JP2005277268A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005277268A
JP2005277268A JP2004091415A JP2004091415A JP2005277268A JP 2005277268 A JP2005277268 A JP 2005277268A JP 2004091415 A JP2004091415 A JP 2004091415A JP 2004091415 A JP2004091415 A JP 2004091415A JP 2005277268 A JP2005277268 A JP 2005277268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
container
processing apparatus
substrate processing
developing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2004091415A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Matsuka
毅 松家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2004091415A priority Critical patent/JP2005277268A/ja
Publication of JP2005277268A publication Critical patent/JP2005277268A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】装置構成の小型化及び低コスト化が図れ、スループットの向上が図れ、高い均一度で現像処理を行うことができ、しかもパターンの倒壊等の劣化を防止しつつ基板を乾燥することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置に係る現像処理ユニットＤでは、一つのチャンバ５１内で基板Ｗに対する現像処理、洗浄処理、乾燥処理及びベーク処理が行われる。現像処理は、現像物質供給部５３が超音波により霧化した現像物質を、Ｎ2ガスをキャリアとして供給することにより行われる。洗浄処理は、温純水供給部５７が供給する温純水により行われる。乾燥処理は、蒸気供給部５９が供給する乾き過熱蒸気により行われる。ベーク処理は、ホットプレート６３により行われる。基板Ｗを支持する支持ピン６７はピン駆動機構６９により昇降駆動される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称する）に対して、少なくとも現像処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
半導体製造過程や液晶基板製造過程におけるフォトリソ工程で用いられる従来の処理では、一般に次の（ａ）〜（ｄ）のような手順で行われる。（ａ）まず、現像処理ユニット内に設置された基板上に現像液を液盛りし、所定時間、静止状態を保持する。（ｂ）続いて、基板を回転させながら、純水等の洗浄液を用いて現像液及び溶解したレジスト成分を除去する。（ｃ）続いて、基板を回転させたまま、洗浄液の供給を止め、回転による遠心力を利用して基板上に残留する水分を除去する。（ｄ）続いて、基板表面が乾燥すると基板の回転を停止して、基板を現像処理ユニットから取り出して別の熱処理ユニットに運び、基板に対して加熱処理（ポストベーク）を行う。
基板上に現像液を液盛りする技術としては、スリット状のノズルにより膜状に現像液を吐出しつつ、基板上をスキャンする技術が多く採用されている。
なお、上記の（ａ）〜（ｃ）の工程に類似する技術が特許文献１に開示されている。
特開平８−８１６３号公報
（Ａ） 上述の現像処理技術に係るスリット状のノズルから現像液を基板に膜状に吐出して現像を行う技術では、次のような課題がある。
（Ａ−１） すなわち、液盛り時にノズルから供給される現像液のうち、現像に寄与することなく基板外にこぼれ落ちる液の割合が大きく（例えば、約３０％弱）、現像液の無駄が多い。
（Ａ−２） また、疎水性を有する基板の場合は、現像液をはじき、現像欠陥が生じやすいため、基板上に液盛りした現像液に十分な厚みを持たせることが必要である等の理由により、現像液の使用量の削減が難しい。
（Ａ−３） また、一般的に現像液として用いられるＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）２．３８０ｗｔ％水溶液は、容易に空気中の二酸化炭素と反応し劣化するため、空気に触れＴＭＡＨ濃度が低下した現像液をそのまま使用すると、基板の面内や面間のパターンの線幅の均一性が悪化する。このため、ノズル先端部等に溜まり空気と触れた現像液は、基板Ｗに供給する前に吐出して（ダミー吐出して）廃液する必要があり、この点も現像液の使用量の削減を妨げている。
（Ａ−４） また、スリット式ノズルの問題点として、基板上の吐出開始側と終了側との時間差が挙がられる。すなわち、理想的には、基板上に同時に現像液を液盛りすることが望ましいが、実際には数秒以上の時間差が生じ、結果的に吐出開始側と終了側のパターンの線幅値に差違が生じる場合がある。
（Ａ−５） また、特定種のレジストにおいて、パターン形状の粗密差によりパターンの線幅値に差違が生じる場合がある。
（Ａ−６） なお、現像液の液盛り方法として、スプレーノズルを用いた方法もあるが、スプレーノズルから吐出される強力な霧状の流体によりレジスト表面に与えられる物理的衝撃によりパターン形状の劣化が生じたり、強力な霧状の流体により周囲の空気が巻き込まれることにより液盛りされた現像液中に気泡が生じる場合がある。現像液中の気泡は現像欠陥の原因となる。また、スプレーノズルを用いた構成では、適切に霧状の現像液を吐出するためにはスプレーノズルの構成に応じた圧力で空気等を供給して噴霧を行う必要がため、噴霧量の調節にはノズルの交換等が必要であり、噴霧量の調節が容易でない。
（Ｂ） また、上述の現像処理技術に係る基板を回転させて乾燥させる技術では、遠心力によって振り切られる水の衝撃、及び水が微細パターン間で乾燥する際に働く表面張力、毛細管力等によって、微細なレジストパターンの倒壊が生じる場合がある。なお、これを防止する方法として、ＩＰＡ等の揮発性が高く、表面張力が低い溶剤蒸気雰囲気を用いて基板上の水分を置換乾燥する方法があるが、フォトリソ工程ではＩＰＡ等の溶剤にレジストが溶解するため、この方法を使用することができない。
（Ｃ） また、上述の現像処理技術では、基板を回転させるための回転駆動機構や、回転により飛散する各種液体に対する特別な対策（例えば、カップ機構、現像処理容器内等の清浄度を確保するために清浄空気を供給するための構成等）が必要であり、装置構成の大型化及び高コスト化を招いている。
（Ｄ） また、上述の現像処理技術では、現像処理後の基板に施す熱処理を現像処理ユニットとは別の熱処理ユニットで行っているため、この点によっても装置構成の大型化及び高コスト化が生じる。さらには、基板を現像処理ユニットから熱処理ユニットに搬送する必要があるため、その分処理装置のスループットが低下する。
そこで、本発明の解決すべき第１の課題は、装置構成の小型化及び低コスト化が図れ、スループットの向上が図れる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
また、本発明の解決すべき第２の課題は、現像液の使用量を抑制しつつ基板への現像液の良好な液盛り状態を実現でき、高い均一度で現像処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
また、本発明の解決すべき第３の課題は、パターンの倒壊等の劣化を防止しつつ基板を乾燥することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
前記課題を解決するための手段は、基板を収容する容器と、前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理手段と、前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理手段と、前記容器内にて前記基板に対して熱処理を行う熱処理手段と、を備える。
好ましくは、前記容器内にて前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理手段をさらに備えるのがよい。
また、好ましくは、前記現像処理手段は、前記現像処理のための霧状又は蒸気状の現像物質を少なくとも含む流体を前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記現像処理手段は、超音波を印加することにより液状の現像液を霧化して前記現像物質を供給する現像物質供給手段を備えるのがよい。
また、好ましくは、前記現像物質供給手段は、前記現像物質と化学反応しないガスを供給するガス供給手段をさらに備え、前記現像処理手段は、前記ガスと前記現像物質を混合して前記流体として前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記現像処理手段は、前記霧状又は蒸気状の現像物質を少なくとも含む流体を前記容器内に導くための配管を所定の温度レベルに昇温して保持するヒータ手段をさらに備えるのがよい。
また、好ましくは、前記容器の内壁を所定の温度レベルに昇温して保持するヒータ手段をさらに備えるのがよい。
また、好ましくは、前記洗浄処理手段は、洗浄用液体を前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記洗浄用液体は昇温された純水であるのがよい。
また、好ましくは、前記熱処理手段は、前記容器内に設けられ、前記基板を加熱するホットプレートを備えるのがよい。
また、好ましくは、前記乾燥処理手段は、乾燥用気体を前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記乾燥用気体は過熱蒸気であるのがよい。
また、好ましくは、前記容器内に設けられた共用ノズル部をさらに備え、前記現像処理手段は、前記現像処理のための現像物質を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、前記洗浄処理手段は、洗浄用液体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記容器内に設けられた共用ノズル部をさらに備え、前記現像処理手段は、前記現像処理のための現像物質を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、前記洗浄処理手段は、洗浄用液体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、前記乾燥処理手段は、乾燥用気体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給するのがよい。
また、好ましくは、前記共通ノズル部は、流体を吐出するその吐出口に対向して配置され、その吐出口から吐出される流体と干渉して流体を分散させる分散部を備えるのがよい。
また、好ましくは、前記容器内に設けられ、前記基板を保持する保持部材と、前記保持部材を昇降駆動する昇降機構と、を備えるのがよい。
また、好ましくは、前記熱処理手段は、前記容器内において前記保持部材によって保持された前記基板に対して下方から対向するように設けられ、前記基板を加熱するホットプレートを備え、前記昇降機構は、前記保持部材を昇降駆動することにより、前記ホットプレート上面に対する前記基板の高さ位置を変化させるのがよい。
また、前記課題を解決するための手段は、基板を収容する容器と、現像液に超音波を印加して霧状の現像物質を発生させて供給する超音波式の現像物質供給手段と、前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、を備える。
また、前記課題を解決するための手段は、基板を収容する容器と、現像液を回転板に導いて遠心力によりエリミネータに衝突させることにより霧状の現像物質を発生させて供給する遠心式の現像物質供給手段と、前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、を備える。
また、前記課題を解決するための手段は、基板を収容する容器と、現像液を加熱して蒸気状の現像物質を発生させて供給する加熱式の現像物質供給手段と、前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、を備える。
また、好ましくは、前記現像物質供給手段は、前記現像物質と化学反応しないガスを供給するガス供給手段をさらに備え、前記現像物質供給手段は、前記ガスと前記現像物質を混合して前記ノズル部を介して前記容器内に供給するのがよい。
また、前記課題を解決するための手段は、基板を収容する容器と、前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理手段と、前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理手段と、乾燥用気体を前記容器内に供給することにより、前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理手段と、を備える。
また、好ましくは、前記乾燥用気体は過熱蒸気であるのがよい。
また、前記課題を解決するための手段は、容器内に基板を搬入する搬入工程と、前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理工程と、前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理工程と、前記容器内にて前記基板に対して熱処理を行う熱処理工程と、を備える。
また、好ましくは、前記洗浄処理工程と前記熱処理工程との間に、前記容器内にて前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理工程をさらに備えるのがよい。
請求項１及び２４に記載の発明によれば、一つの容器内で現像処理、洗浄処理及び熱処理を行うことができ、熱処理のための専用のユニットを別個に設ける必要がないため、装置構成の小型化及び低コスト化が図れる。例えば、現像処理、その現像処理後の現像液等を洗浄する洗浄処理、及びその後に行う熱処理を一つの容器内で行うことができる。また、現像処理を行う現像処理ユニットの小型化により、設置スペースを増大させることなく、現像処理ユニットの設置台数を増加させ、現像処理の処理能力の向上が図れる。
また、従来のように基板を現像処理ユニットから熱処理ユニットに搬送する必要がないため、その分基板処理のスループットの向上が図れる。
また、基板及び容器内の温度を熱処理手段により調節することができ、容器内の温度環境を良好な状態に保持することができる。
請求項２及び２５に記載の発明によれば、現像処理及び熱処理を行う容器内にて基板の乾燥も行うことができる。
請求項３に記載の発明によれば、容器内に供給した霧状又は蒸気状の現像物質を徐々に基板に付着させ（又は結露させ）、付着（又は結露）した現像物質同士が互いに結合して拡大してゆくことにより、基板上に現像液の層を形成し、現像を行うため、スリット状のノズルを使用する場合に比して、現像物質の使用量を抑制して少量の現像物質により現像処理を行うことができ、また疎水性を示す基板に対しても、現像物質の供給量を抑制しつつ、基板上の現像液の層を適切な厚みで形成することができる。
また、基板表面の全面において同時に霧状又は蒸気状の現像物質を付着（又は結露）させて現像液の層を形成することができるため、従来のように基板表面の部分間で現像液の液盛りにかかる時間差が生じることがなく、基板表面の全面において均一な現像処理を行うことができる。
請求項４に記載の発明によれば、超音波により現像液を霧化する構成であるため、スプレーノズルで噴霧する場合に比して霧状の現像物質を緩やかな流速で容器内の基板に供給することができ、その結果、霧状の現像物質等によるレジスト表面への物理的衝撃を緩和してその衝撃によりパターン形状の劣化が生じるのを防止することができるとともに、霧状の現像物質を含む流体の流れにより周囲の雰囲気が巻き込まれ、基板上に形成される現像液の層内に気泡が生じるのが防止できる。
また、超音波の出力レベル等を制御することにより、容器内に供給する霧状の現像物質の量を容易に調節することができる。
また、非加熱で現像液を霧化するため、加熱による現像液の劣化を防止できる。
請求項５に記載の発明によれば、霧状の現像物質をその現像物質と化学反応しないガスと混合して容器内に供給する構成であるため、現像物質が基板に付着するまでに他の雰囲気と反応して劣化するのを防止することができ、現像物質を有効に利用して現像を行うことができ、この点においても現像物質の使用量を削減することができる。
請求項６に記載の発明によれば、霧状又は蒸気状の現像物質を少なくとも含む流体を容器内に導くための配管が所定の温度レベルに昇温されて保持されるため、現像物質の配管内での結露等を防止することができる。
請求項７に記載の発明によれば、容器の内壁が所定の温度レベルに昇温されて保持されるため、現像物質の容器内壁への結露等を防止することができる。
請求項８に記載の発明によれば、洗浄用液体により基板（あるいは、基板及び容器内）に付着した現像液や溶解したレジスト等の洗浄を良好に行うことができる。
請求項９に記載の発明によれば、昇温された純水を用いて基板の洗浄を行うため、基板及び容器内の温度を一定レベル以上に保持した状態で洗浄処理を行うことができる。その結果、洗浄時やその後の処理の際において、容器内の温度低下により容器内で水蒸気の結露が生じるのを防止することができる。
また、洗浄後に乾燥処理を行う場合において、温純水により基板を高温に保持しておくことにより、基板に付着した水分の乾燥を促進させることができる。
請求項１０に記載の発明によれば、ホットプレートにより基板に対するベーク処理（例えば、現像処理後のベーク処理）を行うことができる。
また、ホットプレートによる加熱により基板に付着した水分の乾燥も行うことができる。
また、基板及び容器内の温度をホットプレートにより調節することができ、容器内の温度環境を良好な状態に保持することができる。例えば、容器内の温度を昇温して乾燥処理を促すことや、容器内の温度が低下して不所望な結露が生じることなどを防止する等の効果が得られる。
請求項１１に記載の発明によれば、容器内に乾燥用気体を供給して現像処理後の基板の乾燥を行うため、従来の基板を回転させて遠心力により乾燥させる技術のように、乾燥の際に遠心力によって振り切られる水の衝撃、表面張力、毛細管力等によってレジストパターンの倒壊が生じるのを防止することができる。
また、基板を回転させる回転駆動機構や回転により飛散する各種液体に対する特別な対策が不要であるため、装置構成の小型化及び低コスト化が図れる。
請求項１２に記載の発明によれば、乾燥用気体として簡易な構成で容易に生成できる過熱蒸気を用いるため、低コストで乾燥処理を行うことができる。
請求項１３に記載の発明によれば、容器内における現像物質の供給、及び洗浄用液体の供給を一つの共用ノズル部を用いて行うことができるため、個別にノズル部を設ける構成に比して簡略化が図れ、小型化及び低コスト化が図れる。
請求項１４に記載の発明によれば、容器内における現像物質の供給、洗浄用液体の供給、及び乾燥用気体の供給を一つの共用ノズル部を用いて行うことができるため、個別にノズル部を設ける構成に比して簡略化が図れ、小型化及び低コスト化が図れる。
請求項１５に記載の発明によれば、共通ノズル部の吐出口に対向して配置された分散部により、液、霧、ガス等の各種流体を効果的に四方に分散させて、ソフトかつ均一に容器内に供給することができる。
請求項１６に記載の発明によれば、保持部材を昇降駆動する昇降機構が設けられているため、容器内における基板を保持する高さ位置を状況（例えば、処理内容、容器に対する基板の搬入・搬出の状況等）に応じて変化させることができる。例えば、容器が略上下に２分割されて開閉される構成の場合、容器を開放して基板の搬入又は搬出を行う際には基板を支持する高さ位置を上昇させることにより搬入又は搬出を容易にすることができる一方、容器を閉じて処理を行う場合には、基板を支持する高さ位置を下げることにより薄型（高さの低い）の容器を用いて基板に対する処理を行うことができる。
請求項１７に記載の発明によれば、ホットプレート上面に対する基板の高さ位置を状況（例えば、処理の内容、容器に対する基板の搬入・搬出の状況等）に応じて変化させることができる。例えば、基板に対して加熱処理を行う際には基板の高さ位置を下げて基板をホットプレートに近接させたり、基板の搬入又は搬出を行う際には基板の高さ位置を上昇させて搬入又は搬出を容易にしたり、基板に対して加熱処理以外の処理（例えば、現像処理、洗浄処理等）を行う際には基板の高さ位置を熱処理のときよりもやや上昇させるなどの高さ調節が可能である。
請求項１８に記載の発明によれば、超音波により現像液を霧化する構成であるため、スプレーノズルで噴霧する場合に比して霧状の現像物質を緩やかな流速で容器内の基板に供給することができ、その結果、霧状の現像物質等によるレジスト表面への物理的衝撃を緩和してその衝撃によりパターン形状の劣化が生じるのを防止することができるとともに、霧状の現像物質を含む流体の流れにより周囲の雰囲気が巻き込まれ、基板上に形成される現像液の層内に気泡が生じるのが防止できる。
また、超音波の出力レベル等を制御することにより、容器内に供給する霧状の現像物質の量を容易に調節することができる。
また、非加熱で現像液を霧化するため、加熱による現像液の劣化を防止できる。
請求項１９に記載の発明によれば、回転板の遠心力を利用して現像液を霧化する構成であるため、スプレーノズルで噴霧する場合に比して霧状の現像物質を緩やかな流速で容器内の基板に供給することができ、その結果、霧状の現像物質等によるレジスト表面への物理的衝撃を緩和してその衝撃によりパターン形状の劣化が生じるのを防止することができるとともに、霧状の現像物質を含む流体の流れにより周囲の雰囲気が巻き込まれ、基板上に形成される現像液の層内に気泡が生じるのが防止できる。
また、この遠心式の現像物質供給手段によれば霧状の現像物質を大量に生成することができるという利点がある。
また、非加熱で現像液を霧化するため、加熱による現像液の劣化を防止できる。
請求項２０に記載の発明によれば、加熱により現像液を蒸気化する構成であるため、スプレーノズルで噴霧する場合に比して蒸気状の現像物質を緩やかな流速で容器内の基板に供給することができ、その結果、蒸気状の現像物質等によるレジスト表面への物理的衝撃を緩和してその衝撃によりパターン形状の劣化が生じるのを防止することができるとともに、蒸気状の現像物質を含む流体の流れにより周囲の雰囲気が巻き込まれ、基板上に形成される現像液の層内に気泡が生じるのが防止できる。
また、加熱の出力レベル等を制御することにより、容器内に供給する蒸気状の現像物質の量を容易に調節することができる。
請求項２１に記載の発明によれば、霧状（又は蒸気状）の現像物質をその現像物質と化学反応しないガスと混合して容器内に供給する構成であるため、現像物質が基板に付着するまでに他の雰囲気と反応して劣化するのを防止することができ、現像物質を有効に利用して現像を行うことができ、この点においても現像物質の使用量を削減することができる。
請求項２２に記載の発明によれば、容器内に乾燥用気体を供給して現像処理後の基板の乾燥を行うため、従来の基板を回転させて遠心力により乾燥させる技術のように、乾燥の際に遠心力によって振り切られる水の衝撃、表面張力、毛細管力等によってレジストパターンの倒壊が生じるのを防止することができる。
また、基板を回転させる回転駆動機構や回転により飛散する各種液体に対する特別な対策が不要であるため、装置構成の小型化及び低コスト化が図れる。
請求項２３に記載の発明によれば、乾燥用気体として簡易な構成で容易に生成できる過熱蒸気を用いるため、低コストで乾燥処理を行うことができる。
＜第１実施形態＞
＜全体説明＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。この基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト塗布処理及び現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）であり、大別してインデクサＩＤとユニット配置部ＭＰとインターフェイスＩＦＢとにより構成されている。
インデクサＩＤは、移載ロボットＴＦ及び載置ステージ３０を備えている。載置ステージ３０には、４つのキャリアＣを水平方向（Ｙ軸方向）に沿って配列して載置することができる。それぞれのキャリアＣには、複数枚の基板Ｗを多段に収容することができる。
移載ロボットＴＦは、１本の移載アームを備えており、その移載アームを高さ方向に昇降動作させること、回転動作させること及び水平方向に進退移動させることができる。また、移載ロボットＴＦ自身がＹ方向に沿って移動することにより、移載アームをＹ軸方向に沿って水平移動させることができる。つまり、移載ロボットＴＦは、移載アームを３次元的に移動させることができるのである。
このような移載ロボットＴＦの動作により、インデクサＩＤは、複数の基板Ｗを収納可能なキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出してユニット配置部ＭＰに渡すとともに、ユニット配置部ＭＰから処理済の基板Ｗを受け取ってキャリアＣに収納することができる。
ユニット配置部ＭＰには、基板Ｗに所定の処理を行う処理ユニットが複数配置されている。すなわち、ユニット配置部ＭＰの前面側（−Ｙ側）には２つの塗布処理ユニットＳＣが配置されている。塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを回転させつつその基板主面にフォトレジストを滴下することによって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータである。
また、ユニット配置部ＭＰの背面側（＋Ｙ側）であって、塗布処理ユニットＳＣと同じ高さ位置には２つの現像処理ユニットＤが配置されている。現像処理ユニットＤは、露光後の基板Ｗ上に現像液を供給することによって現像処理を行うユニットであり、現像処理後のベーク処理も可能な構成となっている。この現像処理ユニットＤは、塗布処理ユニットＳＣと搬送路４を挟んで対向配置されている。この現像処理ユニットＤの詳細な構成については後述する。
２つの塗布処理ユニットＳＣ及び２つの現像処理ユニットＤのそれぞれの上方には、図示を省略するファンフィルタユニットを挟んで熱処理ユニット群が配置されている（図示の便宜上、図１では熱処理ユニット群を省略）。熱処理ユニット群には、基板Ｗを加熱して所定の温度にまで昇温するいわゆるホットプレート及び基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに該基板Ｗを当該所定の温度に維持するいわゆるクールプレートが組み込まれている。なお、ホットプレートには、レジスト塗布処理前の基板に密着強化処理を行う密着強化ユニットや露光後の基板のベーク処理を行う露光後ベークユニットが含まれる。本明細書では、ホットプレート及びクールプレートを総称して熱処理ユニットとし、塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＤ及び熱処理ユニットを総称して処理ユニット（処理部）とする。
塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＤとの間に挟まれた搬送路４には搬送ロボットＴＲが配置されている。搬送ロボットＴＲは、２つの搬送アームを備えており、その搬送アームを鉛直方向に沿って昇降させることと、水平面内で回転させることと、水平面内にて進退移動を行わせることができる。これにより、搬送ロボットＴＲはユニット配置部ＭＰに配置された各処理ユニットの間で基板Ｗを所定の処理手順にしたがって循環搬送することができる。また、搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦ及びインターフェイスＩＦＢとの間でも基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
インターフェイスＩＦＢは、レジスト塗布処理済の基板Ｗをユニット配置部ＭＰから受け取って図外の露光装置（ステッパ）に渡すとともに、露光後の基板Ｗを該露光装置から受け取ってユニット配置部ＭＰに戻す機能を有する。この機能を実現するためにインターフェイスＩＦＢには基板Ｗの受け渡しを行うための受け渡しロボット（図示省略）が配置されている。また、インターフェイスＩＦＢにはユニット配置部ＭＰでの処理時間と露光装置での処理時間との差を解消するために基板Ｗを一時収納するバッファ部も設けられている。
次に、上記の構成を有する基板処理装置１における処理について説明する。まず、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦが未処理の基板ＷをキャリアＣから取り出して、ユニット配置部ＭＰの搬送ロボットＴＲに渡す。未処理の基板Ｗを取り出すときには、該基板Ｗを収納したキャリアＣの正面に移載ロボットＴＦが移動し、移載アームを基板Ｗの下方に差し入れる。そして、移載ロボットＴＦは、移載アームを若干上昇させて基板Ｗを保持し、移載アームを退出させることによって未処理の基板Ｗを取り出す。
ユニット配置部ＭＰに渡された基板Ｗは、所定の処理手順に従って搬送ロボットＴＲにより各処理ユニット間で循環搬送される。大略的に、密着強化処理を行った基板Ｗにレジスト塗布処理を行い、その後プリベーク処理を行ってレジスト膜を形成した基板ＷをインターフェイスＩＦＢを介して露光装置に渡す。露光処理が終了した基板Ｗは露光装置からインターフェイスＩＦＢを介して再びユニット配置部ＭＰに戻される。露光後の基板Ｗに対しては露光後ベーク処理（その後のクール処理を含む）を行った後、現像処理ユニットＤにて現像処理（現像処理後のベーク処理を含む）を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、熱処理部にてクール処理が行われた後、ユニット配置部ＭＰの搬送ロボットからインデクサＩＤの移載ロボットＴＦに渡される。処理済の基板Ｗを受け取った移載ロボットＴＦは、その基板ＷをキャリアＣに収納する。なお、現像処理ユニットＤでの処理内容については後に詳細に説明する。
＜現像処理ユニットの説明＞
図２は、現像処理ユニットＤの構成を概略的に示す図である。この現像処理ユニットＤは、図２に示すように、基板Ｗを収容するチャンバ（容器）５１と、霧状の現像物質を供給して現像処理を行う現像物質供給部（現像処理手段及び現像物質供給手段に相当）５３と、Ｎ2ガスを供給するＮ2ガス供給部（ガス供給手段）５５と、温純水を供給して洗浄処理を行う温純水供給部（洗浄処理手段）５７と、乾燥用の過熱蒸気を供給して乾燥処理を行う蒸気供給部（乾燥処理部）５９と、ノズル部６１と、加熱処理を行うホットプレート（熱処理手段）６３と、チャンバ５１内の排液及び排気を行う排出部６５と、複数の支持ピン（保持部材）６７と、その複数の支持ピン６７を昇降駆動するピン駆動機構（駆動機構）６９と、チャンバ５１を開閉する開閉機構７１とを備えている。
チャンバ５１は、図２及び図３に示すように、互いに近接、離反して開閉する下側チャンバ部５１ａ及び上側チャンバ部５１ｂとを備えている。上下のチャンバ部５１ａ，５１ｂが当接されて閉じられると、チャンバ５１内は密閉されるようになっている。本実施形態では、開閉機構７１が蓋として機能する上側チャンバ部５１ｂを上下に駆動することにより、上側チャンバ部５１ｂを開閉するようになっている。例えば、開閉機構７１としては、上側チャンバ部５１ｂに連結された駆動軸７１ａを上下方向に伸縮駆動させて上側チャンバ部５１ｂを開閉するシリンダが用いられる。この場合、シリンダ（７１）が駆動軸７１ａを伸張させると、図３に示すように上側チャンバ部５１ｂが上方に移動されて開放され、シリンダ（７１）が駆動軸７１ａを縮小させると、図１に示すように上側チャンバ部５１ｂが下方に移動されて閉じられる。なお、図３では現像物質供給部５３等の一部の構成要素を省略している。
ホットプレート６３は、チャンバ５１内の底部側に水平姿勢で設置されており、その輻射熱により基板Ｗに対する加熱処理（ベーク処理を含む）を施すとともに、基板Ｗ及びチャンバ５１内の温度調節を行う役目も担っている。
複数の支持ピン６７は、チャンバ５１の気密性を保持できるような態様で、チャンバ５１内でその先端部が上下に昇降動作可能に設けられている。例えば、支持ピン６７は、気密性を保持しつつ、その先端側がチャンバ５１内に挿入されている。このような支持ピン６７は、それらの先端部に載置された基板Ｗの下面側に当接して基板Ｗを支持するようになっている。チャンバ５１内における支持ピン６７の配置位置は、支持ピン６７上に載置した基板Ｗがホットプレート６３に対して上方から対向するような位置に設定されている。
ピン駆動機構６９は、図２の矢印Ａ１で示すように、支持ピン６７を昇降駆動することにより、支持ピン６７によって支持された基板Ｗのチャンバ５１内における高さ位置（特に、ホットプレート６３の上面に対する高さ位置）を上下に変化させる。ピン駆動機構６９としては、例えばシリンダが用いられる。
ここで、ホットプレート６３の上面に対する基板Ｗの高さ位置は、例えば複数段階（例えば、３段階）で変化される。第１段階の高さ位置Ｈ１、第２段階の高さ位置Ｈ２及び第３段階の高さ位置Ｈ３となるに従って、基板Ｗとホットプレート６３との距離が縮小するようになっている。
これに対応して、例えば、搬送ロボットＴＲの搬送アームにより基板Ｗをチャンバ５１に対して搬入、搬出する際には、搬入、搬出が容易なように、基板Ｗの高さ位置が最も高い第１段階の高さ位置Ｈ１に設定される。基板Ｗに対して現像処理が行われる際には、基板Ｗがホットプレート６３に近接して基板Ｗが高温となって現像液が劣化しないように、基板Ｗの高さ位置が中間の第２段階の高さ位置Ｈ２に設定される。基板Ｗに対して洗浄処理が行われる際にも、基板Ｗの下面側やホットプレート６３の洗浄がより有効に行われるように基板Ｗとホットプレート６３との間に大きな隙間を設けるべく、基板Ｗの高さ位置が第２段階の高さ位置Ｈ２に設定される。また、基板Ｗに対して乾燥処理が行われる際にも、基板Ｗの下面側等の乾燥がより有効に行われるように、基板Ｗの高さ位置を第２段階の高さ位置Ｈ２に設定するようにしもよい。基板Ｗに対してホットプレート６３による加熱処理が行われる際には、基板Ｗがホットプレート６３に近接されるように、基板Ｗの高さ位置が最も低い第３段階の高さ位置Ｈ３に設定される。
ノズル部６１は、チャンバ５１内の上方側における基板Ｗの中央部に上方から対向する位置に設置され、この一つのノズル部６１を介して、チャンバ５１外からチャンバ５１内に供給される全ての種類の流体の供給が行われる。ノズル部６１は、図４に示すように、筒状体６１１と、詰栓部６１２と、分散部６１３とを備えている。筒状体６１１の図示しない上流側端部は、各種流体が供給される配管Ｐ１に接続される。筒状体６１１の下流側端部には詰栓部６１２が詰められている。詰栓部６１２の中央部には、流体をチャンバ５１内に吐出するための吐出口６１４が設けられている。分散部６１３は、その外径が下方側に向けて末広がり状（例えば、ラッパ状）に拡大する略錐体形状を有しており、詰栓部６１２の吐出口６１４に下方側から対向するように配置されている。本実施形態では、例えば、分散部６１３は、その上端の外周部と詰栓部６１２の内周部との間に設けられた複数のリブ６１５によって詰栓部６１２と一体的に連結されている。
このようなノズル部６１の構成により、配管Ｐ１から筒状体６１１内に導入された各種流体は、その流体の形態（液体であるか、気体であるか、霧状の形態であるか、あるいはこれらの混合であるか等）かかわらず、複数の矢印Ａ２で示すように、吐出口６１４から下方に吐出された後、分散部６１３の外周面と干渉することにより、四方に均一に分散されて、ソフトかつ均一に基板Ｗ上に到達するようになっている。このため、本実施形態では、単一のノズル部６１及びそれに連結される配管Ｐ１を用いて、チャンバ５１内へのＮ2ガス、霧状の現像物質とＮ2ガスの混合流体、温純水、過熱蒸気の供給をすべて行えるようになっている。
Ｎ2ガス供給部５５は、Ｎ2ボンベ等を備えて構成されており、現像液が空気中の二酸化炭素と反応して劣化を防止する等の目的で、パージガス及びキャリアガスとしてＮ2ガスを供給する。本実施形態では、霧状の現像物質のキャリアガス等してＮ2ガスを用いたが、現像液と化学反応せず、現像液を劣化させないガスであれば、他のガスを用いてもよい。
Ｎ2ガス供給部５５は、バルブＶ１を介して配管Ｐ１と連結されており、バルブＶ１を開閉駆動することにより、Ｎ2ガスのチャンバ５１内への供給がオン、オフ制御される。また、Ｎ2ガス供給部５５は、現像物質供給部５３に対しても、霧状の現像物質のキャリアガスとしてＮ2ガスを供給する。
現像物質供給部５３は、図５に示すように、大略的にタンク５３１と、超音波振動子５３２とを備えて構成されており、超音波で現像液５３３を霧化させる超音波式の構成を採用している。タンク５３１内には現像液５３３が貯留されており、超音波振動子５３２は例えばタンク５３１の底部等に配設される。超音波振動子５３２により現像液５３３に超音波が印加されると、現像液５３３が霧化されてゆくようになっている。タンク５３１の上端には、霧状の現像物質を配管Ｐ１内に導入するための配管Ｐ２が連結されている。そして、霧状の現像物質は、Ｎ2ガス供給部５５から供給されるＮ2ガスと混じり合いながら、Ｎ2ガスにより配管Ｐ２を介して配管Ｐ１内に導入され、ノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。配管Ｐ２には、バルブＶ２が介挿されており、バルブＶ２を開閉駆動することにより、霧状の現像物質（正確には、現像物質とＮ2ガスとの混合流体）のチャンバ５１内への供給がオン、オフ制御される。なお、タンク５３１内の現像液の供給は、現像液供給系統（配管及び補助タンク等を含む）５３４により行われる。
ここで、現像液としては、例えばＴＭＡＨが主成分として用いられる。このＴＭＡＨは、通常、１３５〜１４０℃でガス化する。このため、超音波印加により現像液を霧化させた場合、それによって生成される霧状の現像物質中には、現像液と同じ濃度比率のＴＭＡＨと水分とが含まれており、現像液の微細な霧粒子（液滴粒子）と、霧粒子が気化して生じたガス成分とが混在することとなる。
また、現像物質を霧化したままの状態でチャンバ５１内に供給し、配管Ｐ１，Ｐ２内等での現像物質の結露等を防止するため、超音波振動子５３２から配管Ｐ１，Ｐ２を介したチャンバ５１までの距離は短く設定され、配管Ｐ１，Ｐ２は、図示しないヒータ（ヒータ手段）により１３０℃以下の温度（例えば、１００〜１３０℃の温度範囲内）に昇温されて温度保持されている。
また、チャンバ５１の内周等に現像物質が結露するのを防止するため、チャンバ５１の内壁はヒータ（ヒータ手段）により１３０℃近傍に加熱、保持されている。なお、チャンバ５１の内壁の加熱、及び温度保持を、ホットプレート６３の輻射熱により行うようにしてもよい。
温純水供給部５７及び蒸気供給部５９は、例えば図６に示すようなボイラ装置５７１によって構成されている。このボイラ装置５７１は、ボイラ５７２とリボイラ５７３とを備えて構成されている。ボイラ５７２は、市水供給系統５７４から供給される市水をその加熱部５７５で加熱、沸騰させ、その蒸気を配管Ｐ３を介してリボイラ５７３に供給する。リボイラ５７３には、純水を加熱する加熱容器５７６と、加熱容器５７６の周囲に設けられた熱交換用の配管５７７とが備えられている。加熱容器５７６には、純水供給系統５７８から供給される純水５７９が貯留されている。配管５７７にはボイラ５７２から供給される高温の蒸気が通され、この蒸気の熱によって加熱容器５７６内の純水５７９が加熱されるようになっている。そして、加熱容器５７６内の昇温された温純水（例えば、１００℃の温純水）が、配管Ｐ４を介して共通の配管Ｐ１内に導入されるようになっている。また、加熱容器５７６内で純水が加熱されて生成された蒸気が、配管Ｐ５を介して共通の配管Ｐ１内に供給されるようになっている。配管Ｐ１内に供給された温純水と蒸気は、ノズル部６１を介してチャンバ５１内にそれぞれ供給される。なお、配管Ｐ５には蒸気の圧力を減圧させる図示しない減圧手段が介挿されている。
ここで、配管Ｐ４を介してチャンバ５１側に供給される温純水は基板Ｗの洗浄に用いられ、配管Ｐ５を介してチャンバ５１側に供給される蒸気は基板Ｗの乾燥に用いられる。このため、蒸気は高温（例えば、１２０℃以上）の直ぐには凝結しない熱量を有する過熱蒸気である。
また、配管Ｐ４，Ｐ５には、バルブＶ３，Ｖ４がそれぞれ介挿されており、バルブＶ３，Ｖ４を開閉駆動することにより、温純水及び蒸気のチャンバ５１内への供給がオン、オフ制御される。また、チャンバ５１内への蒸気供給を行わないときは、図示しない所定の切替バルブによりバイパスライン（図示せず）を介して排気される。なお、この切替バルブとバルブＶ３とを多方弁等を用いて一体に構成してもよい。
ここで、金属の錆や成分溶出を防ぎ、清浄な純水及び蒸気をチャンバ５１内に供給するため、リボイラ５７３の加熱容器５７６、配管Ｐ１，Ｐ４，Ｐ５及びノズル部６１等における純水又は蒸気に接する部分には、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の樹脂がコーティングされているのが好ましい。
排出部６５は、例えば図７に模式的に示すようなエゼクタポンプ６５１が用いられる。このエゼクタポンプ６５１は、高圧の水６５２を牽引源に用い、チャンバ５１に連結された排出用の配管Ｐ６を介して、チャンバ５１内の液体及びガス等を同時に強制的に排出することができる。牽引源に水６５２を用いることにより、基板Ｗの乾燥用に供給された蒸気を容易に復水させることができる効果が得られる。
また、この排出部６５は、チャンバ５１内を減圧するため役目も担っているが、減圧用の専用のポンプを備える構成としてもよい。
ここで、この現像処理ユニットＤに備えられるピン駆動機構６９、開閉機構７１、各種バルブＶ１〜Ｖ４等の駆動制御が必要な構成要素は、この基板処理装置の制御を統括する図示しない制御ユニットにより自動制御されるようになっている。
図８は、現像処理ユニットＤを用いた処理手順を示す工程図である。なお、基板Ｗが現像処理ユニットＤに導入される前には、各種の前処理が行われる。その前処理としては、例えば、ＰＥＢ処理（露光後ベーク処理）、及びそのＰＥＢ処理後の基板温度を基板面内において均一に常用〜低温状態に移行させる冷却処理等が含まれる。
図８に示すように、工程Ｓ１では、現像処理ユニットＤに対する基板Ｗの搬入処理が行われる。すなわち、開閉機構７１によりチャンバ５１の上側チャンバ部５１ｂが開放され、搬送ロボットＴＲの搬送アームにより、チャンバ５１内に設置されている基板Ｗが搬出されるとともに、新たな基板Ｗがチャンバ５１の支持ピン６７上に載置される。このとき、支持ピン６７は最も突出量の大きい第１段階の高さ位置Ｈ１にセットされている。基板Ｗの搬入、搬出が終了すると、ピン駆動機構６９により支持ピン６７が駆動され、基板Ｗの高さ位置が第２段階の高さ位置Ｈ２にセットされるとともに、開閉機構７１により上側チャンバ部５１ｂが駆動されてチャンバ５１が閉鎖され、チャンバ５１内が減圧される。
ここで、基板Ｗを支持ピン６７により支持することにより、基板Ｗがホットプレート６３に当接又は近接することにより、基板Ｗが不必要に急激に加熱されるのが防止されるようになっている。なお、基板Ｗの高さ位置は後述の乾燥処理が終了するまで第２段階の高さ位置Ｈ２に保持される。
続く工程Ｓ２では、バルブＶ１が開放され、Ｎ2ガス供給部５５によるＮ2ガスが配管Ｐ１及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給され、これによってチャンバ５１内がＮ2ガスによりパージされる。バルブＶ１はパージが終了すると閉じられる。このパージ処理の間、他のバルブＶ２〜Ｖ４は閉じられている。
続く工程Ｓ３では現像処理が行われる。すなわち、他のバルブＶ１，Ｖ３，Ｖ４が閉鎖された状態でバルブＶ２が開放され、現像物質供給部５３により供給される霧状の現像物質が、Ｎ2ガス供給部５５が供給するＮ2ガスをキャリアガスとして、配管Ｐ１及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。ノズル部６１から吐出される霧状の現像物質は、ノズル部６１の分散部６１３によって四方に均一に分散されて基板Ｗに吹き付けられるようにして付着（又は結露）してゆく。そして、付着（又は結露）した現像物質同士が互いに結合して膜状に拡大してゆくことにより、基板Ｗ上に現像液の層が形成され、現像液の液盛りが行われ、この状態を所定時間保持することにより現像が行われる。
このとき、基板Ｗが疎水性の場合であっても、基板Ｗの温度をチャンバ５１内に供給される霧状の現像物質の温度よりも低く設定しておくことにより、気化している現像物質の基板Ｗ上への凝結等が促進され、液盛り及び現像処理の促進が図られる。また、疎水性を示すレジスト表面に予めＵＶ光等を照射することで親水化処理を施することにより、現像物質を液的凝縮させる代わりに直ちに膜状凝縮させることも可能であり、現像欠陥の防止に有効である。疎水性の基板Ｗに対しては、界面活性剤を添加した現像液を霧化して用いるのも効果的である。
なお、液盛り完了して現像が進行している間の期間については、霧状の現像物質の供給を継続し、現像処理の終了にとなってバルブＶ２を閉鎖して現像物質の供給を停止してもよいし、所定レベルの液盛りの完了に伴ってバルブＶ２を閉鎖してもよい。
続く工程Ｓ４では洗浄処理が行われる。すなわち、他のバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ４が閉鎖された状態でバルブＶ３が開放され、温純水供給部５７として機能するボイラ装置５７１からの温純水が、配管Ｐ１，Ｐ４及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。ノズル部６１から吐出される温純水は、ノズル部６１の分散部６１３によって四方に均一に分散されて基板Ｗ及びチャンバ５１内に吐出され、基板Ｗ及びチャンバ５１内に付着して現像液や現像液に溶解したレジスト成分等を洗い落とす。その廃液等は、排出部６５によりチャンバ５１外に強制的に排出される。
このように温純水により基板Ｗを洗浄することにより、基板Ｗ及びチャンバ５１内の温度を一定レベル以上に保持した状態で洗浄処理を行うことができ、洗浄時やその後の処理の際において、容器内の温度低下によりチャンバ５１内で水蒸気の結露が生じるのを防止することができる。また、洗浄後の水分乾燥（乾燥処理）を促進させることができる。
続く工程Ｓ５では乾燥処理が行われる。すなわち、他のバルブＶ１〜Ｖ３が閉鎖された状態でバルブＶ４が開放され、蒸気供給部５９として機能するボイラ装置５７１からの過熱蒸気が、配管Ｐ１，Ｐ５及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。
ノズル部６１から吐出される高温（例えば、１２０℃以上）の過熱蒸気は、ノズル部６１の分散部６１３によって四方に均一に分散されて基板Ｗ等に吹き付けられ、基板Ｗ及びチャンバ５１内に付着した水分を蒸発さえて乾燥させる。このとき、蒸気によって基板Ｗに付着した水分が加熱により蒸発乾燥されるため、乾燥時の水の表面張力を小さく抑えることができるとともに、基板Ｗを回転させる必要がない。なお、この乾燥処理が行われている間は、排出部６５による排出処理が継続して行われる。
ここで、過熱蒸気のチャンバ５１内への供給開始直後は、基板Ｗの温度等が低い場合には蒸気が冷却されることにより基板Ｗ表面等に一時的に結露が生じるが、蒸気の供給が継続的に行われて基板Ｗ等の温度が上昇するのに伴って、基板Ｗ表面が乾燥し、水分が除去されてゆく。
試験の結果、この乾燥処理では、例えば６〜８ｋｇ／ｈの供給能力を有するボイラ装置５１７で１３０℃の蒸気をチャンバ５１内に供給して、直径２００ｍｍのＳｉ基板Ｗの乾燥を行った場合、約１０秒の蒸気供給で乾燥が完了することが分かった。
乾燥処理が完了すると、バルブＶ４が閉鎖されて蒸気のチャンバ５１内への供給が停止される。
続く工程Ｓ６ではベーク処理が行われる。すなわち、他のバルブＶ１，Ｖ３，Ｖ４が閉鎖された状態でバルブＶ２が開放され、Ｎ2ガス供給部５５からのＮ2ガスが、配管Ｐ１及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給されてチャンバ５１内がＮ2ガスによりパージされる。これに伴って、ピン駆動機構６９により支持ピン６７が駆動され、基板Ｗの高さ位置が第２段階の高さ位置Ｈ２から第３段階の高さ位置Ｈ３に下げられて、基板Ｗがホットプレート６３に所定の隙間間隔をあけて近接され、この状態でホットプレート６３の輻射熱により基板Ｗに対するベーク処理（現像後ベーク処理）が行われる。このベーク処理の間、チャンバ５１に対するＮ2ガスの供給、及び排気部６５による排ガス等の排気は継続して行われる。
なお、このベーク処理は、現像後のレジストパターン等を焼き固めるためのものである。また、このベーク処理をＮ2ガスを継続的に供給して行うのは、基板Ｗ表面やチャンバ５１内に残留した余分な水分、及びレジストから排出される溶剤ガスをチャンバ５１内から迅速に排出するため、及び、基板Ｗの搬出時にチャンバ５１を外界に対して負圧にしないことで、チャンバ５１のスムーズの開放を可能とするためである。また、チャンバ５１の開放時にチャンバ５１外にＮ2ガス以外のものが残留して外部に漏れ出すのを防止するためである。
続く工程Ｓ７では、現像処理ユニットＤに対する基板Ｗの搬出処理が行われる。すなわち、開閉機構７１によりチャンバ５１の上側チャンバ部５１ｂが開放されるとともに、ピン駆動機構６９により支持ピン６７が駆動されて基板Ｗの高さ位置が第３段階の高さ位置Ｈ３から第１段階の高さ位置Ｈ１に上昇され、搬送ロボットＴＲの搬送アームにより、チャンバ５１内に設置されている基板Ｗが搬出されるとともに、新たな基板Ｗがチャンバ５１の支持ピン６７上に載置される。
現像処理ユニットＤから搬出された基板Ｗは、熱処理部に運ばれ、冷却処理が施される。
次に、実際に超音波により霧化した現像液を用いてＡｒＦレジストに対して現像を行った結果について説明する。
使用したレジストはＪＳＲ製ＡｒＦレジストＡＲ２３７Ｊであり、下地はＢＡＲＣである。この場合、未露光部の現像液（界面活性剤 未含有）に対する接触角は６５°であるが、露光部ではその接触角が大きく低下し、接液１０秒後には約２０〜３０℃の接触角を示した。
このレジストに対し、ターゲット線幅１８０ｎｍとなる様に露光処理を行い、約６０秒間霧化したＴＭＡＨ濃度２．３８０％現像液を吹き付けて現像した結果、パターンの線幅値の線幅の均一性が向上し、パターン形状も良好であった。この結果より、露光処理したＡｒＦレジストは現像液に対して親水性を示し、また霧状現像液でも通常の液体の現像液と同様、十分な現像性能を有していることが確認できた。
なお、この試験では、基板温度は室温であり、かつ現像液温度も室温で行っているが、基板温度と現像液温度、霧状現像液の発生量等の適正化を行えば、霧状現像液の吹き付けに要する時間の短縮も可能である。
以上のように、本実施形態によれば、一つのチャンバ５１内で基板Ｗに対する現像処理、洗浄処理、乾燥処理及び加熱処理を行うことができ、熱処理のための専用のユニットを別個に設ける必要がないため、装置構成の小型化及び低コスト化が図れる。特に、非化学増幅型レジストの場合は、露光後ベーク処理が不要であるため、露光処理後における現像処理とハードベーク処理とを一つのチャンバ５１により行うことができる。また、現像処理を行う現像処理ユニットＤの小型化により、設置スペースを増大させることなく、現像処理ユニットＤの設置台数を増加させ、現像処理の処理能力の向上が図れる。
また、従来のように基板Ｗを現像処理ユニットから熱処理ユニットに搬送する必要がないため、その分基板処理のスループットの向上が図れる。
また、基板Ｗ及びチャンバ５１内の温度をホットプレート６３により調節することができ、チャンバ５１内の温度環境を良好な状態に保持することができる。
また、チャンバ５１内に供給した霧状の現像物質を徐々に基板に付着させ（又は結露させ）、付着（又は結露）した現像物質同士が互いに結合して拡大してゆくことにより、基板Ｗ上に現像液の層を形成し、現像を行うため、スリット状のノズルを使用する場合に比して、現像物質の使用量を抑制して少量の現像物質により現像処理を行うことができ、また疎水性を示す基板Ｗに対しても、現像物質の供給量を抑制しつつ、基板Ｗ上の現像液の層を適切な厚みで形成することができる。
例えば、現像処理の際、基板Ｗの温度をチャンバ５１内の温度に比して低く設定しておくことにより、霧状の現像物質に含まれる気化成分の現像物質の凝結及び結露が実質的に基板Ｗ上でのみ生じるようにすることができ、これによって、現像物質が基板Ｗ外に付着することによる生じる無駄を抑制することができる。
また、基板Ｗ表面の全面において同時に霧状の現像物質を付着（又は結露）させて現像液の層を形成することができるため、従来のように基板Ｗ表面の部分間で現像液の液盛りかかる時間差が生じることがなく、基板Ｗ表面の全面において均一な現像処理を行うことができる。しかも、温純水が均一に基板Ｗ上に供給されて洗浄が行われるため、現像物質の供給開始から洗浄までの全ての工程において、基板Ｗ表面の各部における現像を同一の条件で均一に行うことができる。
また、基板Ｗ上に形成した現像液の層は、チャンバ５１内への霧状の現像物質の供給を停止すると直ちに静止状態が保持されるため、この点によっても基板Ｗ表面内における現像処理の均一性が向上する。なお、特定のレジスト種において、パターンの線幅値に差が生じるのを防ぐために、新液の供給や振動等による液循環が必要な場合には、液盛り後も霧状の現像物質の供給を継続すればよい。
また、超音波により現像液を霧化する構成であるため、スプレーノズルで噴霧する場合に比して霧状の現像物質を緩やかな流速でチャンバ５１内の基板Ｗに供給することができ、その結果、霧状の現像物質等によるレジスト表面への物理的衝撃を緩和してその衝撃によりパターン形状の劣化が生じるのを防止することができるとともに、霧状の現像物質を含む流体の流れにより周囲の雰囲気が巻き込まれ、基板Ｗ上に形成される現像液の層内に気泡が生じるのが防止できる。
また、超音波の出力レベル等を制御することにより、チャンバ５１内に供給する霧状の現像物質の量を容易に調節することができる。
また、非加熱で現像液を霧化するため、加熱による現像液の劣化を防止できる。
また、霧状の現像物質をＮ2ガスと混合してチャンバ５１内に供給する構成であるため、現像物質が基板Ｗに付着するまでに他の雰囲気と反応して劣化するのを防止することができ、現像物質を有効に利用して現像を行うことができ、この点においても現像物質の使用量を削減することができる。
また、Ｎ2ガスによりチャンバ５１内をパージした状態で、チャンバ５１内に霧状の現像物質を供給する構成であるため、霧状の現像物質をチャンバ５１内への供給開始当初から現像に使用することができる。このため、従来のように二酸化炭素との接触により劣化した現像液をダミー吐出するようなことが不要であり、現像物質の使用量の削減が図れる。
また、霧状の現像物質をチャンバ５１内に導くための配管Ｐ１，Ｐ２が所定の温度レベル（例えば、１００〜１３０℃の温度範囲内）に昇温して保持されるため、現像物質の配管Ｐ１，Ｐ２内での結露等を防止することができる。
また、チャンバ５１の内壁が所定の温度レベル（例えば、１３０℃近傍）に昇温されて保持されるため、現像物質のチャンバ５１の内壁への結露等を防止することができる。
また、昇温された温純水を用いて基板Ｗ等の洗浄を行うため、基板Ｗ及びチャンバ５１内の温度を一定レベル以上に保持した状態で洗浄処理を行うことができる。その結果、洗浄時やその後の処理の際において、チャンバ５１内の温度低下によりチャンバ５１内で水蒸気の結露が生じるのを防止することができる。
また、温純水により基板Ｗを高温に保持しておくことにより、後の乾燥処理において基板Ｗに付着した水分の乾燥を促進させることができる。
また、熱処理手段として備えられたホットプレート６３により基板Ｗに対する現像処理後のベーク処理を行うとができる。
また、ホットプレート６３による加熱より基板Ｗに付着した水分の乾燥も行うことができる。
また、基板Ｗ及びチャンバ５１内の温度をホットプレート６３により調節することができ、チャンバ５１内の温度環境を良好な状態に保持することができる。例えば、チャンバ５１内の温度を昇温して乾燥処理を促すことや、チャンバ５１内の温度が低下して不所望な結露が生じることなどを防止する等の効果が得られる。
また、チャンバ５１内に過熱蒸気を供給して現像処理後の基板の乾燥を行うため、従来の基板を回転させて遠心力により乾燥させる技術のように、乾燥の際に遠心力によって振り切られる水の衝撃、表面張力、毛細管力等によってレジストパターンの倒壊が生じるのを防止することができる。
また、基板Ｗを回転させる回転駆動機構や回転により飛散する各種液体に対する特別な対策が不要であるため、装置構成の小型化及び低コスト化が図れる。
また、簡易な構成で容易に生成できる過熱蒸気を用いて乾燥を行うため、低コストで乾燥処理を行うことができる。
また、乾燥用の過熱蒸気の供給をボイラ装置５７１のリボイラ５７３により供給するため、清浄な過熱蒸気をチャンバ５１内に供給することができる。
また、チャンバ５１内における霧状の現像物質の供給、洗浄用の温純水の供給、及び乾燥用の過熱蒸気の供給を一つのノズル部６１及び配管Ｐ１を用いて行うことができるため、個別にノズル部を設ける構成に比して簡略化が図れ、小型化及び低コスト化が図れる。
また、ノズル部６１の吐出口６１４に対向して配置された分散部６１３により、液、霧、ガス等の各種流体を効果的に四方に分散させて、ソフトかつ均一にチャンバ５１内に供給することができる。
また、支持ピン６７を昇降駆動するピン駆動機構６９が設けられているため、チャンバ５１内における基板Ｗを保持する高さ位置を状況（例えば、処理内容、チャンバ５１に対する基板Ｗの搬入・搬出の状況等）に応じて変化させることができる。例えば、チャンバ５１を開放して基板Ｗの搬入又は搬出を行う際には基板Ｗの高さ位置を第１段階の高さ位置Ｈ１に上昇させることにより搬入又は搬出を容易にすることができる一方、チャンバ５１を閉じて処理を行う場合には、基板Ｗの高さ位置を第２又は第３段階の高さ位置Ｈ２，Ｈ３に下げることにより薄型（高さの低い）のチャンバ５１を用いて基板Ｗに対する処理を行うことができる。さらに、基板Ｗに対して加熱処理を行う際には基板Ｗの高さ位置を第３段階の高さ位置Ｈ３に下げて基板Ｗをホットプレート６３に近接させたり、基板Ｗに対して加熱処理以外の処理（例えば、現像処理、洗浄処理等）を行う際には基板Ｗの高さ位置を熱処理のときよりもやや上方の第２段階の高さ位置Ｈ２に上昇させるなどの高さ調節が可能である。
＜第２実施形態＞
図９は本発明の第２実施形態に係る基板処理装置に用いられる現像物質供給部の構成を模式的に示す図である。本実施形態に係る基板処理装置が上記第１実施形態と実質的に異なる点は、現像物質供給部５３の代わりに現像物質供給部８１が備えられた点のみであり、互いに対応する部分には同一の参照符号を用い、同様な部分の説明は省略する。
本実施形態に係る現像物質供給部８１は、図９に示すように、大略的にタンク８１１と、回転板８１２と、回転板８１２を回転駆動するモータ８１３と、エリミネータ８１４とを備えている。タンク８１１には現像液８１５が貯留されている。回転板８１２は、タンク８１１内の現像液８１５の上方に水平姿勢で回転可能に支持されており、モータ８１３によって回転駆動される。タンク８１１内の現像液８１５は液供給部８１６によって回転板８１２に導かれる。エリミネータ８１４は回転板８１２の周囲に配設されている。そして、現像液８１５が液供給部８１６によって回転板８１２に導かれると、現像液８１５が回転板８１２の回転による遠心力にり外側に振り飛ばされてエリミネータ８１４に衝突し、霧化される。
タンク８１１の上端には、霧状の現像物質を配管Ｐ１内に導入するための配管Ｐ７が連結されている。そして、霧状の現像物質は、Ｎ2ガス供給部５５から供給されるＮ2ガスと混じり合いながら、Ｎ2ガスにより配管Ｐ７を介して配管Ｐ１内に導入され、ノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。配管Ｐ７には、霧状の現像物質（正確には、現像物質とＮ2ガスとの混合流体）のチャンバ５１内への供給をオン、オフするための図示しないバルブが介挿されている。
これによって、本実施形態においても、遠心式の現像物質供給部８１に特有の点を除いて、上記の第１実施形態の場合とほぼ同様な効果が得られる。
遠心式の現像物質供給部８１を用いることによる特有の効果としては、霧状の現像物質を大量に生成することができるという利点がある。
また、超音波式と同様に、遠心式においても非加熱で現像液を霧化するため、加熱による現像液の劣化を防止できる。
＜第３実施形態＞
図１０は本発明の第３実施形態に係る基板処理装置に用いられる現像物質供給部の構成を模式的に示す図である。本実施形態に係る基板処理装置が上記第１実施形態と実質的に異なる点は、現像物質供給部５３の代わりに現像物質供給部８３が備えられた点のみであり、互いに対応する部分には同一の参照符号を用い、同様な部分の説明は省略する。
本実施形態に係る現像物質供給部８３は、図１０に示すように、大略的にタンク８３１と、ヒータ８３２とを備えている。タンク８３１には現像液８３３が貯留されている。そして、タンク８３１内の現像液８３３がヒータ８３２によって加熱されて気化し、これによって蒸気状の現像物質が発生される。
タンク８３１の上端には、蒸気状の現像物質を配管Ｐ１内に導入するための配管Ｐ８が連結されている。そして、蒸気状の現像物質は、Ｎ2ガス供給部５５から供給されるＮ2ガスと混じり合いながら、Ｎ2ガスにより配管Ｐ８を介して配管Ｐ１内に導入され、ノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給される。チャンバ５１内に供給された蒸気状の現像物質は基板Ｗ表面にて凝結により結露し、その結露により生じた現像液の液滴が互いに結合して拡大して基板Ｗ上で膜状に広がってゆくことにより、現像液の液盛りが行われる。配管Ｐ８には、蒸気状の現像物質（正確には、現像物質とＮ2ガスとの混合流体）のチャンバ５１内への供給をオン、オフするための図示しないバルブが介挿されている。
これによって、本実施形態においても、加熱式の現像物質供給部８３に特有の点を除いて、上記の第１実施形態の場合とほぼ同様な効果が得られる。
加熱式の現像物質供給部８３を用いることによる特有の効果としては、加熱の出力レベル等を制御することにより、チャンバ５１内に供給する蒸気状の現像物質の量を容易に調節することができる。
なお、高温下では現像液成分であるＴＭＡＨが劣化変質するため、加熱式の現像物質供給部８１のみによって現像に必要な現像物質を供給するのは困難な場合がある。この場合には、必要とされる霧状又は蒸気状の現像物質の供給量や粒子径に応じて、本実施形態に係る加熱式の現像物質供給部８３、第１実施形態に係る超音波式の現像物質供給部５３、及び第２実施形態に係る遠心式の現像物質供給部８１のうちの２つ又は３つを組み合わせて使用したり、それらのうちの１つを選択して使用するのがよい。
＜変形例＞
また、上記各実施形態では、現像液を霧化又は蒸気化させてチャンバ５１内に供給するようにしたが、現像液の使用量や基板Ｗへの接触時の強度等を問題にしない場合には、現像液をそのまま配管Ｐ１及びノズル部６１を介してチャンバ５１内に供給するようにしてもよい。また、現像液を霧化させる場合であっても、ＴＭＡＨ濃度が２．３８０ｗｔ％以上の高濃度の現像液を霧化させてチャンバ５１内に供給するようにしてもよい。
また、霧状の現像物質液を供給する現像物質供給部として、ガスをタンク内の現像液に吹き込んで霧化させるバブリング式の現像物質供給部を用いてもよい。
また、上記各実施形態では、乾燥用の蒸気をリボイラ５７３を有するボイラ装置５７１によって供給するようにしたが、純水を直接ボイラで蒸発させて供給するようにしてもよい。あるいは、超音波で霧化した霧状の純水を加熱して蒸気化して供給するようにしてもよい。
また、上記各実施形態では、洗浄用の温純水を蒸気供給用のボイラ装置５７１（リボイラ５７３）から供給するようにしたが、別個の温純水供給装置を設けるようにしてもよい。
また、上記各実施形態では、過熱蒸気を用いて基板Ｗの乾燥を行うようにしたが、Ｎ2ガス等のガスを用いて乾燥を行うようにしてもよい。
また、上記各実施形態では、温純水を用いて基板Ｗの洗浄を行うようにしたが、通常の純水等の他の洗浄液を用いて基板Ｗの洗浄を行うようにしてもよい。
また、上記各実施形態の変形例として、排出部６５に、選択的にチャンバ５１に接続可能な排液用のラインと排気用のラインとを切り替え可能に設け、チャンバ５１内からの排出物中の現像液の含有量、溶解レジスト成分量等に応じて、排液用のライン又は排気用のラインをチャンバ５１に切り替えて接続して排出物の排出を分別して行うようにしてもよい。これによって、排出物の処理に要する費用と時間を削減することができる。
また、上記各実施形態では、一つのノズル部６１を用いてチャンバ５１内への霧状の現像物質、洗浄用の温純水、乾燥用の過熱蒸気及びパージ用のＮ2ガスの供給を行うようにしたが、２以上のノズル部を設け、その各ノズル部に１又は複数種類の供給流体を割り当てるようにしてもよい。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 現像処理ユニットの構成を概略的に示す図である。 現像処理ユニットのチャンバが開放された状態を示す図である。 ノズル部の要部断面図である。 現像物質供給部の構成を概略的に示す図である。 蒸気供給部及び温純水供給を構成するボイラ装置の構成を概略的に示す図である。 排出部を構成するエゼクタポンプの構成を概略的に示す図である。 現像処理ユニットを用いた処理手順を示す工程図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置に用いられる現像物質供給部の構成を模式的に示す図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置に用いられる現像物質供給部の構成を模式的に示す図である。
符号の説明
１ 基板処理装置
５１ チャンバ
５３，８１，８３ 現像物質供給部
５５ Ｎ2ガス供給部
５７ 温純水供給部
５９ 蒸気供給部
６１ ノズル部
６３ ホットプレート
６５ 排出部
６７ 支持ピン
６９ ピン駆動機構
７１ 開閉機構
５３２ 超音波振動子
５７１ ボイラ装置
５７２ ボイラ
５７３ リボイラ
６１３ 分散部
６５１ エゼクタポンプ
８１２ 回転板
８１４ エリミネータ
８３２ ヒータ
Ｃ キャリア
Ｄ 現像処理ユニット
ＩＤ，ＩＤＡ インデクサ
Ｐ１〜Ｐ８ 配管
ＳＣ 塗布処理ユニット
ＴＲ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (25)

  1. 基板を収容する容器と、
    前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理手段と、
    前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理手段と、
    前記容器内にて前記基板に対して熱処理を行う熱処理手段と、
    を備える、基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記容器内にて前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理手段をさらに備える、基板処理装置。
  3. 請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
    前記現像処理手段は、
    前記現像処理のための霧状又は蒸気状の現像物質を少なくとも含む流体を前記容器内に供給する、基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記現像処理手段は、
    超音波を印加することにより液状の現像液を霧化して前記現像物質を供給する現像物質供給手段を備える、基板処理装置。
  5. 請求項３又は４に記載の基板処理装置において、
    前記現像物質供給手段は、
    前記現像物質と化学反応しないガスを供給するガス供給手段をさらに備え、
    前記現像処理手段は、前記ガスと前記現像物質を混合して前記流体として前記容器内に供給する、基板処理装置。
  6. 請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像処理手段は、
    前記霧状又は蒸気状の現像物質を少なくとも含む流体を前記容器内に導くための配管を所定の温度レベルに昇温して保持するヒータ手段をさらに備える、基板処理装置。
  7. 請求項３ないし６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記容器の内壁を所定の温度レベルに昇温して保持するヒータ手段をさらに備える、基板処理装置。
  8. 請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄処理手段は、
    洗浄用液体を前記容器内に供給する、基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄用液体は昇温された純水である、基板処理装置。
  10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記熱処理手段は、
    前記容器内に設けられ、前記基板を加熱するホットプレートを備える、基板処理装置。
  11. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記乾燥処理手段は、
    乾燥用気体を前記容器内に供給する、基板処理装置。
  12. 請求項１１に記載の基板処理装置において、
    前記乾燥用気体は過熱蒸気である、基板処理装置。
  13. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記容器内に設けられた共用ノズル部をさらに備え、
    前記現像処理手段は、前記現像処理のための現像物質を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、
    前記洗浄処理手段は、洗浄用液体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給する、基板処理装置。
  14. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記容器内に設けられた共用ノズル部をさらに備え、
    前記現像処理手段は、前記現像処理のための現像物質を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、
    前記洗浄処理手段は、洗浄用液体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給し、
    前記乾燥処理手段は、乾燥用気体を前記共用ノズル部を介して前記容器内に供給する、基板処理装置。
  15. 請求項１３又は１４に記載の基板処理装置において、
    前記共通ノズル部は、
    流体を吐出するその吐出口に対向して配置され、その吐出口から吐出される流体と干渉して流体を分散させる分散部を備える、基板処理装置。
  16. 請求項１ないし１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記容器内に設けられ、前記基板を保持する保持部材と、
    前記保持部材を昇降駆動する昇降機構と、
    を備える、基板処理装置。
  17. 請求項１６に記載の基板処理装置において、
    前記熱処理手段は、
    前記容器内において前記保持部材によって保持された前記基板に対して下方から対向するように設けられ、前記基板を加熱するホットプレートを備え、
    前記昇降機構は、
    前記保持部材を昇降駆動することにより、前記ホットプレート上面に対する前記基板の高さ位置を変化させる、基板処理装置。
  18. 基板を収容する容器と、
    現像液に超音波を印加して霧状の現像物質を発生させて供給する超音波式の現像物質供給手段と、
    前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、
    を備える、基板処理装置。
  19. 基板を収容する容器と、
    現像液を回転板に導いて遠心力によりエリミネータに衝突させることにより霧状の現像物質を発生させて供給する遠心式の現像物質供給手段と、
    前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、
    を備える、基板処理装置。
  20. 基板を収容する容器と、
    現像液を加熱して蒸気状の現像物質を発生させて供給する加熱式の現像物質供給手段と、
    前記容器内に設けられ、前記現像物質供給手段によって発生された前記現像物質を前記容器内に供給するノズル部と、
    を備える、基板処理装置。
  21. 請求項１８ないし２０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像物質供給手段は、
    前記現像物質と化学反応しないガスを供給するガス供給手段をさらに備え、
    前記現像物質供給手段は、前記ガスと前記現像物質を混合して前記ノズル部を介して前記容器内に供給する、基板処理装置。
  22. 基板を収容する容器と、
    前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理手段と、
    前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理手段と、
    乾燥用気体を前記容器内に供給することにより、前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理手段と、
    を備える、基板処理装置。
  23. 請求項２２に記載の基板処理装置において、
    前記乾燥用気体は過熱蒸気である、基板処理装置。
  24. 容器内に基板を搬入する搬入工程と、
    前記容器内にて前記基板に対して現像処理を行う現像処理工程と、
    前記容器内にて前記基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理工程と、
    前記容器内にて前記基板に対して熱処理を行う熱処理工程と、
    を備える、基板処理方法。
  25. 請求項２４に記載の基板処理方法において、
    前記洗浄処理工程と前記熱処理工程との間に、
    前記容器内にて前記基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理工程をさらに備える、基板処理方法。
JP2004091415A 2004-03-26 2004-03-26 基板処理装置及び基板処理方法 Abandoned JP2005277268A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004091415A JP2005277268A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 基板処理装置及び基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004091415A JP2005277268A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005277268A true JP2005277268A (ja) 2005-10-06

Family

ID=35176566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004091415A Abandoned JP2005277268A (ja) 2004-03-26 2004-03-26 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005277268A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008026366A1 (fr) * 2006-08-28 2008-03-06 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé et appareil de traitement de surface
JP2008057163A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd トイレ洗浄装置およびトイレ装置
JP2008145085A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Omron Corp 半導体薬液加熱装置
JP2009129927A (ja) * 2007-11-19 2009-06-11 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜
CN101231135B (zh) * 2007-01-26 2010-06-02 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置
CN101833250A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 东京毅力科创株式会社 显影装置和显影方法
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
KR20110094242A (ko) 2010-02-15 2011-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
CN102163009A (zh) * 2010-02-15 2011-08-24 东京毅力科创株式会社 显影装置和显影方法
JP2011166087A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2013153074A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Fujifilm Corp キャパシタ形成方法
WO2014061353A1 (ja) * 2012-10-16 2014-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20140051627A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치
KR101970338B1 (ko) * 2017-10-12 2019-04-18 주식회사 위드텍 스피닝 방식의 웨이퍼 표면 분석 장치 및 방법
JP2022174724A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008026366A1 (fr) * 2006-08-28 2008-03-06 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé et appareil de traitement de surface
JP2008053646A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理方法および表面処理装置
JP2008057163A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd トイレ洗浄装置およびトイレ装置
JP2008145085A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Omron Corp 半導体薬液加熱装置
CN101231135B (zh) * 2007-01-26 2010-06-02 大日本网目版制造株式会社 减压干燥装置
JP2009129927A (ja) * 2007-11-19 2009-06-11 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜
JP2010219168A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
CN101840853A (zh) * 2009-03-13 2010-09-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
CN101833250A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 东京毅力科创株式会社 显影装置和显影方法
KR101529741B1 (ko) * 2009-03-13 2015-06-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
KR101522437B1 (ko) * 2009-03-13 2015-05-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
TWI418955B (zh) * 2009-03-13 2013-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置、基板處理方法、塗佈顯影裝置、塗佈顯影方法及記憶媒體
TWI418956B (zh) * 2009-03-13 2013-12-11 Tokyo Electron Ltd 顯影裝置、顯影方法及記憶媒體
CN101833250B (zh) * 2009-03-13 2013-08-28 东京毅力科创株式会社 显影装置和显影方法
US8398319B2 (en) 2009-03-13 2013-03-19 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing method, and storage medium
CN101840853B (zh) * 2009-03-13 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
KR101185072B1 (ko) 2010-02-15 2012-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
KR101685961B1 (ko) * 2010-02-15 2016-12-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
KR101176882B1 (ko) 2010-02-15 2012-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
US8333522B2 (en) 2010-02-15 2012-12-18 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing method and storage medium
US8337104B2 (en) 2010-02-15 2012-12-25 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing method and storage medium
CN102193342A (zh) * 2010-02-15 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 涂覆-显影装置和显影方法
TWI393173B (zh) * 2010-02-15 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 顯像裝置，顯像方法及記憶媒體
US8262300B2 (en) 2010-02-15 2012-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus, developing method and non-transitory medium
JP2011166087A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2011166088A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2011166086A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
TWI492281B (zh) * 2010-02-15 2015-07-11 Tokyo Electron Ltd 塗佈、顯像裝置、顯像方法及記憶媒體
KR20110094242A (ko) 2010-02-15 2011-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
CN102163009A (zh) * 2010-02-15 2011-08-24 东京毅力科创株式会社 显影装置和显影方法
JP2013153074A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Fujifilm Corp キャパシタ形成方法
WO2014061353A1 (ja) * 2012-10-16 2014-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US10497581B2 (en) 2012-10-16 2019-12-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device
KR20140051627A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치
KR101969361B1 (ko) 2012-10-23 2019-08-13 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치 및 방법
KR101970338B1 (ko) * 2017-10-12 2019-04-18 주식회사 위드텍 스피닝 방식의 웨이퍼 표면 분석 장치 및 방법
JP2022174724A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7299375B2 (ja) 2021-05-11 2023-06-27 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6432199B1 (en) Apparatus and method for processing a substrate
KR101176882B1 (ko) 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
US8398320B2 (en) Non-transitory storage medium for rinsing or developing sequence
JP2005277268A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US8163469B2 (en) Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium
US20140216506A1 (en) Substrate processing apparatus
US8147153B2 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
KR101185072B1 (ko) 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
WO2005101467A1 (ja) 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
JP2010062352A (ja) 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP4271095B2 (ja) 基板加熱装置及び基板加熱方法
KR20090088808A (ko) 소수화 처리 방법, 소수화 처리 장치, 도포, 현상 장치 및 기억 매체
JP2011166088A (ja) 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
JPH10214775A (ja) 熱処理装置および基板処理装置
JP6231450B2 (ja) 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP2003178946A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP2003178943A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP4678740B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP2014017393A (ja) 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
US20220206392A1 (en) Nozzel standby port, apparatus for treating substrate including the same and method for cleaning nozzle using the same
JP2003156858A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2003178942A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP5012393B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2003209036A (ja) レジスト塗布装置
JP2002153799A (ja) 塗布処理装置および塗布処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090330

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20090525