JP2013192444A - リーク電流保護回路が備えられたパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワー素子20と、該パワー素子に接続されている周辺部と、を備え、周辺部は、CMOSと、前記CMOSのゲートに接続されていると共に、該CMOSを介して前記パワー素子に接続されているゲートドライバ24と、前記ゲートドライバの動作制御する制御ブロック22と、入力端がパワー素子に接続され、出力端が制御ブロックに接続されたリーク電流保護回路と、を備え、リーク電流保護回路は、複数のNMOSトランジスタと、該複数のNMOSトランジスタに接続された複数のPMOSトランジスタと、入力端がNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの接続配線に接続され、出力端が制御ブロック22に接続された比較器と、を備えるパワーモジュールである。
【選択図】図1
Description
本出願は、2012年3月14日に韓国特許庁に出願されており、本願明細書に参照によって組み込まれている韓国特許出願第2012−0026201号の優先権の利益を享受する。
22 制御ブロック
24 ゲートドライバ
26 ゲートリーク電流検出器
28 第1トランジスタ
30 第2トランジスタ
n1 ゲート電圧
n2 ソース電圧
n3 出力信号
Claims (17)
- パワー素子と、
該パワー素子に接続されている周辺部と、
を備え、
前記周辺部は、
CMOSと、
前記CMOSのゲートに接続されていると共に、該CMOSを介して前記パワー素子に接続されているゲートドライバと、
前記ゲートドライバの動作制御する制御ブロックと、
入力端が前記パワー素子に接続され、出力端が前記制御ブロックに接続されたリーク電流保護回路と、
を備え、
前記リーク電流保護回路は、
複数のNMOSトランジスタと、
該複数のNMOSトランジスタに接続された複数のPMOSトランジスタと、
入力端が前記NMOSトランジスタ及び前記PMOSトランジスタの接続配線に接続され、出力端が前記制御ブロックに接続された比較器と、
を備えるパワーモジュール。 - 前記リーク電流保護回路は、
前記比較部の一方の入力端に接続された第1回路部、及び前記比較部の他方の入力端に接続された第2回路部を含むことを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1回路部は、2個のNMOSトランジスタと、2個のPMOSトランジスタとを含み、前記2個のNMOSトランジスタのうち一方のNMOSトランジスタのゲートに、前記パワー素子のゲート電圧が印加され、他方のNMOSトランジスタのゲートに、第1電圧が印加されることを特徴とする請求項2に記載のパワーモジュール。
- 前記第2回路部は、2個のNMOSトランジスタと、2個のPMOSトランジスタとを含み、前記2個のNMOSトランジスタのうち一方のNMOSトランジスタのゲートに、前記パワー素子のソース電圧が印加され、他方のNMOSトランジスタのゲートに、前記第1電圧より低い第2電圧が印加されることを特徴とする請求項2又は3に記載のパワーモジュール。
- 前記リーク電流保護回路は、3個のNMOSトランジスタ、及びこれにそれぞれ接続された3個のPMOSトランジスタを含み、前記比較器の2個の入力端にそれぞれ一つずつ接続された2個のNMOSトランジスタのゲートに印加される電圧が異なり、3番目のNMOSトランジスタのゲートには、バイアス電圧が印加されることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のパワーモジュール。
- ゲートに印加される電圧の高いNMOSトランジスタのチャネルの幅は、ゲートに印加される電圧の低いNMOSトランジスタのチャネルの幅より狭いことを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュール。
- ゲートに印加される電圧の高いNMOSトランジスタのチャネルの長さは、ゲートに印加される電圧の低いNMOSトランジスタのチャネルの長さより長いことを特徴とする請求項5又は6に記載のパワーモジュール。
- 前記リーク電流保護回路は、2個のNMOSトランジスタ及び該2個のNMOSトランジスタに接続された2個のPMOSトランジスタを含み、前記比較器の入力端は、1個であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記2個のNMOSトランジスタのゲートにそれぞれ異なる電圧が印加され、印加される電圧の高い一方のNMOSトランジスタのチャネルの幅は、他方のNMOSトランジスタのチャネルの幅より狭いことを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュール。
- 前記2個のNMOSトランジスタのゲートにそれぞれ異なる電圧が印加され、印加される電圧の高い一方のNMOSトランジスタのチャネルの長さは、他方のNMOSトランジスタのチャネルの長さより長いことを特徴とする請求項8又は9に記載のパワーモジュール。
- パワー素子と、
該パワー素子に接続されている周辺部と、
を備え、
前記周辺部は、
CMOSと、
前記CMOSのゲートに接続されていると共に、該CMOSを介して前記パワー素子に接続されているゲートドライバと、
前記ゲートドライバの動作制御する制御ブロックと、
入力端が前記パワー素子と前記CMOSとを接続する配線に接続され、出力端が前記制御ブロックに接続されたリーク電流保護回路と、
を含み、
前記リーク電流保護回路は、
大きさの異なる複数の抵抗と、
入力端が複数の抵抗の間に接続され、出力端が前記制御ブロックに接続された比較器と、
を含むパワーモジュール。 - 前記リーク電流保護回路は、直列に接続された第1及び第2抵抗と直列に接続された第3及び第4抵抗を含み、
前記比較器の2個の入力端のうち一方の入力端は、前記第1及び第2抵抗の間に、他方の入力端は、前記第3及び第4抵抗の間にそれぞれ接続されることを特徴とする請求項11に記載のパワーモジュール。 - 前記第1抵抗の入力端と、前記第3抵抗の入力端は、前記配線のそれぞれ異なる二つの地点に接続され、各入力端の間に電位差を有することを特徴とする請求項12に記載のパワーモジュール。
- 前記配線に電圧降下要素が備えられ、前記第1抵抗の入力端は、前記電圧降下要素と、前記CMOSとの間に接続され、前記第3抵抗の入力端は、前記電圧降下要素と、前記パワー素子との間に接続されることを特徴とする請求項12に記載のパワーモジュール。
- 前記電圧降下要素は、抵抗またはトランジスタであることを特徴とする請求項14に記載のパワーモジュール。
- 前記第1抵抗の大きさは、前記第3抵抗の大きさと異なることを特徴とする請求項12〜15の何れか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記第2抵抗の大きさは、前記第4抵抗の大きさと異なることを特徴とする請求項12〜15の何れか一項に記載のパワーモジュール。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168171A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 集積回路 |
JP2018046715A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | ローム株式会社 | Dc/dcコンバータおよびその制御回路、電子機器 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103944553B (zh) * | 2014-04-18 | 2017-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种输出缓冲器、栅极驱动电路及其控制方法 |
US20150365084A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Circuits and methods for operating a circuit |
CN104062484B (zh) * | 2014-07-04 | 2016-08-17 | 西安电子科技大学 | 测试hemt器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法 |
US10381828B1 (en) * | 2018-01-29 | 2019-08-13 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Overvoltage protection of transistor devices |
FR3083394B1 (fr) * | 2018-06-29 | 2021-03-19 | Valeo Equip Electr Moteur | Dispositif de protection d'un composant de puissance pour un pont de transistors |
CN114690823B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-06-18 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 电源监控芯片的输出级电路 |
CN114236422B (zh) * | 2021-12-16 | 2024-06-25 | 成都思瑞浦微电子科技有限公司 | 漏电检测电路 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003070231A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | 電力変換装置及び電力変換用半導体スイッチング素子 |
JP2003143833A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体スイッチング素子のゲート駆動装置 |
JP2006277082A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 降圧回路 |
JP2007174756A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Yazaki Corp | 電力供給回路のオン故障検出装置 |
JP2007318571A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Fujitsu Ltd | オペアンプ回路 |
JP2008270048A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置及び照明器具 |
JP2009272415A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010110092A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Tokai Rika Co Ltd | 駆動装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2011182066A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電源供給装置 |
JP2011239666A (ja) * | 2010-05-04 | 2011-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 駆動回路及びこれを含む電源装置及び電気装置 |
JP2012019501A (ja) * | 2010-06-10 | 2012-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路、閾値設定方法、及び通信装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6094365A (en) | 1999-10-20 | 2000-07-25 | Chiao; Po-Lun | Power supply device of switching mode with leakage current protection circuit |
FR2806856B1 (fr) * | 2000-03-21 | 2004-10-15 | St Microelectronics Sa | Dispositif de comparaison a tres basse consommation |
US6545513B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-04-08 | Denso Corporation | Electric load drive apparatus |
CA2454269C (en) | 2001-07-24 | 2015-07-07 | Primit Parikh | Insulating gate algan/gan hemt |
JP3883925B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-02-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
US7158594B2 (en) * | 2002-08-21 | 2007-01-02 | Intel Corporation | Receivers for controlled frequency signals |
JP2005012681A (ja) | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 隣接チャネル漏洩電力制御装置 |
KR100621626B1 (ko) * | 2003-08-04 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 누설전류를 이용한 반도체 검사장치 및 누설전류 보상시스템 |
DE10358276A1 (de) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Lastelements mittels eines elektronischen Schaltelements im Laststromkreis |
JP2005184928A (ja) | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Honda Motor Co Ltd | 電源装置 |
EP1583235B1 (en) * | 2004-03-31 | 2008-05-14 | STMicroelectronics S.r.l. | Emitter switching driving network to control the storage time |
US7157944B1 (en) * | 2004-04-27 | 2007-01-02 | Altera Corporation | Differential signal detector methods and apparatus |
KR101124665B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2012-03-28 | 삼성전자주식회사 | 누설전류 측정회로 및 누설전류 비교회로 |
US7292083B1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-11-06 | Etron Technology, Inc. | Comparator circuit with Schmitt trigger hysteresis character |
JP2009231891A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
US8791648B2 (en) * | 2012-04-10 | 2014-07-29 | Monolithic Power Systems, Inc. | LED driver circuits with current envelope control |
-
2012
- 2012-03-14 KR KR1020120026201A patent/KR102005450B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-24 CN CN2012105670068A patent/CN103311901A/zh active Pending
-
2013
- 2013-01-09 US US13/737,217 patent/US9088151B2/en active Active
- 2013-03-14 JP JP2013051513A patent/JP6238534B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003070231A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Toshiba Corp | 電力変換装置及び電力変換用半導体スイッチング素子 |
JP2003143833A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体スイッチング素子のゲート駆動装置 |
JP2006277082A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 降圧回路 |
JP2007174756A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Yazaki Corp | 電力供給回路のオン故障検出装置 |
JP2007318571A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Fujitsu Ltd | オペアンプ回路 |
JP2008270048A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置及び照明器具 |
JP2009272415A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010110092A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Tokai Rika Co Ltd | 駆動装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2011182066A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電源供給装置 |
JP2011239666A (ja) * | 2010-05-04 | 2011-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 駆動回路及びこれを含む電源装置及び電気装置 |
JP2012019501A (ja) * | 2010-06-10 | 2012-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路、閾値設定方法、及び通信装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168171A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 集積回路 |
JP2018046715A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | ローム株式会社 | Dc/dcコンバータおよびその制御回路、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9088151B2 (en) | 2015-07-21 |
KR102005450B1 (ko) | 2019-07-30 |
KR20130104584A (ko) | 2013-09-25 |
JP6238534B2 (ja) | 2017-11-29 |
US20130241604A1 (en) | 2013-09-19 |
CN103311901A (zh) | 2013-09-18 |
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