JP2012129566A - 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影光学系PLと液体1とを介してパターンの像を基板P上に投影することによって基板Pを露光する際、基板Pの側面PB、裏面PCを撥液処理する。
【選択図】図4
Description
本発明は、投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板に露光する露光方法、基板を支持する基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
R=k1・λ/NA … (1)
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
光学素子2は螢石で形成されている。螢石は水との親和性が高いので、光学素子2の液体接触面2aのほぼ全面に液体1を密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子2の液体接触面2aとの親和性が高い液体(水)1を供給するようにしているので、光学素子2の液体接触面2aと液体1との密着性が高く、光学素子2と基板Pとの間の光路を液体1で確実に満たすことができる。なお、光学素子2は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子2の液体接触面2aに親水化(親液化)処理を施して、液体1との親和性をより高めるようにしてもよい。また、鏡筒PKは、その先端付近が液体(水)1に接することになるので、少なくとも先端付近はTi(チタン)等の錆びに対して耐性のある金属で形成される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明は基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
Claims (61)
- 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板の側面が撥液処理されていることを特徴とする露光方法。 - 前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって前記基板を露光する露光方法において、
前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする露光方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって前記基板を露光する液浸露光に用いられ、前記基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする基板ステージ。 - 周壁とその内側に配置された複数の支持部とを備え、
前記基板は、前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって前記支持部に保持され、
前記周壁の上面は撥液性であることを特徴とする請求項5記載の基板ステージ。 - 前記周壁の高さは前記支持部の高さよりも低いことを特徴とする請求項6記載の基板ステージ。
- 前記基板の周囲に前記基板の表面とほぼ同じ高さの平坦部を有し、
前記平坦部の少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする請求項5に記載の基板ステージ。 - 前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、
前記凹部は、前記平坦部に隣接する内側面を備え、
前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項8記載の基板ステージ。 - 前記基板を保持するための基板ホルダを備え、
前記基板ホルダは、周壁とその内側に配置された支持部とを備え、
前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする請求項5記載の基板ステージ。 - 前記基板ホルダの少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする請求項10記載の基板ステージ。
- 前記周壁の上面が撥液性であることを特徴とする請求項11記載の基板ステージ。
- 前記基板ホルダは着脱可能であり、
前記基板ホルダとの接触面が撥液性であることを特徴とする請求項10に記載の基板ステージ。 - 前記基板ホルダは着脱可能であり、
前記基板ホルダの裏面が撥液性であることを特徴とする請求項10に記載の基板ステージ。 - 前記基板の周囲に前記基板の表面とほぼ同じ高さの平坦部を有し、
前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、
前記凹部は、前記平坦部に隣接する内側面を有することを特徴とする請求項10に記載の基板ステージ。 - 前記平坦部の少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする請求項15記載の基板ステージ。
- 前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項15又は16記載の基板ステージ。
- 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、
前記凹部の内側面に対向する前記基板ホルダの側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項15に記載の基板ステージ。 - 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、
前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間を陽圧化することを特徴とする請求項15に記載の基板ステージ。 - 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、
前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間に液体を保持可能であることを特徴とする請求項15に記載の基板ステージ。 - 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、
前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間に流入した液体を回収する回収手段を備えたことを特徴とする請求項15に記載の基板ステージ。 - 前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間の圧力を、前記周壁に囲まれた空間の圧力よりも低くすることを特徴とする請求項15に記載の基板ステージ。
- 基板上の一部に液浸領域を形成し、投影光学系と液体とを介して前記基板上にパターン像を投影することによって前記基板を露光する液浸露光に用いられ、前記基板を保持する基板ステージにおいて、
前記基板の周囲に前記基板とほぼ同じ高さの平坦部を有し、
前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、
前記平坦部と前記基板とのギャップを液体で満たした状態で前記基板の露光が行われることを特徴とする基板ステージ。 - 前記基板の側面が撥液処理されていることを特徴とする請求項5に記載の基板ステージ。
- 前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする請求項5に記載の基板ステージ。
- 前記基板は、位置合わせのための切り欠きが形成されていないことを特徴とする請求項5記載の基板ステージ。
- 周壁とその内側に形成された支持部とを備え、
前記周壁に囲まれた空間を負圧することによって、前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする請求項8記載の基板ステージ。 - 前記基板と前記平坦部との間から前記周壁の外側の空間に浸入した液体を回収する回収部を備えたことを特徴とする請求項27記載の基板ステージ。
- 前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、
前記凹部は、前記基板の側面と対向する内側面を有し、
前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項28記載の基板ステージ。 - 前記周壁の上面は、撥液性であることを特徴とする請求項29記載の基板ステージ。
- 前記周壁は、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項30記載の基板ステージ。
- 周壁とその内側に形成された支持部とを備え、
前記周壁に囲まれた空間を負圧することによって、前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする請求項5記載の基板ステージ。 - 前記支持部に支持された前記基板の周囲に、前記基板の表面とほぼ面一の面を形成する平坦部と、
前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、
前記凹部は、前記基板の側面と対向する内側面を有し、
前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項32記載の基板ステージ。 - 前記基板と前記平坦部との間から前記周壁の外側の空間に浸入した液体を回収する回収部を有することを特徴とする請求項33記載の基板ステージ。
- 前記周壁の上面は、撥液性であることを特徴とする請求項34記載の基板ステージ。
- 前記周壁は、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項35記載の基板ステージ。
- 請求項5〜請求項36のいずれか一項記載の基板ステージを備えたことを特徴とする露光装置。
- 請求項37に記載の基板ステージを備えた露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
第1周壁と、
前記第1周壁の内側に形成された第2周壁と、
前記第2周壁の内側に形成された支持部とを備え、
前記第2周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって、前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする基板ステージ。 - 前記第1周壁と前記第2周壁との間の空間の圧力は、前記第2周壁に囲まれた空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項39記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁と前記第2周壁との間の空間も負圧にすることを特徴とする請求項40記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁と前記第2周壁との間の空間の圧力はほぼ大気圧、又は大気圧よりも高く設定されていることを特徴とする請求項40記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁と前記第2周壁との間の空間の圧力を調整可能であることを特徴とする請求項40に記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁と前期第2周壁との間の空間の圧力は、前記第1周壁の外側の空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項40に記載の基板ステージ。
- 前記第2周壁の高さは、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項39に記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁の高さは、前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項45記載の基板ステージ。
- 前記第2周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請求項39に記載の基板ステージ。
- 前記第1周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請求項47記載の基板ステージ。
- 前記支持部に支持された基板の表面とほぼ面一の平坦部を備えたことを特徴とする請求項39に記載の基板ステージ。
- 前記支持部に支持された基板の切欠部と前記平坦部とのギャップを小さくするためのギャップ調整部を備えたことを特徴とする請求項49記載の基板ステージ。
- 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持された前記基板の周囲に配置され、前記基板の表面とほぼ面一の平坦部と、
前記支持部に支持された前記基板の切欠部と前記平坦部とのギャップを小さくするためのギャップ調整部とを備えたことを特徴とする基板ステージ。 - 前記ギャップ調整部は、前記平坦部と一体的に形成されていることを特徴とする請求項51に記載の基板ステージ。
- 前記ギャップ調整部は可動であることを特徴とする請求項51に記載の基板ステージ。
- 前記支持部の周囲に配置された周壁を備え、
前記周壁で囲まれた空間を負圧にすることによって、前記基板が前記支持部に支持されることを特徴とする請求項51に記載の基板ステージ。 - 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
周壁と該周壁の内側に形成された支持部とを備え、
前記周壁は、前記基板の切欠部の形状に合わせて形成されており、
前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって、前記支持部に前記基板を保持することを特徴とする基板ステージ。 - 前記周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請求項55に記載の基板ステージ。
- 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、
前記基板を支持するための支持部と、
前記支持部に前記基板を吸着するための複数の吸気口とを備え、
前記基板の切欠部近傍の吸気力を、その周りの吸気力よりも小さくしたことを特徴とする基板ステージ。 - 前記複数の吸気口のうち、前記基板の前記切欠部近傍の吸気口は、他の吸気口とは独立した真空系に接続されていることを特徴とする請求項57記載の基板ステージ。
- 前記複数の吸気口のうち、前記基板の切欠部近傍の吸気口の口径を、他の吸気口の口径よりも小さくしたことを特徴とする請求項57に記載の基板ステージ。
- 請求項39〜請求項49のいずれか一項記載の基板ステージに保持された基板上に投影光学系と液体とを介して露光光を照射して、その基板を液浸露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項60記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012083220A JP5699979B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-03-30 | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003169904 | 2003-06-13 | ||
JP2003169904 | 2003-06-13 | ||
JP2003383887 | 2003-11-13 | ||
JP2003383887 | 2003-11-13 | ||
JP2004039654 | 2004-02-17 | ||
JP2004039654 | 2004-02-17 | ||
JP2012083220A JP5699979B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-03-30 | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010022454A Division JP5152215B2 (ja) | 2003-06-13 | 2010-02-03 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012129566A true JP2012129566A (ja) | 2012-07-05 |
JP2012129566A5 JP2012129566A5 (ja) | 2013-10-17 |
JP5699979B2 JP5699979B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=33556144
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507005A Expired - Fee Related JP4415939B2 (ja) | 2003-06-13 | 2004-06-11 | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2009231860A Expired - Fee Related JP5152143B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-10-05 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010022454A Expired - Fee Related JP5152215B2 (ja) | 2003-06-13 | 2010-02-03 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012083220A Expired - Fee Related JP5699979B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-03-30 | 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 |
JP2012193620A Expired - Fee Related JP5692189B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-09-03 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012193619A Expired - Fee Related JP5692188B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-09-03 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014044468A Expired - Fee Related JP5817869B2 (ja) | 2003-06-13 | 2014-03-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015070170A Expired - Fee Related JP6172196B2 (ja) | 2003-06-13 | 2015-03-30 | 基板ステージ |
JP2016043921A Expired - Fee Related JP6256498B2 (ja) | 2003-06-13 | 2016-03-07 | 基板ステージ |
JP2017107690A Expired - Fee Related JP6477785B2 (ja) | 2003-06-13 | 2017-05-31 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2018183797A Withdrawn JP2019003218A (ja) | 2003-06-13 | 2018-09-28 | 基板ステージ |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507005A Expired - Fee Related JP4415939B2 (ja) | 2003-06-13 | 2004-06-11 | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2009231860A Expired - Fee Related JP5152143B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-10-05 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010022454A Expired - Fee Related JP5152215B2 (ja) | 2003-06-13 | 2010-02-03 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012193620A Expired - Fee Related JP5692189B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-09-03 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012193619A Expired - Fee Related JP5692188B2 (ja) | 2003-06-13 | 2012-09-03 | 基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014044468A Expired - Fee Related JP5817869B2 (ja) | 2003-06-13 | 2014-03-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015070170A Expired - Fee Related JP6172196B2 (ja) | 2003-06-13 | 2015-03-30 | 基板ステージ |
JP2016043921A Expired - Fee Related JP6256498B2 (ja) | 2003-06-13 | 2016-03-07 | 基板ステージ |
JP2017107690A Expired - Fee Related JP6477785B2 (ja) | 2003-06-13 | 2017-05-31 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2018183797A Withdrawn JP2019003218A (ja) | 2003-06-13 | 2018-09-28 | 基板ステージ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US7483119B2 (ja) |
EP (5) | EP1641028B1 (ja) |
JP (11) | JP4415939B2 (ja) |
KR (9) | KR101242815B1 (ja) |
HK (3) | HK1196900A1 (ja) |
TW (7) | TWI619148B (ja) |
WO (1) | WO2004112108A1 (ja) |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1611482B1 (en) * | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101242815B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
WO2005006415A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
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- 2004-06-11 KR KR1020117020347A patent/KR101290021B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 KR KR1020147007168A patent/KR101520591B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 TW TW105128062A patent/TWI619148B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 TW TW98124811A patent/TWI467634B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 TW TW107102421A patent/TW201818451A/zh unknown
- 2004-06-11 EP EP04746086.0A patent/EP1641028B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-11 JP JP2005507005A patent/JP4415939B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-11 TW TW103128271A patent/TW201445617A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 KR KR1020167026062A patent/KR101940892B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 KR KR1020187028939A patent/KR20180112884A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-06-11 KR KR1020137020081A patent/KR101528089B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 TW TW093116810A patent/TW200511388A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 TW TW100137115A patent/TWI409853B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 KR KR1020157002702A patent/KR101729866B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 KR KR1020127025739A patent/KR101528016B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 TW TW105104740A patent/TWI607292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-11 EP EP16155448.0A patent/EP3104396B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-11 KR KR1020127028313A patent/KR101421866B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 EP EP18162502.1A patent/EP3401946A1/en not_active Withdrawn
- 2004-06-11 WO PCT/JP2004/008578 patent/WO2004112108A1/ja active Application Filing
- 2004-06-11 EP EP14150747.5A patent/EP2738792B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-11 EP EP15165192.4A patent/EP2937893B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-09 US US11/297,324 patent/US7483119B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-08 US US11/448,927 patent/US20060227312A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-01-10 US US12/007,450 patent/US8040491B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 US US12/232,063 patent/US8208117B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 US US12/232,064 patent/US8384880B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-05 JP JP2009231860A patent/JP5152143B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-03 JP JP2010022454A patent/JP5152215B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012083220A patent/JP5699979B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-03 JP JP2012193620A patent/JP5692189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-03 JP JP2012193619A patent/JP5692188B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-30 US US13/753,969 patent/US9019467B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2013-01-30 US US13/754,112 patent/US9268237B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-07 JP JP2014044468A patent/JP5817869B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-14 HK HK14110233.0A patent/HK1196900A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-03-30 JP JP2015070170A patent/JP6172196B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-27 US US14/696,898 patent/US9846371B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-07 JP JP2016043921A patent/JP6256498B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-03-08 HK HK16102657.2A patent/HK1214680A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-05-31 JP JP2017107690A patent/JP6477785B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-07-31 US US15/664,319 patent/US20170329234A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-09-28 JP JP2018183797A patent/JP2019003218A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-01-18 HK HK19100965.0A patent/HK1258606A1/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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