JP2772086B2 - 半導体テスト装置 - Google Patents
半導体テスト装置Info
- Publication number
- JP2772086B2 JP2772086B2 JP1341059A JP34105989A JP2772086B2 JP 2772086 B2 JP2772086 B2 JP 2772086B2 JP 1341059 A JP1341059 A JP 1341059A JP 34105989 A JP34105989 A JP 34105989A JP 2772086 B2 JP2772086 B2 JP 2772086B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- wafer
- probe card
- semiconductor test
- test head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体テスト装置に関するものである。
第2図は従来の半導体テスト装置のウエハプローバー
を示す側断面図であり、図において、(4)はプローブ
カード、(5)は上記プローブカードに保持されたプロ
ーブ、(6)は半導体のウエハ、(7)はステージ、
(8)はテスターヘツドである。
を示す側断面図であり、図において、(4)はプローブ
カード、(5)は上記プローブカードに保持されたプロ
ーブ、(6)は半導体のウエハ、(7)はステージ、
(8)はテスターヘツドである。
次に動作について説明する。ステージ(7)の上にウ
エハ(6)を固定し、ステージ(7)を図示の矢印方向
に変位させてインデックスさせる事によつてウエハ
(6)上のICチツプを順次テストしていく。
エハ(6)を固定し、ステージ(7)を図示の矢印方向
に変位させてインデックスさせる事によつてウエハ
(6)上のICチツプを順次テストしていく。
従来のウエハプローバーは、以上のように構成されて
いるので、ステージをインデツクスする際の振動により
プローブに付着したアルミくずが、ウエハ上に落下する
という問題点があつた。
いるので、ステージをインデツクスする際の振動により
プローブに付着したアルミくずが、ウエハ上に落下する
という問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、プローブに付着したアルミくずがインデツ
クス時に発生する振動によつてウエハ上に落下するのを
防ぐ事のできる半導体テスト装置を得る事を目的とす
る。
れたもので、プローブに付着したアルミくずがインデツ
クス時に発生する振動によつてウエハ上に落下するのを
防ぐ事のできる半導体テスト装置を得る事を目的とす
る。
この発明に係る半導体テスト装置はプローブを保持す
ると共に、上記プローブを半導体ウェハの所定の位置に
接触させ、その状態を保持し得るようにされたプローブ
カード及び上記プローブカードに対し相対的に変位し得
るようにされ、上記プローブに電気的に接続されるテス
トヘツドを備えたものである。
ると共に、上記プローブを半導体ウェハの所定の位置に
接触させ、その状態を保持し得るようにされたプローブ
カード及び上記プローブカードに対し相対的に変位し得
るようにされ、上記プローブに電気的に接続されるテス
トヘツドを備えたものである。
この発明における半導体テスト装置はテストヘツドを
可変式としてプローブカードに対して相対的に変位させ
てインデックスさせることにより、アルミくずがウエハ
上に落下することを防ぐ。
可変式としてプローブカードに対して相対的に変位させ
てインデックスさせることにより、アルミくずがウエハ
上に落下することを防ぐ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は半導体テスト装置のウエハプローバーを示す
側断面図である。図において(4)〜(8)は第2図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
(1)は可変式テストヘツド、(2)はプローブカード
の接触子、(3)は可変式テストヘッドの接触子であ
る。
側断面図である。図において(4)〜(8)は第2図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
(1)は可変式テストヘツド、(2)はプローブカード
の接触子、(3)は可変式テストヘッドの接触子であ
る。
次に動作について説明する。まず、ステージ(7)の
上にウエハ(6)を固定し、プローブカード(4)とウ
エハ(6)のアライメントをとると共に、プローブ
(5)をウェハ(6)の所定の位置に接触させ、その状
態に保持する。次に、プローブカード(4)の上方に設
けられた可変式テストヘッド(1)を第1図の矢印方向
に変位させて、その接触子(8)と可変式テストヘッド
(1)側に設けられたプローブカードの所定の接触子
(2)とを接触させ、ICチツプのテストを行う。テスト
終了後可変式テストヘッド(1)を更に、変位させるこ
とによりインデックスさせて次のICチツプのテストを行
う。この時、可変式テストヘツド(1)とテスターヘツ
ド(8)とは配線によつて接続されているものとする。
上にウエハ(6)を固定し、プローブカード(4)とウ
エハ(6)のアライメントをとると共に、プローブ
(5)をウェハ(6)の所定の位置に接触させ、その状
態に保持する。次に、プローブカード(4)の上方に設
けられた可変式テストヘッド(1)を第1図の矢印方向
に変位させて、その接触子(8)と可変式テストヘッド
(1)側に設けられたプローブカードの所定の接触子
(2)とを接触させ、ICチツプのテストを行う。テスト
終了後可変式テストヘッド(1)を更に、変位させるこ
とによりインデックスさせて次のICチツプのテストを行
う。この時、可変式テストヘツド(1)とテスターヘツ
ド(8)とは配線によつて接続されているものとする。
なお、上記実施例ではテストヘツド(1)を可変にし
てプローブカード(4)に対して変位させることにより
インデツクスする場合について説明したが、テストヘツ
ド(1)側を固定してプローブカード(4)とウエハ
(6)を同時にインデツクスさせてもよい。即ち、テス
トヘツド(1)とプローブカード(4)とが相対的に変
位し得る構成であればよい。
てプローブカード(4)に対して変位させることにより
インデツクスする場合について説明したが、テストヘツ
ド(1)側を固定してプローブカード(4)とウエハ
(6)を同時にインデツクスさせてもよい。即ち、テス
トヘツド(1)とプローブカード(4)とが相対的に変
位し得る構成であればよい。
以上のように、この発明によればプローブカードと、
その上方に設けられたテストヘッドとを相対的に変位し
得るようにしてインデツクスさせることにより、ICチツ
プを順次テストするように構成したので、プローブに付
着したアルミくずがインデツクス時に発生する振動によ
つてウエハ上に落下するのを防ぐことができる。
その上方に設けられたテストヘッドとを相対的に変位し
得るようにしてインデツクスさせることにより、ICチツ
プを順次テストするように構成したので、プローブに付
着したアルミくずがインデツクス時に発生する振動によ
つてウエハ上に落下するのを防ぐことができる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体テスト装置の
ウエハプローバーを示す側断面図、第2図は従来のウエ
ハプローバーを示す側断面図である。 図において、(1)は可変式テストヘツド、(2)はプ
ローブカード接触子、(3)は可変式テストヘツド接触
子、(4)はプローブカード、(5)はプローブ、
(6)はウエハ、(7)はステージ、(8)はテスター
ヘツドである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ウエハプローバーを示す側断面図、第2図は従来のウエ
ハプローバーを示す側断面図である。 図において、(1)は可変式テストヘツド、(2)はプ
ローブカード接触子、(3)は可変式テストヘツド接触
子、(4)はプローブカード、(5)はプローブ、
(6)はウエハ、(7)はステージ、(8)はテスター
ヘツドである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】プローブを保持すると共に、上記プローブ
を半導体ウェハの所定の位置に接触させ、その状態を保
持し得るようにされたプローブカード及び上記プローブ
カードに対し相対的に変位し得るようにされ、上記プロ
ーブに電気的に接続されるテストヘツドを備えたことを
特徴とする半導体テスト装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341059A JP2772086B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体テスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341059A JP2772086B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体テスト装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03200345A JPH03200345A (ja) | 1991-09-02 |
JP2772086B2 true JP2772086B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18342861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1341059A Expired - Lifetime JP2772086B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体テスト装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2772086B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5795643A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Hitachi Ltd | Probing method for large-scale integrated lead pin in mounting substrate |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1341059A patent/JP2772086B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03200345A (ja) | 1991-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04330753A (ja) | 半導体検査装置及び半導体検査方法 | |
JP2772086B2 (ja) | 半導体テスト装置 | |
JP2768310B2 (ja) | 半導体ウェハ測定治具 | |
JPS6281724A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0689932A (ja) | パワーmosfetのバーンイン装置 | |
JPS604234A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH02189946A (ja) | 半導体集積回路装置のテスト方法 | |
JP2005010088A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
JP2526252B2 (ja) | 半導体素子の信頼性試験方法 | |
JPH0282634A (ja) | テープキャリア | |
JPH0438846A (ja) | 半導体集積回路装置の機能試験方法 | |
JP2942353B2 (ja) | 半導体装置のテスト方法およびテスト回路 | |
JPH065686A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0429350A (ja) | 半導体テスト方法 | |
JPH02144931A (ja) | 半導体装置 | |
MCGARRY et al. | Storage reliability of missile material accelerated testing of patriot system electronic components[Final Report, Jun. 1974- Apr. 1977] | |
JPS62298126A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
US20020105351A1 (en) | Systems and methods for testing bumped wafers | |
JPH04177740A (ja) | ウェハバーンイン装置 | |
JPH08146082A (ja) | ベアチップテスト方法及びその装置 | |
JPS61107754A (ja) | チツプキヤリア型素子を搭載するキヤリア | |
JPS6265435A (ja) | ウエハ−試験装置 | |
JPH05102254A (ja) | 半導体装置試験用プローブカード | |
JPH02292851A (ja) | リードフレーム | |
MARKLEY | Beam lead devices and the HMC manufacturer(Process for automatically contacting, testing, and handling beam lead semiconductor devices) |