JP2002075821A - 現像処理装置および現像処理方法 - Google Patents

現像処理装置および現像処理方法

Info

Publication number
JP2002075821A
JP2002075821A JP2000255113A JP2000255113A JP2002075821A JP 2002075821 A JP2002075821 A JP 2002075821A JP 2000255113 A JP2000255113 A JP 2000255113A JP 2000255113 A JP2000255113 A JP 2000255113A JP 2002075821 A JP2002075821 A JP 2002075821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
developing solution
substrate
developing
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000255113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3926544B2 (ja
Inventor
Takeshi Yamazaki
剛 山崎
Kazuhito Miyazaki
一仁 宮崎
Teruhiro Nakamura
彰宏 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000255113A priority Critical patent/JP3926544B2/ja
Priority to TW090119991A priority patent/TW504739B/zh
Priority to KR1020010051065A priority patent/KR100753757B1/ko
Publication of JP2002075821A publication Critical patent/JP2002075821A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3926544B2 publication Critical patent/JP3926544B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3064Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the transport means or means for confining the different units, e.g. to avoid the overflow
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数種の現像液を用いた場合においても連続
的な処理を可能として処理効率を高め、また、現像処理
を均一化し、現像液の残渣の低減せしめて高品質な基板
を得ることを可能とする現像処理装置および現像処理方
法を提供する。 【解決手段】 基板Gを載置して保持する保持手段の1
つであるスピンチャック41と、スピンチャック41に
保持された基板Gに所定の現像液を供給する現像液供給
機構とを具備する現像処理装置24a〜24cにおい
て、現像液供給機構は、所定の現像液を吐出する複数の
現像液吐出ノズル、例えばパドル形成用ノズル80a・
80bと、複数の現像液吐出ノズルを保持する1つのノ
ズル保持アーム51と、複数の現像液吐出ノズルの高さ
を個別に調節可能な昇降機構58a・58bを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、露光処理
がされた液晶ディスプレイ(LCD)用ガラス基板や半
導体ウエハ等の基板に所定の現像液を供給して現像処理
を行う現像処理装置と現像処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示ディスプレイ(LCD)や半導
体デバイスのフォトリソグラフィー工程においては、洗
浄処理されたLCD基板や半導体ウエハ等の基板にフォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパ
ターンでレジスト膜を露光し、これを現像処理するとい
う一連の処理が行われている。このうち洗浄処理、レジ
スト塗布処理、現像処理は、一般的にスピンナ型と呼ば
れる液処理装置を用いて、基板を面内で回転させながら
所定の処理液を供給して行われている。
【0003】例えば、LCD基板の現像処理において
は、露光処理された基板をスピンチャック等に載置、固
定して現像液を基板に液盛りし、パドルを形成して現像
反応を進行させ、所定時間経過した後に基板を回転させ
るとほぼ同時にリンス液の供給を開始して現像液とリン
ス液を振り切り、その後にリンス液の供給を停止して基
板を高速で回転させ、スピン乾燥を行うといった方法が
採用されている。
【0004】このような現像処理を行う1台の現像処理
ユニットには、従来、現像液を供給する現像液吐出ノズ
ルおよびリンス液を供給するためのリンス液吐出ノズル
は、それぞれ1本のみが配設されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
使用されるレジストの種類が多様化するに従って異なる
種類や濃度の現像液を用いなければならない場合が増え
ている。このため、従来の1現像処理ユニット−1現像
液吐出ノズルの構造では、使用する現像液を変える毎に
現像液吐出ノズルの洗浄を行わなければならず、連続的
な処理が困難となって生産性を低下させていた。また、
1本の現像液吐出ノズルで複数の現像液を扱うことか
ら、異種現像液の混合による固形成分の生成や特性低
下、これに伴うパーティクルの付着や現像不良の発生が
危惧されていた。
【0006】さらに、フォトリソグラフィー工程におい
て形成されるパターンの微細化や複雑化の進行に伴っ
て、現像処理をより均一に行い、現像液の残渣を低減し
て良好なパターンの形成が可能である現像処理装置およ
び現像処理方法の開発要求も高まっていた。
【0007】本発明はかかる従来技術の有する課題に鑑
みてなされたものであり、複数種の現像液を用いた場合
においても連続的な処理を可能として処理効率を高め、
また、現像処理を均一化し、現像液の残渣を低減せしめ
て高品質な基板を得ることを可能とした現像処理装置お
よび現像処理方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板を載置して保持する保持手段
と、前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を供
給する現像液供給機構と、を具備する現像処理装置であ
って、前記現像液供給機構は、所定の現像液を吐出する
複数の現像液吐出ノズルと、前記複数の現像液吐出ノズ
ルを保持する1つのノズル保持アームと、前記複数の現
像液吐出ノズルの高さを個別に調節可能な昇降機構と、
を有することを特徴とする現像処理装置、が提供され
る。
【0009】また、本発明によれば、基板を載置して保
持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に所
定の現像液を供給する現像液供給機構と、現像液が塗布
された基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
を具備する現像処理装置であって、前記現像液供給機構
は、前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を液
盛りするパドル形成用ノズルと、前記保持手段に保持さ
れた基板に所定の現像液を吹き付け供給するスプレーノ
ズルと、を有し、前記リンス液供給機構は、前記保持手
段に保持された基板への所定の現像液の塗布終了に引き
続いて所定のリンス液を基板に供給するプレリンスノズ
ルと、前記プレリンスノズルによるリンス液の供給終了
後に、所定のリンス液の供給を行うリンス液吐出ノズル
と、を有し、前記スプレーノズルと前記プレリンスノズ
ルは同一のノズル保持アームに配設されていることを特
徴とする現像処理装置、が提供される。
【0010】さらに本発明によれば、露光処理がされた
基板の現像処理方法であって、略平行に載置された基板
に所定の現像液を供給して液盛りを行う第1工程と、所
定の現像液が液盛りされた基板に所定の現像液の吹き付
け供給を行う第2工程と、前記第2工程における現像液
の吹き付け供給の終了後に連続して基板にリンス液を供
給する第3工程と、を有することを特徴とする現像処理
方法、が提供される。
【0011】このような現像処理装置および現像処理方
法によれば、1台の現像処理装置(現像処理ユニット)
に、基板に現像液を塗布するための現像液吐出ノズルが
複数配設されていることから、異なる種類および/また
は濃度の現像液の供給が必要な場合には使用するノズル
を切り替えることで対処することができるようになる。
これにより1本のノズルのみが配設されている場合と比
較して、ノズル洗浄を行う時間のロスが無くなって生産
性が向上し、また異なる現像液の混合による特性低下や
パーティクルの発生が低減されて、基板の高い品質を維
持することが可能となる。
【0012】また、基板上に現像液パドルを形成した後
にスプレーノズルを用いて、圧力(インパクト)を与え
ながら現像液を供給することにより、現像液パドルが撹
拌されて現像処理がより均一に進行するようになる。こ
れにより現像特性が向上し、より明瞭で均一なパターン
が得られ、しかも現像時間が短縮されるようになる。
【0013】さらに、プレリンスノズルがスプレーノズ
ルと同じノズル保持アームに配設されている場合には、
現像液の塗布後に間髪を空けずにリンス液を供給するこ
とが可能となる。こうしてスプレーノズルを用いた均一
な現像反応を進行させつつ、即座にリンス液を供給して
現像反応を停止させることができることによっても、現
像特性の向上、明瞭で均一なパターンの形成、現像処理
時間の短縮という効果が得られ、さらに現像液残渣が低
減され、高品質な基板が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明の現像処理装置(現像処理ユニット)(DEV)24
a〜24cを有するLCD基板のレジスト塗布・現像処
理システム100を示す平面図である。
【0015】レジスト塗布・現像処理システム100
は、複数のLCD基板(基板)Gを収容するカセットC
を載置するカセットステーション1と、基板Gにレジス
ト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の
処理ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せ
ず)との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフ
ェイス部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれ
カセットステーション1およびインターフェイス部3が
配置されている。
【0016】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
【0017】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
15・16が設けられている。
【0018】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a・21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユ
ニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重
ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユ
ニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
27が配置されている。
【0019】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニ
ット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重
ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン
処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上
下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されてい
る。
【0020】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24
a・24b・24cが配置されており、搬送路14の他
方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられて
なる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32・33が配置されている。
【0021】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄ユニット(SCR)21a、レジスト塗布処理
ユニット(CT)22、現像処理ユニット(DEV)2
4aのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニッ
ト(COL)等の熱系処理ユニットのみを配置する構造
となっている。
【0022】また、中継部15・16のスピンナ系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置17・18・19のメンテ
ナンスを行うためのスペース35が設けられている。
【0023】主搬送装置17・18・19は、それぞれ
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
【0024】主搬送装置17は、搬送アーム17aを有
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
【0025】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板Gを受け渡しする際に一時的に基板Gを保持する
エクステンション36と、さらにその両側に設けられ
た、バッファカセットを配置する2つのバッファステー
ジ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板
Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機
構38はエクステンション36およびバッファステージ
37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移
動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39に
より処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
【0026】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【0027】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム100においては、カセットC内の基板G
が処理部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2a
の処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(CO
L)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a・
21bでスクラバ洗浄が施され、処理ブロック26のい
ずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された
後、処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
【0028】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット
(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(C
T)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニ
ット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除
去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処
理ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処理
ブロック29または30の下段の冷却ユニット(CO
L)で冷却される。
【0029】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・32・3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニッ
ト(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置
19・18・17および搬送機構10によってカセット
ステーション1上の所定のカセットに収容される。
【0030】次に、本発明に係る現像処理ユニット(D
EV)24a〜24cについて詳細に説明する。図2は
現像処理ユニット(DEV)24a〜24cの一実施形
態を示す平面図であり、図3は図2記載の現像処理ユニ
ット(DEV)24a〜24cにおけるカップ部分の断
面図である。図2に示されるように、現像処理ユニット
(DEV)24a〜24cはシンク48により全体が包
囲されている。
【0031】図3に示すように、現像処理ユニット(D
EV)24a〜24cにおいては、基板Gを機械的に保
持する保持手段、例えば、スピンチャック41がモータ
等の回転駆動機構42により回転されるように設けら
れ、このスピンチャック41の下側には、回転駆動機構
42を包囲するカバー43が配置されている。スピンチ
ャック41は図示しない昇降機構により昇降可能となっ
ており、上昇位置において搬送アーム19aとの間で基
板Gの受け渡しを行う。スピンチャック41は真空吸引
力等により、基板Gを吸着保持できるようになってい
る。
【0032】カバー43の外周囲には2つのアンダーカ
ップ44・45が離間して設けられており、この2つの
アンダーカップ44・45の間の上方には、主として現
像液を下方に流すためのインナーカップ46が昇降自在
に設けられ、アンダーカップ45の外側には、主として
リンス液を下方に流すためのアウターカップ47がイン
ナーカップ46と一体的に昇降自在に設けられている。
なお、図3において、左側には現像液の排出時にインナ
ーカップ46およびアウターカップ47が上昇される位
置が示され、右側にはリンス液の排出時にこれらが降下
される位置が示されている。
【0033】アンダーカップ44の内周側底部には回転
乾燥時にユニット内を排気するための排気口49が配設
されており、2つのアンダーカップ44・45間には主
に現像液を排出するためのドレイン管50aが、アンダ
ーカップ45の外周側底部には主にリンス液を排出する
ためにドレイン管50bが、設けられている。
【0034】アウターカップ47の一方の側には、図2
に示すように、現像液供給用のノズル保持アーム51が
設けられ、ノズル保持アーム51には、基板Gに現像液
を塗布するために用いられる現像液吐出ノズルの一実施
形態であるパドル形成用ノズル80a・80bが収納さ
れている。ノズル保持アーム51は、ガイドレール53
の長さ方向に沿ってベルト駆動等の駆動機構52により
基板Gを横切って移動するように構成され、これにより
現像液の塗布時には、ノズル保持アーム51はパドル形
成用ノズル80a・80bから現像液を吐出しながら、
静止した基板Gをスキャンするようになっている。
【0035】また、パドル形成用ノズル80a・80b
は、ノズル待機部115に待機されるようになってお
り、このノズル待機部115にはパドル形成用ノズル8
0a・80bを洗浄するノズル洗浄機構120が設けら
れている。パドル形成用ノズル80a・80bの構造等
を含めた現像液供給機構の詳細については後述する。
【0036】アウターカップ47の他方の側には、純水
等のリンス液吐出用のノズル保持アーム54が設けら
れ、ノズル保持アーム54の先端部分には、リンス液吐
出ノズル60が設けられている。リンス液吐出ノズル6
0としては、例えば、パイプ状の吐出口を有するもの用
いることができる。ノズル保持アーム54は駆動機構5
6によりガイドレール53の長さ方向に沿ってスライド
自在に設けられており、リンス液吐出ノズル60からリ
ンス液を吐出させながら、基板G上をスキャンするよう
になっている。
【0037】なお、現像処理ユニット(DEV)24a
〜24cへは、レジスト塗布・現像処理システム100
が配置される場所の天井から清浄なダウンフローが供給
されるように、上部に空間が形成されている。また、ス
ピンチャック41に保持された基板Gへ窒素ガス等の乾
燥ガスを供給するためのガスブロー機構、スピンチャッ
ク41に発生する静電気を除去するためのイオナイザー
が、それぞれ基板Gの上空に配設されている。
【0038】また、図4に示すように、スピンチャック
41を回転させる回転駆動機構42、現像液用のノズル
保持アーム51をスライド移動させる駆動機構52、お
よびリンス液用のノズル保持アーム54をスライド移動
させる駆動機構56は、いずれも制御装置70により制
御されるようになっている。
【0039】続いて、現像液の貯留から基板Gへの塗布
に係る現像液供給機構について説明するが、最初にパド
ル形成用ノズル80a・80bについて詳述することと
する。パドル形成用ノズル80a・80bとしては、例
えば、図5の斜視図に示すように、スリット状の現像液
吐出口85a・85bを有し、現像液吐出口85a・8
5bから現像液が帯状に吐出される構造を有するものが
好適に配設される。現像液吐出口85a・85bは、パ
ドル形成用ノズル80a・80bを保持したノズル保持
アーム51をガイドレール53に沿ってスキャンさせた
場合に、どちらの方向からスキャンした場合にも、基板
Gに対して略垂直に現像液を吐出できるように構成され
ている。
【0040】なお、パドル形成用ノズル80a・80b
としては、例えば、スリット状の現像液吐出口85a・
85bを有するノズルに代えて、複数の孔部が1列また
は複数例で縦列形成された現像液吐出口を有するノズル
等を用いてもよく、この場合にも現像液を帯状に基板G
に対して略垂直に吐出させることができる。
【0041】また、パドル形成用ノズル80a・80b
は、それぞれがエアーシリンダーや電動モータ等の昇降
機構58a・58bにより高さ位置を変えることができ
るように構成されており、現像液の塗布時には、使用す
る一方のパドル形成用ノズル、例えばパドル形成用ノズ
ル80aを昇降機構58aを伸張させて下方に位置さ
せ、使用しないパドル形成用ノズル80bはノズル保持
アーム51の底面に近接するように保持することができ
るようになっている。
【0042】さらに、図6は、パドル形成用ノズル80
a・80bへの現像液の送液経路を示した説明図である
が、パドル形成用ノズル80a・80bにはそれぞれ異
なる種類および/または濃度の現像液A・Bが供給され
るように送液経路A・Bが形成されている。
【0043】このような構成により、ノズル保持アーム
51を基板G上をスキャンさせながら、パドル形成用ノ
ズル80aの現像液吐出口85aから所定の現像液(現
像液A)を基板G上に塗布する際には、使用しないパド
ル形成用ノズル80bの現像液吐出口85bは基板Gに
塗布された現像液Aに触れることはないため、基板G上
の現像液パドルに現像液Bが混入したり、パドル形成用
ノズル80bが現像液Aによって汚染されるといった問
題は生じない。
【0044】また、パドル形成用ノズル80a・80b
の各々から異なる現像液を基板Gに塗布することが可能
であるため、例えば、2つのロットの基板Gにそれぞれ
異なる種類のレジストが使用されているために、異なる
種類の現像液を用いて現像処理を行わなければならず、
しかもそれらのロットを連続して処理しなければならな
い場合にも容易に対処できる。つまり、1本のパドル形
成用ノズル(現像液吐出ノズル)しか配設されていない
場合と比較すると、パドル形成用ノズルの清掃を行う必
要がなく、パドル形成用ノズル80a・80bの位置調
整のみで現像処理を連続的に行うことができることか
ら、処理効率が高められ、生産性が向上する。
【0045】なお、図6に示されるように、送液経路A
・Bには、それぞれに脱気モジュール59a・59bが
設けられている。送液される現像液A・Bには、例え
ば、現像液A・Bをパドル形成用ノズル80a・80b
へ送液するために用いられる高圧の窒素ガス等が溶存し
ており、現像液を基板Gへ塗布した際に溶存ガスが気泡
化して基板Gに付着し、基板Gに現像液で濡れない部分
が生じて現像不良を起こす場合がある。そこで、脱気モ
ジュール59a・59bによりこのような溶存ガスを除
去する。脱気モジュール59a・59bは、例えば、減
圧雰囲気とされた中空糸膜や多孔質樹脂を現像液が通過
する構造とすることができる。
【0046】また、送液経路A・Bには三方バルブ57
a・57bが配設されている。現像液A・Bをパドル形
成用ノズル80a・80bへ供給している場合には、真
空吸引を行うためのバルブは閉じた状態とし、現像液A
・Bの供給が終了した後には、現像液A・Bの供給側の
バルブを閉じて真空吸引側のバルブを開け、パドル形成
用ノズル80a・80bに残留している現像液を排出す
るように操作する。こうして、パドル形成用ノズル80
a・80bからの現像液の液垂れを防止することがで
き、特に、使用していない一方のパドル形成用ノズルか
らの液垂れを防止して、形成中の現像液パドルに別の現
像液が混入することを防止することができる。なお、真
空吸引を行う時間は任意に設定することができ、これに
よりパドル形成用ノズル80a・80b内の現像液量を
制御することができる。
【0047】次に、上述した2本のパドル形成用ノズル
80a・80bを有する現像処理ユニット(DEV)2
4a〜24cを用いた現像処理工程について、あるロッ
ト(ロットAとする)の複数枚の基板Gを、図6に従
い、パドル形成用ノズル80aを用いて現像液Aにより
処理した後に、別のロット(ロットBとする)の複数枚
の基板Gを、パドル形成用ノズル80bを用いて現像液
Aと異なる別の現像液Bにより処理する場合を例に説明
する。図7はこの現像処理工程を示す説明図(フローチ
ャート)である。
【0048】まず、インナーカップ46とアウターカッ
プ47とを下段(図3右側位置)に保持する(ステップ
1)。この状態として、基板Gを保持した搬送アーム1
9aを現像処理ユニット(DEV)24a〜24c内に
挿入し、このタイミングに合わせてスピンチャック41
を上昇させて、基板Gをスピンチャック41へ受け渡す
(ステップ2)。
【0049】搬送アーム19aを現像処理ユニット(D
EV)24a〜24c外に待避させ、基板Gが載置され
たスピンチャック41を降下させて所定位置に保持する
(ステップ3)。そして、ノズル保持アーム51をイン
ナーカップ46内の所定位置に移動、配置し(ステップ
4)、昇降機構58aを伸張させてパドル形成用ノズル
80aのみを下方に位置させて保持し(ステップ5)、
基板G上をスキャンしながらパドル形成用ノズル80a
を用いて所定の現像液Aを基板G上に塗布し、現像液パ
ドルを形成する(ステップ6)。なお、図6に示した三
方バルブ57aにおいては、現像液Aを供給するために
真空吸引を行うためのバルブは閉じた状態となってい
る。
【0050】現像液パドルが形成された後、所定の現像
処理時間(現像反応時間)が経過するまでの間に、パド
ル形成用ノズル80aを昇降機構58aを縮ませて上方
の位置に戻して保持し(ステップ7)、ノズル保持アー
ム51をインナーカップ46およびアウターカップ47
から待避させ(ステップ8)、代わりにノズル保持アー
ム54を駆動して、リンス液吐出ノズル60が基板G上
の所定位置に保持する(ステップ9)。続いて、インナ
ーカップ46とアウターカップ47を上昇させ、上段位
置(図3の左側位置)に保持する(ステップ10)。こ
の上段位置は、基板Gの表面の水平位置がほぼインナー
カップ46のテーパー部の位置に合う高さとする。
【0051】基板Gを低速で回転させて基板G上の現像
液を振り切る動作に入るのとほぼ同時にリンス液吐出ノ
ズル60からリンス液を吐出し、さらにこれらの動作と
ほぼ同時に、排気口49による排気動作を開始する(ス
テップ11)。つまり、現像反応時間の経過前には排気
口49は未動作の状態とすることが好ましく、これによ
り、基板G上に形成された現像液パドルには、排気口4
9の動作による気流発生等の悪影響が発生しない。
【0052】基板Gの回転が開始され、基板Gからその
外周に向けて飛散する現像液およびリンス液は、インナ
ーカップ46のテーパー部や外周壁(側面の垂直壁)に
当たって下方へ導かれ、ドレイン管50aから排出され
る。このとき基板Gの回転開始から所定の時間が経過す
るまでは、主に現像液からなる現像液濃度の高い処理液
がドレイン管50aから排出されるために、このような
排出液はドレイン管50aに設けられた切替バルブを操
作して回収し、再利用に供することが好ましい。
【0053】基板Gの回転開始から所定時間経過後に
は、リンス液を吐出しながら、また基板Gを回転させた
ままの状態でインナーカップ46とアウターカップ47
を降下させて下段位置に保持する(ステップ12)。下
段位置では、基板Gの表面の水平位置がほぼアウターカ
ップ47のテーパー部の位置に合う高さとする。そし
て、現像液の残渣が少なくなるように、基板Gの回転数
を現像液を振り切るための回転動作開始時よりも大きく
する。この基板Gの回転数を上げる操作は、インナーカ
ップ46とアウターカップ47の降下動作と同時にまた
はその前後のいずれの段階で行ってもよい。こうして、
基板Gから飛散する主にリンス液からなる処理液は、ア
ウターカップ47のテーパー部や外周壁に当たってドレ
イン管50bから排出される。
【0054】次に、リンス液の吐出を停止してリンス液
吐出ノズル60を所定の位置に収納し(ステップ1
3)、基板Gの回転数をさらに上げて所定時間保持す
る。すなわち高速回転により基板Gを乾燥するスピン乾
燥を行う(ステップ14)。このスピン乾燥時には、基
板Gの上方からガスブロー機構を用いて、乾燥した窒素
ガス等を基板に供給しながら行うことが好ましい。
【0055】図8は、基板Gへのガス供給の一実施形態
を示す説明図である。窒素ガスを吐出するノズル98
は、図8(a)に示すように、スピン乾燥時以外の使用
しない場合にはインナーカップ46とアウターカップ4
7上で略水平に保持されているが、スピン乾燥を行う際
には、図8(b)に示すように、配管99の関節部分9
9aが折れてノズル98の先端が基板Gへ向き、窒素ガ
スを基板Gに向けて供給する。これにより乾燥時間が短
縮される。スピン乾燥が終了した時点で、窒素ガスの供
給を停止し、再び関節部分99aを元の位置に戻してノ
ズル98と配管99の全体を略水平に保持して待機状態
に入る。
【0056】こうしてスピン乾燥が終了した後には基板
Gの回転を停止し、スピンチャック41を上昇させ(ス
テップ15)、そのタイミングに合わせて搬送アーム1
9aを現像処理ユニット(DEV)24a〜24c内に
挿入して、基板Gの受け渡しを行い、その後にイオナイ
ザーを用いてスピンチャック41に発生した静電気の除
去(除電)を行う(ステップ16)。この除電は、先に
スピン乾燥時にガスブロー機構を用いて窒素ガスを基板
Gに吹き付けた方法と同様にして、イオナイザーを用い
てイオン化させたガスを基板Gに供給することにより行
うことができる。
【0057】上述したステップ1からステップ16まで
の一連の工程が終了した後のスピンチャック41上に基
板Gがない状態では、インナーカップ46とアウターカ
ップ47は下段位置にあることから、ステップ1の状態
が満足されていることになる。また、次に処理すべき基
板Gが搬送アーム19aにより現像処理ユニット(DE
V)24a〜24c内に搬送されれば、ステップ2以降
の前述した工程に従って基板Gの現像処理を継続して行
うことができる。
【0058】こうして、ロットAの全ての基板Gについ
ての現像処理を終了した後には、送液経路Aに設けられ
た三方バルブ57a(図6参照)において、現像液Aの
供給側のバルブを閉じて真空吸引側のバルブを開け、パ
ドル形成用ノズル80aに残留している現像液Aを排出
するように操作する(ステップ17)。こうして、パド
ル形成用ノズル80aからの現像液Aの液垂れが防止さ
れる。その後は、上述したステップ1からステップ16
と同様にして、ロットBの基板Gについて、パドル形成
用ノズル80bを用いた現像液Bによる現像処理を行う
(ステップ18)。このようにして、異なる現像液A・
Bを用いた現像処理を連続的に行うことができる。
【0059】ロットBの全ての基板Gについて現像処理
が終了した後には、送液経路Bに設けられた三方バルブ
57b(図6参照)において、現像液Bの供給側のバル
ブを閉じて真空吸引側のバルブを開け、パドル形成用ノ
ズル80bに残留している現像液Bを排出し(ステップ
19)、全ての処理が終了する。
【0060】次に、現像処理ユニット(DEV)24a
〜24cについて、現像液供給機構の構成を違えた別の
実施の形態について説明する。図5では、2本の同じ構
造を有するパドル形成用ノズル80a・80bをノズル
保持アーム51に配設した形態を示したが、現像液の吐
出形態の異なる別の現像液吐出ノズルを配設することも
可能である。例えば、図9は、ノズル保持アーム51に
パドル形成用ノズル80aと、所定の強さで現像液を基
板Gに向けて吹き付け供給するスプレーノズル80cを
配設した形態を示している。パドル形成用ノズル80a
とスプレーノズル80cは、昇降機構58a・58cに
より上下に別個に位置調節が可能となっている。
【0061】ノズル保持アーム51にパドル形成用ノズ
ル80aとスプレーノズル80cを配設した場合には、
前記した図6の場合とは異なり、例えば、図10に示す
ようにパドル形成用ノズル80aとスプレーノズル80
cに同一の現像液が供給されるように現像液の送液経路
A・Cを構成し、そして最初にパドル形成用ノズル80
aを用いて現像液パドルを形成した後に、スプレーノズ
ル80cを用いて形成された現像液パドルの上からさら
に現像液を塗布する。
【0062】スプレーノズル80cに形成された略楕円
状の現像液吐出口85cからは現像液が略扇形平面状に
して吐出されるようになっており、こうして吐出された
現像液の吐出勢いは、パドル形成用ノズル80aを用い
た場合よりも大きい。このようにして圧力(インパク
ト)を与えながら基板Gに現像液を塗布することによ
り、先に形成された現像液パドルが撹拌され、現像反応
がより均一に進行するようになる。こうして現像特性が
向上し、より明瞭で均一なパターンが得られ、しかも現
像時間が短縮される。
【0063】なお、現像液吐出口85cの形状は、図9
に示すような略楕円形状に限定されるものではなく、円
形や長円形等であってもよい。また、現像液吐出口85
cから吐出される現像液の形態も略扇形平面状に限定さ
れるものではなく、円錐状等であっても構わない。さら
に、現像液吐出口85cは、図9に示すように一直線上
にあるように配設しなければならないものではなく、例
えば、千鳥状に配設してもよい。
【0064】また、各送液経路A・Cには、脱気モジュ
ール59a・59c、三方バルブ57a・57cが配設
されており、パドル形成用ノズル80a内の現像液とス
プレーノズル80c内の現像液を個別に排出することが
できるようになっている。但し、パドル形成用ノズル8
0aとスプレーノズル80cからは同じ現像液が供給さ
れることから、例えば、一方のノズルの使用中に他方の
使用していないノズルから液垂れが生じても、現像特性
に与える影響は無視することができる。
【0065】上述したパドル形成用ノズル80aとスプ
レーノズル80cを用いて同一の現像液を基板Gに塗布
する場合の現像処理工程は、図11のフローチャートに
示す通りである。図11に示した現像処理工程において
は、先に図7のフローチャートを参照しながら説明した
ように、2本のパドル形成用ノズル80a・80bをノ
ズル保持アーム51に配設して、異なるロットの基板G
に対して異なる現像液A・Bを用いて連続的に処理を行
うという現像処理工程は採らない。しかし、図11に示
したステップ1からステップ6およびステップ8からス
テップ16までの工程は、図7に示した現像処理工程の
ステップ1からステップ6およびステップ8からステッ
プ16までと同様である。
【0066】従って、ステップ6からステップ8に至る
工程を詳しく説明すると、ステップ6においてパドル形
成用ノズル80aを用いて基板G上に現像液パドルを形
成した後には、パドル形成用ノズル80aを昇降機構5
8aを駆動させて上方に保持し(ステップ7−1)、代
わりにスプレーノズル80cを昇降機構58cを駆動さ
せて下方位置に保持する(ステップ7−2)。そして、
スプレーノズル80cを用いてパドル形成用ノズル80
aによって形成された現像液パドルの上からさらに現像
液を塗布し(ステップ7−3)、現像処理を進行させ
る。
【0067】なお、ステップ7−3の工程においては、
基板Gを所定の低い回転数で回転させながら、スプレー
ノズル80cから現像液を吐出させても構わず、ステッ
プ7−3以降は基板Gを回転させたままステップ9へ移
行してもよい。基板Gを回転させて基板Gから一部の現
像液を排出しながら一方で新しい現像液を塗布すること
によって、現像反応の進行を早め、処理時間を短縮する
ことができる。
【0068】スプレーノズル80cによる現像液の塗布
が終了したら、スプレーノズル80cを昇降機構58c
を駆動させて上方に保持し(ステップ7−4)、ノズル
保持アーム51を待避させる(ステップ8)。さらにス
テップ9以降の処理を行うが、ここで、ステップ16に
おいて、スピンチャック41から搬送アーム19aへの
基板Gの受け渡しが全ての基板Gについて終了した場合
には、三方バルブ57a・57cにおける現像液供給側
のバルブを閉じて、真空吸引側のバルブを開けることに
より、パドル形成用ノズル80aとスプレーノズル80
c内の現像液を排出する(ステップ17a)。こうし
て、現像処理が終了する。
【0069】次に、現像液供給機構の別の実施の形態に
ついて図12の平面図を参照しながら説明する。図12
に示した現像処理ユニット(DEV)24a〜24c
は、現像液の供給のためのノズル保持アーム51を有し
ており、ノズル保持アーム51は駆動機構52によって
ガイドレール53に沿って駆動されるようになってい
る。
【0070】ノズル保持アーム51には、パドル形成用
ノズル80a、スプレーノズル80c、プレリンスノズ
ル60aの3本のノズルが配設されている。従って、パ
ドル形成用ノズル80a、スプレーノズル80c、プレ
リンスノズル60aの吐出口の高さ位置を調節する機構
が、ノズル保持アーム51とそれぞれのノズルとの間に
設けられる。
【0071】なお、プレリンスノズル60aは、例え
ば、リンス液吐出ノズル60と同様に、直管状のノズル
を用いて構成され、基板Gへのスプレーノズル80cを
用いて所定の現像液を基板Gに塗布した直後に、引き続
いて所定のリンス液を基板Gに供給し、現像反応を停止
させる役割を果たす。こうして、スプレーノズル80c
を用いて均一な現像反応を進行させた後、すぐにプレリ
ンスノズル60aからリンス液を吐出して現像反応を停
止させることにより、現像液が基板G上に滞留する時間
が短くなり、現像反応の均一性をより高めることがで
き、優れた形状精度を有するパターンを得ることが可能
となる。
【0072】図12に示した現像処理ユニット(DE
V)24a〜24cでは、プレリンスノズル60aに加
えてリンス液吐出ノズル60も配設されており、プレリ
ンスノズル60aによる現像反応の停止後は、リンス液
吐出ノズル60を用いたリンス処理を行う。もちろん、
プレリンスノズル60aにリンス液吐出ノズル60の役
割を担わせることは可能である。
【0073】しかしながら、その場合には、現像液を吐
出するパドル形成用ノズル80aとスプレーノズル80
cもまたリンス処理時に基板G上にあることとなり、例
えば、リンス処理が終了してスピン乾燥処理へ移行ため
にノズル保持アーム51を基板Gから待避するように移
動させたときに、パドル形成用ノズル80aまたはスプ
レーノズル80cから基板G上への現像液の液垂れ等が
発生するおそれがある。こうした現像液の液垂れにより
基板Gに現像不良が発生することが懸念されることか
ら、リンス処理の最終段階ではリンス液のみを吐出する
ノズルが基板G上にあり、リンス液を供給している形態
を採ることが好ましい。
【0074】ノズル保持アーム51に配設されたパドル
形成用ノズル80a、スプレーノズル80c、プレリン
スノズル60aを用いた現像処理工程のフローチャート
を図13に示す。図13に示したステップ1からステッ
プ3およびステップ9からステップ16までの工程は、
図7および図11に示した現像処理工程と同様である。
従って、ステップ4からステップ8に至る工程を詳しく
説明すると、ステップ3に従って、スピンチャック41
を降下させて基板Gを所定位置に保持した後、ノズル保
持アーム51を駆動させて、パドル形成用ノズル80a
による現像液パドル形成を行う(ステップ4a)。この
ときには、パドル形成用ノズル80aの現像液吐出口8
5aがスプレーノズル80cの現像液吐出口85cとプ
レリンスノズル60aのリンス液吐出口よりも下方に位
置するように、高さ位置を調整しておく。
【0075】次に、パドル形成用ノズル80aをノズル
保持アーム51に近づくように上昇させて高さ位置を調
整し、その代わりにスプレーノズル80cの現像液吐出
口85cが最も下方に位置するようにして、基板G上に
形成されている現像液パドルの上からさらに現像液を塗
布する(ステップ5a)。スプレーノズル80cによる
現像液の塗布の終了後には、スプレーノズル80cをノ
ズル保持アーム51に近づくように上昇させて高さ位置
を調整し、代わりにプレリンスノズル60aのリンス液
吐出口が、スプレーノズル80cの現像液吐出口85c
よりも低い位置にくるように、プレリンスノズル60a
の位置調節を行う(ステップ6a)。その後、プレリン
スノズル60aからリンス液の吐出を始めるとほぼ同時
に、基板Gの回転を開始し、また、排気口49からの排
気動作を開始する(ステップ7a)。プレリンスノズル
60aからのリンス液の吐出終了後は、基板Gを回転さ
せたままノズル保持アーム51を待避して、代わりにリ
ンス液吐出ノズル60を駆動し(ステップ9)、以降の
リンス処理に入る。
【0076】なお、スプレーノズル80cによる現像液
の塗布終了からプレリンスノズル60aによるリンス液
の吐出開始までの時間をできるだけ短くすることによ
り、現像反応の均一性を確保した状態で現像反応を停止
することができ、こうして均一で形状精度に優れたパタ
ーンを得ることが可能となる。
【0077】また、上記説明ではステップ7aにおいて
基板Gの回転を開始したが、スプレーノズル80cによ
る現像液の塗布(ステップ5a)を基板Gを所定の低い
回転数で回転させながら行い、基板Gを回転させた状態
でプレリンスノズル60aによるリンス液の吐出を開始
することも好ましい。この場合には、基板Gを回転させ
ながら現像を行うことによって発生する渦巻状の現像跡
の発生を低減することができる。
【0078】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明が上記形態に限定されるものでなく、
種々の変形が可能である。例えば、図5に示したよう
に、1本のノズル保持アーム51に2本のパドル形成用
ノズル80a・80bを配設した場合に、さらにノズル
保持アーム51にプレリンスノズル60aを配設して、
個々のノズルに昇降機構を設けて処理液の吐出口の位置
を調節できるように構成する。この場合に、現像液パド
ルの形成時間を長く取り、その代わりに現像液パドルを
放置して現像反応時間をかけることなく、現像液パドル
形成後は即座にプレリンスノズル60aからリンス液を
吐出させて、現像反応を停止させるといった現像処理を
行うことができ、これにより明瞭な現像パターンを得る
ことができるようになる。
【0079】また、ノズル保持アーム51を2本配設し
て、それぞれのアームにパドル形成用ノズル80a、ス
プレーノズル80c、プレリンスノズル60aを1本ず
つ配設し、アーム毎に異なる種類および/または濃度の
現像液が吐出できるように構成しておくと、使用する現
像液の異なるロットの基板Gに対する現像処理に容易に
対応することができるようになる。
【0080】ノズル保持アーム51に配設することがで
きるノズルの数は任意であり、例えば、1本のノズル保
持アーム51に3本以上のパドル形成用ノズル80a
(80b)またはスプレーノズル80cを配設し、さら
にプレリンスノズル60aを配設してもよい。また、1
台の現像処理ユニット(DEV)24a〜24cに配設
されるノズル保持アーム51の数は2本以上を配設する
ことも可能である。
【0081】基板Gを保持する手段としては、上記実施
形態のように、基板Gを吸着力により保持するスピンチ
ャック41に限定されず、例えば、基板Gよりも大きな
スピンプレート上に凸に形成された複数の固定ピン上に
基板Gを載置して、基板Gを回転させた際に基板Gの位
置がずれないように、基板Gの端面の所定位置、例え
ば、4隅において基板Gを別のピン等で保持するメカニ
カルな方法を用いることもできる。
【0082】また、現像処理工程においては、インナー
カップ46とアウターカップ47とを昇降させて現像液
の振り切り、リンス処理、スピン乾燥時の位置調節を行
ったが、インナーカップ46とアウターカップ47を固
定として、スピンチャック41を昇降させて所定位置に
保持しながら、現像液の振り切り等の処理を行うことも
可能である。さらに、上記実施形態では、LCD基板を
被処理基板として説明してきたが、半導体ウエハ、CD
基板等の他の基板についても用いることが可能である。
【0083】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、1台の現
像処理装置(現像処理ユニット)に、パドル形成用ノズ
ルやスプレーノズル等の基板に現像液を塗布するための
現像液吐出ノズルが複数配設されていることから、異な
る種類および/または濃度の現像液の供給が必要な場合
には使用するノズルを切り替えることで対処することが
できるようになる。これにより1本のノズルのみが配設
されている場合と比較して、ノズル洗浄を行う時間のロ
スが無くなって生産性が向上し、また異なる現像液の混
合による特性低下やパーティクルの発生が低減されて、
高品質の基板を得ることが可能となる。
【0084】また、基板上に現像液パドルを形成した後
にスプレーノズルを用いて、圧力(インパクト)を与え
ながら現像液を供給することにより、現像液パドルが撹
拌されて現像処理がより均一に進行するようになるた
め、現像特性が向上し、より明瞭で均一な現像パターン
が得られ、しかも現像時間が短縮されるようになる。こ
の点からも、生産性が向上し、高品質な基板を得、しか
もパターンの微細化にも対応することが可能となる。
【0085】さらに、プレリンスノズルが現像液吐出ノ
ズルと同じノズル保持アームに配設されている場合に
は、現像液の塗布後に間髪を空けずにリンス液を供給す
ることが可能となり、これにより、均一に現像反応を進
行させつつ即座にリンス液を供給して現像反応を停止さ
せることができることから、現像特性の向上、明瞭で均
一なパターンの形成、現像処理時間の短縮といった効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の現像処理装置(現像処理ユニット)が
用いられるレジスト塗布・現像システムの一実施形態を
示す平面図。
【図2】本発明の現像処理装置の一実施形態を示す平面
図。
【図3】本発明の現像処理装置一実施形態を示す断面
図。
【図4】本発明の現像処理装置の制御系の一実施形態を
示す説明図。
【図5】本発明の現像処理装置に用いられる現像液吐出
ノズルの一実施形態を示す斜視図。
【図6】図5記載の現像液吐出ノズルを用いた場合の現
像液吐出ノズルへの現像液の供給経路の一実施形態を示
す説明図。
【図7】図5記載の現像液吐出ノズルを用いた場合の現
像処理工程を示す説明図。
【図8】スピン乾燥時における基板へのガス供給の一実
施形態を示す説明図
【図9】本発明の現像処理装置に用いられる現像液吐出
ノズルの別の実施形態を示す斜視図。
【図10】図9記載の現像液吐出ノズルを用いた場合の
現像液吐出ノズルへの現像液の供給経路の一実施形態を
示す説明図。
【図11】図9記載の現像液吐出ノズルを用いた場合の
現像処理工程を示す説明図。
【図12】本発明の現像処理装置の別の実施形態を示す
平面図。
【図13】図12に記載の現像処理装置に配設した現像
液吐出ノズルを用いた場合の現像処理工程を示す説明
図。
【符号の説明】
1;カセットステーション 2;処理部 3;インターフェイス部 24a〜24c;現像処理ユニット(DEV) 41;スピンチャック 46;インナーカップ 47:アウターカップ 48;シンク 51・51a・51b;ノズル保持アーム 57a・57b;三方バルブ 58a〜58c;昇降機構 59a〜59c;脱気モジュール 60;リンス液吐出ノズル 60a;プレリンスノズル 80a・80b;パドル形成用ノズル 80c;スプレーノズル 100;レジスト塗布・現像処理システム G;基板(被処理基板)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 彰宏 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の4 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 Fターム(参考) 2H096 AA30 GA31 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 KA01 KA07 LA03 LA04 LA07 LA08 LA14 LA18

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を載置して保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を供給す
    る現像液供給機構と、 を具備する現像処理装置であって、 前記現像液供給機構は、 所定の現像液を吐出する複数の現像液吐出ノズルと、 前記複数の現像液吐出ノズルを保持する1つのノズル保
    持アームと、 前記複数の現像液吐出ノズルの高さを個別に調節可能な
    昇降機構と、 を有することを特徴とする現像処理装置。
  2. 【請求項2】 前記現像液吐出ノズルの少なくとも1本
    は、スリット状または複数の孔部が縦列配置されてなる
    一方向に長い現像液吐出口を有するものであることを特
    徴とする請求項1に記載の現像処理装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の現像液吐出ノズルの全てが、
    前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を液盛り
    するパドル形成用ノズルであることを特徴とする請求項
    1または請求項2に記載の現像処理装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の現像液吐出ノズルのうちの1
    本は、前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を
    液盛りするパドル形成用ノズルであり、 その他の現像液吐出ノズルの少なくとも1本は、前記保
    持手段に保持された基板に所定の現像液を吹き付け供給
    するスプレーノズルであることを特徴とする請求項1ま
    たは請求項2に記載の現像処理装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の現像液吐出ノズルは、それぞ
    れが異なる種類および/または濃度の現像液を前記保持
    手段に保持された基板に供給するものであることを特徴
    とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の現
    像処理装置。
  6. 【請求項6】 前記現像液吐出ノズルの内部を減圧し、
    前記現像液吐出ノズルからの液垂れを防止する吸引機構
    が、前記現像液吐出ノズルへ所定の現像液を送液する送
    液経路の途中に配設されていることを特徴とする請求項
    1から請求項5のいずれか1項に記載の現像処理装置。
  7. 【請求項7】 前記現像液吐出ノズルへ所定の現像液を
    送液する送液経路の途中に、現像液中に含まれる気泡を
    除去するための脱気モジュールが配設されていることを
    特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載
    の現像処理装置。
  8. 【請求項8】 基板を載置して保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を供給す
    る現像液供給機構と、 現像液が塗布された基板にリンス液を供給するリンス液
    供給機構と、 を具備する現像処理装置であって、 前記現像液供給機構は、 前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を液盛り
    するパドル形成用ノズルと、 前記保持手段に保持された基板に所定の現像液を吹き付
    け供給するスプレーノズルと、を有し、 前記リンス液供給機構は、 前記保持手段に保持された基板への所定の現像液の塗布
    終了に引き続いて所定のリンス液を基板に供給するプレ
    リンスノズルと、 前記プレリンスノズルによるリンス液の供給終了後に、
    所定のリンス液の供給を行うリンス液吐出ノズルと、を
    有し、 前記スプレーノズルと前記プレリンスノズルは同一のノ
    ズル保持アームに配設されていることを特徴とする現像
    処理装置。
  9. 【請求項9】 前記スプレーノズルと前記プレリンスノ
    ズルの位置調節を行う位置調節機構を具備することを特
    徴とする請求項8に記載の現像処理装置。
  10. 【請求項10】 前記パドル形成用ノズルが前記スプレ
    ーノズルと前記プレリンスノズルとともに前記ノズル保
    持アームに保持され、前記パドル形成用ノズルの位置調
    節を行う位置調節機構が具備することを特徴とする請求
    項9に記載の現像処理装置。
  11. 【請求項11】 露光処理がされた基板の現像処理方法
    であって、 略平行に載置された基板に所定の現像液を供給して液盛
    りを行う第1工程と、 所定の現像液が液盛りされた基板に所定の現像液の吹き
    付け供給を行う第2工程と、 前記第2工程における現像液の吹き付け供給の終了後に
    連続して基板にリンス液を供給する第3工程と、 を有することを特徴とする現像処理方法。
  12. 【請求項12】 前記第3工程後に、前記リンス液を供
    給するノズルを変更してリンス処理を行う第4工程を有
    することを特徴とする請求項11に記載の現像処理方
    法。
  13. 【請求項13】 前記基板を所定の回転数で面内で回転
    するように回転させながら前記第2工程以降または前記
    第3工程以降の工程を行うことを特徴とする請求項11
    または請求項12に記載の現像処理方法。
JP2000255113A 2000-08-25 2000-08-25 現像処理装置 Expired - Fee Related JP3926544B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000255113A JP3926544B2 (ja) 2000-08-25 2000-08-25 現像処理装置
TW090119991A TW504739B (en) 2000-08-25 2001-08-15 Developing processing apparatus and developing processing method
KR1020010051065A KR100753757B1 (ko) 2000-08-25 2001-08-23 현상처리장치 및 현상처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000255113A JP3926544B2 (ja) 2000-08-25 2000-08-25 現像処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004239194A Division JP3923057B2 (ja) 2004-08-19 2004-08-19 現像処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002075821A true JP2002075821A (ja) 2002-03-15
JP3926544B2 JP3926544B2 (ja) 2007-06-06

Family

ID=18743956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000255113A Expired - Fee Related JP3926544B2 (ja) 2000-08-25 2000-08-25 現像処理装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3926544B2 (ja)
KR (1) KR100753757B1 (ja)
TW (1) TW504739B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305864A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US7597491B2 (en) 2004-10-27 2009-10-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of processing substrate
JP2010219167A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2011129953A (ja) * 2011-03-03 2011-06-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2016058712A (ja) * 2014-09-04 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3765411B2 (ja) * 2002-05-29 2006-04-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及びその装置
KR101036603B1 (ko) * 2008-11-26 2011-05-24 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR101041872B1 (ko) 2008-11-26 2011-06-16 세메스 주식회사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR102245499B1 (ko) * 2014-02-03 2021-04-29 삼성디스플레이 주식회사 현상 장치 및 이를 이용한 현상 방법
KR101769440B1 (ko) 2015-02-27 2017-08-21 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR102125793B1 (ko) * 2018-04-20 2020-06-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102587859B1 (ko) * 2020-07-20 2023-10-13 세메스 주식회사 노즐 유닛과 이를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088163A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp パターン形成方法
KR100488930B1 (ko) * 1997-12-11 2005-10-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 현상 장비의 현상액 및 탈이온수 도포 장치
JP2000153210A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Hitachi Ltd 回転基板処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7597491B2 (en) 2004-10-27 2009-10-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of processing substrate
JP2007305864A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010219167A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2011129953A (ja) * 2011-03-03 2011-06-30 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2016058712A (ja) * 2014-09-04 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020016557A (ko) 2002-03-04
JP3926544B2 (ja) 2007-06-06
TW504739B (en) 2002-10-01
KR100753757B1 (ko) 2007-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101052949B1 (ko) 현상처리장치 및 현상처리방법
KR101451442B1 (ko) 세정 장치 및 그 방법, 도포 현상 장치 및 그 방법, 및 기억 매체
KR100430461B1 (ko) 액막형성장치및액막형성방법
JP3381776B2 (ja) 処理装置および処理方法
US7841787B2 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
JP2009071235A (ja) 基板処理装置
JP3694641B2 (ja) 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法
JP3926544B2 (ja) 現像処理装置
KR100822511B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3777542B2 (ja) ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法
JP3155351U (ja) 液処理装置
JP2000147787A (ja) 現像方法及び現像装置
KR20000022860A (ko) 현상방법 및 현상장치
JP2001319869A (ja) 現像処理装置および現像処理方法
JP3535997B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
JP2004103978A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP3479613B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP4674904B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001230185A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP3923057B2 (ja) 現像処理方法
JP2002043210A (ja) 現像処理装置
JP3752136B2 (ja) 現像処理装置および現像処理方法
JP3810056B2 (ja) 基板処理方法、現像処理方法および基板処理装置
JP2005072333A (ja) 基板の液処理方法及び基板の液処理装置
JP3554519B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040622

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3926544

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160309

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees