JP2005302880A - 液浸式露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板との間の液体を介して、前記基板を露光する露光装置において、前記基板を保持するためのチャックと、前記基板の表面と略同じ高さの表面を持ち、該基板と共に前記液体を保持する液体保持部と、を有し、前記液体保持部の前記チャック側の側壁の疎水性は、前記液体保持部の該側壁の周辺の疎水性よりも高いことを特徴とする構成とした。
【選択図】 図5
Description
40 ウエハ
30 投影光学系
50 ウエハステージ
59 ウエハチャック
60 液浸液
870 液浸液保持容器
80 液浸液供給口
52 液浸液回収口
53 液浸液保持板
56 疎水処理面
65 液浸液回収アーム
Claims (9)
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板との間の液体を介して、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持するためのチャックと、
前記基板の表面と略同じ高さの表面を持ち、該基板と共に前記液体を保持する液体保持部と、を有し、
前記液体保持部の前記チャック側の側壁の疎水性は、前記液体保持部の該側壁の周辺の疎水性よりも高いことを特徴とする露光装置。 - レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板との間の液体を介して、前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持するためのチャックと、
前記基板の表面と略同じ高さの表面を持ち、該基板と共に前記液体を保持する液体保持部と、を有し、
前記液体保持部の前記チャック側の側壁の疎水性は、前記基板の表面の疎水性よりも高いことを特徴とする露光装置。 - 前記チャックの側壁の疎水性は、前記基板の表面の疎水性よりも高いことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
- 前記チャックの材料の疎水性は、前記基板の表面の疎水性よりも高いことを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板との間の液体を介して、前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系と前記基板との間の前記液体を、前記基板側から回収する回収口を有することを特徴とする露光装置。 - 前記基板の表面と略同じ高さの表面を持ち、該基板と共に前記液体を保持するための液体保持部を有し、
前記回収口は、前記保持部に配置されていることを特徴とする請求項5記載の露光装置。 - 前記回収口は、前記基板を保持するチャックの周辺に配置されていることを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記投影光学系側から前記投影光学系と前記基板との間へ前記液体を供給する供給口を有することを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する段階と、該露光された基板を現像する段階と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004114270A JP2005302880A (ja) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | 液浸式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004114270A JP2005302880A (ja) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | 液浸式露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005302880A true JP2005302880A (ja) | 2005-10-27 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004114270A Pending JP2005302880A (ja) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | 液浸式露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005302880A (ja) |
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