JPS61259522A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JPS61259522A JPS61259522A JP10104185A JP10104185A JPS61259522A JP S61259522 A JPS61259522 A JP S61259522A JP 10104185 A JP10104185 A JP 10104185A JP 10104185 A JP10104185 A JP 10104185A JP S61259522 A JPS61259522 A JP S61259522A
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- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は現像装置に関する8本発明の現像装置は、例え
ば自動現像機として具体化でき、例えばレジストの現像
装置として利用できる。 □〔発明の概要〕 本発明は、被現像体を現像する装置において、被現像面
の上方に霧状の現像液を噴霧し、該−状の現像液を被現
像体の被現像面に自然落下させることに1す、均一性の
良い現像を行うことができるようにしたものである。
ば自動現像機として具体化でき、例えばレジストの現像
装置として利用できる。 □〔発明の概要〕 本発明は、被現像体を現像する装置において、被現像面
の上方に霧状の現像液を噴霧し、該−状の現像液を被現
像体の被現像面に自然落下させることに1す、均一性の
良い現像を行うことができるようにしたものである。
従来のこの種の技術、例えば半導体装置の製造に際して
ウェハー(基板)上にパターン形成するためウェハー主
のレジストの現像を行う技術においては、静止現像法が
主に採用されており、現在に至っている。特に、自動現
像機による現像技術にあっては、ウェハーの被現像面上
における現像液め均二性と現像液晶使用量が少ないとい
う点から、静止現像法が主流である。静止現像法は一般
に、現像液をその表面張力を利用して被現像面上に載せ
(現−渡糸面上に盛られた姉御状態になるので、これを
[液盛りjと称している)、被現像体4m止さiたまま
で現像を行うが、このような従来の静止現像法において
は、その現像液の液盛り:lJ<tibずしも充分に均
一ではなく、このため現像も必ずしも均一に行われない
場合がある。
ウェハー(基板)上にパターン形成するためウェハー主
のレジストの現像を行う技術においては、静止現像法が
主に採用されており、現在に至っている。特に、自動現
像機による現像技術にあっては、ウェハーの被現像面上
における現像液め均二性と現像液晶使用量が少ないとい
う点から、静止現像法が主流である。静止現像法は一般
に、現像液をその表面張力を利用して被現像面上に載せ
(現−渡糸面上に盛られた姉御状態になるので、これを
[液盛りjと称している)、被現像体4m止さiたまま
で現像を行うが、このような従来の静止現像法において
は、その現像液の液盛り:lJ<tibずしも充分に均
一ではなく、このため現像も必ずしも均一に行われない
場合がある。
例えば第3図に示す如く、1〜2本のディスペンスノズ
ル5を使いウェハー1上に現像液6を滴下して液盛りす
る現像手段がある。この方法は装置が簡単で、口径の比
較的小さいウェハーの液盛りに適していると言えるが、
ウェハー内での現像液の当たり方が均一でないため、現
像液の分布が不均一となる。特に最近ではウェハー自体
が大口径化してきており、ウェハー上で現像液が広がる
布が一層不均一なものとなり、その結果均一性の良い現
像ができない。
ル5を使いウェハー1上に現像液6を滴下して液盛りす
る現像手段がある。この方法は装置が簡単で、口径の比
較的小さいウェハーの液盛りに適していると言えるが、
ウェハー内での現像液の当たり方が均一でないため、現
像液の分布が不均一となる。特に最近ではウェハー自体
が大口径化してきており、ウェハー上で現像液が広がる
布が一層不均一なものとなり、その結果均一性の良い現
像ができない。
一方、レジストの方は高解像性を狙い、低分子量化して
きており現像液のアルカリ濃度、表面張力等の影響を強
く受けるようになっている。その結果、低分子量化した
レジストでは第3図に示す如く、ウェハー内でディスペ
ンスノズル5により直接現像液の滴下を受けた部分Aと
、その後で現像液が広がった部分Bとでは、現像液のア
ルカリ濃度や表面張力が異なるため現像のされ方が違っ
ており、ウェハー面内の均一性が著しく無いという現象
が見られる。
きており現像液のアルカリ濃度、表面張力等の影響を強
く受けるようになっている。その結果、低分子量化した
レジストでは第3図に示す如く、ウェハー内でディスペ
ンスノズル5により直接現像液の滴下を受けた部分Aと
、その後で現像液が広がった部分Bとでは、現像液のア
ルカリ濃度や表面張力が異なるため現像のされ方が違っ
ており、ウェハー面内の均一性が著しく無いという現象
が見られる。
また別の液盛りの従来例として、第4図に示す如く、現
像液6をN2などの不活性なガスと供にウェハー上に直
接吹きつけるスプレィ式の液盛り方法がある。この方法
は現像液が霧状になって全体に液盛りが行われるため、
大口径のウェハーであっても液盛りに時間差がなく、液
盛りの時間差による現像の不均一性の問題は生じない。
像液6をN2などの不活性なガスと供にウェハー上に直
接吹きつけるスプレィ式の液盛り方法がある。この方法
は現像液が霧状になって全体に液盛りが行われるため、
大口径のウェハーであっても液盛りに時間差がなく、液
盛りの時間差による現像の不均一性の問題は生じない。
しかし、直接ウェハー1上に現像液6を第4図の符号7
で示す如く噴霧状にして吹きつけるため、ガスの吹き出
しの強い所と弱い所では現像液の分布が異なり、やはり
現像液の不均一な分布による現像の均一性の問題は残る
。
で示す如く噴霧状にして吹きつけるため、ガスの吹き出
しの強い所と弱い所では現像液の分布が異なり、やはり
現像液の不均一な分布による現像の均一性の問題は残る
。
このように従来技術では、現像液の分布の均一性という
点で満足できる装置は未だ提案されていない。このよう
にレジストの現像工程においては、最近のウェハーの大
口径化にも対応できる、均一性の良い現像装置が望まれ
ている。
点で満足できる装置は未だ提案されていない。このよう
にレジストの現像工程においては、最近のウェハーの大
口径化にも対応できる、均一性の良い現像装置が望まれ
ている。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決した、均
一性の良い現像を達成できる現像装置を提供することに
ある。
一性の良い現像を達成できる現像装置を提供することに
ある。
上記の目的を達成するため、本発明の現像装置は、被現
像体の被現像面の上方に霧状に現像液を噴霧する噴霧手
段を有し、該霧状の現像液を被現像面に自然落下させる
構成とする。
像体の被現像面の上方に霧状に現像液を噴霧する噴霧手
段を有し、該霧状の現像液を被現像面に自然落下させる
構成とする。
本発明の現像装置は、上記のように被現像面の上方の霧
状の現像液を自然落下させるので、被現像面全体に均一
に現像液を分布させることができる。また被現像体がウ
ェハーである場合、該ウェハーが大口径化しても現像液
分布の均一性を維持することが可能である。かつ、−変
波現像面の上方に噴霧した霧状の現像液が重力によって
被現像体に自然落下する状態を利用するため、現像液を
噴霧する際の吹き出し状態に左右されることなく、常に
均一の液盛りが可能となる。
状の現像液を自然落下させるので、被現像面全体に均一
に現像液を分布させることができる。また被現像体がウ
ェハーである場合、該ウェハーが大口径化しても現像液
分布の均一性を維持することが可能である。かつ、−変
波現像面の上方に噴霧した霧状の現像液が重力によって
被現像体に自然落下する状態を利用するため、現像液を
噴霧する際の吹き出し状態に左右されることなく、常に
均一の液盛りが可能となる。
従って本発明の現像装置は、これをレジスト現像、特に
現像液のアルカリ濃度、表面張力等の影響を強く受けや
すい高解像性低分子量レジストの現像において用いる場
合でも効果的であり、さらに大口径のウェハーを被現像
体として使用した場合であっても、なおウェハー内の現
像液の分布が均一でありかつ時間差による不均一性など
のない現像処理が可能である。
現像液のアルカリ濃度、表面張力等の影響を強く受けや
すい高解像性低分子量レジストの現像において用いる場
合でも効果的であり、さらに大口径のウェハーを被現像
体として使用した場合であっても、なおウェハー内の現
像液の分布が均一でありかつ時間差による不均一性など
のない現像処理が可能である。
以下、本発明の一実施例について図面に従って説明する
。
。
第1図は、本実施例の現像装置の全体構成図である。
本実施例では、被現像体であるウェハー1の上に現像液
を均一に分布させるため、第1図及び第2図に示す如く
現像液のミスト(霧)を吹き出すミストリングノズル2
部分(従来のディスペンスノズルに相当する部分)はウ
ェハー1の周りに配置するリング状構造とした。ウェハ
ー1の上方に第1図Cで示すように噴き上げられた現像
液のミストが、同図りで示すようにウェハー1の上面1
1になるべく均一に降って来るようにするためミストリ
ングノズル2の穴の形状、大きさ、角度等が調節しであ
る。噴霧手段を構成する現像液を霧状にするミスト作成
装置2′としては、現像液を不活性なガス(例えばNL
)と供に噴出させたり、細かいノズルから現像液を勢い
よく噴出させたり、ノズルに震動を与える等の手段が採
用できる。その他の手段を用いてもよい。現像液は霧状
にして自然落下させるので、ウェハー1は回転させても
静止状態でもよい。
を均一に分布させるため、第1図及び第2図に示す如く
現像液のミスト(霧)を吹き出すミストリングノズル2
部分(従来のディスペンスノズルに相当する部分)はウ
ェハー1の周りに配置するリング状構造とした。ウェハ
ー1の上方に第1図Cで示すように噴き上げられた現像
液のミストが、同図りで示すようにウェハー1の上面1
1になるべく均一に降って来るようにするためミストリ
ングノズル2の穴の形状、大きさ、角度等が調節しであ
る。噴霧手段を構成する現像液を霧状にするミスト作成
装置2′としては、現像液を不活性なガス(例えばNL
)と供に噴出させたり、細かいノズルから現像液を勢い
よく噴出させたり、ノズルに震動を与える等の手段が採
用できる。その他の手段を用いてもよい。現像液は霧状
にして自然落下させるので、ウェハー1は回転させても
静止状態でもよい。
上記のような構造とすることによって、霧状の現像液を
ウェハー1の被現像面である上面11に全体に均一に分
布させることができる。このため高解像性をねらった低
分子量タイプのレジストの現像であっても、現像液のア
ルカリ濃度や、表面張力が部分的に不均一にならず、大
口径ウェハーであっても均一性良く現像することができ
る。
ウェハー1の被現像面である上面11に全体に均一に分
布させることができる。このため高解像性をねらった低
分子量タイプのレジストの現像であっても、現像液のア
ルカリ濃度や、表面張力が部分的に不均一にならず、大
口径ウェハーであっても均一性良く現像することができ
る。
さらに本実施例では、現像液の均一性悪化を防止するた
め、以下述べるような構造とした。例えば第1図に示す
如く噴霧した現像液が現像カップ3に付着し再びウェハ
ーl上に落ちてくることのないように現像カップ3の上
には円霧状の蓋3′を取り付け、付着した現像液はそれ
を伝って下へ落とすようにした。また流水ノズル4は、
リンスバー上への滴下を防ぐようにした。
め、以下述べるような構造とした。例えば第1図に示す
如く噴霧した現像液が現像カップ3に付着し再びウェハ
ーl上に落ちてくることのないように現像カップ3の上
には円霧状の蓋3′を取り付け、付着した現像液はそれ
を伝って下へ落とすようにした。また流水ノズル4は、
リンスバー上への滴下を防ぐようにした。
また本実施例ではミスト作成装置2′にリンス液がかか
らないようにするため、リンス時には第1図に示す如く
、ミスト作成袋N2′を流水ノズル4より上に上げた後
、ウェハー1上に流水ノズルを回転させ、リンスをする
構造とした。
らないようにするため、リンス時には第1図に示す如く
、ミスト作成袋N2′を流水ノズル4より上に上げた後
、ウェハー1上に流水ノズルを回転させ、リンスをする
構造とした。
このように、本実施例によれば現像液のウェハーへ液盛
りが全面的にかつ均一に行われるため、均一性の良いレ
ジストの現像が可能となった。
りが全面的にかつ均一に行われるため、均一性の良いレ
ジストの現像が可能となった。
なお、当然のことであるが、本発明は上記実施例にのみ
限定されるものではない。例えば、レジスト現像以外の
各種現像にも適用できる。
限定されるものではない。例えば、レジスト現像以外の
各種現像にも適用できる。
上述の如く、本発明の現像装置は、現像液を霧状にして
ウェハー上方りこ噴霧させ現像液の自然落下によってウ
ェハー上に均−良く液盛りするため、均一性の良いレジ
ストの現像が可能となる。特に現像液の均一な液盛りが
要求される高解像性低分子量レジストの現像や、均一な
液盛りが容易でない大口径ウェハーを使用した場合でも
、均一かつ時間差のない液盛りが可能なため、均一性の
良い □レジストの現像を行うことができる。
ウェハー上方りこ噴霧させ現像液の自然落下によってウ
ェハー上に均−良く液盛りするため、均一性の良いレジ
ストの現像が可能となる。特に現像液の均一な液盛りが
要求される高解像性低分子量レジストの現像や、均一な
液盛りが容易でない大口径ウェハーを使用した場合でも
、均一かつ時間差のない液盛りが可能なため、均一性の
良い □レジストの現像を行うことができる。
第1図は、本発明の一実施例の現像装置を示す全体構成
図であり、第2図は該実施例の上面図である。第3図及
び第4図は、それぞれ従来技術を示す図である。 1・・・被現像体(ウェハー)、11・・・被現像面(
つエバー、上面)、2・・・噴霧手段(ミストリングノ
ズル)、2′・・・噴霧手段(ミスト作成装置)。
図であり、第2図は該実施例の上面図である。第3図及
び第4図は、それぞれ従来技術を示す図である。 1・・・被現像体(ウェハー)、11・・・被現像面(
つエバー、上面)、2・・・噴霧手段(ミストリングノ
ズル)、2′・・・噴霧手段(ミスト作成装置)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被現像面を現像液により現像処理する装置であって、 被現像面の上方に霧状に現像液を噴霧する噴霧手段を有
し、 該噴霧手段により形成された霧状の現像液を被現像体の
被現像面に自然落下させることによって現像を行う現像
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10104185A JPS61259522A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10104185A JPS61259522A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61259522A true JPS61259522A (ja) | 1986-11-17 |
Family
ID=14290060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10104185A Pending JPS61259522A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61259522A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527393A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-09-15 | スティックティング・エネルギーオンデルズーク・セントルム・ネーデルランド | ナノ結晶の第1の材料の層に第2の材料の層を付着させる方法及び装置 |
WO2006095399A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | フォトリソグラフィ方法 |
JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
CN107450285A (zh) * | 2017-09-22 | 2017-12-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10104185A patent/JPS61259522A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527393A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-09-15 | スティックティング・エネルギーオンデルズーク・セントルム・ネーデルランド | ナノ結晶の第1の材料の層に第2の材料の層を付着させる方法及び装置 |
WO2006095399A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | フォトリソグラフィ方法 |
JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
US8398319B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-03-19 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method, and storage medium |
CN107450285A (zh) * | 2017-09-22 | 2017-12-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
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