JPS60202901A - チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法Info
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- JPS60202901A JPS60202901A JP6143584A JP6143584A JPS60202901A JP S60202901 A JPS60202901 A JP S60202901A JP 6143584 A JP6143584 A JP 6143584A JP 6143584 A JP6143584 A JP 6143584A JP S60202901 A JPS60202901 A JP S60202901A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は民生用及び産業用の各種電子機器等に限流素子
及び定温発熱体として用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法の改
良に関−し、耐電圧特性に優れた電極の形成方法に関す
るものである。
及び定温発熱体として用いられる正の抵抗温度係数を有
するチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法の改
良に関−し、耐電圧特性に優れた電極の形成方法に関す
るものである。
従来例の構成とその間貌点
従来、こうした正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリ
ウム系半導体磁器にオーム性電極を付与する方法として
Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布する方法、真空蒸着や金属溶射法
によりＣｕ 、 ＡｊＬ 、 Ｚｎ等を付着させる方法
、オーム性Ａｑペーストを焼付ける方法及び、無電解メ
ッキによってＮｉを付着させる方法などが用いられてき
た。しかし、Ｉｎ−Ｇａ合金は良好なオーム性接触は得
られるものの合金の融点が低いため耐熱性が悪く実用上
問題があった。
ウム系半導体磁器にオーム性電極を付与する方法として
Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布する方法、真空蒸着や金属溶射法
によりＣｕ 、 ＡｊＬ 、 Ｚｎ等を付着させる方法
、オーム性Ａｑペーストを焼付ける方法及び、無電解メ
ッキによってＮｉを付着させる方法などが用いられてき
た。しかし、Ｉｎ−Ｇａ合金は良好なオーム性接触は得
られるものの合金の融点が低いため耐熱性が悪く実用上
問題があった。
′ｉた、真空蒸着や金属溶射法にょるＣｕ 、 Ａｌｌ
、 Ｚｎ等の電極は付鳳力が弱く実用上問題があった
。さらに、オーム性Ａｑペーストを用いる場合には、オ
ーム性のＡｑ電極の上にさらにこれを保護するＡｑ電極
を形成して、信頼性を向上させてやる必要があり、電極
形成コストが高くつくという問題があった。（オーミッ
ク性Ａｑ電極のみでは、耐電圧性が低下するとともに、
耐湿性が低い。） 一方、無電解Ｎｉメッキにより作製したＮｉ電極はオー
ム性接触を得るために数百塵での熱処理を必要とし、こ
の熱処理により形成されるＮｉ表面の酸化膜による抵抗
値の上昇といった問題とともに、チタン酸バリウム系半
導体磁器（以下単に素子と記す。）の全面にＮｉメッキ
層が生成するために、不要な部分のＮｉメッキ層を除去
する必要があり、不要な部分を機械的研磨により除去す
る際に、素子を第１図に示す従来の方法、すなわち、素
子洗浄を行か、無電解Ｎｉメッキ処理を施し、これに保
強電極を塗布した後焼付し、素子を固定した後、機械的
研磨を施し、その後固定用パラフィン及び松やにを除去
・洗浄する方法で行った場合にはパラフィン及び松やに
が残留し耐電圧性が劣化するといった問題があった。ま
た、必要な部分にのみＮｉメッキ層を形成するために、
予め必要な部分にのみＰｄペースＩｆ塗布焼付し無電解
Ｎｉメッキする方法も考えられているが、Ｐｄペースト
コストが高く、電極形成コストが高くつくとともに工程
が複雑になるといった***があった。
、 Ｚｎ等の電極は付鳳力が弱く実用上問題があった
。さらに、オーム性Ａｑペーストを用いる場合には、オ
ーム性のＡｑ電極の上にさらにこれを保護するＡｑ電極
を形成して、信頼性を向上させてやる必要があり、電極
形成コストが高くつくという問題があった。（オーミッ
ク性Ａｑ電極のみでは、耐電圧性が低下するとともに、
耐湿性が低い。） 一方、無電解Ｎｉメッキにより作製したＮｉ電極はオー
ム性接触を得るために数百塵での熱処理を必要とし、こ
の熱処理により形成されるＮｉ表面の酸化膜による抵抗
値の上昇といった問題とともに、チタン酸バリウム系半
導体磁器（以下単に素子と記す。）の全面にＮｉメッキ
層が生成するために、不要な部分のＮｉメッキ層を除去
する必要があり、不要な部分を機械的研磨により除去す
る際に、素子を第１図に示す従来の方法、すなわち、素
子洗浄を行か、無電解Ｎｉメッキ処理を施し、これに保
強電極を塗布した後焼付し、素子を固定した後、機械的
研磨を施し、その後固定用パラフィン及び松やにを除去
・洗浄する方法で行った場合にはパラフィン及び松やに
が残留し耐電圧性が劣化するといった問題があった。ま
た、必要な部分にのみＮｉメッキ層を形成するために、
予め必要な部分にのみＰｄペースＩｆ塗布焼付し無電解
Ｎｉメッキする方法も考えられているが、Ｐｄペースト
コストが高く、電極形成コストが高くつくとともに工程
が複雑になるといった***があった。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、耐電圧特性に優れたチタン酸
バリウム系半導体磁器への電極形成方法を提供しようと
するものである。
バリウム系半導体磁器への電極形成方法を提供しようと
するものである。
発明の構成
本発明にがかるチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形
成方法は無電解メッキ法により、Ｎｉメッキを付着させ
たのち、パラフィン及び松やにを主成分とする有機物に
よりチタン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なＮ
ｉメッキ層を機械的に研磨除去し、Ｎｉメッキ層の酸化
防止のだめの保護用Ａｑ電極ペーストを塗布し、４００
℃〜６００℃にて３０′分〜６０分間熱処理したのち、
保護用電極を焼付処理する工程からなっている。
成方法は無電解メッキ法により、Ｎｉメッキを付着させ
たのち、パラフィン及び松やにを主成分とする有機物に
よりチタン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なＮ
ｉメッキ層を機械的に研磨除去し、Ｎｉメッキ層の酸化
防止のだめの保護用Ａｑ電極ペーストを塗布し、４００
℃〜６００℃にて３０′分〜６０分間熱処理したのち、
保護用電極を焼付処理する工程からなっている。
すなわち、第１図に示す従来の方法で電極形成したチタ
ン酸バリウム系半導体磁器（以下単に素子と記す）は、
図中素子固定工程において用いたノ（ラフイン及び松や
にが機械的研磨後の煮沸１．１．１トリクロルエタン溶
剤洗浄では充分除去されず耐電圧が低下するが、本発明
による方法ては、素子洗浄した後の無電解Ｎｉメッキ後
保護用Ａｑ電極塗布・焼付前に素子固定・機械的研磨し
たのち固定用パラフィン及び松やにの除去、洗浄を行っ
た後の保護用Ａｑ電極ペーストを塗布した状態で４００
℃〜６００℃にて３０分〜１時間熱処理するだめ、パラ
フィン及び松やにを充分飛散除去させることができ耐電
圧の低下を防止できるとともに、Ａｑ電極ペーストをＮ
ｉメッキ面上に塗布しているだめ４００℃〜６００℃に
て熱処理するにもかかわらず、Ｎｉメッキ面の酸化を防
止することができ抵抗呟上昇を防止することができる。
ン酸バリウム系半導体磁器（以下単に素子と記す）は、
図中素子固定工程において用いたノ（ラフイン及び松や
にが機械的研磨後の煮沸１．１．１トリクロルエタン溶
剤洗浄では充分除去されず耐電圧が低下するが、本発明
による方法ては、素子洗浄した後の無電解Ｎｉメッキ後
保護用Ａｑ電極塗布・焼付前に素子固定・機械的研磨し
たのち固定用パラフィン及び松やにの除去、洗浄を行っ
た後の保護用Ａｑ電極ペーストを塗布した状態で４００
℃〜６００℃にて３０分〜１時間熱処理するだめ、パラ
フィン及び松やにを充分飛散除去させることができ耐電
圧の低下を防止できるとともに、Ａｑ電極ペーストをＮ
ｉメッキ面上に塗布しているだめ４００℃〜６００℃に
て熱処理するにもかかわらず、Ｎｉメッキ面の酸化を防
止することができ抵抗呟上昇を防止することができる。
ここでもし、本発明によらず、素子固定・機械的研磨後
保護用Ａｑ電極ペーストを塗布することなく４００℃〜
６００℃にて熱処理すると、Ｎｉメッキ表面に酸化物層
が生成し素子の抵抗値が上昇し実用上問題がある。
保護用Ａｑ電極ペーストを塗布することなく４００℃〜
６００℃にて熱処理すると、Ｎｉメッキ表面に酸化物層
が生成し素子の抵抗値が上昇し実用上問題がある。
また、従来の方法による電極形成後、４００〜６００℃
にて熱処理すると、保護用Ａｑ層とＮｉメッキ層の熱膨
張係数の差により、保護用Ａｑ層がＮｉメッキ層から剥
離するという問題が生じる。ところで、本発明において
、熱処理温度を４００℃〜６００℃と限定したのは４０
０’Ｃμ下では、）くラフイン及び松やにの飛散除去が
充分でなく、６００℃以上でばＮｉメッキ表面が酸化し
抵抗値上昇するだめで有料でない。寸だ、熱処理時間は
３０分以下ではパラフィン及び松やにの飛散が充分でな
く６０分以上ではＮｉメッキ表面が酸化されるからであ
る。
にて熱処理すると、保護用Ａｑ層とＮｉメッキ層の熱膨
張係数の差により、保護用Ａｑ層がＮｉメッキ層から剥
離するという問題が生じる。ところで、本発明において
、熱処理温度を４００℃〜６００℃と限定したのは４０
０’Ｃμ下では、）くラフイン及び松やにの飛散除去が
充分でなく、６００℃以上でばＮｉメッキ表面が酸化し
抵抗値上昇するだめで有料でない。寸だ、熱処理時間は
３０分以下ではパラフィン及び松やにの飛散が充分でな
く６０分以上ではＮｉメッキ表面が酸化されるからであ
る。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
チタン酸バリウム系半導体磁器として次の組成からなる
直径１７ ｍｍ ＋厚さ２．５調の素子のものを用いた
。
直径１７ ｍｍ ＋厚さ２．５調の素子のものを用いた
。
（Ｂ ａｏ、７７Ｓ ｒｏ、２ｓ ）Ｔ ｉＯｓ ＋０
−０２Ｔｉ○２＋０．０Ｏ１３Ｎｂ２０５＋ ０．０１
５３ ｉ０２＋ Ｏ，０００４ＭｎＯ２素子を第１図に
示す従来の方法及びＩｎ−Ｇａ合金を素子の表面にこす
り付けて電極を形成した場合をそれぞれ比較例として示
すとともに、第２図に示す本発明による電極形成法を詳
述する。
−０２Ｔｉ○２＋０．０Ｏ１３Ｎｂ２０５＋ ０．０１
５３ ｉ０２＋ Ｏ，０００４ＭｎＯ２素子を第１図に
示す従来の方法及びＩｎ−Ｇａ合金を素子の表面にこす
り付けて電極を形成した場合をそれぞれ比較例として示
すとともに、第２図に示す本発明による電極形成法を詳
述する。
すなわち本発明による電極形成方法では素子を１．１．
１．トリクロルエタン中にて、６分間超音洗浄したのち
、素子表面にＰｄ を担持させ、この触媒作用により、
無電解Ｎｉメッキをする。次に素子の外用に付着した不
要のＮｉメッキ層を除去するために、松やに及びパラフ
ィンの重量比７：３の混合物により素子を第３図ａ、ｂ
の状態に固定しく図中１は素子、２は松やに及びパラフ
ィンの混合物）、第４図の装置により、素子１の外周の
Ｎｉメッキ層を機械的に研磨除去する。第４図中、１は
素子、３，４は研磨と石、６はガイドである。
１．トリクロルエタン中にて、６分間超音洗浄したのち
、素子表面にＰｄ を担持させ、この触媒作用により、
無電解Ｎｉメッキをする。次に素子の外用に付着した不
要のＮｉメッキ層を除去するために、松やに及びパラフ
ィンの重量比７：３の混合物により素子を第３図ａ、ｂ
の状態に固定しく図中１は素子、２は松やに及びパラフ
ィンの混合物）、第４図の装置により、素子１の外周の
Ｎｉメッキ層を機械的に研磨除去する。第４図中、１は
素子、３，４は研磨と石、６はガイドである。
次に、煮沸１．１．１ ）ジクロルエタン中にて固定用
に用いたパラフィン及び松やにの混合物２を除去するた
めに洗浄する。次に、保護用Ａｑペーストを３００メツ
シエのステンレススクリーンにより塗布したのち、３０
゛０℃、４００℃、６００℃。
に用いたパラフィン及び松やにの混合物２を除去するた
めに洗浄する。次に、保護用Ａｑペーストを３００メツ
シエのステンレススクリーンにより塗布したのち、３０
゛０℃、４００℃、６００℃。
６００℃及び６５０℃にて、１０分、３０分、６０分及
び７０分間熱処理して、７００℃にて１０分間焼付処理
して第５図に示す電極構造を有する試料を作製した。第
６図中、１は素子、６はＮｉメッキ層、７は保護用Ａｑ
電極層を示す。一方、第１図に示す従来の方法は、素子
洗浄したのち無電解メッキ後、直ちに保護用Ａｑペース
トを塗布し７００℃にて１０分間焼付したのち、素子を
固定し、外周の不要Ｎｉメッキ層を機械的研磨により除
去し、固定用のパラフィン及び松やにの混合物を煮沸１
．１．１−）ジクロルエタン中で洗浄し除去して試料を
作製した。
び７０分間熱処理して、７００℃にて１０分間焼付処理
して第５図に示す電極構造を有する試料を作製した。第
６図中、１は素子、６はＮｉメッキ層、７は保護用Ａｑ
電極層を示す。一方、第１図に示す従来の方法は、素子
洗浄したのち無電解メッキ後、直ちに保護用Ａｑペース
トを塗布し７００℃にて１０分間焼付したのち、素子を
固定し、外周の不要Ｎｉメッキ層を機械的研磨により除
去し、固定用のパラフィン及び松やにの混合物を煮沸１
．１．１−）ジクロルエタン中で洗浄し除去して試料を
作製した。
下表に得られた試料の特性を示す。
表中Ｒ２６，Ｃは、２５℃における抵抗値、耐電圧はそ
れぞれの試料に、一定の電圧を印加した際、３分間耐え
ることのできる電圧で、５０（ｖ）づつ昇圧して試験し
た。すなわち４５０（Ｖ）とあるのは４５０凹では３分
間保持されたが、５００（Ｖ）では３分以内に試料が破
壊したことを意味する。
れぞれの試料に、一定の電圧を印加した際、３分間耐え
ることのできる電圧で、５０（ｖ）づつ昇圧して試験し
た。すなわち４５０（Ｖ）とあるのは４５０凹では３分
間保持されたが、５００（Ｖ）では３分以内に試料が破
壊したことを意味する。
上記表から明かなように、本発明による試料６゜６．８
，９．は、Ｉｎ−Ｇａ こすり付により作製した電極と
ほぼ同じＲ２６，ｃ ・耐電圧を示し、従来法による試
料２に比べて、耐電圧が著しく改善されていることがわ
かる。一方、本発明の比較例の試料３，４，７．１０で
は、４００〜６００Ｃ，３０分〜６０分の本発明による
熱処理条件を満たさず、パラフィン及び松やにの混合物
の飛散除去が不充分であることや、Ｎｉメッキの酸化に
よる耐電圧が低下したり、Ｒ２６，Ｃが上昇しているこ
とがわかる。
，９．は、Ｉｎ−Ｇａ こすり付により作製した電極と
ほぼ同じＲ２６，ｃ ・耐電圧を示し、従来法による試
料２に比べて、耐電圧が著しく改善されていることがわ
かる。一方、本発明の比較例の試料３，４，７．１０で
は、４００〜６００Ｃ，３０分〜６０分の本発明による
熱処理条件を満たさず、パラフィン及び松やにの混合物
の飛散除去が不充分であることや、Ｎｉメッキの酸化に
よる耐電圧が低下したり、Ｒ２６，Ｃが上昇しているこ
とがわかる。
発明の効果
μ上のように本発明によるチタン酸バリウム系半導体磁
器の電極形成方法は無電解メッキ法によりＮｉメッキを
付着させたのち、パラフィン及び松やにを主成分とする
有機物によシ、固定し不要なＮｉメッキ層を機械研磨除
去し、Ｎｉメッキ層の酸化防止用保護Ａｑ電極ペースト
を塗布し、４００〜６００℃にて３０〜６０分熱処理し
たのち、保護用電極を焼付処理することから構成されて
おり、Ｎｉメッキが酸化され抵抗値が上昇することなく
、耐電圧が著しく改善されるという特有の効果を有し、
その実用的効果は大なるものがある。
器の電極形成方法は無電解メッキ法によりＮｉメッキを
付着させたのち、パラフィン及び松やにを主成分とする
有機物によシ、固定し不要なＮｉメッキ層を機械研磨除
去し、Ｎｉメッキ層の酸化防止用保護Ａｑ電極ペースト
を塗布し、４００〜６００℃にて３０〜６０分熱処理し
たのち、保護用電極を焼付処理することから構成されて
おり、Ｎｉメッキが酸化され抵抗値が上昇することなく
、耐電圧が著しく改善されるという特有の効果を有し、
その実用的効果は大なるものがある。
第１図は従来のチタン酸バリウム系半導体磁器の電極形
成方法を示す工程図、第２図は本発明によるチタン酸バ
リウム系半導体磁器の電極形成方法を示す工程図、第３
図ａ、ｂは素子固定状態を示す斜視図及び側面図、第４
図は機械的研磨装置の基本構造を示す説明図、第６図は
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極構造を示す断面図
である。 １・・・・・・素子、２・・・・・・松やに及びパラフ
ィンの混合物、３．４・・・・・・研磨と石、６・・・
・・・ガイド、６・・・・・・Ｎｉメッキ層、７・・・
・・・保護用Ａｑ電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第４図 手続補正書 昭和５９年１１月２２日 昭和５９年特許願第６１４３５号 発明の名称 チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 件 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称 （
５８２） 松下電器産業株式会社代表者 山 下 俊
彦 代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地〈連絡先電
話（東京）４３７−１１２１東京法規分室〉補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第７行目の「行か、」を「行ない、
」と補正します。 （２）同書第５頁第２０行〜同第６頁第１行目の「抵抗
値上昇するだめで有料でない。」を「抵抗値が増大する
ため好ましくない。」と補正します。
成方法を示す工程図、第２図は本発明によるチタン酸バ
リウム系半導体磁器の電極形成方法を示す工程図、第３
図ａ、ｂは素子固定状態を示す斜視図及び側面図、第４
図は機械的研磨装置の基本構造を示す説明図、第６図は
チタン酸バリウム系半導体磁器の電極構造を示す断面図
である。 １・・・・・・素子、２・・・・・・松やに及びパラフ
ィンの混合物、３．４・・・・・・研磨と石、６・・・
・・・ガイド、６・・・・・・Ｎｉメッキ層、７・・・
・・・保護用Ａｑ電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第４図 手続補正書 昭和５９年１１月２２日 昭和５９年特許願第６１４３５号 発明の名称 チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 件 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称 （
５８２） 松下電器産業株式会社代表者 山 下 俊
彦 代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地〈連絡先電
話（東京）４３７−１１２１東京法規分室〉補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第７行目の「行か、」を「行ない、
」と補正します。 （２）同書第５頁第２０行〜同第６頁第１行目の「抵抗
値上昇するだめで有料でない。」を「抵抗値が増大する
ため好ましくない。」と補正します。
Claims (1)
- 無電解メッキ法により、Ｎｉメッキを付着させたのち、
パラフィン及び松やにを主成分とする有機物によりチタ
ン酸バリウム系半導体磁器を固定し、不要なＮｉメッキ
層を機械的研磨除去し、Ｎｉメッキ層の酸化防止用保護
用人ｑ電極ペーストを塗布し、４００〜６００℃にて３
０分〜６０分熱処理したのち、保護用電極を焼付処理す
ることを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の電
極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143584A JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143584A JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202901A true JPS60202901A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13170984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143584A Pending JPS60202901A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02220401A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
| WO1992009993A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-11 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method for manufacturing thermistor of positive characteristic |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636101A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method of forming electrode for barium titanate porcelain semiconductor |
| JPS56118301A (en) * | 1980-02-23 | 1981-09-17 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of manufacturing porcelain semiconductor |
| JPS58157101A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | 松下冷機株式会社 | 半導体磁器の製造方法 |
| JPS58215001A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP6143584A patent/JPS60202901A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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