請求項2】 保護膜は、Si,Ti,Alの少なくと
も一種類以上を含む請求項1記載の電子部品。 - 【請求項3】 素子の表面に保護膜形成用物質を付着さ
せ、次に、前記素子を加熱し、その後、さらに前記素子
の表面に前記保護膜形成用物質を付着させた後に、再度
加熱する電子部品の製造方法。 - 【請求項4】 保護膜形成用物質を付着させた素子の外
表面に、反応抑制剤を当接させる請求項3記載の電子部
品の製造方法。 - 【請求項5】 反応抑制剤は、SiO2,TiO2,Al
2O3,MgO,ZrO 2のうち少なくとも一種類以上含
む請求項4記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項6】 保護膜形成用物質を含む液体中に素子を
浸漬し、その後前記素子を液体中から取出した後に、加
熱し、その後、さらに前記素子を前記保護膜形成用物質
を含む液体中に浸漬し、次に、前記素子を前記液体中か
ら取出した後に、再度加熱する電子部品の製造方法。 - 【請求項7】 液体は、M(OCH3)n,M(OC
2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n[但し、M=S
i,Ti,Al、n=3(M=Alのとき)、n=4
(M=Si,Tiのとき)]の少なくとも一種類以上を
含む請求項6記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項8】 液体は、M(OCH3)n,M(OC
2H5)n,M(OC3H7)n,M(OC4H9)n[但し、M=S
i,Ti,Al、n=3(M=Alのとき)、n=4
(M=Si,Tiのとき)]の少なくとも一種類以上と
Bi2O3,Sb2O3の少なくとも一方を含む請求項6記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項9】 保護膜形成用物質を含む液体中に、素子
を浸漬し、次に前記素子を取り出した後、反応抑制剤を
前記素子の外表面に当接させる請求項6記載の電子部品
の製造方法。 - 【請求項10】 反応抑制剤は、SiO2,TiO2,A
l2O3,MgO,ZrO2のうち少なくとも一種類以上
を含む請求項9記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0831601A true JPH0831601A (ja) | 1996-02-02 |
JP3265126B2 JP3265126B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=15859077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16795194A Expired - Fee Related JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3265126B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100371056B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2003-02-06 | 한국과학기술연구원 | SrTiO3계 SMD형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 |
TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP16795194A patent/JP3265126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100371056B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2003-02-06 | 한국과학기술연구원 | SrTiO3계 SMD형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 |
TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3265126B2 (ja) | 2002-03-11 |
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