JP7360973B2 - 現像処理装置及び現像処理方法 - Google Patents

現像処理装置及び現像処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7360973B2
JP7360973B2 JP2020031413A JP2020031413A JP7360973B2 JP 7360973 B2 JP7360973 B2 JP 7360973B2 JP 2020031413 A JP2020031413 A JP 2020031413A JP 2020031413 A JP2020031413 A JP 2020031413A JP 7360973 B2 JP7360973 B2 JP 7360973B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
developer
annular wall
substrate
supply section
developer supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020031413A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021136329A (ja
Inventor
公一朗 田中
昌弘 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020031413A priority Critical patent/JP7360973B2/ja
Priority to TW110105249A priority patent/TW202136932A/zh
Priority to US17/177,270 priority patent/US11923218B2/en
Priority to KR1020210021813A priority patent/KR20210109449A/ko
Priority to CN202110220216.9A priority patent/CN113311672A/zh
Publication of JP2021136329A publication Critical patent/JP2021136329A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7360973B2 publication Critical patent/JP7360973B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/60—Arrangements for mounting, supporting or holding spraying apparatus
    • B05B15/65—Mounting arrangements for fluid connection of the spraying apparatus or its outlets to flow conduits
    • B05B15/656—Mounting arrangements for fluid connection of the spraying apparatus or its outlets to flow conduits whereby the flow conduit length is changeable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本開示は、現像処理装置及び現像処理方法に関する。
特許文献１には、露光されたレジスト膜がその表面に形成された基板を水平に保持する基板保持部と、基板の表面に現像液を供給する現像液供給部と、を備える現像装置が開示されている。特許文献１に開示の現像装置は、現像液供給部として、現像液を下方に供給する吐出口が設けられた現像液供給ノズルを備えており、現像液供給ノズルの吐出口は、ノズルの長さ方向に沿って設けられており、ウェハＷの径と略同じ長さを有するスリット状に形成されている。
特開２０１６－８１９６４号公報
本開示にかかる技術は、平面視において基板の直径以上の長さに形成された、長尺の第１現像液供給部と、短尺の第２現像液供給部とで、基板から飛散した現像液を受ける液受け部を共有することが可能な、現像処理装置及び現像処理方法を提供する。
本開示の一態様は、基板上のレジスト膜を現像する現像処理装置であって、基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する第１及び第２現像液供給部と、前記基板保持部に保持された基板からの現像液を受ける液受け部と、を有し、前記第１現像液供給部は、平面視において基板の直径未満の長さに形成され、前記第２現像液供給部は、平面視において基板の直径以上の長さに形成され、前記液受け部は、平面視において、基板の直径より大径の円状の開口を有する環状に形成された、第１及び第２環状壁と、を有し、前記第２環状壁は、前記第１環状壁の上方に設けられており、
前記第１環状壁と前記第２環状壁とは互いに独立して昇降可能に構成されており、前記第１環状壁と前記第２環状壁との鉛直方向の距離が可変である。
本開示によれば、平面視において基板の直径以上の長さに形成された、長尺の第１現像液供給部と、短尺の第２現像液供給部とで、基板から飛散した現像液を受ける液受け部を共有することが可能な、現像処理装置及び現像処理方法を提供することができる。
従来の現像処理装置の説明図である。 従来の現像処理装置の説明図である。 本開示にかかる技術の課題を説明するための図である。 本実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を概略的に示す縦断面図である。 本実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を概略的に示す横断面図である。 第１現像液供給部からの現像液で現像する場合における、ウェハ処理の各工程での、現像処理装置の内部状態を示す図である。 第２現像液供給部からの現像液で現像する場合における、ウェハ処理の各工程での、現像処理装置の内部状態を示す図である。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所望のレジストパターンを形成するために、種々の処理が行われる。上記種々の処理には、例えば、基板上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。
上述の現像処理は、現像処理装置を用いて行われる。現像処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に現像液を供給する現像液供給部と、を有し、基板保持部に保持された基板上に現像液供給部から現像液を供給し、基板表面上に現像液の液膜を形成し、基板上のレジスト膜を現像する。また、現像処理装置は、基板保持部に保持された基板から飛散した現像液等を受ける液受け部を有する。液受け部は、基板より大径な円状の開口を有する円環状に形成された環状壁を有している。これにより、例えば、環状壁の開口を介して、現像処理装置の外部から当該現像処理装置に挿入された基板搬送機構と基板保持部との間で基板を受け渡すことや、基板保持部に保持された基板から振り切られたり当該基板で跳ね返されたりした現像液が液受け部の外部に放出されるのを環状壁で防ぐこと等ができる。
ところで、現像液供給部には種々のものがある。例えば、特許文献１には、吐出口が基板の径と略同じ長さのスリット状に形成された現像液供給部が開示されている。このように長尺の現像液供給部もあれば、短尺の現像液供給部もある。
しかし、従来、長尺の現像液供給部と、短尺の現像液供給部とでは、液受け部を共有することができなかった。その理由は以下の通りである。
例えば、従来、図１に示すように、現像液供給部５００が長尺の現像処理装置では、液受け部５１０の環状壁５１１が一段であるのに対し、図２に示すように、現像液供給部５２０が短尺の現像処理装置では、液受け部５３０の環状壁５３１が、上下方向に多段に、且つ、互いに一体的に、設けられている場合がある。また、従来、現像液供給部が長尺の現像処理装置では、現像液供給部から現像液を供給する際に、環状壁を下降させて、現像液供給部と干渉しないようにする必要がある場合がある。例えば、図１に示すように、長尺の現像液供給部５００を基板Ｋに近接させて当該基板Ｋに沿って走査させる場合は、上述のように、環状壁５１１を下降させて、現像液供給部５００と干渉しないようにする必要がある。
しかし、現像処理装置に、長尺の現像液供給部と短尺の現像液供給部との両方を設け、且つ、短尺の現像液供給部用に、前述のように環状壁を多段且つ一体的に設けると以下のような問題が発生することがある。すなわち、長尺の現像液供給部から現像液を供給する際に、図３（Ａ）に示すように、多段の環状壁５３１を下降させても、図３（Ｂ）に示すように、長尺の現像液供給部５００と上段の環状壁５３１とが干渉してしまうことがある。そのため、従来、長尺の現像液供給部と、短尺の現像液供給部とでは、液受け部を共有することができなかった。
そこで、本開示にかかる技術は、平面視において基板の直径以上の長さに形成された、長尺の第１現像液供給部と、短尺の第２現像液供給部とで、基板から飛散した現像液を受ける液受け部を共有することが可能な、現像処理装置及び現像処理方法を提供する。
なお、液受け部５３０の環状壁５３１の下降を制限するのは、液受け部５３０の内側部分に設けられた内カップ５３２の外周部である。内カップ５３２の外周部の高さは、変更すると基板Ｋの周辺の気流に影響を及ぼすため、変更は容易ではない。
以下、本実施形態にかかる現像処理装置及び現像処理方法の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図４及び図５はそれぞれ、本実施形態にかかる現像処理装置の構成の概略を概略的に示す縦断面図及び横断面図である。
現像処理装置１は、図４及び図５に示すように内部を密閉可能な処理容器１０を有している。処理容器１０の側面には、基板としてのウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
処理容器１０内には、ウェハＷを水平に保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、シャフト２１を介して、例えばモータやシリンダなどを有する、回転機構としてのチャック駆動部２２に接続されている。このチャック駆動部２２により、スピンチャック２０は、所定の速度で鉛直軸周りに回転可能になっている。
スピンチャック２０に保持されたウェハＷの裏面側には、現像処理装置１の外部のウェハ搬送機構とスピンチャック２０との間でウェハＷを受け渡すための昇降部材としての昇降ピン２３が、例えば複数（例えば３本）設けられている。昇降ピン２３は、モータやシリンダなどを有するピン駆動部２４により昇降自在になっている。
また、スピンチャック２０に保持されたウェハＷの裏面側には、シャフト２１を取り囲むように円形板２５が設けられる。円形板２５には、シャフト２１が挿通される孔２５ａと、昇降ピン２３が挿通される孔２５ｂが形成されている。
また、処理容器１０内には、平面視においてスピンチャック２０を取り囲むようにして、液受け部としてのカップ体１００が設けられている。カップ体１００は、スピンチャック２０に保持されたウェハＷから振り切られたり、落下したり、跳ね返されたりした、現像液やリンス液を受けると共に、これら現像液やリンス液を、現像処理装置１外に排出するために、ガイドする。カップ体１００の詳細については後述する。
図５に示すようにカップ体１００のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０Ａ、３０Ｂが形成されている。レール３０Ａ、３０Ｂは、例えばカップ体１００のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０Ａには、２本のアーム３１、３２が設けられ、レール３０Ｂには、１本のアーム３３が設けられている。
第１のアーム３１には、スピンチャック２０に保持されたウェハＷに現像液を供給する第１現像液供給部３４が、鉛直方向に延びる支持部材３１ａを介して支持されている。第１現像液供給部３４は、現像液の吐出口を下面に有する円筒状の現像液吐出ノズル３４ａと、現像液吐出ノズル３４ａが下面に支持されるノズルヘッド３４ｂとを有する。第１現像液供給部３４では、現像液吐出ノズル３４ａが複数設けられており、具体的には、複数の現像液吐出ノズル３４ａが一方向（Ｘ方向、図５の上下方向）に沿って配列されている。
第１現像液供給部３４は、平面視において、後述の第２現像液供給部４０より短尺に形成され、第１現像液供給部３４の長手方向の長さ（具体的には、現像液吐出ノズル３４ａの配列方向にかかるノズルヘッド３４ｂの長さ）が、ウェハＷの直径より小さい。
第１のアーム３１は、ノズル駆動部３５により、レール３０Ａ上を移動自在である。これにより、第１現像液供給部３４は、カップ体１００のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部３６からカップ体１００内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部３５によって、第１のアーム３１は昇降自在であり、第１現像液供給部３４の高さを調節できる。
第２のアーム３２には、スピンチャック２０に保持されたウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液供給部３７が、鉛直方向に延びる支持部材３２ａを介して支持されている。リンス液供給部３７は、リンス液の吐出口を下面に有する円筒状のリンス液吐出ノズル３７ａと、リンス液吐出ノズル３７ａが下面に支持されるノズルヘッド３７ｂとを有する。リンス液供給部３７では、リンス液吐出ノズル３７ａが１つ設けられている。
第２のアーム３２は、ノズル駆動部３８によってレール３０Ａ上を移動自在となっている。これにより、リンス液供給部３７は、カップ体１００のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部３９から、カップ体１００内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部３８によって、第２のアーム３２は昇降自在であり、リンス液供給部３７の高さを調節できる。
第３のアーム３３には、スピンチャック２０に保持されたウェハＷに現像液を供給する第２現像液供給部４０が、鉛直方向に延びる支持部材３３ａを介して支持されている。第２現像液供給部４０は、現像液の吐出口を下面に有する角筒状の現像液吐出ノズル４０ａと、現像液吐出ノズル４０ａが下面に支持されるノズルヘッド４０ｂとを有する。第２現像液供給部４０では、現像液吐出ノズル４０ａが一つ設けられており、その現像液吐出ノズル４０ａの吐出口は、平面視矩形状に形成されており、吐出口の長手方向の長さは、ウェハＷの直径と略同じである。
第２現像液供給部４０は、平面視において、第１現像液供給部３４より長尺に形成され、第２現像液供給部４０の長手方向の長さ（具体的には、現像液吐出ノズル４０ａの吐出口の長手方向にかかる、ノズルヘッド３４ｂの長さ）が、ウェハＷの直径以上である。
なお、現像液供給時において、ノズルの吐出口からスピンチャック２０上のウェハＷの表面までの距離は、第２現像液供給部４０の現像液吐出ノズル４０ａより、第１現像液供給部３４の現像液吐出ノズル３４ａの方が長い。また、第２現像液供給部４０が供給する現像液の種類は、第１現像液供給部３４と同一である。
現像液吐出ノズル４０ａは、接液ノズルと称されるものであってもよい。接液ノズルは、現像液を吐出する吐出口と、吐出口から横方向に広がり、ウェハＷの表面に対して略平行な下端面と、を有するノズルである。
第３のアーム３３は、ノズル駆動部４１により、レール３０Ｂ上を移動自在である。これにより、第２現像液供給部４０は、カップ体１００のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部４２からカップ体１００内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部４１によって、第３のアーム３３は昇降自在であり、第２現像液供給部４０の高さを調節できる。
なお、リンス液吐出ノズル３７ａ及び第２現像液供給部４０の現像液吐出ノズル４０ａが鉛直方向下方に向けて、すなわち、水平面に対し垂直に、リンス液や現像液を吐出する。それに対し、第１現像液供給部３４の現像液吐出ノズル３４ａは、水平面であるウェハＷの表面に対し斜めに、現像液を吐出する。また、現像液吐出ノズル３４ａは、その吐出口が、ウェハＷの外側に向くように傾けられている。
カップ体１００は、内カップ１０１と、中間カップ１０２と、外カップ１０３と、上部カバー１０４とを有する。
内カップ１０１は、平面視において、円形板２５の周囲を取り囲むように円環状に設けられている。内カップ１０１は、ウェハＷから零れ落ちた現像液等を、外側下方へとガイドするガイド壁１１０と、ガイド壁１１０の外周端から鉛直方向下方へ延びた円筒状の垂直壁１１１と、を有する。
中間カップ１０２は、内カップ１０１の下方に設けられている。内カップ１０１は、底部に位置する円環状の底壁１２０と、底壁１２０から鉛直方向上方へ延びた円筒状の垂直壁１２１～１２３と、を有する。垂直壁１２１は、底壁１２０の外周端から鉛直方向上方へ延び、垂直壁１２２は、底壁１２０の内周端から鉛直方向上方へ延びている。垂直壁１２３は、底壁１２０における、外周端と内周端との間の位置から、鉛直方向上方へ延びている。
底壁１２０における垂直壁１２２と垂直壁１２３との間には、カップ体１００で受けた液体を排出する排液口１２４が形成されており、この排液口１２４には、排液管１２５が接続されている。また、底壁１２０における垂直壁１２１と垂直壁１２３との間には、ウェハＷの周辺の雰囲気を排気する排気口１２６が形成されており、この排気口１２６には排気管１２７が接続されている。排液口１２４から排出する液体と、排気口１２６から排出する気体とは、垂直壁１２３によって分離することができる。なお、内カップ１０１の垂直壁１１１は、ガイド壁１１０でガイドした液体が排液口１２４から排出されるよう、垂直壁１２３の外側に位置するように形成されている。
外カップ１０３は、内カップ１０１及び中間カップ１０２の外周部を上方から、円環状に覆うように設けられている。外カップ１０３は、平面視において、ウェハＷの直径よりやや大きい円状の開口１３０ａを有する円環状に形成された環状壁１３０を有する。環状壁１３０は、外周に向けて徐々に低くなるように傾斜している。環状壁１３０の下部には、環状壁１３０の上面から下面へ貫通する貫通孔１３０ｂが設けられている。
また、外カップ１０３は、環状壁１３０の外周端から鉛直方向下方へ延びる円筒状の垂直壁１３１と、環状壁１３０の外周端から上方へ延びる円筒状の外周壁１３２とを有する。垂直壁１３１は、中間カップ１０２の垂直壁１２２と垂直壁１２３との間に位置するように設けられる。外カップ１０３の環状壁１３０と内カップ１０１のガイド壁１１０との間の隙間、内カップ１０１の垂直壁１１１と外カップ１０３の垂直壁１３１との間の隙間、内カップ１０１の垂直壁１１１と中間カップ１０２の垂直壁１２２との間の隙間は、ウェハＷの周辺の雰囲気を排気する排気経路をなす。
上部カバー１０４は、外カップ１０３の上方に、当該外カップ１０３と鉛直方向に連なるように、設けられている。上部カバー１０４は、平面視において、ウェハＷの直径よりやや大きい円状の開口１４０ａを有する円環状に形成された環状壁１４０を有する。環状壁１４０は、外カップ１０３の環状壁１３０の上方に、当該環状壁１３０と鉛直方向に連なるように、設けられている。環状壁１４０の開口１４０ａは、平面視における直径が、外カップ１０３の環状壁１３０の開口１３０ａと略同一である。環状壁１４０は、外周に向けて徐々に低くなるように傾斜している。また、上部カバー１０４は、環状壁１４０の外周端から上方へ延びる円筒状の外周壁１４１を有する。
外カップ１０３及び上部カバー１０４はそれぞれ、図５に示すように、モータ等を有する昇降機構１５１、１５２に接続されている。外カップ１０３と上部カバー１０４とは、昇降機構１５１、１５２により、互いに独立して昇降可能となっている。つまり、外カップ１０３の環状壁１３０と、上部カバー１０４の環状壁１４０とは、昇降機構１５１、１５２により、互いに独立して昇降可能となっている。また、その結果、外カップ１０３の環状壁１３０と上部カバー１０４の環状壁１４０との間の距離は可変となっている。昇降機構１５１、１５２の駆動は後述の制御部Ｕにより制御される。
以上の現像処理装置１には、図５に示すように制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、現像処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
次に、以上のように構成された、現像処理装置１を用いて行われるウェハ処理を、第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合と、第２現像液供給部４０からの現像液で現像する場合について、図６及び図７を用いて説明する。図６は、第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合における、ウェハ処理の各工程での、現像処理装置１の内部状態を示す図であり、図７は、第２現像液供給部４０からの現像液で現像する場合における、ウェハ処理の各工程での、現像処理装置１の内部状態を示す図である。
なお、以下の説明において、現像処理装置１に搬入する前のウェハＷの表面にはレジスト膜が形成され、当該レジスト膜に対して、露光処理、その後の加熱処理が完了しているものとする。
［第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合］
まず、処理容器１０の側面に設けられた搬入出口（図示せず）を介して、処理容器１０の外部から、ウェハＷを保持したウェハ搬送機構（図示せず）が処理容器１０内に挿入される。そして、ウェハＷが、スピンチャック２０の上方に搬送される。次いで、ピン駆動部２４の駆動により、昇降ピン２３が上昇し、スピンチャック２０の上面から予め定められた距離突出し、図６（Ａ）に示すように、昇降ピン２３の上にウェハＷが受け渡される。なお、昇降ピン２３へのウェハＷの受け渡し前に、昇降機構１５１、１５２の駆動により、外カップ１０３及び上部カバー１０４はそれぞれ第１カップ位置及び第１カバー位置に移動している。第１カップ位置は、外カップ１０３の環状壁１３０の上端が、スピンチャック２０上のウェハＷの表面より低くなる位置である。第１カバー位置は、外カップ１０３の上方の位置であって、上部カバー１０４の環状壁１４０の上端が、スピンチャック２０上のウェハＷの表面より低くなる位置である。
次に、昇降機構１５２の駆動により、図６（Ｂ）に示すように、上部カバー１０４が上昇し後述の第２カバー位置に移動する。
続いて、昇降機構１５１の駆動により、図６（Ｃ）に示すように、外カップ１０３が上昇し第２カップ位置に移動する。
第２カップ位置は、外カップ１０３の環状壁１３０の内周端下面が、スピンチャック２０上のウェハＷの表面より高くなる位置である。それに対し、第２カバー位置は、第２カップ位置より上方の位置であり、第１カバー位置の上部カバー１０４の環状壁１４０と第１カップ位置の外カップ１０３の環状壁１３０との間の距離より、第２カバー位置の上部カバー１０４の環状壁１４０と第２カップ位置の外カップ１０３の環状壁１３０との間の距離の方が長くなる位置である。
次いで、ピン駆動部２４の駆動により、図６（Ｄ）に示すように、昇降ピン２３が下降し、スピンチャック２０の上面にウェハＷが受け渡され、ウェハＷがスピンチャック２０に吸着保持される。
次に、ノズル駆動部３５の駆動により、図６（Ｅ）に示すように、第１現像液供給部３４がウェハＷの上方に移動し、現像液吐出ノズル３４ａからウェハＷ上への現像液の供給が開始され、現像液の液膜（以下、現像液膜ということがある。）が形成される。例えば、現像液膜の形成の際、第１現像液供給部３４からの現像液の吐出先がウェハＷの周縁部から中心に移動していくように、第１現像液供給部３４はノズル駆動部３５に制御される。また、第１現像液供給部３４からの現像液の吐出先がウェハＷの中心に近づくにつれ、ウェハＷの回転数が小さくなるように、スピンチャック２０はチャック駆動部２２に制御される。ウェハＷの回転数は、例えば、第１現像液供給部３４からの現像液の吐出先がウェハＷの周縁部のときに７００ｒｐｍ～１５００ｒｐｍ、同吐出先がウェハＷの中心のときに０ｒｐｍである。第１現像液供給部３４からの現像液の吐出先がウェハＷの中心に到達し現像液膜が形成されると、現像液吐出ノズル３４ａからの現像液の供給及びウェハＷの回転が停止されると共に、ノズル駆動部３５の駆動により、第１現像液供給部３４がウェハＷ上から退避される。
第１現像液供給部３４からの現像液の供給の際、外カップ１０３は第２カップ位置に配置されている。これによる効果は以下の通りである。
（Ａ１）スピンチャック２０上のウェハＷの側方周囲において、所望の気流を得られる。
（Ａ２）スピンチャック２０上のウェハＷから振り切られた現像液を、外カップ１０３の環状壁１３０で受け止めることができる。
（Ａ３）現像液の供給により生じる現像液のミストを環状壁１３０と内カップ１０１との間から吸引することができる。
また、第１現像液供給部３４からの現像液の供給の際、上部カバー１０４は第２カバー位置に配置されている。これによる効果は以下の通りである。
（Ｂ１）高回転で回転しているウェハＷに対して吐出され当該ウェハＷで跳ね返された現像液を、上部カバー１０４の環状壁１４０の下面で受け止めることができる。
なお、上部カバー１０４の環状壁１４０は、その上面で現像液やリンス液を受け止めるものではない。
上部カバー１０４の環状壁１４０で受け止められた現像液は、外カップ１０３の環状壁１３０の上面に落下し、貫通孔１３０ｂを介して、中間カップ１０２内に至り、排液口１２４を介してカップ体１００から排出される。
現像液膜の形成後、予め定められた時間が経過し、ウェハＷ上のレジスト膜の現像が完了すると、図６（Ｆ）に示すように、ノズル駆動部３８の駆動により、リンス液供給部３７がウェハＷの中心の上方に移動し、リンス液吐出ノズル３７ａからウェハＷ上へリンス液が供給され、ウェハＷが洗浄される。例えば、この洗浄の際、チャック駆動部２２の駆動により、１００～５００ｒｐｍで回転するウェハＷに、リンス液吐出ノズル３７ａからウェハＷ上へリンス液を供給し、ウェハＷ上の現像液膜をリンス液で置換する。その後、リンス液の供給を停止した後、チャック駆動部２２の駆動により、ウェハＷの回転数を上昇させて、リンス液をウェハＷ上から振り切って、ウェハＷを乾燥させる。乾燥中に、ノズル駆動部３８の駆動により、リンス液供給部３７はウェハＷ上から退避される。
リンス液供給部３７からのリンス液の供給の際、外カップ１０３は第２カップ位置に配置されている。これによる効果は以下の通りである。
（Ｃ１）スピンチャック２０上のウェハＷの側方周囲において、所望の気流を得られる。
（Ｃ２）スピンチャック２０上のウェハＷから振り切られた現像液やリンス液を、外カップ１０３の環状壁１３０で受け止めることができる。
（Ｃ３）リンス液の供給により生じるミストを環状壁１３０と内カップ１０１との間から吸引することができる。
また、リンス液供給部３７からのリンス液の供給の際、上部カバー１０４は第２カバー位置に配置されている。これによる効果は以下の通りである。
（Ｄ１）ウェハＷで跳ね返されたリンス液を、上部カバー１０４の環状壁１４０で受け止めることができる。
上部カバー１０４の環状壁１４０で受け止められたリンス液は、外カップ１０３の環状壁１３０の上面に落下し、貫通孔１３０ｂを介して、中間カップ１０２内に至り、排液口１２４を介してカップ体１００から排出される。
続いて、ピン駆動部２４の駆動により、図６（Ｇ）に示すように、昇降ピン２３が上昇し、昇降ピン２３の上にウェハＷが受け渡される。
次に、昇降機構１５１の駆動により、図６（Ｈ）に示すように、外カップ１０３が下降し第１カップ位置に移動する。
次いで、昇降機構１５２の駆動により、図６（Ｉ）に示すように、上部カバー１０４が下降し第１カバー位置に移動する。
そして、処理容器１０の側面に設けられた搬入出口（図示せず）を介して、処理容器１０内に挿入されたウェハ搬送機構（図示せず）と、昇降ピン２３との間で、ウェハＷの受け渡しが行われる。これにより一連の現像処理が終了し、ウェハＷ上にレジストパターンが形成される。
［第２現像液供給部４０からの現像液で現像する場合］
まず、第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合と同様にして、ウェハ搬送機構（図示せず）から昇降ピン２３の上にウェハＷが受け渡される。また、第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合と同様に、昇降ピン２３へのウェハＷの受け渡し前に、図７（Ａ）に示すように、外カップ１０３及び上部カバー１０４はそれぞれ第１カップ位置及び第１カバー位置に移動している。
次に、ピン駆動部２４の駆動により、図７（Ｂ）に示すように、昇降ピン２３が下降し、スピンチャック２０の上面にウェハＷが受け渡され、ウェハＷがスピンチャック２０に吸着保持される。
続いて、外カップ１０３及び上部カバー１０４がそれぞれ第１カップ位置及び第１カバー位置に配置されたままの状態で、ノズル駆動部３５の駆動により、図７（Ｃ）に示すように、第２現像液供給部４０がウェハＷの上方に移動する。そして、現像液吐出ノズル４０ａからウェハＷ上への現像液の供給が開始され、現像液膜が形成される。例えば、現像液膜の形成の際、第２現像液供給部４０からの現像液の吐出先が、ウェハＷの周縁の一端から他端に移動していくように、第２現像液供給部４０はノズル駆動部４１に制御される。このとき、ウェハＷは回転しておらず静止している。第２現像液供給部４０からの現像液の吐出先がウェハＷの上記他端に到達し現像液膜が形成されると、現像液吐出ノズル４０ａからの現像液の供給が停止されると共に、ノズル駆動部４１の駆動により、第２現像液供給部４０はウェハＷ上から退避される。
第２現像液供給部４０からの現像液の供給の際、外カップ１０３は第１カップ位置に配置され、上部カバー１０４は第１カバー位置に配置されている。そのため、第２現像液供給部４０からの現像液の供給時において、第２現像液供給部４０がウェハＷの表面に近接した状態（例えば現像液吐出ノズル４０ａの吐出口からウェハＷの表面までの距離が３ｍｍ以下の状態）で当該表面に沿って移動する際に、第２現像液供給部４０が外カップ１０３だけでなく上部カバー１０４との間で干渉が生じない。また、第２現像液供給部４０が待機部４２とウェハＷの上方との間で移動するときにも上述の干渉が生じない。
現像液膜の形成後、ウェハＷ上のレジスト膜の現像が進行している間に、昇降機構１５２の駆動により、図７（Ｄ）に示すように、上部カバー１０４が上昇し第２カバー位置に移動し、続いて、昇降機構１５１の駆動により、図７（Ｅ）に示すように、外カップ１０３が上昇し第２カップ位置に移動する。
現像液膜の形成後、予め定められた時間が経過し、ウェハＷ上のレジスト膜の現像が完了すると、図７（Ｆ）に示すように、ノズル駆動部３８の駆動により、リンス液供給部３７がウェハＷの中心の上方に移動し、リンス液吐出ノズル３７ａからウェハＷ上へリンス液が供給され、ウェハＷが洗浄される。例えば、この洗浄の際、第１現像液供給部３４からの現像液で現像する場合と同様にして、リンス液での置換やウェハＷの乾燥が行われる。
第２現像液供給部４０からの現像液で現像する場合、リンス液の供給の際に、従来、第２カバー位置に相当する位置に上部カバー１０４のようなものは配置されない。それに対し、本例では、リンス液の供給、及び、その後の乾燥の際に、上部カバー１０４が第２位置に設けられている。したがって、リンス液の供給の際に、リンス液がウェハＷに跳ね返されても、上部カバー１０４の環状壁１４０で受け止めることができるため、リンス液を用いたウェハＷの洗浄方法として種々の方法が採用でき、また、リンス液の供給の際にウェハＷの回転数やリンス液の流量を増加させることができる。
続いて、ピン駆動部２４の駆動により、図７（Ｇ）に示すように、昇降ピン２３が上昇し、昇降ピン２３の上にウェハＷが受け渡される。
次に、昇降機構１５１の駆動により、図７（Ｈ）に示すように、外カップ１０３が下降し第１カップ位置に移動する。
次いで、昇降機構１５２の駆動により、図７（Ｉ）に示すように、上部カバー１０４が下降し第１カバー位置に移動する。
そして、処理容器１０の側面に設けられた搬入出口（図示せず）を介して、処理容器１０内に挿入されたウェハ搬送機構（図示せず）と、昇降ピン２３との間で、ウェハＷの受け渡しが行われる。これにより一連の現像処理が終了し、ウェハＷ上にレジストパターンが形成される。
以上のように、本実施形態では、現像処理装置１が、ウェハＷを水平に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０を鉛直軸周りに回転させるチャック駆動部２２と、
スピンチャック２０に保持されたウェハＷに現像液を供給する第１及び第２現像液供給部３４、４０と、スピンチャック２０に保持されたウェハＷからの現像液を受けるカップ体１００と、を有する。また、本実施形態では、平面視において、第１現像液供給部３４が、平面視においてウェハＷの直径未満の長さに形成され、第２現像液供給部４０が、ウェハＷの直径以上の長さに形成されている。さらに、本実施形態では、カップ体１００が、平面視において、ウェハＷの直径より大径の円状の開口を有する環状に形成され、且つ、昇降可能に構成された、環状壁１３０、１４０と、を有する。そして、外カップ１０３は、上部カバー１０４の上方に設けられており、外カップ１０３と上部カバー１０４とは互いに独立して昇降可能に構成されている。つまり、上部カバー１０４の環状壁１４０は、外カップ１０３の環状壁１３０の上方に設けられており、環状壁１３０と環状壁１４０とは互いに独立して昇降可能に構成されている。その結果、環状壁１３０と環状壁１４０との鉛直方向の距離が可変である。そのため、本実施形態では、以下のことが実現できる。
（Ｘ１）長尺に形成され環状壁１３０、１４０と干渉するおそれがある第２現像液供給部から現像液を供給する場合に、環状壁１３０、１４０を、スピンチャック２０に保持されたウェハＷより下側に配置させる。
（Ｘ２）短尺に形成され且つ現像液の跳ね返りが生じるおそれがある第１現像液供給部３４を用いる場合に、環状壁１３０を、スピンチャック２０に保持されたウェハＷより上側に配置させることができる。また、この場合に、環状壁１４０を、環状壁１３０の上方であって、第２現像液供給部４０から現像液を供給するときより、環状壁１３０から離間した位置に配置することができる。
したがって、本実施形態によれば、平面視においてウェハＷの直径以上の長さに形成された、長尺の第２現像液供給部４０と、短尺の第１現像液供給部３４とで、カップ体１００を共有することができる。
さらに、本実施形態にかかる現像処理装置１を塗布現像システムに搭載すれば、短尺の第１現像液供給部３４のみを有する現像処理装置と、長尺の第２現像液供給部４０のみを有する現像処理装置と、の両方を搭載する場合に比べて、塗布現像システムのフットプリントを削減することができる。
また、本実施形態では、ウェハＷが上昇されている状態で、上部カバー１０４や外カップ１０３の昇降が行われる。したがって、上部カバー１０４や外カップ１０３の昇降の際に、振動等により上部カバー１０４や外カップ１０３から落下した現像液やリンス液により、ウェハＷが汚染されることがない。なお、上部カバー１０４や外カップ１０３の昇降の際に、ウェハＷが待機する位置は、少なくとも、ウェハＷの表面が、第２カップ位置の外カップ１０３の環状壁１３０の上端より高くなる位置であり、より好ましくは、ウェハＷの表面が、第２カバー位置の上部カバー１０４の環状壁１４０の上端より高くなる位置である。
以上の例では、長尺の第２現像液供給部４０は、現像液供給時にウェハＷの表面に沿って水平方向に移動していた。つまり、第２現像液供給部４０を走査することにより現像液膜を形成していた。ただし、第２現像液供給部４０が水平方向に移動可能に構成されていれば、現像液膜を形成する際に、第２現像液供給部４０を走査させない場合でも、本開示にかかる技術を適用することができる。
また、以上の例では、長尺の第２現像液供給部４０から現像液を供給する際に、ウェハＷ回転しておらず静止していたが回転していてもよい。
第１現像液供給部３４は、第２カバー位置に移動した上部カバー１０４と干渉しない大きさと動作範囲であればよい。以上の例では、第１現像液供給部３４も、現像液膜を形成する際に、水平方向に移動していたが、固定した状態の第１現像液供給部３４から現像液を供給し、現像液膜を形成するようにしてもよい。また、以上の例では、第１現像液供給部３４の現像液吐出ノズル３４ａの本数は複数であったが１本であってもよい。以上の例では、現像液吐出ノズル３４ａは、ウェハＷの表面に対し斜めに現像液を吐出するように傾けられていたが、ウェハＷの表面に対し垂直に現像液を吐出するように設けられていてもよい。
以上の例では、上部カバー１０４を上昇させてから外カップ１０３を上昇させるなど、上部カバー１０４と外カップ１０３とで昇降させるタイミングを異ならせていたが、同時に昇降させてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 現像処理装置
２０ スピンチャック
３４ 第１現像液供給部
４０ 第２現像液供給部
１００ カップ体
１３０ 環状壁
１３０ａ 開口
１４０ 環状壁
１４０ａ 開口
Ｗ ウェハ

Claims (9)

  1. 基板上のレジスト膜を現像する現像処理装置であって、
    基板を水平に保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
    前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する第１及び第２現像液供給部と、
    前記基板保持部に保持された基板からの現像液を受ける液受け部と、を有し、
    前記第１現像液供給部は、平面視において基板の直径未満の長さに形成され、
    前記第２現像液供給部は、平面視において基板の直径以上の長さに形成され、
    前記液受け部は、平面視において、基板の直径より大径の円状の開口を有する環状に形成された、第１及び第２環状壁と、を有し、
    前記第２環状壁は、前記第１環状壁の上方に設けられており、
    前記第１環状壁と前記第２環状壁とは互いに独立して昇降可能に構成されており、前記第１環状壁と前記第２環状壁との鉛直方向の距離が可変である、現像処理装置。
  2. 前記第２現像液供給部から現像液を供給するときに、前記第１環状壁及び前記第２環状壁は、前記基板保持部に保持された基板より下側に位置し、
    前記第１現像液供給部から現像液を供給するときに、前記第１環状壁は、前記基板保持部に保持された基板より上側に位置し、前記第２環状壁は、前記第１環状壁より上側に位置する、請求項１に記載の現像処理装置。
  3. 前記第１環状壁と前記第２環状壁との鉛直方向の距離は、前記第２現像液供給部から現像液を供給するときより、前記第１現像液供給部から現像液を供給するときの方が大きい、請求項１または２に記載の現像処理装置。
  4. 前記第１環状壁は、当該第１環状壁の上面から当該第１環状壁の下面へ貫通する貫通孔を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の現像処理装置。
  5. 前記第２現像液供給部は、現像液の供給時に、前記基板保持部に保持された基板の表面に沿って移動する、請求項１～４のいずれか１項に記載の現像処理装置。
  6. 平面視における液受け部より外側に待機部を有し、
    前記第１現像液供給部は、未使用時に平面視において前記待機部上に位置する、請求項１～５のいずれか１項に記載の現像処理装置。
  7. 前記第２現像液供給部は、当該第２現像液供給部からの供給時に、平面視において、前記基板保持部に保持された基板上を移動する、請求項１～６のいずれか１項に記載の現像処理装置。
  8. 基板を昇降させる昇降部材を有し、
    前記第１環状壁及び前記第２環状壁は、前記基板が前記昇降部材により上昇している状態で、昇降される、請求項１～７のいずれか１項に記載の現像処理装置。
  9. 現像処理装置を用いて基板上のレジスト膜を現像する現像処理方法であって、
    前記現像処理装置は、
    基板を水平に保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
    前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する第１及び第２現像液供給部と、
    前記基板保持部に保持された基板からの現像液を受ける液受け部と、を有し、
    前記第１現像液供給部は、
    平面視において基板の直径未満の長さに形成され、
    前記第２現像液供給部は、平面視において基板の直径以上の長さに形成され、
    前記液受け部は、平面視において、基板の直径より大径の円状の開口を有する環状に形成され、且つ、昇降可能に構成された、第１及び第２環状壁と、を有し、
    前記第２環状壁は、前記第１環状壁の上方に設けられており、
    前記現像処理方法は、
    前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する工程を有し、
    前記現像液を供給する工程は、
    前記第２現像液供給部から現像液を供給する場合、前記第１環状壁及び前記第２環状壁が、前記基板保持部に保持された基板より下側に配置された状態で、現像液を供給し、
    前記第１現像液供給部から現像液を供給する場合、前記第１環状壁が前記基板保持部に保持された基板より上側に配置され、且つ、前記第２環状壁が前記第１現像液供給部から現像液を供給する場合より前記第１環状壁から離間した位置に配置された状態で、現像液を供給する、現像処理方法。
JP2020031413A 2020-02-27 2020-02-27 現像処理装置及び現像処理方法 Active JP7360973B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020031413A JP7360973B2 (ja) 2020-02-27 2020-02-27 現像処理装置及び現像処理方法
TW110105249A TW202136932A (zh) 2020-02-27 2021-02-17 顯像處理裝置及顯像處理方法
US17/177,270 US11923218B2 (en) 2020-02-27 2021-02-17 Development processing apparatus and development processing method
KR1020210021813A KR20210109449A (ko) 2020-02-27 2021-02-18 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법
CN202110220216.9A CN113311672A (zh) 2020-02-27 2021-02-26 显影处理装置和显影处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020031413A JP7360973B2 (ja) 2020-02-27 2020-02-27 現像処理装置及び現像処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021136329A JP2021136329A (ja) 2021-09-13
JP7360973B2 true JP7360973B2 (ja) 2023-10-13

Family

ID=77370983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020031413A Active JP7360973B2 (ja) 2020-02-27 2020-02-27 現像処理装置及び現像処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11923218B2 (ja)
JP (1) JP7360973B2 (ja)
KR (1) KR20210109449A (ja)
CN (1) CN113311672A (ja)
TW (1) TW202136932A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001191006A (ja) 1999-10-26 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2002151376A (ja) 2000-11-07 2002-05-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010219167A (ja) 2009-03-13 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2014075575A (ja) 2012-09-13 2014-04-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4700117B2 (ja) * 2009-02-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法
JP6303968B2 (ja) 2014-10-10 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001191006A (ja) 1999-10-26 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2002151376A (ja) 2000-11-07 2002-05-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010219167A (ja) 2009-03-13 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2014075575A (ja) 2012-09-13 2014-04-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11923218B2 (en) 2024-03-05
US20210272826A1 (en) 2021-09-02
JP2021136329A (ja) 2021-09-13
CN113311672A (zh) 2021-08-27
TW202136932A (zh) 2021-10-01
KR20210109449A (ko) 2021-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5348277B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP5058085B2 (ja) 基板洗浄装置
JP6740028B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5136103B2 (ja) 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP4324527B2 (ja) 基板洗浄方法及び現像装置
JP3958539B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100676038B1 (ko) 액처리장치 및 그 방법
KR101426665B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2009071235A (ja) 基板処理装置
JP2009252855A (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体
TW201517118A (zh) 液體處理裝置
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN109494174B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
JP6778548B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2017018481A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2007103956A (ja) 基板処理装置
JP3958572B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7360973B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP2002075821A (ja) 現像処理装置および現像処理方法
JP5541311B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP6920524B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2000153209A (ja) 被処理体の液処理装置及び液処理方法
US20240091816A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US20240091815A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP5440642B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230814

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231002

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7360973

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150