JPS62293629A - 半導体装置の加速寿命試験方法 - Google Patents

半導体装置の加速寿命試験方法

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JPS62293629A
JPS62293629A JP13737786A JP13737786A JPS62293629A JP S62293629 A JPS62293629 A JP S62293629A JP 13737786 A JP13737786 A JP 13737786A JP 13737786 A JP13737786 A JP 13737786A JP S62293629 A JPS62293629 A JP S62293629A
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wafer
spacer
heater
needles
semiconductor devices
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Kazuyoshi Nasu
那須　一喜
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の加速寿命試験方法に関し、特に半
導体装置をウェハース状態で試験を行う半導体装置の加
速寿命試験方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置をウェハース状態で行う加速寿命試験
は、第２図および第３図に例示するような方法によって
いる。すなわち、第２図に示す例は、針８をヒータ７上
に搭載したウェハース４上に斜めから接触させ、ヒータ
７を加熱しながらこの針８にバイアス電圧を印加する方
法であり、第３図に示す例は、ヒータ７上に搭載したウ
ェハース４を電極ｌＯの付いたふた９によって挟んで電
極に１０バイアス電圧を印加する方法である。
上述したような従来の半導体装置の加速寿命試験方法は
、第２図の方法の場合は、バイアス電圧印加のためにウ
ェハースと接触する針が、ウェハースの表面に対して傾
斜しているため、１枚のつェハースによって多量の半導
体装置の試験を行おうとしたとき、近接する針が互に接
触するため、多量の半導体装置の試験を同時に行うこと
ができないという欠点がある。また、第３図に示した方
法の場合は、多量の半導体装置の試験を同時に行うこと
は可能であるが、ウェハースと接触するバイアス印加の
ための電極に伸縮性がないため、ウェハースをヒータと
ふたとではさみ込んだ時、一部に大きな圧力が加わって
ウェハースが割れる可能性があるという欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明が解決しようとする問題点、換言すれば本発明の
目的は、上述のような従来の半導体装置の加速寿命試験
方法の欠点な除去して、同時に多量の半導体装置をウェ
ハース状悪で試験を行うことが可能で、しかもウェハー
スを破損するおそれがないため、安全性の高い半導体装
置の加速寿命試験方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の加速寿命試験方法は、平坦な上面
を有し任意の温度に設定自在なヒータ上にウェハースの
外形形状と一致する穴を有する所定の厚さのスペーサを
載せ、前記スペーサの前記穴の中に被試験体の前記ウェ
ハースを嵌入して前記ヒータと接触させ、前記ウェハー
ス内の各半導体装置に対応した位置に対応して設けられ
下方に向って垂直に植設されて上下方向に伸縮自在であ
りかつその寸法が前記スペーサの厚さと前記ウェハース
の厚さとの差より大きい長さの複数個の針を有するふた
を被せ、前記ふたを前記スペーサに密着させて固定した
のち前記ヒータに電流を供給して設定温度に保持し、前
記針にバイアス電圧を供給して構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例を用いた
試験装置の一例を示す平面図およびＡ−Ａ断面図である
。
第１図において、ヒータ１７の上にウェハース４の外形
形状に合わせた形状の穴を有するスペーサ６を載せ、ス
ペーサ６の穴の中にウェハース４を入れてその上方から
ふた２を載せる。ふた２には、鉛直下方に伸長じた多数
の針１が植設されていて、この針１はウェハース４内の
各半導体装置の電極と接触し、すべての針１は上下方向
に伸縮性を有するように構成されており、その長さはス
ペーサ６の厚さとウェハース４の厚さとの差より長くな
っている。
次に、ふた２がスペーサ６と密接する迄固定具３によっ
て締めつけて固定し、ヒータ１７に電流を供給して設定
温度まで上昇させる。温度が安定したのち、ふた２に設
けられている端子５からバイアス印加を供給して針１を
介してウェハース４の各半導体装置にバイアス電圧を印
加することによってそれらの加速寿命試験を行う。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体装置の加速寿命試験
方法は、ウェハースの面と垂直な方向に植設された伸縮
性のある針を用いることによって、一枚のウェハース内
の多数の半導体装置の試験を同時に行うことができると
いう効果があり、しがも針の伸縮性によってウェハース
の局部に大きな力を加えることがないため、ウェハース
を破損することなく安全に試験を行うことができるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の半導体装置の加速
寿命試験方法の一実施例を用いた試験装置の一例を示す
平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図および第３図は従来
の試験方法の例を示す断面図である。 １・・・針、２・・・ふた、３・・・固定具、４・・・
ウェハース、５・・・端子、６・・・スペーサ、７・・
・ヒータ、８・・・針、９・・・ふた、１０・・・電極
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 平坦な上面を有し任意の温度に設定自在なヒータ上にウ
    ェハースの外形形状と一致する穴を有する所定の厚さの
    スペーサを載せ、前記スペーサの前記穴の中に被試験体
    の前記ウェハースを嵌入して前記ヒータと接触させ、前
    記ウェハース内の各半導体装置に対応した位置に対応し
    て設けられ下方に向って垂直に植設されて上下方向に伸
    縮自在でありかつその寸法が前記スペーサの厚さと前記
    ウェハースの厚さとの差より大きい長さの複数個の針を
    有するふたを被せ、前記ふたを前記スペーサに密着させ
    て固定したのち前記ヒータに電流を供給して設定温度に
    保持し、前記針にバイアス電圧を供給することを特徴と
    する半導体装置の加速寿命試験方法。
JP13737786A 1986-06-12 1986-06-12 半導体装置の加速寿命試験方法 Granted JPS62293629A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435926A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Tokyo Electron Ltd Reliability testing system for semiconductor element
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process
US5291127A (en) * 1991-05-03 1994-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-lifetime testing instrument for semiconductor devices
US5315240A (en) * 1991-05-31 1994-05-24 Ej Systems, Inc. Thermal control system for a semi-conductor burn-in
US5539324A (en) * 1988-09-30 1996-07-23 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5726580A (en) * 1990-08-29 1998-03-10 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5952840A (en) * 1996-12-31 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers
US7511520B2 (en) 1990-08-29 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57179168U (ja) * 1981-05-07 1982-11-13
JPS5974729U (ja) * 1982-11-10 1984-05-21 クラリオン株式会社 試料測定装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57179168U (ja) * 1981-05-07 1982-11-13
JPS5974729U (ja) * 1982-11-10 1984-05-21 クラリオン株式会社 試料測定装置

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435926A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Tokyo Electron Ltd Reliability testing system for semiconductor element
US5539324A (en) * 1988-09-30 1996-07-23 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7161373B2 (en) 1990-08-29 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US6342789B1 (en) 1990-08-29 2002-01-29 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US6535012B1 (en) 1990-08-29 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5726580A (en) * 1990-08-29 1998-03-10 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5859539A (en) * 1990-08-29 1999-01-12 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7362113B2 (en) 1990-08-29 2008-04-22 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7288953B2 (en) 1990-08-29 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US6087845A (en) * 1990-08-29 2000-07-11 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US6737882B2 (en) 1990-08-29 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7167014B2 (en) 1990-08-29 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7511520B2 (en) 1990-08-29 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7167012B2 (en) 1990-08-29 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US6091254A (en) * 1990-08-29 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7112985B2 (en) 1990-08-29 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7112986B2 (en) 1990-08-29 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US7141997B2 (en) 1990-08-29 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Method for testing using a universal wafer carrier for wafer level die burn-in
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process
US5291127A (en) * 1991-05-03 1994-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-lifetime testing instrument for semiconductor devices
US5315240A (en) * 1991-05-31 1994-05-24 Ej Systems, Inc. Thermal control system for a semi-conductor burn-in
US6064216A (en) * 1996-12-31 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers
US5952840A (en) * 1996-12-31 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers
US6362637B2 (en) 1996-12-31 2002-03-26 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers including base with contact members and terminal contacts

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