JP2008034746A - 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温調ユニットCPL2、塗布ユニットBCT、加熱ユニットLHP2、温調ユニットCPL3、塗布ユニットCOT、加熱ユニットLHP3、冷却ユニットCOLの順にウエハWを搬送する場合に、ロットAの最後のウエハA10を加熱ユニットLHP3にて処理した後、当該ユニットLHP3の加熱温度を変更し、前記ロットBの先頭のウエハB1が温調ユニットCPL3に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハB1に続く加熱ユニットLHP2にて加熱処理されたウエハBを退避ユニットBF2に順次満たしていき、また加熱ユニットLHP3の温度変更後においては、前記退避ユニットBF2内のウエハBを順次下流側のモジュールに搬送するようにウエハを搬送する。
【選択図】図10
Description
前記最終ウエハA10が第2の加熱ユニットにて処理され、次のユニットに搬送された後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度の変更を開始し、
当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度の変更が終了してから、前記ロットBの先頭ウエハB1のキャリアブロック1Aから処理ブロック1Bへの払い出しを開始するような搬送スケジュールに沿って、ウエハA及びウエハBの搬送が行なわれている。
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、 前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする。
前記第2の温調ユニットと、第2の塗布ユニットと、第2の加熱ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックに積層して設けられた第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、
基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、基板を加熱処理する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックと第2の塗布膜形成用の単位ブロックとに対して積層して設けられた現像処理用の単位ブロックと、
これら第1の塗布膜形成用の単位ブロックと、第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備えるものであってもよい。
基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTに搬送しないように、第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3からの前記ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第2の温調ユニットCPL3が一つであるときには、第1の加熱ユニットLHP2にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先を、退避ユニットBF2の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF2の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットBCTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットBCTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の加熱ユニットLHP3の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3から搬出して、第2の塗布ユニットCOTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF2に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL2に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP2→退避ユニットBF2の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL3に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットTCTに搬送しないように、第2の塗布ユニットTCTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL4からの前記ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第1の加熱ユニットLHP3にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先を、COT層B3の退避ユニットBF3の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF3の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットCOTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL3からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の加熱ユニットLHP4の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットTCTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL4から搬出して、第2の塗布ユニットTCTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF3に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL3からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL3に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP3→退避ユニットBF3の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL4に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
(1)ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTに搬送しないように、第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3からの当該ウエハB1の搬出を停止し、
(2)第1の加熱ユニットLHP2にて処理されたロットBの2枚目のウエハB2以降のウエハB2〜B5の搬送先をBCT層B2の退避ユニットBF2の各載置ステージ41〜44に変更し、
(3)前記退避ユニットBF2の載置ステージ41〜44に2枚以上のウエハBが退避しているときに、第1の塗布ユニットBCTにウエハBを搬送しないように、第1の塗布ユニットBCTの一つ上流側のモジュールである第1の温調ユニットCPL32からのウエハB6の搬出を停止し、
(4)第2の塗布ユニットCOTのカップ洗浄が終了した後、ロットBの最初のウエハB1を第2の塗布ユニットCOTの一つ上流側のモジュールである第2の温調ユニットCPL3から搬出して、当該第2の塗布ユニットCOTへの搬送を開始し、
(5)退避ユニットBF2に退避されていたウエハB2〜B5が減り始めたら、第1の温調ユニットCPL2からのウエハB6の搬出を再開し、
(6)(3)において第1の温調ユニットCPL2に払い出された最後のウエハB6以降のウエハB6〜B10に対しては、ウエハAの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第1の加熱ユニットLHP2→退避ユニットBF2の載置しステージ41→第2の温調ユニットCPL3に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行い、以降は書き換えられた搬送スケジュールに沿ってウエハBの搬送を行なう。
20 キャリア
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
A1〜A4 メインアーム
C トランファーアーム
D 受け渡しアーム
E シャトルアーム
F インターフェイスアーム
BCT 第1の反射防止膜形成ユニット
COT 塗布ユニット
TCT 第2の反射防止膜形成ユニット
DEV 現像ユニット
BF2,BF3 退避ユニット
41〜44 載置ステージ
100 制御部
73 加熱処理変更部
74 搬送スケジュール変更部
Claims (9)
- 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、 前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記処理ブロックは、前記第1の温調ユニットと、第1の塗布ユニットと、第1の加熱ユニットと、退避用ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた第1の塗布膜形成用の単位ブロックと、
前記第2の温調ユニットと、第2の塗布ユニットと、第2の加熱ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックに積層して設けられた第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、
基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、基板を加熱処理する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備え、前記第1の塗布膜形成用の単位ブロックと第2の塗布膜形成用の単位ブロックとに対して積層して設けられた現像処理用の単位ブロックと、
これら第1の塗布膜形成用の単位ブロックと、第2の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、
各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記退避ユニットは、第1の塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記処理ブロックに設けられた受け渡し手段とにより基板の受け渡しを行うように設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の塗布、現像装置。
- 前記後続の他のロットの2枚以上の基板が前記退避ユニットに退避しているときは、第1の温調ユニットからの基板の搬出を禁止するように、基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一記載の塗布、現像装置。
- 前記退避ユニットに退避していた前記後続の他のロットの基板の、当該退避ユニットの下流側のモジュールへの搬送が開始されたときに、第1の温調ユニットからの基板の搬出を開始するように、基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の塗布ユニットはレジスト液を塗布する前の基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであり、前記第2の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであり、前記第2の塗布ユニットはレジスト液が塗布された基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うと共に、
基板搬送手段により、第1の温度に基板を温調する第1の温調ユニット、第1の塗布液を基板に塗布する第1の塗布ユニット、基板を加熱処理する第1の加熱ユニット、第2の温度に基板を温調する第2の温調ユニット、第2の塗布液を基板に塗布する第2の塗布ユニット、基板を加熱処理する第2の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第2の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記後続の他のロットの先頭の基板が第2の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第1の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第2の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項8に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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