JPS60202901A - チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法Info
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- JPS60202901A JPS60202901A JP6143584A JP6143584A JPS60202901A JP S60202901 A JPS60202901 A JP S60202901A JP 6143584 A JP6143584 A JP 6143584A JP 6143584 A JP6143584 A JP 6143584A JP S60202901 A JPS60202901 A JP S60202901A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は民生用及び産業用の各種電子機器等に限流素子
及び定温発熱体として用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法の改
良に関−し、耐電圧特性に優れた電極の形成方法に関す
るものである。
及び定温発熱体として用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法の改
良に関−し、耐電圧特性に優れた電極の形成方法に関す
るものである。
従来例の構成とその間貌点
従来、こうした正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器にオーム性電極を付与する方法として
In−Ga合金を塗布する方法、真空蒸着や金属溶射法
によりCu 、 AjL 、 Zn等を付着させる方法
、オーム性Aqペーストを焼付ける方法及び、無電解メ
ッキによってNiを付着させる方法などが用いられてき
た。しかし、In−Ga合金は良好なオーム性接触は得
られるものの合金の融点が低いため耐熱性が悪く実用上
問題があった。
ウム系半導体磁器にオーム性電極を付与する方法として
In−Ga合金を塗布する方法、真空蒸着や金属溶射法
によりCu 、 AjL 、 Zn等を付着させる方法
、オーム性Aqペーストを焼付ける方法及び、無電解メ
ッキによってNiを付着させる方法などが用いられてき
た。しかし、In−Ga合金は良好なオーム性接触は得
られるものの合金の融点が低いため耐熱性が悪く実用上
問題があった。
′iた、真空蒸着や金属溶射法にょるCu 、 All
、 Zn等の電極は付鳳力が弱く実用上問題があった
。さらに、オーム性Aqペーストを用いる場合には、オ
ーム性のAq電極の上にさらにこれを保護するAq電極
を形成して、信頼性を向上させてやる必要があり、電極
形成コストが高くつくという問題があった。(オーミッ
ク性Aq電極のみでは、耐電圧性が低下するとともに、
耐湿性が低い。) 一方、無電解Niメッキにより作製したNi電極はオー
ム性接触を得るために数百塵での熱処理を必要とし、こ
の熱処理により形成されるNi表面の酸化膜による抵抗
値の上昇といった問題とともに、チタン酸バリウム系半
導体磁器(以下単に素子と記す。)の全面にNiメッキ
層が生成するために、不要な部分のNiメッキ層を除去
する必要があり、不要な部分を機械的研磨により除去す
る際に、素子を第1図に示す従来の方法、すなわち、素
子洗浄を行か、無電解Niメッキ処理を施し、これに保
強電極を塗布した後焼付し、素子を固定した後、機械的
研磨を施し、その後固定用パラフィン及び松やにを除去
・洗浄する方法で行った場合にはパラフィン及び松やに
が残留し耐電圧性が劣化するといった問題があった。ま
た、必要な部分にのみNiメッキ層を形成するために、
予め必要な部分にのみPdペースIf塗布焼付し無電解
Niメッキする方法も考えられているが、Pdペースト
コストが高く、電極形成コストが高くつくとともに工程
が複雑になるといった***があった。
、 Zn等の電極は付鳳力が弱く実用上問題があった
。さらに、オーム性Aqペーストを用いる場合には、オ
ーム性のAq電極の上にさらにこれを保護するAq電極
を形成して、信頼性を向上させてやる必要があり、電極
形成コストが高くつくという問題があった。(オーミッ
ク性Aq電極のみでは、耐電圧性が低下するとともに、
耐湿性が低い。) 一方、無電解Niメッキにより作製したNi電極はオー
ム性接触を得るために数百塵での熱処理を必要とし、こ
の熱処理により形成されるNi表面の酸化膜による抵抗
値の上昇といった問題とともに、チタン酸バリウム系半
導体磁器(以下単に素子と記す。)の全面にNiメッキ
層が生成するために、不要な部分のNiメッキ層を除去
する必要があり、不要な部分を機械的研磨により除去す
る際に、素子を第1図に示す従来の方法、すなわち、素
子洗浄を行か、無電解Niメッキ処理を施し、これに保
強電極を塗布した後焼付し、素子を固定した後、機械的
研磨を施し、その後固定用パラフィン及び松やにを除去
・洗浄する方法で行った場合にはパラフィン及び松やに
が残留し耐電圧性が劣化するといった問題があった。ま
た、必要な部分にのみNiメッキ層を形成するために、
予め必要な部分にのみPdペースIf塗布焼付し無電解
Niメッキする方法も考えられているが、Pdペースト
コストが高く、電極形成コストが高くつくとともに工程
が複雑になるといった***があった。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、耐電圧特性に優れたチタン酸
バリウム系半導体磁器への電極形成方法を提供しようと
するものである。
バリウム系半導体磁器への電極形成方法を提供しようと
するものである。
発明の構成
本発明にがかるチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形
成方法は無電解メッキ法により、Niメッキを付着させ
たのち、パラフィン及び松やにを主成分とする有機物に
よりチタン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なN
iメッキ層を機械的に研磨除去し、Niメッキ層の酸化
防止のだめの保護用Aq電極ペーストを塗布し、400
℃〜600℃にて30′分〜60分間熱処理したのち、
保護用電極を焼付処理する工程からなっている。
成方法は無電解メッキ法により、Niメッキを付着させ
たのち、パラフィン及び松やにを主成分とする有機物に
よりチタン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なN
iメッキ層を機械的に研磨除去し、Niメッキ層の酸化
防止のだめの保護用Aq電極ペーストを塗布し、400
℃〜600℃にて30′分〜60分間熱処理したのち、
保護用電極を焼付処理する工程からなっている。
すなわち、第1図に示す従来の方法で電極形成したチタ
ン酸バリウム系半導体磁器(以下単に素子と記す)は、
図中素子固定工程において用いたノ(ラフイン及び松や
にが機械的研磨後の煮沸1.1.1トリクロルエタン溶
剤洗浄では充分除去されず耐電圧が低下するが、本発明
による方法ては、素子洗浄した後の無電解Niメッキ後
保護用Aq電極塗布・焼付前に素子固定・機械的研磨し
たのち固定用パラフィン及び松やにの除去、洗浄を行っ
た後の保護用Aq電極ペーストを塗布した状態で400
℃〜600℃にて30分〜1時間熱処理するだめ、パラ
フィン及び松やにを充分飛散除去させることができ耐電
圧の低下を防止できるとともに、Aq電極ペーストをN
iメッキ面上に塗布しているだめ400℃〜600℃に
て熱処理するにもかかわらず、Niメッキ面の酸化を防
止することができ抵抗呟上昇を防止することができる。
ン酸バリウム系半導体磁器(以下単に素子と記す)は、
図中素子固定工程において用いたノ(ラフイン及び松や
にが機械的研磨後の煮沸1.1.1トリクロルエタン溶
剤洗浄では充分除去されず耐電圧が低下するが、本発明
による方法ては、素子洗浄した後の無電解Niメッキ後
保護用Aq電極塗布・焼付前に素子固定・機械的研磨し
たのち固定用パラフィン及び松やにの除去、洗浄を行っ
た後の保護用Aq電極ペーストを塗布した状態で400
℃〜600℃にて30分〜1時間熱処理するだめ、パラ
フィン及び松やにを充分飛散除去させることができ耐電
圧の低下を防止できるとともに、Aq電極ペーストをN
iメッキ面上に塗布しているだめ400℃〜600℃に
て熱処理するにもかかわらず、Niメッキ面の酸化を防
止することができ抵抗呟上昇を防止することができる。
ここでもし、本発明によらず、素子固定・機械的研磨後
保護用Aq電極ペーストを塗布することなく400℃〜
600℃にて熱処理すると、Niメッキ表面に酸化物層
が生成し素子の抵抗値が上昇し実用上問題がある。
保護用Aq電極ペーストを塗布することなく400℃〜
600℃にて熱処理すると、Niメッキ表面に酸化物層
が生成し素子の抵抗値が上昇し実用上問題がある。
また、従来の方法による電極形成後、400〜600℃
にて熱処理すると、保護用Aq層とNiメッキ層の熱膨
張係数の差により、保護用Aq層がNiメッキ層から剥
離するという問題が生じる。ところで、本発明において
、熱処理温度を400℃〜600℃と限定したのは40
0’Cμ下では、)くラフイン及び松やにの飛散除去が
充分でなく、600℃以上でばNiメッキ表面が酸化し
抵抗値上昇するだめで有料でない。寸だ、熱処理時間は
30分以下ではパラフィン及び松やにの飛散が充分でな
く60分以上ではNiメッキ表面が酸化されるからであ
る。
にて熱処理すると、保護用Aq層とNiメッキ層の熱膨
張係数の差により、保護用Aq層がNiメッキ層から剥
離するという問題が生じる。ところで、本発明において
、熱処理温度を400℃〜600℃と限定したのは40
0’Cμ下では、)くラフイン及び松やにの飛散除去が
充分でなく、600℃以上でばNiメッキ表面が酸化し
抵抗値上昇するだめで有料でない。寸だ、熱処理時間は
30分以下ではパラフィン及び松やにの飛散が充分でな
く60分以上ではNiメッキ表面が酸化されるからであ
る。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
チタン酸バリウム系半導体磁器として次の組成からなる
直径17 mm +厚さ2.5調の素子のものを用いた
。
直径17 mm +厚さ2.5調の素子のものを用いた
。
(B ao、77S ro、2s )T iOs +0
−02Ti○2+0.0O13Nb205+ 0.01
53 i02+ O,0004MnO2素子を第1図に
示す従来の方法及びIn−Ga合金を素子の表面にこす
り付けて電極を形成した場合をそれぞれ比較例として示
すとともに、第2図に示す本発明による電極形成法を詳
述する。
−02Ti○2+0.0O13Nb205+ 0.01
53 i02+ O,0004MnO2素子を第1図に
示す従来の方法及びIn−Ga合金を素子の表面にこす
り付けて電極を形成した場合をそれぞれ比較例として示
すとともに、第2図に示す本発明による電極形成法を詳
述する。
すなわち本発明による電極形成方法では素子を1.1.
1.トリクロルエタン中にて、6分間超音洗浄したのち
、素子表面にPd を担持させ、この触媒作用により、
無電解Niメッキをする。次に素子の外用に付着した不
要のNiメッキ層を除去するために、松やに及びパラフ
ィンの重量比7:3の混合物により素子を第3図a、b
の状態に固定しく図中1は素子、2は松やに及びパラフ
ィンの混合物)、第4図の装置により、素子1の外周の
Niメッキ層を機械的に研磨除去する。第4図中、1は
素子、3,4は研磨と石、6はガイドである。
1.トリクロルエタン中にて、6分間超音洗浄したのち
、素子表面にPd を担持させ、この触媒作用により、
無電解Niメッキをする。次に素子の外用に付着した不
要のNiメッキ層を除去するために、松やに及びパラフ
ィンの重量比7:3の混合物により素子を第3図a、b
の状態に固定しく図中1は素子、2は松やに及びパラフ
ィンの混合物)、第4図の装置により、素子1の外周の
Niメッキ層を機械的に研磨除去する。第4図中、1は
素子、3,4は研磨と石、6はガイドである。
次に、煮沸1.1.1 )ジクロルエタン中にて固定用
に用いたパラフィン及び松やにの混合物2を除去するた
めに洗浄する。次に、保護用Aqペーストを300メツ
シエのステンレススクリーンにより塗布したのち、30
゛0℃、400℃、600℃。
に用いたパラフィン及び松やにの混合物2を除去するた
めに洗浄する。次に、保護用Aqペーストを300メツ
シエのステンレススクリーンにより塗布したのち、30
゛0℃、400℃、600℃。
600℃及び650℃にて、10分、30分、60分及
び70分間熱処理して、700℃にて10分間焼付処理
して第5図に示す電極構造を有する試料を作製した。第
6図中、1は素子、6はNiメッキ層、7は保護用Aq
電極層を示す。一方、第1図に示す従来の方法は、素子
洗浄したのち無電解メッキ後、直ちに保護用Aqペース
トを塗布し700℃にて10分間焼付したのち、素子を
固定し、外周の不要Niメッキ層を機械的研磨により除
去し、固定用のパラフィン及び松やにの混合物を煮沸1
.1.1−)ジクロルエタン中で洗浄し除去して試料を
作製した。
び70分間熱処理して、700℃にて10分間焼付処理
して第5図に示す電極構造を有する試料を作製した。第
6図中、1は素子、6はNiメッキ層、7は保護用Aq
電極層を示す。一方、第1図に示す従来の方法は、素子
洗浄したのち無電解メッキ後、直ちに保護用Aqペース
トを塗布し700℃にて10分間焼付したのち、素子を
固定し、外周の不要Niメッキ層を機械的研磨により除
去し、固定用のパラフィン及び松やにの混合物を煮沸1
.1.1−)ジクロルエタン中で洗浄し除去して試料を
作製した。
下表に得られた試料の特性を示す。
表中R26,Cは、25℃における抵抗値、耐電圧はそ
れぞれの試料に、一定の電圧を印加した際、3分間耐え
ることのできる電圧で、50(v)づつ昇圧して試験し
た。すなわち450(V)とあるのは450凹では3分
間保持されたが、500(V)では3分以内に試料が破
壊したことを意味する。
れぞれの試料に、一定の電圧を印加した際、3分間耐え
ることのできる電圧で、50(v)づつ昇圧して試験し
た。すなわち450(V)とあるのは450凹では3分
間保持されたが、500(V)では3分以内に試料が破
壊したことを意味する。
上記表から明かなように、本発明による試料6゜6.8
,9.は、In−Ga こすり付により作製した電極と
ほぼ同じR26,c ・耐電圧を示し、従来法による試
料2に比べて、耐電圧が著しく改善されていることがわ
かる。一方、本発明の比較例の試料3,4,7.10で
は、400〜600C,30分〜60分の本発明による
熱処理条件を満たさず、パラフィン及び松やにの混合物
の飛散除去が不充分であることや、Niメッキの酸化に
よる耐電圧が低下したり、R26,Cが上昇しているこ
とがわかる。
,9.は、In−Ga こすり付により作製した電極と
ほぼ同じR26,c ・耐電圧を示し、従来法による試
料2に比べて、耐電圧が著しく改善されていることがわ
かる。一方、本発明の比較例の試料3,4,7.10で
は、400〜600C,30分〜60分の本発明による
熱処理条件を満たさず、パラフィン及び松やにの混合物
の飛散除去が不充分であることや、Niメッキの酸化に
よる耐電圧が低下したり、R26,Cが上昇しているこ
とがわかる。
発明の効果
μ上のように本発明によるチタン酸バリウム系半導体磁
器の電極形成方法は無電解メッキ法によりNiメッキを
付着させたのち、パラフィン及び松やにを主成分とする
有機物によシ、固定し不要なNiメッキ層を機械研磨除
去し、Niメッキ層の酸化防止用保護Aq電極ペースト
を塗布し、400〜600℃にて30〜60分熱処理し
たのち、保護用電極を焼付処理することから構成されて
おり、Niメッキが酸化され抵抗値が上昇することなく
、耐電圧が著しく改善されるという特有の効果を有し、
その実用的効果は大なるものがある。
器の電極形成方法は無電解メッキ法によりNiメッキを
付着させたのち、パラフィン及び松やにを主成分とする
有機物によシ、固定し不要なNiメッキ層を機械研磨除
去し、Niメッキ層の酸化防止用保護Aq電極ペースト
を塗布し、400〜600℃にて30〜60分熱処理し
たのち、保護用電極を焼付処理することから構成されて
おり、Niメッキが酸化され抵抗値が上昇することなく
、耐電圧が著しく改善されるという特有の効果を有し、
その実用的効果は大なるものがある。
第1図は従来のチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形
成方法を示す工程図、第2図は本発明によるチタン酸バ
リウム系半導体磁器の電極形成方法を示す工程図、第3
図a、bは素子固定状態を示す斜視図及び側面図、第4
図は機械的研磨装置の基本構造を示す説明図、第6図は
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極構造を示す断面図
である。 1・・・・・・素子、2・・・・・・松やに及びパラフ
ィンの混合物、3.4・・・・・・研磨と石、6・・・
・・・ガイド、6・・・・・・Niメッキ層、7・・・
・・・保護用Aq電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第4図 手続補正書 昭和59年11月22日 昭和59年特許願第61435号 発明の名称 チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 件 所 大阪府門真市大字門真1006番地名 称 (
582) 松下電器産業株式会社代表者 山 下 俊
彦 代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地〈連絡先電
話(東京)437−1121東京法規分室〉補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第3頁第7行目の「行か、」を「行ない、
」と補正します。 (2)同書第5頁第20行〜同第6頁第1行目の「抵抗
値上昇するだめで有料でない。」を「抵抗値が増大する
ため好ましくない。」と補正します。
成方法を示す工程図、第2図は本発明によるチタン酸バ
リウム系半導体磁器の電極形成方法を示す工程図、第3
図a、bは素子固定状態を示す斜視図及び側面図、第4
図は機械的研磨装置の基本構造を示す説明図、第6図は
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極構造を示す断面図
である。 1・・・・・・素子、2・・・・・・松やに及びパラフ
ィンの混合物、3.4・・・・・・研磨と石、6・・・
・・・ガイド、6・・・・・・Niメッキ層、7・・・
・・・保護用Aq電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第4図 手続補正書 昭和59年11月22日 昭和59年特許願第61435号 発明の名称 チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 件 所 大阪府門真市大字門真1006番地名 称 (
582) 松下電器産業株式会社代表者 山 下 俊
彦 代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地〈連絡先電
話(東京)437−1121東京法規分室〉補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第3頁第7行目の「行か、」を「行ない、
」と補正します。 (2)同書第5頁第20行〜同第6頁第1行目の「抵抗
値上昇するだめで有料でない。」を「抵抗値が増大する
ため好ましくない。」と補正します。
Claims (1)
- 無電解メッキ法により、Niメッキを付着させたのち、
パラフィン及び松やにを主成分とする有機物によりチタ
ン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なNiメッキ
層を機械的研磨除去し、Niメッキ層の酸化防止用保護
用人q電極ペーストを塗布し、400〜600℃にて3
0分〜60分熱処理したのち、保護用電極を焼付処理す
ることを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の電
極形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6143584A JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6143584A JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60202901A true JPS60202901A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13170984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6143584A Pending JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60202901A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02220401A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
WO1992009993A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-11 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method for manufacturing thermistor of positive characteristic |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636101A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method of forming electrode for barium titanate porcelain semiconductor |
JPS56118301A (en) * | 1980-02-23 | 1981-09-17 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of manufacturing porcelain semiconductor |
JPS58157101A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | 松下冷機株式会社 | 半導体磁器の製造方法 |
JPS58215001A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP6143584A patent/JPS60202901A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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WO1992009993A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-11 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method for manufacturing thermistor of positive characteristic |
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