JP2010141230A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010141230A
JP2010141230A JP2008318098A JP2008318098A JP2010141230A JP 2010141230 A JP2010141230 A JP 2010141230A JP 2008318098 A JP2008318098 A JP 2008318098A JP 2008318098 A JP2008318098 A JP 2008318098A JP 2010141230 A JP2010141230 A JP 2010141230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor device
semiconductor
wiring
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008318098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5781720B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Hayashi
喜宏 林
Hisaya Inoue
尚也 井上
Takaaki Kaneko
貴昭 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2008318098A priority Critical patent/JP5781720B2/ja
Priority to US12/654,205 priority patent/US8378341B2/en
Publication of JP2010141230A publication Critical patent/JP2010141230A/ja
Priority to US13/745,291 priority patent/US9129937B2/en
Priority to US14/744,261 priority patent/US9312394B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5781720B2 publication Critical patent/JP5781720B2/ja
Priority to US15/087,427 priority patent/US9754816B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
    • H01L29/42344—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator with at least one additional gate, e.g. program gate, erase gate or select gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
    • H01L29/42352—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator with the gate at least partly formed in a trench
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4966—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H01L29/242—AIBVI or AIBVII compounds, e.g. Cu2O, Cu I

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
通常の半導体装置は、半導体基板にトランジスタなどの半導体素子を形成し、このトランジスタ上に複数の配線層を形成した構成を有している。このような半導体装置において、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトは、その半導体装置に求められている機能に基づいて設計されている。
また、近年は、非特許文献１〜６に記載するように、化合物半導体層を用いて薄膜トランジスタを形成することが研究されている。
"Control of p- and n-type conductivity in sputter deposition of undoped ZnO"、 Gang Xiong他５名、App.Phys.Lett., Vol.80, No.7, 18 February 2002 "High mobility bottom gate InGaZnO thin film transistors with SiOx etch stopper"、Minlyu kim他８名、App.Phys.Lett., Vol.90, 212114(2007) "High mobility thin-film transistors with InGaZnO channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering"、Hisato Yabuta他８名、App.Phys.Lett., Vol.89, 112123(2006) "Highly Stable Ga2O3-In2O3-ZnO TFT for Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Display Application"、Chang Jung Kim他９名、IEEE Electron Devices Meeting, IEDM '06, Technical Digest, session 11.6, 2006 "Integrated circuits based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide-channel thin-film transistors"、M.Ofuji他８名、ECS Transactions, 3(8)293-300(2006) "Wide-bandgap high-mobility ZnO thin-film transistors produced at room temperature"、Elvira M.C.Fortunato他6名、App.Phys.Lett., Vol.85, No.13, 27 September 2004
半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を変更できるようにすると、同一の半導体基板を用いて互いに異なる機能を有する複数種類の半導体装置を製造することができるようになる。この場合、半導体装置の製造コストを削減することができる。一方、半導体基板上の配線層には配線、容量素子、及びヒューズ等しか形成されていなかったため、配線層の構成を変更するのみでは、半導体装置の機能を変更することには一定の限界があった。このため、配線層に新たな機能を有する素子を形成できるようになれば、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を大幅に変更できるようになる。
本発明によれば、半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線とを有する第１配線層と、
前記第１配線層上に位置する半導体層と、
前記半導体層の上又は下に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の反対側に位置するゲート電極と
を備える半導体装置が提供される。
本発明によれば、配線層の中に半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有する素子が設けられている。この素子は、例えばトランジスタ（スイッチング素子）や記憶素子として機能する。従って、配線層に新たな機能を有する素子を設けることができ、その結果、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を大幅に変更できる。
本発明によれば、半導体基板上に、絶縁層及び前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線を有する第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層上に、前記第１配線上に位置するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、半導体基板上に、絶縁層及び前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線を有する第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、配線層に新たな機能を有する素子を設けることができ、その結果、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を大幅に変更できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。図１は、図２の要部を拡大した断面図であり、図２に示した半導体装置が有する半導体素子２００の構成を示す図である。図３は、半導体素子２００の平面レイアウトを示す平面図である。
この半導体装置は、図２に示すように、半導体基板１００、第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、半導体基板１００上に形成された絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。
図１に示すように半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。半導体素子２００は、トランジスタとして機能する。
本実施形態において、ゲート絶縁膜１６０は、第１配線層１５０の上に位置している。すなわちゲート絶縁膜１６０は、第１配線層１５０と半導体層２２０の間に位置している。そしてゲート電極２１０は、第１配線１５４と同一層に形成されている。第１配線１５４及びゲート電極２１０は、例えば銅配線であり、ダマシン法を用いて絶縁層１５６に埋め込まれている。ゲート電極２１０の幅は、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
絶縁層１５６は、例えば酸化シリコンより誘電率が低い（例えば比誘電率が２．７以下）低誘電率絶縁層である。低誘電率絶縁層は、例えばＳｉＯＣ（Ｈ）膜やＳｉＬＫ（登録商標）等の炭素含有膜、ＨＳＱ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）膜、ＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）膜、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）膜、またはこれらの多孔質膜を用いることができる。
半導体層２２０は、厚さが例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。半導体層２２０は、例えばＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）又はＺｎＯなどの酸化物半導体層を有している。半導体層２２０は、上記した酸化物半導体層の単層構造であっても良いし、上記した酸化物半導体層と他の層の積層構造であっても良い。後者の例としては、ＩＧＺＯ／Ａｌ２Ｏ３／ＩＧＺＯ／Ａｌ２Ｏ３の積層膜がある。また半導体層２２０はポリシリコン層又はアモルファスシリコン層であってもよい。そして半導体層２２０には、ソース及びドレイン２２２が設けられている。半導体層２２０が酸化物半導体層である場合、ソース及びドレイン２２２は、例えば酸素欠陥を導入することにより形成されるが、不純物を導入することにより形成されても良い。半導体層２２０がポリシリコン層やアモルファスシリコン層である場合、ソース及びドレイン２２２は不純物を導入することにより形成される。ソース及びドレイン２２２の幅は、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。半導体層２２０のうちソース及びドレイン２２２に挟まれている領域は、チャネル領域２２４となる。
第１配線層１５０及び半導体層２２０の上には、第２配線層を構成する絶縁層１７０が形成されている。絶縁層１７０は、例えば上記した低誘電率絶縁膜である。ゲート絶縁膜１６０は、拡散防止膜としても機能し、第１配線層１５０上の全面に設けられている。そして半導体層２２０はゲート絶縁膜１６０の上に形成されている。ゲート絶縁膜１６０すなわち拡散防止膜は、例えばＳｉＣＮ膜であり、厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
絶縁層１７０には、配線１８６，１８８（第２配線）が埋め込まれている。配線１８６は、絶縁層１７０に形成されたビア１８４を介してソース及びドレイン２２２に接続している。すなわち半導体素子２００のソース及びドレイン２２２は、半導体素子２００の上層の配線層に形成された配線１８６によって電気的に引き出されている。また配線１８８は、絶縁層１７０に形成されたビア１８９を介して第１配線１５４に接続している。なおビア１８４はゲート絶縁膜１６０を貫通しておらず、ビア１８９はゲート絶縁膜１６０を貫通している。ビア１８４はビア１８９より大径である。本図に示す例において、ビア１８４は一部が半導体層２２０から外れているが、半導体層２２０から外れていなくても良い。
図２に示すように、半導体基板１００にはＭＯＳトランジスタ型の半導体素子１１０が形成されている。半導体素子１１０は、例えばトランジスタ又は容量素子として機能し、ゲート絶縁膜１１２、ゲート電極１１４、及びソース及びドレインである不純物領域１１６を備える。半導体素子１１０が形成されている素子領域は、素子分離膜１０２によって分離されている。そして半導体素子１１０は、平面視において少なくとも一部が半導体層２２０と重なっている。
なお本図に示す例において、第１配線層１５０と半導体基板１００の間には、コンタクト層１２０及び配線層１３０が形成されている。配線層１３０はコンタクト層１２０上に位置している。コンタクト層１２０は、絶縁層１２４及びコンタクト１２２を有しており、配線層１３０は絶縁層１３４及び配線１３２を有している。配線１３２はコンタクト１２２を介して半導体素子１１０に接続している。配線１３２は、絶縁層１５６に形成されたビア１５２を介して第１配線１５４に接続している。
なお絶縁層１２４は、例えば酸化シリコン層であるが、絶縁層１３４は、例えば上記した低誘電率絶縁層である。また配線層１３０と第１配線層１５０の間には、ＳｉＣＮ膜などの拡散防止膜１４０が形成されている。そして半導体素子１１０は、半導体素子２００と電気的に接続している。
次に、図１、図２、図４の各図及び図５を用いて、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図４の各図及び図５は、図２のうち図１に相当する部分を示した図である。
まず、図２に示したように、半導体基板１００に素子分離膜１０２を形成し、さらにゲート絶縁膜１１２、ゲート電極１１４、及び不純物領域１１６をこの順に形成する。次いで、コンタクト層１２０、配線層１３０、及び拡散防止膜１４０を形成する。
次いで、図４（ａ）に示すように、拡散防止膜１４０上に絶縁層１５６を形成する。次いで絶縁層１５６にビア１５２、第１配線１５４、及びゲート電極２１０を、シングルダマシン法又はデュアルダマシン法を用いて埋め込む。このようにして、第１配線層１５０が形成される。
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１絶縁層１５０上にゲート絶縁膜１６０を、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。なお、上記したようにゲート絶縁膜１６０は、拡散防止膜としても機能するため、ゲート絶縁膜１６０は第１絶縁層１５０の全面に形成される。
次いで、ゲート絶縁膜１６０の全面上に半導体層２２０を形成し、半導体層２２０を、マスク膜を用いたエッチングにより選択的に除去する。半導体層２２０がＺｎＯ又はＩｎＧａＺｎＯなどの酸化物半導体層を含んでいる場合、半導体層２２０は例えばスパッタリング法により形成される。このとき半導体基板１００は、４００℃以下の温度に加熱される。なお半導体層２２０がポリシリコン層やアモルファスシリコン層である場合、半導体層２２０は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される。
次いで図５に示すように、半導体層２２０上にマスクパターン５０を形成し、マスクパターン５０をマスクとして半導体層２２０を処理する。これにより、半導体層２２０にはソース及びドレイン２２２が形成される。ここで行う処理は、例えば半導体層２２０を還元性プラズマ（例えば水素プラズマ）で処理する方法、及び半導体層２２０を窒素含有プラズマ（例えばアンモニアプラズマ）で処理する方法がある。前者の処理を行った場合、半導体層２２０には酸素欠陥領域としてソース及びドレイン２２２が形成され、後者の処理を行った場合、半導体層２２０には窒素が選択的に導入されてソース及びドレイン２２２が形成される。
次いで、図１に示すように、マスクパターン５０を除去する。次いで、ゲート絶縁膜１６０上及び半導体層２２０上に絶縁層１７０を形成し、絶縁層１７０にビア１８４，１８９及び配線１８６，１８８を形成する。このとき、ビア１８４，１８９は互いに異なる工程で形成される。すなわちビア１８４を形成する工程においては、ビア１８４がゲート絶縁膜１６０を貫通しないようにして、ビア１８９を形成する工程においては、ビア１８９がゲート絶縁膜１６０を貫通するようにする。
また、ビア１８４，１８９及び配線１８６，１８８と絶縁層１７０の間、及びビア１８４，１８９とソース及びドレイン２２２の間に、バリア膜（図示せず）を形成しておくのが好ましい。バリア膜は、例えばＴａ膜とＴａＮ膜をこの順に積層した積層膜であるが、半導体層２２０が酸化物半導体層である場合、Ｔａ膜の下に、Ｒｕ膜、ＭｏＮ膜、又はＷ膜を形成しておいても良い。この場合、バリア膜のうち半導体層２２０に接している部分が酸化されても、バリア膜の抵抗が上昇することを抑制できる。
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態によれば、配線層に半導体素子２００を形成することができる。半導体素子２００はスイッチング素子であるトランジスタとして機能する。従って、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を大幅に変更できる。
また、ゲート絶縁膜１６０に拡散防止膜としての機能を持たせている。従って、ゲート絶縁膜１６０と拡散防止膜を別々に設ける必要が無くなり、半導体装置の構成が複雑になって半導体装置の製造コストが増大することを抑制できる。
また、半導体素子２００のゲート電極２１０を、第１配線層１５０の第１配線１５４と同一層に設けているため、ゲート電極２１０と第１配線１５４を同一工程で形成することができる。従って、半導体装置の製造コストが増大することを抑制できる。
また、半導体層２２０を酸化物半導体層とした場合、半導体層２２０を形成するときの半導体基板１００の加熱温度を４００℃以下にすることができる。従って、半導体層２２０より下に位置する配線層に熱的なダメージが加わることを抑制できる。このため、配線層として、低誘電率絶縁膜及び銅配線を使用することができる。
また、平面視において、半導体素子１１０，２００は互いに少なくとも一部が重なっている。従って、半導体装置の集積率を上げることができる。
また、ビア１８４，１８９を別工程で形成している。このため、ビア１８４を形成するときにゲート絶縁膜１６０をエッチングストッパーとして機能させることができる。このため、ビア１８４が深く形成されすぎることを抑制できる。
図６は、第２の実施形態に係る半導体装置の断面図であり、第１の実施形態における図１に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、ビア１８４、１８９が同一工程で形成されている点を除いて、第１の実施形態と同様である。すなわちビア１８４の一部が半導体層２２０から外れている場合、この外れている部分は、ゲート絶縁膜１６０を貫通する。
本実施形態によっても、ビア１８４を形成するときにゲート絶縁膜１６０をエッチングストッパーとして機能させない点を除いて、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図７は、第３の実施形態に係る半導体装置の断面図であり、第１の実施形態における図１に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、半導体層２２０上にトラップ膜２３０及びバックゲート電極２４０を有している点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。トラップ膜２３０及びバックゲート電極２４０は、平面視において、半導体層２２０のチャネル領域２２４と重なっている。なお本図に示す例において、バックゲート電極２４０上には、バックゲート電極２４０を形成するときに用いたマスクパターン５４が残っている。マスクパターン５４は、例えば酸化シリコン膜であるが、窒化シリコン膜や炭窒化シリコン膜であってもよい。なおバックゲート電極２４０に接続するコンタクト（図示せず）は、マスクパターン５４を貫通している。
トラップ膜２３０は、例えばＳｉＮ膜であり、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。バックゲート電極２４０は、例えばＴｉＮ膜である。バックゲート電極２４０は、例えば図示しないコンタクトを介して、配線１８６，１８８と同一層の配線（図示せず）に電気的に接続している。
本実施形態において半導体素子２００は、トランジスタとして機能するほか、メモリ素子としても機能することができる。後者の場合、半導体素子１１０は半導体素子２００のセレクタ回路の一部であってもよい。
図８は、半導体素子２００がメモリ素子として機能する原理を説明する図である。半導体素子２００をメモリ素子として機能させる場合、トラップ膜２３０に電荷（例えばホール）を注入（トラップ）させたり、注入した電荷を除去したりすればよい。トラップ膜２３０に注入された電荷の有無により、半導体素子２００をトランジスタとして機能させるときの閾値電圧（Ｖｔｈ）が変化するためである。
具体的には、初期状態（半導体素子２００に情報が書き込まれていない）では、バックゲート電極２４０の電圧（ＶＢＧ）＝０とする。そして半導体素子２００に情報を書き込むとき、バックゲート電極２４０に負の電圧（例えば−２．５Ｖ）を印加して、ゲート電極２１０の電圧（ＶＧ）＝０とする。すると、トラップ膜２３０にホールが注入され、半導体素子２００の閾値電圧が−側にシフトする。
そして、半導体素子２００から情報を消去するとき、バックゲート電極２４０に正の電圧（例えば＋２．５Ｖ）を印加して、ゲート電極２１０に負の電圧（例えば−２．５Ｖ）を印加する。すると、トラップ膜２３０に注入されていたホールが除去され、半導体素子２００の閾値電圧が初期値に戻る。
なお、半導体素子２００をメモリ素子として使用せずにトランジスタとして使用する場合においても、トラップ膜２３０に電荷を注入することにより、トランジスタの閾値電圧を変更することができる。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を、図９及び図１０の各図を用いて説明する。この半導体装置の製造方法は、ゲート絶縁膜１６０を形成するまでは、第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。
図９（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１６０を形成した後、まずゲート絶縁膜１６０上に半導体層２２０を形成する。次いで半導体層２２０上にトラップ膜２３０及びバックゲート電極２４０を形成する。トラップ膜２３０は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成され、バックゲート電極２４０は、例えばスパッタリング法により形成される。
次いで図９（ｂ）に示すように、バックゲート電極２４０上にマスクパターン５２を形成し、マスクパターン５２をマスクとしてバックゲート電極２４０、トラップ膜２３０、及び半導体層２２０をドライエッチングする。これにより、半導体層２２０は半導体素子２００となるようにパターニングされる。なおバックゲート電極２４０及びとトラップ膜２３０の形状は、半導体層２２０の形状と略同じである。
次いで、図１０（ａ）に示すように、マスクパターン５２を除去する。次いで、バックゲート電極２４０上にマスクパターン５４を形成する。マスクパターン５４は、例えば酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜を選択的に除去することにより形成される。なお、マスクパターン５４は、窒化シリコン膜や炭窒化シリコン膜などの他の膜を選択的に除去することにより形成されても良い。次いで、マスクパターン５４をマスクとしてトラップ膜２３０及びバックゲート電極２４０をドライエッチングする。これにより、トラップ膜２３０及びバックゲート電極２４０は、半導体素子２００となるようにパターニングされる。
その後、図１０（ｂ）に示すように、バックゲート電極２４０をマスクとして、半導体層２２０を処理する。これにより、半導体層２２０にはソース及びドレイン２２２が形成される。ここで行う処理は、第１の実施形態と同様である。
次いで、図７に示した絶縁層１７０を形成する。この工程以降については、第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体素子２００をメモリ素子として使用することができる。
図１１は、第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図であり、第３の実施形態における図７に相当する図である。この半導体装置は、ゲート電極２１０が設けられておらず、ゲート絶縁膜２３２およびゲート電極２４２が半導体層２２０上に位置している点を除いて、第３の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
ゲート絶縁膜２３２は、第３の実施形態におけるトラップ膜２３０と同様の構成であり、ゲート電極２４２は、第３の実施形態におけるバックゲート電極２４０と同様の構成である。
また、第１配線層１５０の上には、拡散防止膜１６２が設けられている。拡散防止膜１６２の構成は、第３の実施形態におけるゲート絶縁膜１６０と同様である。
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第１配線１５４を形成するときにゲート電極２１０が形成されない点を除いて、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
本実施形態によっても、配線層に半導体素子２００を形成することができる。従って、半導体基板に形成された半導体素子のレイアウトを変更せずに、半導体装置の機能を大幅に変更できる。
また、半導体層２２０を酸化物半導体層とした場合、半導体層２２０を形成するときの半導体基板１００の加熱温度を４００℃以下にすることができる。従って、半導体層２２０より下に位置する配線層に熱的なダメージが加わることを抑制できる。
また、平面視において、半導体素子１１０，２００は互いに少なくとも一部が重なっている。従って、半導体装置の集積率を上げることができる。
また、ビア１８４，１８９を別工程で形成している。このため、ビア１８４を形成するときにゲート絶縁膜１６０をエッチングストッパーとして機能させることができる。このため、ビア１８４が深く形成されすぎることを抑制できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、第１配線１５４及びゲート電極２１０は銅配線であり、ダマシン法を用いて絶縁層１５６に埋め込まれているのが好ましいが、その他の配線層に位置する配線、例えば配線１３２、及び配線１８８，１８９の少なくとも一方については、他の金属材料（例えばＡｌ又はＡｌ合金）で形成されていても良い。この場合、ビア１５２，１８４，１８９も銅以外の金属材料により形成される。例えば配線１３２，１５４、ビア１５２、及びゲート電極２１０が銅または銅合金により形成され、半導体素子２００より上層に位置する配線１８６，１８８及びビア１８４，１８９がＡｌまたはＡｌ合金により形成されていても良い。
第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。 各図は半導体装置の製造方法を示す断面図である。 半導体装置の製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 第３の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 半導体素子がメモリ素子として機能する原理を説明する図である。 各図は半導体装置の製造方法を示す断面図である。 各図は半導体装置の製造方法を示す断面図である。 第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
符号の説明
５０ マスクパターン
５２ マスクパターン
５４ マスクパターン
１００ 半導体基板
１０２ 素子分離膜
１１０ 半導体素子
１１２ ゲート絶縁膜
１１４ ゲート電極
１１６ 不純物領域
１２０ コンタクト層
１２２ コンタクト
１２４ 絶縁層
１３０ 配線層
１３２ 配線
１３４ 絶縁層
１４０ 拡散防止膜
１５０ 第１配線層
１５２ ビア
１５４ 第１配線
１５６ 絶縁層
１６０ ゲート絶縁膜
１６２ 拡散防止膜
１７０ 絶縁層
１８４ ビア
１８６ 配線
１８８ 配線
１８９ ビア
２００ 半導体素子
２１０ ゲート電極
２２０ 半導体層
２２２ ソース及びドレイン
２２４ チャネル領域
２３０ トラップ膜
２３２ ゲート絶縁膜
２４０ バックゲート電極
２４２ ゲート電極

Claims (20)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線とを有する第１配線層と、
    前記第１配線層上に位置する半導体層と、
    前記半導体層の上又は下に位置するゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の反対側に位置するゲート電極と
    を備える半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記第１配線層上に位置し、前記半導体層に接続する第２配線を備える第２配線層をさらに備える半導体装置。
  3. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
    前記ゲート絶縁膜は、前記第１配線層の上、かつ前記半導体層と前記第１配線層の間に位置しており、
    前記ゲート電極は、前記第１配線と同一層に形成されている半導体装置。
  4. 請求項３に記載の半導体装置において、
    前記第１配線は銅配線であり、
    前記第１配線層上に設けられた拡散防止膜をさらに備え、
    前記ゲート絶縁膜は、前記拡散防止膜であり、
    前記半導体層は、前記拡散防止膜上に形成されている半導体装置。
  5. 請求項３又は４に記載の半導体装置において、
    前記半導体層にはチャネル領域が形成されており、
    前記半導体層上に位置するトラップ膜と、
    前記トラップ膜上に位置し、平面視において前記チャネル領域と重なるバックゲート電極と、
    を備える半導体装置。
  6. 請求項５に記載の半導体装置において、
    前記半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記トラップ膜、及び前記バックゲート電極は、メモリ素子を構成する半導体装置。
  7. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
    前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極は前記半導体層上に位置している半導体装置。
  8. 請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置において、
    前記半導体層は酸化物半導体層を有している半導体装置。
  9. 請求項８に記載の半導体装置において、
    前記酸化物半導体層はＩｎＧａＺｎＯ層又はＺｎＯ層である半導体装置。
  10. 請求項１〜９のいずれか一つに記載の半導体装置において、
    前記絶縁層は、酸化シリコンより誘電率が低い低誘電率絶縁層である半導体装置。
  11. 請求項１〜１０のいずれか一つに記載の半導体装置において、
    前記半導体基板に形成されたＭＯＳトランジスタ型の素子を備える半導体装置。
  12. 請求項１１に記載の半導体装置において、
    前記ＭＯＳトランジスタ型の素子は、平面視において少なくとも一部が前記半導体層と重なっている半導体装置。
  13. 半導体基板上に、絶縁層及び前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線を有する第１配線層を形成する工程と、
    前記第１配線層上に、前記第１配線上に位置するゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
    前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
  14. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体層を形成する工程の後に、
    前記半導体層上にトラップ膜を形成する工程と、
    前記トラップ膜上に、平面視において前記第１配線と重なるバックゲート電極を形成する工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
  15. 請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記トラップ膜を形成する工程及び前記バックゲート電極を形成する工程は、前記ソース及びドレインを形成する工程の前に行われ、
    前記ソース及びドレインを形成する工程は、前記バックゲート電極をマスクとして前記半導体層を処理する工程である半導体装置の製造方法。
  16. 半導体基板上に、絶縁層及び前記絶縁層の表面に埋め込まれた第１配線を有する第１配線層を形成する工程と、
    前記第１配線層上に半導体層を形成する工程と、
    前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
    前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
  17. 請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記絶縁層は酸化シリコンより誘電率が低い低誘電率絶縁層である半導体装置の製造方法。
  18. 請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体層は酸化物半導体層であり、
    前記半導体層を形成する工程において、前記半導体基板を４００℃以下の温度に加熱する半導体装置の製造方法。
  19. 請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ソース及びドレインを形成する工程は、還元性プラズマを用いて前記半導体層を処理する工程である半導体装置の製造方法。
  20. 請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ソース及びドレインを形成する工程は、前記半導体層に選択的に不純物を導入する工程である半導体装置の製造方法。
JP2008318098A 2008-12-15 2008-12-15 半導体装置及び半導体装置の製造方法 Active JP5781720B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008318098A JP5781720B2 (ja) 2008-12-15 2008-12-15 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US12/654,205 US8378341B2 (en) 2008-12-15 2009-12-14 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US13/745,291 US9129937B2 (en) 2008-12-15 2013-01-18 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US14/744,261 US9312394B2 (en) 2008-12-15 2015-06-19 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US15/087,427 US9754816B2 (en) 2008-12-15 2016-03-31 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008318098A JP5781720B2 (ja) 2008-12-15 2008-12-15 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014107739A Division JP5856227B2 (ja) 2014-05-26 2014-05-26 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010141230A true JP2010141230A (ja) 2010-06-24
JP5781720B2 JP5781720B2 (ja) 2015-09-24

Family

ID=42239430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008318098A Active JP5781720B2 (ja) 2008-12-15 2008-12-15 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (4) US8378341B2 (ja)
JP (1) JP5781720B2 (ja)

Cited By (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110101333A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012033906A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012049515A (ja) * 2010-07-28 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
WO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
JP2012104639A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Toshiba Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法
JP2012119667A (ja) * 2010-11-11 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2012151461A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
KR20120092002A (ko) * 2010-12-28 2012-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2012160718A (ja) * 2011-01-14 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
JP2012160721A (ja) * 2011-01-13 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP2012178555A (ja) * 2011-02-02 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体メモリ装置
JP2012186468A (ja) * 2011-02-17 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体メモリ装置および半導体メモリ装置の作製方法
JP2012199542A (ja) * 2011-03-10 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2012209547A (ja) * 2011-03-16 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR20120120066A (ko) * 2011-04-22 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 기억 장치
KR20120129785A (ko) * 2011-05-19 2012-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 제작 방법
JP2012248582A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2012256406A (ja) * 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
JP2012256835A (ja) * 2011-01-26 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013008937A (ja) * 2010-11-05 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013016785A (ja) * 2011-06-10 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2013038349A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013055080A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Japan Display East Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
JP2013077812A (ja) * 2011-09-13 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2013125917A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013125826A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013161878A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2013168631A (ja) * 2011-12-09 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP2013175708A (ja) * 2012-01-23 2013-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8575604B2 (en) 2010-11-19 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN103415920A (zh) * 2011-03-09 2013-11-27 瑞萨电子株式会社 半导体器件
JP2013247143A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013254945A (ja) * 2012-05-11 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2013190863A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 独立行政法人産業技術総合研究所 積層型半導体装置及びその製造方法
JP2014045009A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8698521B2 (en) 2011-05-20 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014187181A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2015056566A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ、表示装置用電極基板およびそれらの製造方法
US9000540B2 (en) 2012-02-02 2015-04-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
JP2015065202A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 株式会社東芝 半導体素子、表示装置、半導体素子の製造方法及び表示装置の製造方法
US9035360B2 (en) 2011-09-29 2015-05-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and SiP device using the same
JP2015111681A (ja) * 2010-07-16 2015-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015144279A (ja) * 2010-09-14 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015146422A (ja) * 2010-09-13 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置の作製方法
US9142593B2 (en) 2013-08-30 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2015167063A (ja) * 2010-08-16 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
JP2015167262A (ja) * 2015-06-22 2015-09-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015188116A (ja) * 2010-12-28 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9190475B2 (en) 2012-09-14 2015-11-17 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2016015502A (ja) * 2011-01-26 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9275987B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016034034A (ja) * 2011-04-29 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP2016036052A (ja) * 2012-04-25 2016-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016042577A (ja) * 2014-08-18 2016-03-31 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 薄膜トランジスタ及び表示パネル
US9331071B2 (en) 2012-09-05 2016-05-03 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016072633A (ja) * 2014-10-01 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 配線層およびその作製方法
JP2016131261A (ja) * 2011-05-13 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016149580A (ja) * 2011-04-22 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016149771A (ja) * 2011-04-29 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2016157974A (ja) * 2016-04-28 2016-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2016178318A (ja) * 2011-01-26 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016187038A (ja) * 2011-01-14 2016-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016189230A (ja) * 2011-06-10 2016-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
US9496403B2 (en) 2012-01-17 2016-11-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2016195266A (ja) * 2011-05-27 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016220251A (ja) * 2011-05-16 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP2017017743A (ja) * 2011-05-19 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP2017022383A (ja) * 2010-11-05 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017055121A (ja) * 2010-08-27 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017059291A (ja) * 2010-12-28 2017-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US9614099B2 (en) 2013-09-24 2017-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and imaging device
JP2017130703A (ja) * 2009-11-13 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9755084B2 (en) 2012-02-09 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multi-level stacked transistor device including capacitor and different semiconductor materials
JP2017168854A (ja) * 2012-06-29 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9780220B2 (en) 2014-03-31 2017-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2018019087A (ja) * 2010-08-06 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2018041943A (ja) * 2015-12-28 2018-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
JP2018050067A (ja) * 2010-12-03 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2018061059A (ja) * 2011-03-11 2018-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2018133594A (ja) * 2011-03-25 2018-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、メモリ、中央演算処理回路、半導体集積回路
KR20180119149A (ko) * 2010-11-12 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치 및 반도체 장치
KR101921334B1 (ko) * 2011-02-10 2018-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 회로
JP2020043372A (ja) * 2010-08-06 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020057820A (ja) * 2010-11-30 2020-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021103798A (ja) * 2013-10-22 2021-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021106289A (ja) * 2009-12-25 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021141340A (ja) * 2011-09-21 2021-09-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021158358A (ja) * 2009-10-30 2021-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021177554A (ja) * 2010-01-15 2021-11-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021180334A (ja) * 2010-12-28 2021-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022008336A (ja) * 2010-02-05 2022-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20220059531A1 (en) * 2009-10-30 2022-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022060359A (ja) * 2010-12-28 2022-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022082644A (ja) * 2010-09-13 2022-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
UY31232A1 (es) * 2007-07-19 2009-03-02 Compuestos derivados de dibenzotifenilamino-cromen-4-onas activas sustituidas y sus isomeros y aplicaciones
KR101591613B1 (ko) * 2009-10-21 2016-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20190006091A (ko) * 2009-10-29 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055660A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2502272B1 (en) 2009-11-20 2015-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
CN102668063B (zh) 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101811999B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
KR101803254B1 (ko) 2009-11-27 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2510541A4 (en) * 2009-12-11 2016-04-13 Semiconductor Energy Lab NONVOLATILE LATCH CIRCUIT, LOGIC CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
CN102668377B (zh) 2009-12-18 2015-04-08 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
EP2513966B1 (en) 2009-12-18 2020-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101866734B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101870119B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2519969A4 (en) 2009-12-28 2016-07-06 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
KR101848516B1 (ko) 2010-01-15 2018-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101698537B1 (ko) * 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102714208B (zh) * 2010-01-15 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011089835A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
KR102542681B1 (ko) 2010-01-20 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
CN102714496B (zh) 2010-01-20 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20180043383A (ko) * 2010-01-22 2018-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR101948707B1 (ko) * 2010-01-29 2019-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR102094131B1 (ko) * 2010-02-05 2020-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 구동하는 방법
KR101921618B1 (ko) * 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011096270A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096277A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011099360A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR101811204B1 (ko) 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102049472B1 (ko) 2010-02-19 2019-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102206A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device, driving method thereof, and method for manufacturing semiconductor device
CN102754162B (zh) * 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
WO2011105310A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
KR102341927B1 (ko) * 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE112011100841B4 (de) * 2010-03-08 2021-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung
KR102220018B1 (ko) 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR101823853B1 (ko) * 2010-03-12 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
WO2011114919A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011114868A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152233A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5705559B2 (ja) * 2010-06-22 2015-04-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
TWI541782B (zh) * 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5735872B2 (ja) 2010-07-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101920709B1 (ko) * 2010-07-30 2018-11-22 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8339837B2 (en) 2010-08-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029637A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20130102581A (ko) 2010-09-03 2013-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2012079399A (ja) 2010-09-10 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8922236B2 (en) 2010-09-10 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8686415B2 (en) 2010-12-17 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9024317B2 (en) * 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US8735892B2 (en) 2010-12-28 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using oxide semiconductor
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621121B (zh) 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
JP6023453B2 (ja) 2011-04-15 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
US9654107B2 (en) 2012-04-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable LSI
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8975918B2 (en) 2012-05-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lookup table and programmable logic device including lookup table
SG10201608665WA (en) 2012-05-02 2016-12-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Programmable logic device
TWI595502B (zh) 2012-05-18 2017-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和用於驅動記憶體裝置的方法
US9571103B2 (en) 2012-05-25 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lookup table and programmable logic device including lookup table
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR102107591B1 (ko) 2012-07-18 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 프로그래머블 로직 디바이스
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6113500B2 (ja) * 2012-12-27 2017-04-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9612795B2 (en) 2013-03-14 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, data processing method, and computer program
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
US9106223B2 (en) 2013-05-20 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9378844B2 (en) 2013-07-31 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor whose gate is electrically connected to capacitor
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) * 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015046025A1 (en) 2013-09-26 2015-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2884542A3 (en) * 2013-12-10 2015-09-02 IMEC vzw Integrated circuit device with power gating switch in back end of line
US9406348B2 (en) 2013-12-26 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory cell including transistor and capacitor
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2015170220A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9633710B2 (en) 2015-01-23 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating semiconductor device
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
TWI739796B (zh) 2016-02-12 2021-09-21 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置及半導體晶圓
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
US10008502B2 (en) 2016-05-04 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9998119B2 (en) 2016-05-20 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2018004537A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 Intel Corporation Integration of single crystalline transistors in back end of line (beol)
US10490116B2 (en) 2016-07-06 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and display system
TW201804613A (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 聯華電子股份有限公司 氧化物半導體裝置
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10147722B2 (en) * 2016-08-12 2018-12-04 Renesas Electronics America Inc. Isolated circuit formed during back end of line process
KR102420735B1 (ko) 2016-08-19 2022-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 전원 제어 방법
WO2018047035A1 (en) 2016-09-12 2018-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device, driving method thereof, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10446681B2 (en) * 2017-07-10 2019-10-15 Micron Technology, Inc. NAND memory arrays, and devices comprising semiconductor channel material and nitrogen
JP2019067938A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
US10559466B2 (en) 2017-12-27 2020-02-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming a channel region of a transistor and methods used in forming a memory array
US10297611B1 (en) 2017-12-27 2019-05-21 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
US10147614B1 (en) * 2018-01-08 2018-12-04 United Microelectronics Corp. Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
US20210399136A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US12040333B2 (en) 2020-08-27 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
JP2022049604A (ja) 2020-09-16 2022-03-29 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体記憶装置
US11538919B2 (en) 2021-02-23 2022-12-27 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766427A (ja) * 1993-08-19 1995-03-10 Gold Star Electron Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP2005166757A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 配線構造体、配線構造体の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法、及び表示装置
JP2006210828A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2007250983A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2008283013A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Sony Corp 半導体装置およびその駆動方法、表示装置およびその駆動方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0469215B1 (en) 1990-07-31 1995-11-22 International Business Machines Corporation Method of forming stacked tungsten gate PFET devices and structures resulting therefrom
JP3015186B2 (ja) 1991-03-28 2000-03-06 三菱電機株式会社 半導体記憶装置とそのデータの読み出しおよび書き込み方法
JPH0513718A (ja) 1991-06-28 1993-01-22 Sony Corp 半導体メモリ装置及びその製法
EP0585059B1 (en) * 1992-08-21 1999-05-12 STMicroelectronics, Inc. Vertical memory cell processing and structure manufactured by that processing
JPH10200125A (ja) 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3085530B2 (ja) 1998-11-18 2000-09-11 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2001274409A (ja) 2000-03-28 2001-10-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びそれを用いた表示装置
JP2001284449A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP4425432B2 (ja) * 2000-06-20 2010-03-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002050704A (ja) 2000-08-01 2002-02-15 Sony Corp メモリ素子およびその製造方法並びに集積回路
JP2001066757A (ja) 2000-08-07 2001-03-16 Seiko Epson Corp 露光方法
JP2002353167A (ja) 2001-05-29 2002-12-06 Sharp Corp 金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板
US7045861B2 (en) * 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
JP2004221242A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2005038884A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US7876488B2 (en) * 2003-11-01 2011-01-25 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device having vertical hinge
US20060019493A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-26 Li Wei M Methods of metallization for microelectronic devices utilizing metal oxide
JP4175650B2 (ja) * 2004-08-26 2008-11-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4687259B2 (ja) * 2005-06-10 2011-05-25 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP2007300012A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Seiko Epson Corp 金属配線形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、デバイス及び電気光学装置並びに電子機器
JP4785623B2 (ja) * 2006-05-31 2011-10-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4909032B2 (ja) * 2006-11-30 2012-04-04 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US7744078B2 (en) * 2007-01-30 2010-06-29 Eastman Kodak Company Methods and apparatus for storing slip-sheets
JP4294696B2 (ja) 2007-02-02 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置、ならびに記憶媒体
WO2008117679A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-02 Nec Corporation 抵抗変化素子およびその製造方法、並びに電子デバイス
KR101627728B1 (ko) * 2008-12-30 2016-06-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CZ303565B6 (cs) 2010-04-16 2012-12-12 Kultivacní puda pro kultivaci a identifikaci bakterií rodu Pectinatus a zpusob odberu steru odberovými tycinkami

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766427A (ja) * 1993-08-19 1995-03-10 Gold Star Electron Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP2005166757A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 配線構造体、配線構造体の形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの形成方法、及び表示装置
JP2006210828A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2007250983A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2008283013A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Sony Corp 半導体装置およびその駆動方法、表示装置およびその駆動方法

Cited By (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7174096B2 (ja) 2009-10-30 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20110101333A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021158358A (ja) * 2009-10-30 2021-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20220059531A1 (en) * 2009-10-30 2022-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017130703A (ja) * 2009-11-13 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021106289A (ja) * 2009-12-25 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7078772B2 (ja) 2009-12-25 2022-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7185731B2 (ja) 2010-01-15 2022-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021177554A (ja) * 2010-01-15 2021-11-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7030234B2 (ja) 2010-02-05 2022-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022008336A (ja) * 2010-02-05 2022-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019179925A (ja) * 2010-07-02 2019-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016076714A (ja) * 2010-07-02 2016-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9780093B2 (en) 2010-07-02 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10319723B2 (en) 2010-07-02 2019-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015039006A (ja) * 2010-07-02 2015-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11233055B2 (en) 2010-07-02 2022-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017022412A (ja) * 2010-07-02 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012033906A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015111681A (ja) * 2010-07-16 2015-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016195260A (ja) * 2010-07-16 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2012049515A (ja) * 2010-07-28 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
TWI565001B (zh) * 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP2020043372A (ja) * 2010-08-06 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018019087A (ja) * 2010-08-06 2018-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015167063A (ja) * 2010-08-16 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
US10297322B2 (en) 2010-08-27 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device with a driving circuit comprising transistors each having two gate electrodes and an oxide semiconductor layer
JP2017055121A (ja) * 2010-08-27 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018082189A (ja) * 2010-09-13 2018-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP7300031B2 (ja) 2010-09-13 2023-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015146422A (ja) * 2010-09-13 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置の作製方法
JP7514980B2 (ja) 2010-09-13 2024-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022082644A (ja) * 2010-09-13 2022-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015144279A (ja) * 2010-09-14 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10236033B2 (en) 2010-09-14 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP2021090073A (ja) * 2010-09-14 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10665270B2 (en) 2010-09-14 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising stacked memory cell
JP2019134174A (ja) * 2010-09-14 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023016910A (ja) * 2010-09-14 2023-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9299393B2 (en) 2010-09-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US11568902B2 (en) 2010-09-14 2023-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistors with different channel-formation materials
US12040042B2 (en) 2010-09-14 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor
JP7186814B2 (ja) 2010-09-14 2022-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7447228B2 (ja) 2010-09-14 2024-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPWO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2014-02-24 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
WO2012053161A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法およびその方法により製造された薄膜トランジスタ基板
US9461047B2 (en) 2010-11-05 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017022383A (ja) * 2010-11-05 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2013008937A (ja) * 2010-11-05 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2012104639A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Toshiba Mobile Display Co Ltd 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法
US10811522B2 (en) 2010-11-11 2020-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP7159389B2 (ja) 2010-11-11 2022-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2012119667A (ja) * 2010-11-11 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2020036032A (ja) * 2010-11-11 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021122057A (ja) * 2010-11-11 2021-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US10153360B2 (en) 2010-11-11 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9673305B2 (en) 2010-11-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2018117162A (ja) * 2010-11-11 2018-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11631756B2 (en) 2010-11-11 2023-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20180119149A (ko) * 2010-11-12 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치 및 반도체 장치
KR102009317B1 (ko) * 2010-11-12 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치 및 반도체 장치
US8575604B2 (en) 2010-11-19 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP2020057820A (ja) * 2010-11-30 2020-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018050067A (ja) * 2010-12-03 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2019024136A (ja) * 2010-12-28 2019-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016213506A (ja) * 2010-12-28 2016-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11923249B2 (en) 2010-12-28 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2017059291A (ja) * 2010-12-28 2017-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR20180134815A (ko) * 2010-12-28 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101905186B1 (ko) * 2010-12-28 2018-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US11430896B2 (en) 2010-12-28 2022-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP7083881B2 (ja) 2010-12-28 2022-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022063362A (ja) * 2010-12-28 2022-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11670721B2 (en) 2010-12-28 2023-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2022060359A (ja) * 2010-12-28 2022-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9780225B2 (en) 2010-12-28 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9954004B2 (en) 2010-12-28 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021180334A (ja) * 2010-12-28 2021-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101987638B1 (ko) 2010-12-28 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120092002A (ko) * 2010-12-28 2012-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2012151461A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP2021013041A (ja) * 2010-12-28 2021-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10886414B2 (en) 2010-12-28 2021-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015188116A (ja) * 2010-12-28 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10522692B2 (en) 2010-12-28 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012160721A (ja) * 2011-01-13 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP2017017329A (ja) * 2011-01-13 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の作製方法
JP2016187038A (ja) * 2011-01-14 2016-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10249626B2 (en) 2011-01-14 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including multilayer wiring layer
US10763261B2 (en) 2011-01-14 2020-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising memory cell over driver
US9786668B2 (en) 2011-01-14 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including multilayer wiring layer
US11805637B2 (en) 2011-01-14 2023-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first and second conductors
JP2012160718A (ja) * 2011-01-14 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
JP2018110267A (ja) * 2011-01-14 2018-07-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US11139301B2 (en) 2011-01-14 2021-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including side surface conductor contact
US9337345B2 (en) 2011-01-14 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including multilayer wiring layer
JP2017011299A (ja) * 2011-01-14 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP2016015502A (ja) * 2011-01-26 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP2016178318A (ja) * 2011-01-26 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017163152A (ja) * 2011-01-26 2017-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012256835A (ja) * 2011-01-26 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9761588B2 (en) 2011-01-26 2017-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a wide-gap semiconductor layer in an insulating trench
JP2021090069A (ja) * 2011-01-26 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP2017152737A (ja) * 2011-01-26 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP2019091909A (ja) * 2011-01-26 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路の作製方法
KR101913427B1 (ko) * 2011-01-26 2018-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 일시 기억 회로, 기억 장치, 신호 처리 회로
JP7045501B2 (ja) 2011-01-26 2022-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP2012178555A (ja) * 2011-02-02 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体メモリ装置
KR101921334B1 (ko) * 2011-02-10 2018-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 회로
US9257432B2 (en) 2011-02-17 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device
JP2012186468A (ja) * 2011-02-17 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体メモリ装置および半導体メモリ装置の作製方法
US9530769B2 (en) 2011-03-09 2016-12-27 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area
KR101862900B1 (ko) * 2011-03-09 2018-05-30 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
US9263399B2 (en) 2011-03-09 2016-02-16 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area
CN103415920A (zh) * 2011-03-09 2013-11-27 瑞萨电子株式会社 半导体器件
TWI552301B (zh) * 2011-03-09 2016-10-01 瑞薩電子股份有限公司 半導體裝置
JP2012199542A (ja) * 2011-03-10 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2018061059A (ja) * 2011-03-11 2018-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2012209547A (ja) * 2011-03-16 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2018133594A (ja) * 2011-03-25 2018-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、メモリ、中央演算処理回路、半導体集積回路
JP2012256406A (ja) * 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
JP2017107633A (ja) * 2011-04-08 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10079295B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
JP2016149580A (ja) * 2011-04-22 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101999962B1 (ko) * 2011-04-22 2019-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 기억 장치
KR20120120066A (ko) * 2011-04-22 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 기억 장치
JP2016034034A (ja) * 2011-04-29 2016-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP2016149771A (ja) * 2011-04-29 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
JP2016131261A (ja) * 2011-05-13 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016220251A (ja) * 2011-05-16 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP2012256877A (ja) * 2011-05-19 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置およびその作製方法
JP2017017743A (ja) * 2011-05-19 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
KR102035988B1 (ko) 2011-05-19 2019-10-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 제작 방법
US9900007B2 (en) 2011-05-19 2018-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR20120129785A (ko) * 2011-05-19 2012-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 제작 방법
US9748400B2 (en) 2011-05-20 2017-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8698521B2 (en) 2011-05-20 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012248582A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9349844B2 (en) 2011-05-25 2016-05-24 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device manufacturing method
US8901553B2 (en) 2011-05-25 2014-12-02 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016195266A (ja) * 2011-05-27 2016-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10192990B2 (en) 2011-06-10 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP7163517B2 (ja) 2011-06-10 2022-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016189230A (ja) * 2011-06-10 2016-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
JP2013016785A (ja) * 2011-06-10 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2022058728A (ja) * 2011-06-10 2022-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018148221A (ja) * 2011-06-10 2018-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017085159A (ja) * 2011-06-10 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023009059A (ja) * 2011-06-10 2023-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019149575A (ja) * 2011-06-10 2019-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013038349A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8664769B2 (en) 2011-08-10 2014-03-04 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2013055080A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Japan Display East Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
JP2013077812A (ja) * 2011-09-13 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2021141340A (ja) * 2011-09-21 2021-09-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9337187B2 (en) 2011-09-29 2016-05-10 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US9035360B2 (en) 2011-09-29 2015-05-19 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and SiP device using the same
JP2013168631A (ja) * 2011-12-09 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
TWI566362B (zh) * 2011-12-14 2017-01-11 瑞薩電子股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
US9362318B2 (en) 2011-12-14 2016-06-07 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
JP2013125826A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9053961B2 (en) 2011-12-14 2015-06-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8779594B2 (en) 2011-12-16 2014-07-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having multi-layered interconnect structure
JP2013125917A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9048291B2 (en) 2011-12-16 2015-06-02 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having multi-layered interconnect structure
US9496403B2 (en) 2012-01-17 2016-11-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2013175708A (ja) * 2012-01-23 2013-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2017118126A (ja) * 2012-01-23 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013161878A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置、および半導体装置の製造方法
US9153588B2 (en) 2012-02-02 2015-10-06 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US9368403B2 (en) 2012-02-02 2016-06-14 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing a semiconductor device
US9000540B2 (en) 2012-02-02 2015-04-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
US9755084B2 (en) 2012-02-09 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multi-level stacked transistor device including capacitor and different semiconductor materials
JP2016036052A (ja) * 2012-04-25 2016-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9748292B2 (en) 2012-04-25 2017-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
JP2013254945A (ja) * 2012-05-11 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013247143A (ja) * 2012-05-23 2013-12-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014003184A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 積層型半導体装置及びその製造方法
WO2013190863A1 (ja) * 2012-06-19 2013-12-27 独立行政法人産業技術総合研究所 積層型半導体装置及びその製造方法
US9721951B2 (en) 2012-06-19 2017-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device using Ge channel and manufacturing method thereof
US10811521B2 (en) 2012-06-29 2020-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2017168854A (ja) * 2012-06-29 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US11393918B2 (en) 2012-06-29 2022-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2014045009A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9082643B2 (en) 2012-08-24 2015-07-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9230865B2 (en) 2012-08-24 2016-01-05 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9680031B2 (en) 2012-09-05 2017-06-13 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9331071B2 (en) 2012-09-05 2016-05-03 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9190475B2 (en) 2012-09-14 2015-11-17 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9356026B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9275987B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014187181A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US9142593B2 (en) 2013-08-30 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2015056566A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ、表示装置用電極基板およびそれらの製造方法
US9293600B2 (en) 2013-09-24 2016-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor element, display device, method for manufacturing semiconductor element, and method for manufacturing display device
US9614099B2 (en) 2013-09-24 2017-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and imaging device
JP2015065202A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 株式会社東芝 半導体素子、表示装置、半導体素子の製造方法及び表示装置の製造方法
JP2021103798A (ja) * 2013-10-22 2021-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7066894B2 (ja) 2013-10-22 2022-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9780220B2 (en) 2014-03-31 2017-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2016042577A (ja) * 2014-08-18 2016-03-31 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 薄膜トランジスタ及び表示パネル
US11211408B2 (en) 2014-10-01 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring layer and manufacturing method therefor
KR20230002234A (ko) * 2014-10-01 2023-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10644039B2 (en) 2014-10-01 2020-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring layer and manufacturing method therefor
JP2016072633A (ja) * 2014-10-01 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 配線層およびその作製方法
US11616085B2 (en) 2014-10-01 2023-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring layer and manufacturing method therefor
KR102680339B1 (ko) 2014-10-01 2024-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US11901372B2 (en) 2014-10-01 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring layer and manufacturing method therefor
JP2015167262A (ja) * 2015-06-22 2015-09-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018041943A (ja) * 2015-12-28 2018-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
US11239273B2 (en) 2015-12-28 2022-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US11942497B2 (en) 2015-12-28 2024-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10910427B2 (en) 2015-12-28 2021-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US11626439B2 (en) 2015-12-28 2023-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP2016157974A (ja) * 2016-04-28 2016-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150287832A1 (en) 2015-10-08
US8378341B2 (en) 2013-02-19
US9129937B2 (en) 2015-09-08
US9754816B2 (en) 2017-09-05
US9312394B2 (en) 2016-04-12
US20160211173A1 (en) 2016-07-21
US20100148171A1 (en) 2010-06-17
JP5781720B2 (ja) 2015-09-24
US20130134418A1 (en) 2013-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5781720B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5705559B2 (ja) 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP5981711B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101129919B1 (ko) 반도체 소자 및 그의 형성 방법
JP5731904B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI503979B (zh) 包含一場效電晶體於一覆矽的絕緣層構造的半導體裝置
JP6208971B2 (ja) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US9362318B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
CN103632921B (zh) 半导体器件及其制造方法
KR20070029830A (ko) 집적 회로 및 그 형성 방법
TWI256072B (en) Semiconductor integrated circuits with stacked node contact structures and methods of fabricating such devices
KR20140031797A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9166057B2 (en) Semiconductor device having the bottom gate type transistor formed in a wiring layer
JP5856227B2 (ja) 半導体装置
JP2020205402A5 (ja)
JP2018067664A (ja) 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム
US20050205938A1 (en) Semiconductor device and method of manufacture the same
US20160013214A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US11955561B2 (en) Carrier modification devices for avoiding channel length reduction and methods for fabricating the same
US20230290855A1 (en) Transistor structure having an air spacer and method for making the same
JP6072858B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130813

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5781720

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150