JPH01302725A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジストの現像方法Info
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- JPH01302725A JPH01302725A JP13213288A JP13213288A JPH01302725A JP H01302725 A JPH01302725 A JP H01302725A JP 13213288 A JP13213288 A JP 13213288A JP 13213288 A JP13213288 A JP 13213288A JP H01302725 A JPH01302725 A JP H01302725A
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- photoresist
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にフォトレジ
ストの現像方法に関する。
ストの現像方法に関する。
フォトレジストの現像方法にはフォトレジストを塗布し
たウェハを静止させた状態で現像液を滴下させるパドル
現像と、現像液を霧状にしてウェハに吹き付けるスプレ
ー現像とがあり、従来どちらか一方の方法を用いてフォ
トレジストの現像を行っていた。
たウェハを静止させた状態で現像液を滴下させるパドル
現像と、現像液を霧状にしてウェハに吹き付けるスプレ
ー現像とがあり、従来どちらか一方の方法を用いてフォ
トレジストの現像を行っていた。
パドル現像は、第３図（ａ）に示すように、フォトレジ
ストを塗布したウェハ１の中央部にパドル用ノズル３３
から現像液を滴下し、ウェハ１の表面に現像液５を拡げ
て現像を行う方法である。
ストを塗布したウェハ１の中央部にパドル用ノズル３３
から現像液を滴下し、ウェハ１の表面に現像液５を拡げ
て現像を行う方法である。
また、スプレー現像は、第４図に示すようにスプレー用
ノズル４４から現像液５を霧状にウェハ１上のフォトレ
ジストに吹き付けて現像を行う方法である。
ノズル４４から現像液５を霧状にウェハ１上のフォトレ
ジストに吹き付けて現像を行う方法である。
近年、ウェハサイズの大型化、高集積化が進むにつれ、
ウェハ内の回路寸法のばらつきの低減が強く要求される
ようになってきた。しかしながら、従来の現像方法であ
るパドル現像やスプレー現像にはそれぞれ次のような欠
点がある。
ウェハ内の回路寸法のばらつきの低減が強く要求される
ようになってきた。しかしながら、従来の現像方法であ
るパドル現像やスプレー現像にはそれぞれ次のような欠
点がある。
まず、パドル現像においては、フォトレジスト上に滴下
した現像液を均一に拡げる過程において。
した現像液を均一に拡げる過程において。
ウェハ上の中心からの距離によって現像時間に差が生じ
るため、特にウェハの中央付近と外周付近とではフォト
レジストの寸法が異なってしまう。
るため、特にウェハの中央付近と外周付近とではフォト
レジストの寸法が異なってしまう。
また、スプレー現像においては、現像液を霧状にして吹
き付けるため、該現像液とフォトレジストとの化学変化
（Ｔｅ３解反応）状態を長時間に渡って安定化させるこ
とがむづかしく、レジスト寸法を制御しにくい。
き付けるため、該現像液とフォトレジストとの化学変化
（Ｔｅ３解反応）状態を長時間に渡って安定化させるこ
とがむづかしく、レジスト寸法を制御しにくい。
本発明の目的は上記欠点を解消したフォトレジストの現
像方法を提供することにある。
像方法を提供することにある。
上述した従来の現像方法に対し、本発明はパドル現像と
スプレー現像とを組み合わせた現像方法であり、特にス
プレー現像を前処理として用い、フォトレジスト表面を
親水性にした後、パドル現像を行うという相違点を有す
る。
スプレー現像とを組み合わせた現像方法であり、特にス
プレー現像を前処理として用い、フォトレジスト表面を
親水性にした後、パドル現像を行うという相違点を有す
る。
上記目的を達成するため、本発明のフォトレジストの現
像方法においては、ウェハ上のフォトレジストに現像液
を霧状に吹き付けてフォトレジスト表面を親水性に保ち
、次いでウェハを回転させながら現像液を滴下してフォ
トレジスト上に現像液を拡散させるものである。
像方法においては、ウェハ上のフォトレジストに現像液
を霧状に吹き付けてフォトレジスト表面を親水性に保ち
、次いでウェハを回転させながら現像液を滴下してフォ
トレジスト上に現像液を拡散させるものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明のフォトレジストの現像
方法を実施する第１の実施例を示す概略図である。
方法を実施する第１の実施例を示す概略図である。
本実施例は、スプレー現像とパドル現像とを併用した例
である。
である。
図において、回転チャック２にはフォトレジストを塗布
したウェハ１が載置され、パドル用ノズル１３とスプレ
ー用ノズル１４とが該ウェハ１の上面に向けて配設され
ている。
したウェハ１が載置され、パドル用ノズル１３とスプレ
ー用ノズル１４とが該ウェハ１の上面に向けて配設され
ている。
まず、疎水性であるフォトレジスト表面を親水性にする
ため、第１図（ａ）に示すように、前処理現像として霧
状にした現像液をスプレー用ノズル１４からウェハ１上
のフォトレジスト面に約２〜５秒間吹き付ける。このと
き、ウェハ１を５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで回転さ
せながら吹き付けを行うと効果的である。
ため、第１図（ａ）に示すように、前処理現像として霧
状にした現像液をスプレー用ノズル１４からウェハ１上
のフォトレジスト面に約２〜５秒間吹き付ける。このと
き、ウェハ１を５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで回転さ
せながら吹き付けを行うと効果的である。
次に、第１図（ｂ）に示すように、パドル用ノズル１３
から現像液５を前記ウェハ１の中央部に滴下し、ウェハ
１の回転によってフォトレジスト面全体に該現像液５を
拡げる。このときのウェハ１の回転速度は５０ｒｐｍか
ら２０Ｏｒｐｍの範囲が望ましい。
から現像液５を前記ウェハ１の中央部に滴下し、ウェハ
１の回転によってフォトレジスト面全体に該現像液５を
拡げる。このときのウェハ１の回転速度は５０ｒｐｍか
ら２０Ｏｒｐｍの範囲が望ましい。
なお、本実施例の現像方法は、スプレー＠像終了後図示
しない純水でフォトレジスト面を約２〜１０秒間水洗し
１回転速度約５００Ｏｒｐ ｍでスピン乾燥させた後、
直ちに第１図（ｂ）に示すパドル現像を行うと極めて有
効である。
しない純水でフォトレジスト面を約２〜１０秒間水洗し
１回転速度約５００Ｏｒｐ ｍでスピン乾燥させた後、
直ちに第１図（ｂ）に示すパドル現像を行うと極めて有
効である。
第３図（ｂ）はパドル現像のみを行った場合、第３図（
ｃ）は本実施例により現像した場合の３１φＧａＡｓつ
王ハ内のレジスト寸法のばらつきを示したものである。
ｃ）は本実施例により現像した場合の３１φＧａＡｓつ
王ハ内のレジスト寸法のばらつきを示したものである。
図かられかるように、パドル現像のみを行った場合の最
大寸法ばらつき（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）が約０．２ｔｍであ
るのに対し、本実施例による最大寸法ばらつき（Ｍａｘ
−Ｍｉｎ）は約０．１−以下になっている。
大寸法ばらつき（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）が約０．２ｔｍであ
るのに対し、本実施例による最大寸法ばらつき（Ｍａｘ
−Ｍｉｎ）は約０．１−以下になっている。
上述したように、パドル現像を行う前にスプレー現像で
前処理を行うことで、パドル用ノズル１３から滴下した
現像液を速やかにフォトレジスト面上に拡げることがで
き、ウェハの中央部と外周部とでのレジスト寸法の差を
減少することができる。
前処理を行うことで、パドル用ノズル１３から滴下した
現像液を速やかにフォトレジスト面上に拡げることがで
き、ウェハの中央部と外周部とでのレジスト寸法の差を
減少することができる。
（実施例２）
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明のフォトレジストの現像
方法を実施する第２の実施例を示す概略図である６本実
施例は、同種の現像手段を２基宛組み合わせて用いた例
である。
方法を実施する第２の実施例を示す概略図である６本実
施例は、同種の現像手段を２基宛組み合わせて用いた例
である。
まず、第２図（ａ）において、ウェハ１の上面に向けて
配設されている２基のスプレー用ノズル２４゜２４から
回転しているウェハ１上のフォトレジスト面に向けて二
方向から現像液を噴霧する。
配設されている２基のスプレー用ノズル２４゜２４から
回転しているウェハ１上のフォトレジスト面に向けて二
方向から現像液を噴霧する。
次いで第２図（ｂ）に示すように、ウェハ１を回転させ
ながらその上面に向けて配置した２基のパドル用ノズル
２３．２３からフォトレジスト表面上に現像液を滴下す
る。これによって、現像液が短時間でウェハ１に拡がり
、現像時間の場所的変動を少なくすることができる。
ながらその上面に向けて配置した２基のパドル用ノズル
２３．２３からフォトレジスト表面上に現像液を滴下す
る。これによって、現像液が短時間でウェハ１に拡がり
、現像時間の場所的変動を少なくすることができる。
本実施例には、それぞれ２本のノズルを用いた例を示し
たが、ノズルの数は２本に限るものではない。使用ノズ
ルの数に比例して大型のウェハに対応できる。
たが、ノズルの数は２本に限るものではない。使用ノズ
ルの数に比例して大型のウェハに対応できる。
以上説明したように本発明によればウェハ面上のフォト
レジストの−様な現像が可能となり、フォトレジスト寸
法のばらつきが低減され、均一な回路パターンが得られ
るという効果がある。
レジストの−様な現像が可能となり、フォトレジスト寸
法のばらつきが低減され、均一な回路パターンが得られ
るという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す概
略図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を
示す概略図、第３図（ａ）は従来のパドル現像法の例を
示す図、第３図（ｂ）はパドル現像法のみを用いたとき
のレジスト寸法のばらつきを示す図、第３図（ｃ）は第
１の実施例によるレジスト寸法のばらつきを示す図、第
４図は従来のスプレー現像法の例を示す図である。
略図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を
示す概略図、第３図（ａ）は従来のパドル現像法の例を
示す図、第３図（ｂ）はパドル現像法のみを用いたとき
のレジスト寸法のばらつきを示す図、第３図（ｃ）は第
１の実施例によるレジスト寸法のばらつきを示す図、第
４図は従来のスプレー現像法の例を示す図である。
Claims (1)
- （１）ウェハ上のフォトレジストに現像液を霧状に吹き
付けてフォトレジスト表面を親水性に保ち、次いでウェ
ハを回転させながら現像液を滴下してフォトレジスト上
に現像液を拡散させることを特徴とするフォトレジスト
の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13213288A JPH01302725A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | フォトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13213288A JPH01302725A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | フォトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302725A true JPH01302725A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15074132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13213288A Pending JPH01302725A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | フォトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5740488A (en) * | 1994-11-02 | 1998-04-14 | Frontec Incorporated | Resist developing apparatus with selectable spray and drip nozzles |
| JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13213288A patent/JPH01302725A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5740488A (en) * | 1994-11-02 | 1998-04-14 | Frontec Incorporated | Resist developing apparatus with selectable spray and drip nozzles |
| JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2010219167A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| US8398319B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-03-19 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method, and storage medium |
| KR101529741B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2015-06-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 |
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