JP2010219167A - 現像装置、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第1の噴霧ノズルと、前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、を備えるように現像装置を構成する。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、基板の濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高く基板に供給することができ、歩留りの低下を抑えることができる。
【選択図】図1
Description
現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、
霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第1の噴霧ノズルと、
前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、
を備えたことを特徴とする。
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行うための第2の噴霧ノズルと、
を備えていてもよく、また、前記現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、基板を洗浄するための洗浄ノズルと、
前記現像液吐出ノズルまたは前記第2の噴霧ノズルと、前記洗浄液吐出ノズルとの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行うステップと、次いで洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出を行うステップと、を繰り返し行うように制御信号を出力するようにしてもよい。前記基板表面の水に対する静的接触角は例えば80°以上である。
現像液の濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
第1の噴霧ノズルから前記基板に霧化した表面処理液を噴霧する工程と、
現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする。
現像液を霧化する工程と、
第2の噴霧ノズルから前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行う工程と、を備えていてもよく、現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行う工程と、次いで洗浄液吐出ノズルから基板へ洗浄液を吐出して基板を洗浄する工程と、を繰り返し行ってもよい。
前記コンピュータプログラムは、上述の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
(ステップS1:ウエハの搬入)
先ず不図示の基板搬送手段により既述のウエハWが現像装置1に搬送されると、この基板搬送手段と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハWはスピンチャック11に受け渡され、次いで、外カップ22及び内カップ23が上昇位置に設定される。続いてスピンチャック11が所定の回転数例えば50rpm〜100rpmで回転すると共に現像ミスト噴霧ノズル41が待機部18bからウエハWの中心部上に位置する(図5(a))。一方、霧化部40では貯留された現像液に超音波が印加され、現像ミストMが生成する。
N2ガスが霧化部40に供給され、それと同時にバルブV1が開かれる。霧化部40の現像ミストMは、N2ガスにより現像ミスト噴霧ノズル41に供給され、当該現像ミスト噴霧ノズル41からN2ガスと共にウエハWに供給される。
現像ミスト噴霧ノズル41がウエハWの中心部上から周縁部上へ移動し、ウエハW全体に現像ミストMが供給され、プリウエットが行われる(図5(c))。ウエハWに供給された現像ミストMは霧状、つまり小さな粒子状であることから、そのレジストに対する表面張力は現像液に比べて低いので、ウエハWの面内のレジストにおいて濡れ性の高い箇所に凝集することが抑えられるため、ウエハW面内全体に高い均一性をもって供給され、ウエハW表面全体の濡れ性が高まる。
バルブV1が閉じられ、現像ミスト噴霧ノズル41から現像ミストM及びN2ガスの供給が停止し、現像ミスト噴霧ノズル41は待機部18bに戻ると同時に待機部18aから現像液吐出ノズル31がウエハWの周縁部上に移動する。ウエハWの回転数が例えば100rpmになり、現像液吐出ノズル31がその周縁部上に帯状に現像液Dを吐出する(図5(d))。
現像液吐出ノズル31は、現像液Dを供給しながらウエハWの中心部上へと移動し、現像液DはウエハWの外側から内側に向かって螺旋状にウエハW表面に供給される。そして、現像液吐出ノズル31は、現像液Dを吐出した状態でウエハWの中心部上で停止すると共にウエハWの回転数が例えば2000rpmになり、ウエハWに供給された現像液Dは現像ミストMが付着して濡れ性が高まったウエハW表面を、回転している当該ウエハWの遠心力の作用により隙間なく濡れ広がり、その表面全体に現像液Dの液膜Eが形成され(図5(e))、現像液Dがレジストに浸透する。
現像液吐出ノズル31がウエハW中心部上で停止してから所定の時間経過後、現像液Dの供給が停止し、現像液吐出ノズル31が待機部18aへ戻ると共に純水吐出ノズル51が待機部18cからウエハWの中心部上へ移動する(図5(f))。
純水吐出ノズル51からウエハWに洗浄液として純水Fが吐出され、純水Fは回転するウエハWの遠心力の作用によりそのウエハWの表面に沿って外側に広がる。この純水Fの供給によりレジスト膜において、現像液Dにより変質した溶解性部分がウエハW表面から洗い流され、レジスト膜にはパターンを形成する不溶解性部分が残る(図6(g))。
純水Fの吐出開始から所定の時間経過後、当該純水Fの供給が停止し、純水吐出ノズル51が待機部18cに戻る一方で、その回転によりウエハWからは純水Fが振り切られ、ウエハWは乾燥する(図5(h))。然る後、ウエハWの回転が停止し、外カップ22及び内カップ23が下降して、図示しない基板搬送手段によりウエハWが搬出され、現像処理が終了する。
1,7 現像装置
11 スピンチャック
31 現像液吐出ノズル
40,70 霧化部
41 現像ミスト噴霧ノズル
51 純水吐出ノズル
100 制御部
Claims (8)
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、
現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、
霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第1の噴霧ノズルと、
前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、
を備えたことを特徴とする現像装置。 - 前記現像液吐出ノズルが設けられる代わりに、
現像液を霧化する現像液霧化手段と、
前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行うための第2の噴霧ノズルと、
を備えたことを特徴とする請求項1記載の現像装置。 - 前記現像液が供給された基板に洗浄液を供給して、基板を洗浄するための洗浄ノズルと、
前記現像液吐出ノズルまたは前記第2の噴霧ノズルと、前記洗浄液吐出ノズルとの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行うステップと、次いで洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出を行うステップと、を繰り返し行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項1または2記載の現像装置。 - 前記基板表面の水に対する静的接触角が80°以上であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の現像装置。
- 表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する工程と、
前記基板に現像液の濡れ性を高めるための表面処理液を霧化する工程と、
第1の噴霧ノズルから前記基板に霧化した表面処理液を噴霧する工程と、
現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする現像方法。 - 現像液吐出ノズルから前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行う工程を実施する代わりに、
現像液を霧化する工程と、
第2の噴霧ノズルから前記基板に霧化した現像液を噴霧して現像を行う工程と、
を備えたことを特徴とする現像方法。 - 現像液吐出ノズルまたは第2の噴霧ノズルからの基板への現像液の供給を行う工程と、
次いで洗浄液吐出ノズルから基板へ洗浄液を吐出して基板を洗浄する工程と、を繰り返し行うことを特徴とする請求項5または6記載の現像方法。 - 基板に対する現像処理を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし7のいずれか一つに記載の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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