JP2526252B2 - 半導体素子の信頼性試験方法 - Google Patents
半導体素子の信頼性試験方法Info
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- JP2526252B2 JP2526252B2 JP62190808A JP19080887A JP2526252B2 JP 2526252 B2 JP2526252 B2 JP 2526252B2 JP 62190808 A JP62190808 A JP 62190808A JP 19080887 A JP19080887 A JP 19080887A JP 2526252 B2 JP2526252 B2 JP 2526252B2
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- Japan
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- semiconductor
- reliability test
- semiconductor elements
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- semiconductor wafer
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ上に形成された半導体素子の
信頼性試験を行う半導体素子の信頼性試験方法に関す
る。
信頼性試験を行う半導体素子の信頼性試験方法に関す
る。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ上に形成された半導体素子の試
験測定は、従来プローバとテスタとを用いて行われてい
る。
験測定は、従来プローバとテスタとを用いて行われてい
る。
すなわち、プローバによって半導体ウエハ上に形成さ
れた多数の半導体素子に順次探針を接触させ、この探針
を介してテスタから所定の検査信号を供給するととも
に、半導体素子からの信号を測定して順次半導体素子の
試験測定を行う。
れた多数の半導体素子に順次探針を接触させ、この探針
を介してテスタから所定の検査信号を供給するととも
に、半導体素子からの信号を測定して順次半導体素子の
試験測定を行う。
また、従来、半導体素子の信頼性試験を行う装置とし
ては、バーンイン装置等があり、多数のパッケージ済み
の完成品の半導体素子を所定の圧力、温度とされたチャ
ンバ内に収容し、これらの半導体素子に同時に所定のス
トレス信号を例えば数十ないし数百時間印加して、同時
に多数の半導体素子の信頼性試験を行う。
ては、バーンイン装置等があり、多数のパッケージ済み
の完成品の半導体素子を所定の圧力、温度とされたチャ
ンバ内に収容し、これらの半導体素子に同時に所定のス
トレス信号を例えば数十ないし数百時間印加して、同時
に多数の半導体素子の信頼性試験を行う。
（発明が解決しようとする問題点） 上記説明のように、従来は、半導体ウエハの状態で多
数の半導体素子の信頼性試験を同時に行うシステムはな
かった。しかしながら、例えば半導体ウエハ上の位置の
違い等によって、形成された半導体素子の信頼性の違い
等が生じる可能性もあり、半導体ウエハの状態で半導体
素子の信頼性試験を行うことは有用である。
数の半導体素子の信頼性試験を同時に行うシステムはな
かった。しかしながら、例えば半導体ウエハ上の位置の
違い等によって、形成された半導体素子の信頼性の違い
等が生じる可能性もあり、半導体ウエハの状態で半導体
素子の信頼性試験を行うことは有用である。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、半導体ウエハの状態で多数の半導体素子の信頼性試
験を同時に行うことのできる半導体素子の信頼性試験方
法を提供しようとするものである。
で、半導体ウエハの状態で多数の半導体素子の信頼性試
験を同時に行うことのできる半導体素子の信頼性試験方
法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち、本発明は、載置台に配置された半導体ウエ
ハに形成された多数の半導体素子と探針とを順次接触さ
せてこれらの半導体素子の試験測定を行うプローバを用
いて、前記半導体ウエハに形成された多数の前記半導体
素子の信頼性試験を行う信頼性試験方法であって、 前記プローバに、前記多数の半導体素子の電極パッド
に対応する多数の探針を備えたプローブカードを設ける
工程と、 前記載置台に前記半導体ウエハを配置する工程と、 前記載置台を移動させて、前記プローブカードの多数
の探針と、前記多数の半導体素子の電極パッドとを当接
させる工程と、 前記多数の探針を介して前記多数の半導体素子に所定
のパルス信号又は所定の交流成分よりなるストレス信号
を印加して、これらの半導体素子の信頼性試験を行う工
程と を具備したことを特徴とする半導体素子の信頼性試験方
法。
ハに形成された多数の半導体素子と探針とを順次接触さ
せてこれらの半導体素子の試験測定を行うプローバを用
いて、前記半導体ウエハに形成された多数の前記半導体
素子の信頼性試験を行う信頼性試験方法であって、 前記プローバに、前記多数の半導体素子の電極パッド
に対応する多数の探針を備えたプローブカードを設ける
工程と、 前記載置台に前記半導体ウエハを配置する工程と、 前記載置台を移動させて、前記プローブカードの多数
の探針と、前記多数の半導体素子の電極パッドとを当接
させる工程と、 前記多数の探針を介して前記多数の半導体素子に所定
のパルス信号又は所定の交流成分よりなるストレス信号
を印加して、これらの半導体素子の信頼性試験を行う工
程と を具備したことを特徴とする半導体素子の信頼性試験方
法。
（作用） 本発明の半導体素子の信頼性試験方法は、半導体ウエ
ハの状態で、同時に多数の半導体素子の信頼性試験を行
うことができる。
ハの状態で、同時に多数の半導体素子の信頼性試験を行
うことができる。
したがって、１回の測定に長時間例えば数十ないし数
百時間を要する信頼性試験を、多数同時に行うことがで
き、例えば半導体ウエハ上の位置の違い等による半導体
素子の信頼性の違い等を短時間で試験することができ
る。
百時間を要する信頼性試験を、多数同時に行うことがで
き、例えば半導体ウエハ上の位置の違い等による半導体
素子の信頼性の違い等を短時間で試験することができ
る。
（実施例） 以下本発明の半導体素子の信頼性試験方法を、第１図
を参照して一実施例について説明する。
を参照して一実施例について説明する。
プローバ１は、載置台1aを備えており、載置台1a上に
は、半導体ウエハ３が配置される。この載置台1aの上方
には、半導体ウエハ３に形成された多数の半導体素子の
電極パッドに対応する多数の探針4aを備えたプローブカ
ード４が配置されている。
は、半導体ウエハ３が配置される。この載置台1aの上方
には、半導体ウエハ３に形成された多数の半導体素子の
電極パッドに対応する多数の探針4aを備えたプローブカ
ード４が配置されている。
なお、上記探針4aは、半導体ウエハ３に形成された例
えば50〜100個の半導体素子の電極パッドに対応して植
設されており、例えばトランジスタの信頼性試験を行う
場合は、１つの半導体素子に対応して、３本の探針4aが
配置されており、この場合、探針4aの総数は、150〜300
本とされている。
えば50〜100個の半導体素子の電極パッドに対応して植
設されており、例えばトランジスタの信頼性試験を行う
場合は、１つの半導体素子に対応して、３本の探針4aが
配置されており、この場合、探針4aの総数は、150〜300
本とされている。
また、テスタ２は、上記プローバ１に配置されたプロ
ーブカード４の探針4aと電気的に接続されている。
ーブカード４の探針4aと電気的に接続されている。
上記構成のこの実施例の半導体素子の信頼性試験シス
テムでは、プローバ１により、載置台1a上に配置された
半導体ウエハ３に形成された例えば50〜100個の半導体
素子に、同時に探針4aを接触させる。
テムでは、プローバ１により、載置台1a上に配置された
半導体ウエハ３に形成された例えば50〜100個の半導体
素子に、同時に探針4aを接触させる。
そして、テスタ２からこれらの探針4aを介して、それ
ぞれの半導体素子に所定のストレス信号例えば所定電圧
のパルス信号、所定の交流成分等を、例えば数十ないし
数百時間印加して、これらの半導体素子の信頼性試験を
行う。
ぞれの半導体素子に所定のストレス信号例えば所定電圧
のパルス信号、所定の交流成分等を、例えば数十ないし
数百時間印加して、これらの半導体素子の信頼性試験を
行う。
すなわち、上記説明のこの実施例の半導体素子の信頼
性試験システムでは、半導体ウエハ３の状態で、同時に
多数の半導体素子の信頼性試験を行うことができる。
性試験システムでは、半導体ウエハ３の状態で、同時に
多数の半導体素子の信頼性試験を行うことができる。
したがって、例えば半導体ウエハ３上の位置の違い等
による半導体素子の信頼性の違い等を、短時間で試験す
ることができる。
による半導体素子の信頼性の違い等を、短時間で試験す
ることができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の半導体素子の信頼性試験方法
では、半導体ウエハの状態で多数の半導体素子の信頼性
試験を同時に行うことができる。
では、半導体ウエハの状態で多数の半導体素子の信頼性
試験を同時に行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体素子の信頼性試験シ
ステムを示す構成図である。 １……プローバ、1a……載置台、２……テスタ、３……
半導体ウエハ、４……プローブカード、4a……探針。
ステムを示す構成図である。 １……プローバ、1a……載置台、２……テスタ、３……
半導体ウエハ、４……プローブカード、4a……探針。
Claims (1)
- 【請求項１】載置台に配置された半導体ウエハに形成さ
れた多数の半導体素子と探針とを順次接触させてこれら
の半導体素子の試験測定を行うプローバを用いて、前記
半導体ウエハに形成された多数の前記半導体素子の信頼
性試験を行う信頼性試験方法であって、 前記プローバに、前記多数の半導体素子の電極パッドに
対応する多数の探針を備えたプローブカードを設ける工
程と、 前記載置台に前記半導体ウエハを配置する工程と、 前記載置台を移動させて、前記プローブカードの多数の
探針と、前記多数の半導体素子の電極パッドとを当接さ
せる工程と、 前記多数の探針を介して前記多数の半導体素子に所定の
パルス信号又は所定の交流成分よりなるストレス信号を
印加して、これらの半導体素子の信頼性試験を行う工程
と を具備したことを特徴とする半導体素子の信頼性試験方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62190808A JP2526252B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体素子の信頼性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62190808A JP2526252B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体素子の信頼性試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435926A JPS6435926A (en) | 1989-02-07 |
| JP2526252B2 true JP2526252B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16264090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62190808A Expired - Lifetime JP2526252B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体素子の信頼性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526252B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322033B2 (ja) * | 1974-03-08 | 1978-07-06 | ||
| JPS59134845A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPS6059745A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Nec Corp | 半導体集積回路測定用探針基板 |
| JPS6113932A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | 松下電器産業株式会社 | 掃除機の電力制御装置 |
| JPS6170734A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-11 | Fujitsu Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPS62149150A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-07-03 | Nec Corp | 半導体装置の加速寿命試験方法 |
| JPS62293629A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Nec Corp | 半導体装置の加速寿命試験方法 |
-
1987
- 1987-07-30 JP JP62190808A patent/JP2526252B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435926A (en) | 1989-02-07 |
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Legal Events
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