JP2009105473A - 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法、露光システム Download PDF

Info

Publication number
JP2009105473A
JP2009105473A JP2009035767A JP2009035767A JP2009105473A JP 2009105473 A JP2009105473 A JP 2009105473A JP 2009035767 A JP2009035767 A JP 2009035767A JP 2009035767 A JP2009035767 A JP 2009035767A JP 2009105473 A JP2009105473 A JP 2009105473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
exposure
stage
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009035767A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4525827B2 (ja
Inventor
Nobutaka Umagome
伸貴 馬込
Hiroaki Takaiwa
宏明 高岩
Masaru Arai
大 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2009035767A priority Critical patent/JP4525827B2/ja
Publication of JP2009105473A publication Critical patent/JP2009105473A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4525827B2 publication Critical patent/JP4525827B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、露光後に基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる装置、その装置を組み込んだ露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する。露光装置は、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、投影光学系によって投影したパターン像で基板を露光するための露光装置、この露光装置に用いられる液体除去装置並びにこの露光装置を用いるデバイス製造方法、露光システムに関するものである。
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、ＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ … （１）
δ＝±ｋ２・λ／ＮＡ２ … （２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１、ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
ところで、上記液浸法を用いて基板を露光処理した場合、露光処理後において基板の表面に液体が残存する場合がある。この残存する液体を基板に付着させた状態で搬送すると、搬送中において液体が基板から落下し、落下した液体により搬送経路周辺の各装置や部材が錆びたり、露光装置が配置されている環境のクリーン度を維持できなくなる等の不都合が生じる。あるいは、落下した液体により露光装置周辺の環境変化（湿度変化）をもたらす場合もある。湿度変化が生じると、例えばステージ位置計測に用いる光干渉計の光路上の空気に揺らぎが生じ、ステージ位置計測が精度良く行われなくなり、所望のパターン転写精度が得られなくなるという問題が生じる。また、露光処理後において基板に液体を付着させた状態で例えば現像処理が実行されると、所望の性能を有するデバイスが製造できなくなるおそれが生じる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、露光後に基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる装置、その装置を組み込んだ露光装置、並びにこの露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の態様に従えば、パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本発明の第３の態様に従えば、第１の態様の露光装置と、露光した基板を処理を行う処理装置とを備える露光システムが提供される。
本発明によれば、露光処理環境変動や周囲への液体の飛散を防止できる。したがって、この環境変動や液体飛散に基づく露光処理精度の低下を防止し、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。また、液体や異物が付着していない基板を露光装置から送り出すことができるため、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの一実施形態を示す概略構成図である。 図１を上方から見た図である。 露光処理を行う露光装置本体の一実施形態を示す概略構成図である。 供給ノズル及び回収ノズルの配置例を示す図である。 本発明に係る液体除去装置の一実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの他の実施形態を示す概略構成図である。 本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの他の実施形態を示す概略構成図である。 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
第１実施形態
以下、本発明の露光装置及びデバイス製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す図であって側方から見た概略構成図、図２は図１を上方から見た図である。
図１、図２において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳと、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとを備えている。露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの接続部を形成するインターフェース部ＩＦと、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体５０で満たし、投影光学系ＰＬと液体５０とを介してパターンの像を基板Ｐ上に投影して基板Ｐを露光する露光装置本体ＥＸと、インターフェース部ＩＦと露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する搬送システムＨと、搬送システムＨの搬送経路の途中に設けられ、露光処理後の基板Ｐに付着した液体を除去する液体除去装置１００と、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳは、露光処理される前の基板Ｐの基材に対してフォトレジスト（感光剤）を塗布する塗布装置Ｃと、露光装置本体ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐを現像処理する現像装置（処理装置）Ｄとを備えている。露光装置本体ＥＸはクリーン度が管理された第１チャンバ装置ＣＨ１内部に配置されている。一方、塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄは第１チャンバ装置ＣＨ１とは別の第２チャンバ装置ＣＨ２内部に配置されている。そして、露光装置本体ＥＸを収容する第１チャンバ装置ＣＨ１と、塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄを収容する第２チャンバ装置ＣＨ２とは、インターフェース部ＩＦを介して接続されている。ここで、以下の説明において、第２チャンバ装置ＣＨ２内部に収容されている塗布装置Ｃ及び現像装置Ｄを合わせて「コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ」と適宜称する。
図１に示すように、露光装置本体ＥＸは、露光光ＥＬでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴとを備えている。本実施形態における露光装置本体ＥＸは２つの基板ステージＰＳＴ１，ＰＳＴ２を有する所謂ツインステージシステムを採用している。ツインステージシステムの具体的な構成としては、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０,６３４号等の文献に開示されており、それらを参照することができる。それらの米国特許を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。本発明では、上記文献に開示されているツインステージシステムを採用することができる。また、本実施形態における露光装置本体ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
搬送システムＨは、露光処理される前の基板Ｐを基板ステージＰＳＴに搬入（ロード）する第１搬送装置Ｈ１と、露光処理された後の基板Ｐを基板ステージＰＳＴから搬出（アンロード）し、液体除去装置１００まで搬送する第２搬送装置Ｈ２と、液体除去装置１００とインターフェース部ＩＦとの間で基板Ｐを搬送する第３搬送装置Ｈ３とを備えている。第１、第２、第３搬送装置Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられている。コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ（塗布装置Ｃ）でフォトレジストの塗布処理を施された基板Ｐはインターフェース部ＩＦを介して第３搬送装置Ｈ３に渡される。ここで、第１、第２チャンバ装置ＣＨ１、ＣＨ２それぞれのインターフェース部ＩＦと対面する部分には開口部及びこの開口部を開閉するシャッタが設けられている。基板Ｐのインターフェース部ＩＦに対する搬送動作中にはシャッタが開放される。第３搬送装置Ｈ３は露光処理される前の基板Ｐを液体除去装置１００を介して第１搬送装置Ｈ１に渡す。なお、第３搬送装置Ｈ３から第１搬送装置Ｈ１に基板Ｐを渡す際、液体除去装置１００を介さずに、不図示の別の搬送装置や中継装置を介して第１搬送装置Ｈ１に渡してもよい。第１搬送装置Ｈ１は渡された基板Ｐを露光装置本体ＥＸの基板ステージＰＳＴにロードする。露光処理された後の基板Ｐは第２搬送装置Ｈ２により基板ステージＰＳＴからアンロードされる。第２搬送装置Ｈ２はアンロードした基板Ｐを液体除去装置１００を介して第３搬送装置Ｈ３に渡す。第３搬送装置Ｈ３で搬送された基板Ｐはインターフェース部ＩＦを介してコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ（現像装置Ｄ）に運ばれる。現像装置Ｄは渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。
なお、露光処理される前の濡れていない基板Ｐを基板ステージＰＳＴに搬入する第１搬送装置Ｈ１と、露光処理された後の濡れている可能性のある基板Ｐを基板ステージＰＳＴから搬出する第２搬送装置Ｈ２とを使い分けているので、第１搬送装置（搬送部材）Ｈ１に液体が付着することがなく、第１搬送装置Ｈ１で搬送される基板Ｐの裏面などへの液体の付着を防止することができる。
図３は、露光装置本体ＥＸの概略構成図である。照明光学系ＩＬは、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。
マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを支持するものであって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより駆動される。マスクステージ駆動装置ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭの位置決めを行う。
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子（レンズ）で構成されており、これら光学素子は金属部材としての鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよいし、ミラーを使って構成してもよい。また、本実施形態の投影光学系ＰＬの先端側（基板Ｐ側）には、光学素子（レンズ）６０が鏡筒ＰＫより露出している。
この光学素子６０は鏡筒ＰＫに対して着脱（交換）可能に設けられている。
基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基板ホルダを介して保持するＺステージ５１と、Ｚステージ５１を支持するＸＹステージ５２と、ＸＹステージ５２を支持するベース５３とを備えている。基板ステージＰＳＴはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。Ｚステージ５１を駆動することにより、Ｚステージ５１に保持されている基板ＰのＺ軸方向における位置（フォーカス位置）、及びθＸ、θＹ方向における位置が制御される。また、ＸＹステージ５２を駆動することにより、基板ＰのＸＹ方向における位置（投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、Ｚステージ５１は、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ５２は基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置決めを行う。なお、ＺステージとＸＹステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。
基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５１）上には移動鏡５４が設けられている。また、移動鏡５４に対向する位置にはレーザ干渉計５５が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５５によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５５の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動することで基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの位置決めを行う。
本実施形態では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に転写している間は、基板Ｐの表面と投影光学系ＰＬの基板Ｐ側の光学素子（レンズ）６０の先端面（下面）７との間に所定の液体５０が満たされる。上述したように、投影光学系ＰＬの先端側にはレンズ６０が露出しており、液体５０はレンズ６０のみに接触するように構成されている。これにより、金属からなる鏡筒ＰＫの腐蝕等が防止されている。本実施形態において、液体５０には純水が用いられる。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、露光光ＥＬを例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）とした場合、この露光光ＥＬを透過可能である。
露光装置本体ＥＸは、投影光学系ＰＬの先端面（レンズ６０の先端面）７と基板Ｐとの間の空間５６に所定の液体５０を供給する液体供給装置１と、空間５６の液体５０を回収する液体回収装置２とを備えている。液体供給装置１は、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の少なくとも一部を液体５０で満たすためのものであって、液体５０を収容するタンク、加圧ポンプなどを備えている。液体供給装置１には供給管３の一端部が接続され、供給管３の他端部には供給ノズル４が接続されている。液体供給装置１は供給管３及び供給ノズル４を介して空間５６に液体５０を供給する。
液体回収装置２は、吸引ポンプ、回収した液体５０を収容するタンクなどを備えている。液体回収装置２には回収管６の一端部が接続され、回収管６の他端部には回収ノズル５が接続されている。液体回収装置２は回収ノズル５及び回収管６を介して空間５６の液体５０を回収する。空間５６に液体５０を満たす際、制御装置ＣＯＮＴは液体供給装置１を駆動し、供給管３及び供給ノズル４を介して空間５６に対して単位時間当たり所定量の液体５０を供給するとともに、液体回収装置２を駆動し、回収ノズル５及び回収管６を介して単位時間当たり所定量の液体５０を空間５６より回収する。これにより、投影光学系ＰＬの先端面７と基板Ｐとの間の空間５６に液体５０が配置される。
投影光学系ＰＬの最下端のレンズ６０は、先端部６０Ａが走査方向に必要な部分だけを残してＹ軸方向（非走査方向）に細長い矩形状に形成されている。走査露光時には、先端部６０Ａの直下の矩形の投影領域にマスクＭの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬに対して、マスクＭが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ＸＹステージ５２を介して基板Ｐが＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。そして、１つのショット領域への露光終了後に、基板Ｐのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で各ショット領域に対する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板Ｐの移動方向と平行に基板の移動方向と同一方向に液体５０を流すように設定されている。
図４は、投影光学系ＰＬのレンズ６０の先端部６０Ａと、液体５０をＸ軸方向に供給する供給ノズル４（４Ａ〜４Ｃ）と、液体５０を回収する回収ノズル５（５Ａ、５Ｂ）との位置関係を示す図である。図４において、レンズ６０の先端部６０Ａの形状はＹ軸方向に細長い矩形状となっており、投影光学系ＰＬのレンズ６０の先端部６０ＡをＸ軸方向に挟むように、＋Ｘ方向側に３つの供給ノズル４Ａ〜４Ｃが配置され、−Ｘ方向側に２つの回収ノズル５Ａ、５Ｂが配置されている。そして、供給ノズル４Ａ〜４Ｃは供給管３を介して液体供給装置１に接続され、回収ノズル５Ａ、５Ｂは回収管４を介して液体回収装置２に接続されている。また、供給ノズル４Ａ〜４Ｃと回収ノズル５Ａ、５Ｂとを先端部６０Ａの中心に対してほぼ１８０°回転した位置に、供給ノズル８Ａ〜８Ｃと、回収ノズル９Ａ、９Ｂとが配置されている。供給ノズル４Ａ〜４Ｃと回収ノズル９Ａ、９ＢとはＹ軸方向に交互に配列され、供給ノズル８Ａ〜８Ｃと回収ノズル５Ａ、５ＢとはＹ軸方向に交互に配列され、供給ノズル８Ａ〜８Ｃは供給管１０を介して液体供給装置１に接続され、回収ノズル９Ａ、９Ｂは回収管１１を介して液体回収装置２に接続されている。なおノズルからの液体供給は、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に気体部分が生じないように行う必要がある。
露光装置本体ＥＸにおいて、矢印Ｘａ（図４参照）で示す走査方向（−Ｘ方向）に基板Ｐを移動させて走査露光を行う場合には、供給管３、供給ノズル４Ａ〜４Ｃ、回収管４、及び回収ノズル５Ａ、５Ｂを用いて、液体供給装置１及び液体回収装置２により液体５０の供給及び回収が行われる。すなわち、基板Ｐが−Ｘ方向に移動する際には、供給管３及び供給ノズル４（４Ａ〜４Ｃ）を介して液体供給装置１から液体５０が投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に供給されるとともに、回収ノズル５（５Ａ、５Ｂ）、及び回収管６を介して液体５０が液体回収装置２に回収され、レンズ６０と基板Ｐとの間を満たすように−Ｘ方向に液体５０が流れる。一方、矢印Ｘｂで示す走査方向（＋Ｘ方向）に基板Ｐを移動させて走査露光を行う場合には、供給管１０、供給ノズル８Ａ〜８Ｃ、回収管１１、及び回収ノズル９Ａ、９Ｂを用いて、液体供給装置１及び液体回収装置２により液体５０の供給及び回収が行われる。すなわち、基板Ｐが＋Ｘ方向に移動する際には、供給管１０及び供給ノズル８（８Ａ〜８Ｃ）を介して液体供給装置１から液体５０が投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に供給されるとともに、回収ノズル９（９Ａ、９Ｂ）、及び回収管１１を介して液体５０が液体回収装置２に回収され、レンズ６０と基板Ｐとの間を満たすように＋Ｘ方向に液体５０が流れる。このように、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給装置１及び液体回収装置２を用いて、基板Ｐの移動方向に沿って液体５０を流す。この場合、例えば液体供給装置１から供給ノズル４を介して供給される液体５０は基板Ｐの−Ｘ方向への移動に伴って空間５６に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置１の供給エネルギーが小さくでも液体５０を空間５６に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体５０を流す方向を切り替えることにより、＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のどちらの方向に基板Ｐを走査する場合にも、レンズ６０の先端面７と基板Ｐとの間を液体５０で満たすことができ、高い解像度及び広い焦点深度を得ることができる。
次に、図５を参照しながら第１実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置１００について説明する。液体除去装置１００は搬送システムＨの搬送経路の途中に設けられ、液浸法により露光処理された後の基板Ｐに付着している液体５０を除去するものである。本実施形態において、液体除去装置１００は第２搬送装置Ｈ２と第３搬送装置Ｈ３との間に設けられている。液体除去装置１００は、ステージ装置２０と、ステージ装置２０に設けられ、基板Ｐの下面中央部を保持するホルダ部２１と、基板Ｐを保持したホルダ部２１を回転する回転機構２２とを備えている。ホルダ部２１の上面にはバキューム装置の一部を構成する真空吸着孔が設けられており、ホルダ部２１は基板Ｐの下面中央部を吸着保持する。回転機構２２はステージ装置２０内部に設けられたモータにより構成されており、ホルダ部２１に接続された軸部２３を回転することでホルダ部２１を回転する。そして、ステージ装置２０、ホルダ部２１、及び回転機構２２はカバー機構であるチャンバ２５内部に設けられており、チャンバ２５には流路２８を介して液体吸引装置２９が設けられている。流路２８にはバルブ２８Ａが設けられている。
ホルダ部２１は軸部２３とともにステージ装置２０の上面に対して昇降可能に設けられている。基板Ｐを保持したホルダ部２１がステージ装置２０に対して上昇したとき、基板Ｐはステージ装置２０より離れ、回転機構２２の駆動により回転可能となる。一方、ホルダ部２１が下降しているときは基板Ｐはステージ装置２０の上面に設けられている第２ホルダ部２４により保持される。
チャンバ２５は、第２搬送装置Ｈ２側に形成された第１開口部２６と、第３搬送装置Ｈ３側に形成された第２開口部２７とを備えている。第１開口部２６には、この第１開口部２６を開閉する第１シャッタ２６Ａが設けられ、第２開口部２７には、この第２開口部２７を開閉する第２シャッタ２７Ａが設けられている。第１、第２シャッタ２６Ａ、２７Ａの開閉動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。第１シャッタ２６Ａが開放されると、第２搬送装置Ｈ２は第１開口部２６を介して液体除去装置１００のステージ装置２０にアクセス可能となる。すなわち、第２搬送装置Ｈ２は第１開口部２６を介して液体除去装置１００のステージ装置２０に対して基板Ｐを搬送（搬入）可能である。第３搬送装置Ｈ３は第２開口部２７を介して液体除去装置１００のステージ装置２０にアクセス可能となる。すなわち、第３搬送装置Ｈ３は第２開口部２７を介して液体除去装置１００のステージ装置２０に対して基板Ｐを搬送（搬出）可能である。一方、第１、第２シャッタ２６Ａ、２７Ａを閉じることによりチャンバ２５内部は密閉される。
次に、上述した露光装置本体ＥＸ及び液体除去装置１００を備えたデバイス製造システムＳＹＳの動作について、図１及び２を用いて説明する。
露光装置本体ＥＸにおいて、基板ステージＰＳＴ１に保持された基板Ｐは、液浸法を用いて露光され、それと並行して、基板ステージＰＳＴ２に保持された基板Ｐに対して、アライメントマークの検出や表面情報（ＡＦ（オートフォーカス）／ＡＬ（オートレベリング）情報）の計測が行われる。図１は基板ステージＰＳＴ１が露光装置本体（露光ステーション）ＥＸにおいて露光動作を行い、基板ステージＰＳＴ２が計測ステーションにおいて計測動作を行っている様子を示している。露光装置本体では、液体供給装置１の液体供給と液体回収装置２の液体回収とが行われ、投影光学系ＰＬの像面側の露光光の光路が液体５０で満たされている。基板ステージＰＳＴ１に保持された基板Ｐの露光処理が完了すると、液体供給装置１の液体供給を停止し、液体回収装置２により液体回収を行う。液体回収装置２による液体回収が終了すると、基板ステージＰＳＴ１が露光装置本体ＥＸから退避するとともに、各種計測を終えた基板ステージＰＳＴ２が露光装置本体（露光ステーション）ＥＸに投入される。基板ステージＰＳＴ１上で露光処理を終えた基板Ｐは、基板ステージＰＳＴ１より第２搬送装置Ｈ２にアンロードされる。露光処理後の基板Ｐのアンロードを終えた基板ステージＰＳＴ１は、未露光の基板Ｐを第１搬送装置Ｈ１から受け取り、計測ステーションでの各種計測を開始する。第２搬送装置Ｈ２にアンロードされた基板Ｐには液体回収装置２で回収しきれなかった液体５０がわずかに付着しており、第２搬送装置Ｈ２によって液体除去装置１００に搬送される。こうして、基板ステージＰＳＴ２に保持された基板Ｐの露光処理、及び基板ステージＰＳＴ１に保持された未露光の基板Ｐの各種計測と並行して、直前に露光処理を完了した基板Ｐに残留した液体の除去が液体除去装置１００で行われる。
なお、基板ステージＰＳＴ２に保持された基板Ｐ上に液体供給装置１から液体の供給を開始する際には、基板ステージＰＳＴ１では実質的な計測動作を行わずに、基板ステージＰＳＴ１の移動のみ、あるいは単に基板ステージＰＳＴ１を停止させておくとよい。このようにすることで、基板ステージＰＳＴ２上に液体供給装置１から液体の供給を開始する際に生じる振動が計測ステーションにおける基板ステージＰＳＴ１の計測動作に影響を及ぼすことを防止できる。また、基板ステージＰＳＴ２上への液体の供給を停止するときに、計測ステーションでの基板ステージＰＳＴ１の計測動作が完了していない場合には、液体供給を停止するときに、基板ステージＰＳＴ１では実質的な計測動作を行わずに、基板ステージＰＳＴ１の移動のみ、あるいは単に基板ステージＰＳＴ１を停止させておくようにしてもよい。
制御装置ＣＯＮＴは第２搬送装置Ｈ２の液体除去装置１００に対する接近に伴って第１シャッタ２６Ａを開放する（図５参照）。このとき、第２シャッタ２７Ａは閉じられている。第２搬送装置Ｈ２は、第１開口部２６を介して基板Ｐを液体除去装置１００のステージ装置２０に渡す。このとき、ホルダ部２１は下降しており、基板Ｐはステージ装置２０上のホルダ部２１及び第２ホルダ部２４に保持される。
第２搬送装置Ｈ２はステージ装置２０に基板Ｐを渡したら、第１開口部２６を介してチャンバ２５より退避する。第２搬送装置Ｈ２がチャンバ２５より退避したら制御装置ＣＯＮＴは第１シャッタ２６Ａを閉じる。これにより、チャンバ２５内部は密閉される。チャンバ２５内部が密閉されたら、制御装置ＣＯＮＴはホルダ部２１を上昇する。ホルダ部２１の上昇とともに、このホルダ部２１に吸着保持されている基板Ｐもステージ装置２０に対して上昇する。そして、制御装置ＣＯＮＴは回転機構２２を駆動し、ホルダ部２１を基板ＰとともにθＺ方向に回転する。回転機構２２が基板Ｐを回転することにより、基板Ｐの上下両面に付着している液体５０は遠心力の作用により基板Ｐから飛ばされる。これにより、基板Ｐに付着している液体５０が基板Ｐより除去される。ここで、基板Ｐはカバー機構としてのチャンバ２５内部に配置されているため、基板Ｐから飛ばされた液体５０は周囲に飛散しない。
基板Ｐから飛ばされた液体５０はチャンバ２５に接続されている液体吸引装置２９により回収される。液体吸引装置２９はチャンバ２５内部の気体を飛散した液体５０とともに吸引することで、基板Ｐから飛ばされた液体５０を回収する。ここで、液体吸引装置２９は、チャンバ２５内部の気体及び飛散した液体５０の吸引動作を継続的に行う。これにより、チャンバ２５の内壁や底などチャンバ２５内部に液体５０が留まらないので、チャンバ２５内部の湿度が大きく変動することはない。また、シャッタ２６Ａ、２７Ａを開放したときにも、チャンバ２５内の湿った気体がチャンバ２５の外へ流れ出ることもない。
基板Ｐを所定時間（あるいは所定回転数）回転したら、制御装置ＣＯＮＴは回転機構２２の駆動を停止し、基板Ｐをホルダ部２１とともに下降する。次いで、制御装置ＣＯＮＴは、第２シャッタ２７Ａを開放する。第２シャッタ２７Ａが開放されたら、第３搬送装置（第２搬送部材）Ｈ３が第２開口部２７を介してステージ装置２０にアクセスし、ステージ装置２０上の液体５０を除去された基板Ｐを保持する。液体除去装置１００により液体５０を除去された基板Ｐを保持した第３搬送装置Ｈ３は、チャンバ２５内部より基板Ｐを第２開口部２７を介して搬出する。
図１に示すように、液体除去装置１００により液体５０が除去された基板Ｐは、インターフェース部ＩＦを介してコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄに運ばれる。コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ（現像装置Ｄ）は渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。このように、本実施形態の露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、インターフェース部ＩＦを介して基板Ｐがコータ・デベロッパ装置ＣＤ−ＳＹＳに搬出される前に、液体除去装置１００により基板Ｐに付着した液体５０を除去する。
以上説明したように、露光装置本体ＥＸにおいて露光処理が施された基板Ｐをコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳ（現像装置Ｄ）に搬送する前に、液体除去装置１００で基板Ｐに付着した液体５０を除去するようにしたので、液体５０の現像処理に対する影響を除くことができる。また、液体除去装置１００によって基板Ｐに付着した液体５０を除去することにより、基板Ｐの搬送中に基板Ｐから液体が落下し、第１チャンバ装置ＣＨ１内部の湿度変化（環境変化）をもたらしたり、搬送経路上の各装置や部材を錆びさせるなどの不都合の発生を抑えることができる。
また、液体５０が付着している基板Ｐを第２搬送装置Ｈ２で搬送し、液体５０が除去された基板Ｐを第２搬送装置Ｈ２とは別の第３搬送装置Ｈ３で搬送するようにしたので、第３搬送装置Ｈ３は液体５０に晒されない。したがって、第３搬送装置Ｈ３で搬送される基板Ｐには液体５０が付着せず、また、第３搬送装置Ｈ３の搬送経路上における液体５０の飛散を確実に防止できる。
また、液体除去装置１００を搬送システムＨの搬送経路の途中に設けたので、露光装置本体ＥＸでの露光処理と、液体除去装置１００での液体除去処理とを同時に行うことができる。したがって、スループットを低下させることなく各処理を実行することができる。
そして、液体除去処理をチャンバ２５内部で行うようにしたので、周囲に液体５０が飛散するのを防止できる。
なお、本実施形態では、露光処理後の基板Ｐを処理装置としてのコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳに搬送する際、接続部としてのインターフェース部ＩＦを介して搬送するように説明したが、例えばインターフェース部ＩＦがコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳに備えられている場合や、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳがインターフェース部ＩＦを介さずに直接露光装置ＥＸ−ＳＹＳに接続されている場合、あるいは、処理装置が基板収納装置であってインターフェース部ＩＦを介さないで露光処理後の基板Ｐを基板収納装置に搬送する場合には、第１チャンバ装置ＣＨ１の開口部が露光装置ＥＸ−ＳＹＳの接続部となる。
上述したように、本実施形態における液体５０は純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４〜１．４７程度と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３１〜１３４ｎｍ程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４〜１．４７倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端にレンズ６０が取り付けられているが、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。液体５０と接触する光学素子を、レンズより安価な平行平面板とすることにより、露光装置本体ＥＸの運搬、組立、調整時等において投影光学系ＰＬの透過率、基板Ｐ上での露光光ＥＬの照度、及び照度分布の均一性を低下させる物質（例えばシリコン系有機物等）がその平行平面板に付着しても、液体５０を供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、液体５０と接触する光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コストが低くなるという利点がある。すなわち、露光光ＥＬの照射によりレジストから発生する飛散粒子、または液体５０中の不純物の付着などに起因して液体５０に接触する光学素子の表面が汚れるため、その光学素子を定期的に交換する必要があるが、この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、レンズに比べて交換部品のコストが低く、且つ交換に要する時間を短くすることができ、メンテナンスコスト（ランニングコスト）の上昇やスループットの低下を抑えることができる。
なお、液体５０の流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体５０で満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体５０を満たす構成であってもよい。
なお、上記実施形態において、上述したノズルの形状は特に限定されるものでなく、例えば先端部６０Ａの長辺について２対のノズルで液体５０の供給又は回収を行うようにしてもよい。なお、この場合には、＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のどちらの方向からも液体５０の供給及び回収を行うことができるようにするため、供給ノズルと回収ノズルと上下に並べて配置してもよい。
第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置１００のについて図６を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、液体除去装置１００以外については、第１実施形態と同一又は同等であるのでその説明を簡略もしくは省略する。
図６において、液体除去装置１００は、基板Ｐに付着した液体５０の除去を行うときに液体５０が飛散しないように基板Ｐの周囲を覆うカバー機構の一部を構成するカバー部３０を備えている。本実施形態における液体除去装置１００はチャンバ２５を有していない。カバー部３０は平面視ほぼ円環状に形成されており、その円環内部にポケット部３０Ａを備えている。カバー部３０のポケット部３０Ａには液体吸引装置２９が接続されている。また、カバー部３０はステージ装置２０に形成された凹部３１に配置可能となっており、昇降機構３２によりステージ装置２０に対して昇降可能（出没可能）に設けられている。液体除去処理を行う際には、ホルダ部２１の上昇とともにカバー部３０も上昇される。
カバー部３０は基板Ｐの周囲を覆うように設けられているため、基板Ｐの回転により飛ばされた液体５０はカバー部３０のポケット部３０Ａに回収される。ポケット部３０Ａに回収された液体５０は液体吸引装置２９により回収される。
以上説明したように、カバー機構として、基板Ｐの周囲を覆うカバー部３０を用いることもできる。これにより、第１実施形態で説明したチャンバ２５に比べて簡易な構成で液体５０の周囲への飛散を防止できる。
第３実施形態
次に、図７を参照しながら第３実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置１００について説明する。本実施形態の特徴的部分は、液体除去装置１００を構成する回転機構２２及びカバー部３０が、露光処理を行う露光装置本体ＥＸの基板ステージＰＳＴに設けられている点である。露光装置本体ＥＸの構造は第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
図７（ａ）において、基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持するホルダ部２１及び第２ホルダ部２４と、カバー部３０を収容可能な凹部３１とを備えている。そして、図７（ａ）に示すように、ホルダ部２１及び第２ホルダ部２４に保持されている基板Ｐに対して投影光学系ＰＬ及び液体５０を介してパターンの像が転写される。基板Ｐに対する露光処理が終了したら、制御装置ＣＯＮＴは、図７（ｂ）に示すように、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に対する液体供給装置１からの液体５０の供給を停止するとともに、液体回収装置２により基板Ｐ上の液体５０を回収する。その回収作業が完了すると、基板ステージＰＳＴを投影光学系ＰＬの直下から退避させる。次いで、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐを保持するホルダ部２１を上昇するとともにカバー部３０を上昇し、回転機構２２を駆動して基板Ｐを回転する。これにより、液体回収装置２で回収しきれずに基板Ｐに付着している液体５０は基板Ｐから除去される。そして、基板Ｐに付着した液体５０を除去したら、第２搬送装置Ｈ２が基板ステージＰＳＴより基板Ｐを搬出する。
以上説明したように、液体除去装置１００を基板ステージＰＳＴに設けることも可能である。そして、露光処理が行われる基板ステージＰＳＴから基板Ｐを搬出する前に、基板Ｐに付着した液体を除去することで、基板Ｐの搬送中において基板Ｐから液体５０が落下するといった不都合の発生を抑えることができる。また、本実施形態では、露光装置本体ＥＸはツインステージシステムを採用しているので、第１の基板ステージＰＳＴ１における露光処理と、第２の基板ステージＰＳＴ２における液体除去処理とを同時に行うことができ、スループットを低下させることなく全体の処理を実行できる。
また、第３実施形態では、基板ステージＰＳＴから露光処理後の基板Ｐを搬送する前に基板Ｐに付着した液体を除去するために基板Ｐを回転させる機構を採用しているが、液体を吹き飛ばすブロアを設けたり、液体回収装置２とは別に基板Ｐ上の残留液体を吸引する機構を設けてもよいし、これらを併用してもよい。
第４実施形態
次に、図８を参照しながら第４実施形態の露光装置に用いる液体除去装置１００について説明する。図８に示す液体除去装置１００は、搬送システムＨの搬送経路の途中であって、第２搬送装置Ｈ２と第３搬送装置Ｈ３との間に設けられ、チャンバ２５を備えた構成である。露光装置本体ＥＸの構造は第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
図８において、液体除去装置１００は、基板Ｐの表面（上面）に対して気体を吹き付けてこの基板Ｐの表面に付着している液体５０を飛ばすことで除去する第１吹出部３３と、基板Ｐの裏面（下面）に対して気体を吹き付けてこの基板Ｐの裏面に付着している液体５０を飛ばすことで除去する第２吹出部３４とを備えている。第１、第２吹出部３３、３４のそれぞれは流路を介して気体供給装置３５に接続されている。流路には、基板Ｐに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。そして、気体供給装置３５は乾燥した気体を第１、第２吹出部３３、３４に供給する。
本実施形態において、気体供給装置３５は乾燥エアーを供給する。
図９は、図８のチャンバ２５内部を上方から見た図である。図９に示すように、基板Ｐはその下面のＹ軸方向両端部を保持装置３６により保持される（なお、図８には保持装置３６は図示されていない）。保持装置３６は第２搬送装置Ｈ２より基板Ｐを渡され、この渡された基板Ｐを保持する。また、保持装置３６に保持されている基板Ｐは第３搬送装置Ｈ３に渡されるようになっている。第１吹出部３３はＹ軸方向を長手方向とするノズル本体部３３Ａと、ノズル本体部３３Ａの長手方向に複数並んで設けられたノズル孔３３Ｂとを備えている。気体供給装置３５から供給された乾燥エアーは複数のノズル孔３３Ｂのそれぞれから吹き出される。第２吹出部３４も第１吹出部３３と同等の構成を有しており、Ｙ軸方向を長手方向とするノズル本体部と複数のノズル孔とを有している。
保持装置３６に保持された基板Ｐと第１、第２吹出部３３、３４とは相対移動可能に設けられている。本実施形態では、第１、第２吹出部３３、３４が保持装置３６に保持された基板Ｐに対してＸ軸方向に走査移動するようになっている。なお、保持装置３６に駆動装置を設け、第１、第２吹出部３３、３４に対して基板Ｐを移動するようにしてもよいし、第１、第２吹出部３３、３４と保持装置３６との双方を移動させてもよい。
次に、上述した構成を有する液体除去装置１００の動作について説明する。第２搬送装置Ｈ２が液体５０を付着している基板Ｐを保持装置３６に渡す。制御装置ＣＯＮＴは、保持装置３６に保持されている基板Ｐに対して、第１、第２吹出部３３、３４より気体を吹き付ける。ここで、第１、第２吹出部３３、３４によって吹き付けられる気体は、基板Ｐの表面及び裏面に対して傾斜方向から吹き付けられる。制御装置ＣＯＮＴは、保持装置３６に保持されている基板Ｐに対して第１、第２吹出部３３、３４をＸ軸方向に移動させながら気体を吹き付ける。ここで、第１、第２吹出部３３、３４それぞれのノズル本体部の長さは基板Ｐより十分大きいため、基板Ｐの表裏面全体に満遍なく気体が吹き付けられる。気体が吹き付けられることにより、基板Ｐに付着している液体５０が飛ばされ、除去される。飛ばされた液体５０は液体吸引装置２９に回収される。液体５０が除去された基板Ｐは第３搬送装置Ｈ３に渡される。
第５実施形態
次に、図１０を参照しながら第５実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置１００について説明する。図１０において、液体除去装置１００は、液体吸引装置２９に流路を介して接続され、基板Ｐの表面及び裏面のそれぞれに付着している液体５０を吸引する第１、第２吸引部３７、３８と、チャンバ２５内部を乾燥する乾燥装置３９とを備えている。第１、第２吸引部３７、３８は基板Ｐに対してＸ軸方向に相対移動可能に設けられている。基板Ｐに付着している液体５０を除去する際には、制御装置ＣＯＮＴは、第１、第２吸引部３７、３８を基板Ｐに接近させた状態で、液体吸引装置２９を駆動する。これにより、基板Ｐに付着している液体５０は第１、第２吸引部３７、３８を介して液体吸引装置２９に吸引される。そして、第１、第２吸引部３７、３８を基板Ｐに対してＸ軸方向に移動しつつ液体吸引装置２９による吸引動作を行うことにより、基板Ｐに付着している液体５０が除去される。このとき、乾燥装置３９がチャンバ２５内部に対して乾燥した気体（乾燥エアー）を供給している。乾燥装置３９の駆動によってチャンバ２５内部が乾燥されることにより、基板Ｐからの液体５０の除去を促進することができる。露光装置本体ＥＸの構造は第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
なお、図１０を用いて説明した、基板Ｐ上の液体５０を吸引する吸引動作と、図８を用いて説明した、吹出部からの気体吹出動作とを同時に実行するようにしてもよい。あるいは、吸引動作及び気体吹出動作のいずれか一方を実行した後、他方を実行するようにしてもよい。また、乾燥装置３９による乾燥動作を並行して行うこともできるし、吸引動作や気体吹出動作の前後に乾燥動作を行うこともできる。すなわち、吸引動作、乾燥動作、及び気体吹出動作（液体吹き飛ばし動作）を適宜組み合わせて実行することができる。
第６実施形態
次に、図１１を参照しながら第６実施形態の露光装置の液体除去装置１００について説明する。なお、露光装置本体ＥＸの構造は第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。図１１において、液体除去装置１００は、第１、第２吹出部３３、３４と、この第１、第２吹出部３３、３４を収容するチャンバ４０とを備えている。本実施形態におけるチャンバ４０は、Ｚ軸方向にずれて形成された第１、第２開口部４１、４２を備えている。なお、本実施形態における第１、第２開口部４１、４２にはシャッタは設けられていないが、シャッタを設けることも可能である。そして、本実施形態における第２搬送装置Ｈ２は、基板Ｐを保持した状態で第１開口部４１を介してチャンバ４０内部に挿入可能なアーム部（第１搬送部材）４３を備えている。アーム部４３は、液浸法により露光処理され、液体５０が付着した基板Ｐを水平面（ＸＹ平面）に対して所定角度傾斜した状態で搬送し、このチャンバ４０内に挿入する。ここで、液体５０が付着している基板Ｐを保持するアーム部４３が挿入される第１開口部４１が、第２開口部４２よりＺ軸方向において下方側に形成されており、アーム部４３はチャンバ４０に対する挿入方向前方側（搬送方向前方側）を上方にして搬送する。
そして、アーム部４３は基板Ｐの傾斜を維持した状態で第１、第２吹出部３３、３４に対して基板Ｐを移動する。第１、第２吹出部３３、３４は移動する基板Ｐに対して気体を吹き付ける。基板Ｐに付着している液体５０は気体の吹き付けにより除去される。このとき、基板Ｐが傾斜しているので、液体５０は自重により基板Ｐの傾斜方向下方側に容易に移動し、基板Ｐからの液体５０の除去が促進される。基板Ｐから除去された液体５０はチャンバ４０内部に溜まり、回収装置としての液体吸引装置２９に回収される。なお、基板Ｐを傾斜させた状態で液体５０を自重により基板Ｐの傾斜方向下方側に移動させ、この傾斜方向下方側に集まった液体５０に対して気体を吹き付けるようにしてもよい。また、上述の乾燥動作も併用するようにしてもよい。すなわち、液体除去装置１００の液体除去としては、基板Ｐの回転、基板Ｐの傾斜、吸引動作、乾燥動作、及び気体吹出動作（液体吹き飛ばし動作）のいずれか一つの方法を使ってもよいし、これらを適宜組み合わせてもよい。
液体５０が除去された基板Ｐの一端部は第２開口部４２よりチャンバ４０外部に出る。
第２開口部４２近傍には、第３搬送装置Ｈ３としてのアーム部（第２搬送部材）４４が設けられている。液体５０が除去された基板Ｐはアーム部４３からアーム部４４に直接渡される。
なお、ここでは、チャンバ４０に挿入する際に基板Ｐを傾斜させて搬送するように説明したが、チャンバ４０以外の位置で、液体５０が付着した基板Ｐを水平面に対して所定角度傾斜させた状態で搬送するようにしてもよい。これにより、基板Ｐに付着した液体５０は搬送中において自重により基板Ｐから離れる。なお、このときの搬送経路中には自重により基板Ｐから離れた液体５０を回収する回収装置が設けられる。また、基板Ｐを搬送する際の水平面に対する傾斜角度は任意に設定可能であり、９０度であってもよい。すなわち、基板Ｐを垂直に立てた状態で搬送することも可能である。
上記各実施形態において、液体５０が付着した基板Ｐを搬送する第２搬送装置Ｈ２やアーム部４３の表面は、撥液性であることが好ましい。これにより、基板Ｐを搬送したときにその基板Ｐに付着している液体５０が第２搬送装置Ｈ２（アーム部４３）に付着しても、その液体５０を第２搬送装置Ｈ２（アーム部４３）より直ちに且つ容易に除去することができる。したがって、第２搬送装置Ｈ２（アーム部４３）に付着している液体５０が基板Ｐに付着（再付着）してしまうといった不都合の発生を防止することができる。第２搬送装置Ｈ２（アーム部４３）の表面を撥液性にする撥液処理（撥水処理）としては、例えば撥液性を有する材料を使ったコーティング処理が挙げられる。撥液性を有する材料としては、例えばフッ素系化合物やシリコン化合物、あるいはポリエチレンやアクリル系樹脂等の合成樹脂が挙げられる。また、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。また、第２搬送装置Ｈ２（アーム部４３）の表面全部に撥液処理を施してもよいし、一部に施すようにしてもよい。
第７実施形態
図１１を参照して説明した実施形態では、基板Ｐを傾けた状態で搬送したり、その搬送経路の途中に設けられた液体除去装置１００で基板Ｐを傾けているが、図１２に示すように、基板Ｐの露光完了後であって基板Ｐを搬送（アンロード）する前に、液体５０が付着した基板Ｐを保持している基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５１）を傾けることで、液体５０の除去を行うようにしてもよい。図１２において、基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５１）は、その上面略中央部に基板Ｐを保持しており、基板Ｐの周囲には、液体５０を回収可能な円環状の液体回収口（回収溝）７３が形成されており、その回収溝７３には液体吸収部材７１が配置されている。Ｚステージ５１内部には、その一端部を回収溝７３と接続し、他端部をＺステージ５１外部に設けられた液体回収機構に接続する流路が形成されている。液体回収機構は、真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収した液体を収容するタンクなどを備えている。液体吸収部材７１は、例えば多孔質セラミックスやスポンジ等の多孔性材料により構成されており、液体５０を所定量保持可能である。また、Ｚステージ５１上において、Ｚステージ５１に保持されている基板Ｐと液体吸収部材７１（回収溝７３）との間には、この基板Ｐの外周を所定幅で取り囲む環状の補助プレート部７９が設けられている。補助プレート部７９の表面の高さはＺステージ５１に保持されている基板Ｐの表面の高さとほぼ一致するように設定されている。そして、この補助プレート部７９の外周を所定幅で取り囲むように配置されている液体吸収部材７１（回収溝７３）は、液体回収装置２で回収しきれなかった液体５０を吸収（回収）する役割を果たしている。なお図１２において、Ｚステージ５１の＋Ｘ側端部にはＹ軸方向に延在する移動鏡５４Ｘが設けられ、Ｙ側端部にはＸ軸方向に延在する移動鏡５４Ｙが設けられており、レーザ干渉計はこれら移動鏡５４Ｘ、５４Ｙにレーザ光を照射して基板ステージＰＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置を検出する。
基板Ｐの露光完了後、図１２に示すＺステージ５１（基板ステージＰＳＴ）から基板Ｐを搬送（アンロード）する前に、Ｚステージ５１は、そのＺステージ５１に設けられているレベリング機構により傾斜され、これに伴ってＺステージ５１上の基板Ｐも傾けられる。こうすることにより、露光完了後において基板Ｐ上に残存する液体５０は重力作用（自重）により、回収溝７３まで流れて回収される。なお、露光完了後であって搬送前の液体回収動作であるＺステージ５１の傾斜動作を行う際、Ｚステージ５１を傾斜させることによって例えば投影光学系ＰＬの先端部とＺステージ５１（基板Ｐ）とが当たるおそれがある場合には、Ｚステージ５１（基板ステージＰＳＴ）を投影光学系ＰＬの直下より退避させ、投影光学系ＰＬと離れた位置で前記傾斜動作を行ってもよい。この実施形態の場合、基板ステージ及びその傾斜制御は液体除去装置として機能する。
なお、上記実施形態においては、基板ステージＰＳＴ（Ｚステージ５１）の傾斜により基板Ｐを傾けて、基板Ｐ上の液体を除去するようにしているが、特開平１−２１４０４２号公報に開示されているように、基板Ｐのロード及びアンロードのための基板Ｐを保持して上下動する基板支持部材が基板ステージＰＳＴに搭載されている場合には、その基板支持部材の傾斜によって基板Ｐを傾けるようにしてもよい。また、基板ステージＰＳＴから基板Ｐを搬出する前に、ドライエアや温風を吹き付けて乾燥させるようにしてもよい。すなわち、基板ステージＰＳＴから基板Ｐを搬出する前の液体除去としては、基板Ｐの回転、液体の吹き飛ばし、液体の吸引、基板Ｐの傾斜、気体の吹き付けによる乾燥のいずれかの方法を用いてもよいし、適宜組み合わせて用いてもよい。
第８実施形態
次に、図１３を参照しながら本発明の第８実施形態の露光装置について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、液体除去装置１００を備えると共に、露光装置本体ＥＸと液体除去装置１００との搬送経路の途中に、露光処理後の基板Ｐを洗浄液を使って洗浄する洗浄装置１５０が設けられている点である。なお、本実施形態では単一の基板ステージＰＳＴを用いた以外は、露光装置本体は実施形態１と同様である。
図１３において、洗浄装置１５０は、チャンバ１５１と、チャンバ１５１内部に設けられ、チャンバ１５１内部に搬送された基板Ｐに対して洗浄液を供給する洗浄液供給装置１５２とを備えている。洗浄液供給装置１５２は、基板Ｐの上面及び下面のそれぞれに洗浄液を供給する。チャンバ１５１は、露光装置本体ＥＸ側に開口する第１開口部１５３と、液体除去装置１００側に開口する第２開口部１５４とを備えている。第１、第２開口部１５３、１５４には、第１、第２開口部１５３、１５４を開閉するシャッタ１５３Ａ、１５４Ａがそれぞれ設けられている。露光装置本体ＥＸで露光処理された後の基板Ｐは第５搬送装置（不図示）により第１開口部１５３を介して洗浄装置１５０のチャンバ１５１内部に搬送される。チャンバ１５１内部には基板Ｐを保持する保持装置が設けられており、基板Ｐはこの保持装置で保持された状態で洗浄液を使って洗浄処理される。洗浄処理された基板Ｐは第２搬送装置Ｈ２により液体除去装置１００に搬送される。液体除去装置１００は基板Ｐに付着した洗浄液を除去する。
ここで、液浸法に基づく露光装置本体ＥＸでの露光処理には、液体５０として水以外の液体を用いることが可能である。本実施形態では、液体５０としてフッ素系オイルが用いられている。例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体５０としてＦ２レーザ光を透過可能なフッ素系オイルを用いることにより露光処理可能となる。このように、液体５０としては、水以外のものを用いることが可能である。また、液体５０としては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定な例えばセダー油を用いることも可能である。そして、液体５０として水とは異なる液体を用いた場合、洗浄装置１５０で基板Ｐを洗浄処理してから液体除去処理を行うことができる。このように、基板Ｐを洗浄することによって、液浸露光中、あるいは基板Ｐの搬送中に基板Ｐに付着した異物などを洗い落とすことができ、その後の液体除去もスムースに行われ、液体や異物が付着していない清浄な基板Ｐを露光装置から送り出すことができる。
液体除去装置１００は、実施形態１〜６のいずれの露光装置に設けられた液体除去装置１００を用いてもよい。また基板Ｐの洗浄と基板Ｐに付着した液体の除去は同じ場所で行うようにしてもよい。例えば、チャンバ２５の中で、洗浄と液体除去とを行うようにしてもよい。
第９実施形態
次に、図１４を参照しながら、本発明の第９実施形態の露光装置及びデバイス製造システムについて説明する。本実施形態の特徴的な部分は、液体除去装置１００へ基板Ｐを搬送する搬送システムＨの搬送経路の下に、露光後の基板Ｐから落下した液体を処理する液体処理機構１６０を設けた点にある。なお、本実施形態では、基板ステージはＰＳＴ１、ＰＳＴ２の２つ設けられており、露光装置本体は実施形態１と同様である。
図１４において、液体処理機構１６０は、搬送システムＨの搬送経路の下に配置された樋部材１６１と、樋部材１６１を介して回収された液体５０を樋部材１６１より排出する液体吸引装置１６２とを備えている。本実施形態では、樋部材１６１は、基板ステージＰＳＴ（ＰＳＴ１、ＰＳＴ２）と液体除去装置１００との間、つまり第２搬送装置Ｈ２の搬送経路の下に設けられている。樋部材１６１はチャンバ装置ＣＨ１内部に設けられ、液体吸引装置１６２はチャンバ装置ＣＨ１外部に設けられている。樋部材１６１と液体吸引装置１６２とは管路１６３を介して接続されており、管路１６３には、この管路１６３の流路を開閉するバルブ１６３Ａが設けられている。
露光後の液体５０が付着している基板Ｐを第２搬送装置Ｈ２で搬送している最中、基板Ｐから液体５０が落下する可能性があるが、その落下した液体５０は樋部材１６１で回収することができる。落下した液体５０を樋部材１６１で回収することで、搬送経路の周囲に液体５０が飛散する等の不都合を防止できる。そして、液体吸引装置１６２はチャンバ装置ＣＨ１内部に設けられた樋部材１６１上の液体５０を吸引することでチャンバ装置ＣＨ１外部に排出し、チャンバ装置ＣＨ１内部の樋部材１６１に液体５０が留まらないようにすることができ、チャンバ装置ＣＨ１内部に湿度変動（環境変動）が生じる不都合を防止することができる。ここで、液体吸引装置１６２は、樋部材１６１に回収された液体５０の吸引動作を連続的に行うことができるし、予め設定された所定期間においてのみ吸引動作を断続的に行うこともできる。吸引動作を連続的に行うことにより、樋部材１６１には液体５０が留まらないので、チャンバ装置ＣＨ１内部の湿度変動をより一層防止することができる。一方、例えば露光装置本体ＥＸでの基板Ｐの露光中には、液体吸引装置１６２による吸引動作（排出動作）を行わず、露光以外の期間においてのみ吸引動作を行うことにより、吸引動作によって発生する振動が露光精度に影響を与えるといった不都合を防止することができる。
なお、樋部材１６１は、液体が付着している可能性のある基板Ｐを搬送する搬送経路の下の全てに設けることが望ましいが、基板Ｐから落下した液体の影響を受けやすい場所に部分的、離散的に設けてもよい。また、搬送経路下の液体処理機構１６０としては、樋部材１６１及び液体吸引機構１６２に限ることなく、基板Ｐなどから落下した液体を回収できる構成であればよい。
液体除去装置１００は、第１〜６実施形態のいずれの露光装置に設けられた液体除去装置１００を用いてもよい。また、第１〜６実施形態で用いた洗浄装置を搬送経路中に設けることもできる。
なお、上述の実施形態においては、液体除去装置１００は、液体回収装置２で回収しきれずに、基板Ｐに付着（残存）している液体を除去するものであるが、液体回収装置２は必ずしも必要ではない。
上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置としては、例えば特開平６−１２４８７３号公報に、また、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露光装置としては、例えば特開平１０−３０３１１４号公報や米国特許５，８２５，０４３号にそれぞれ詳細に開示されており、これらの公報を本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて援用して本文の記載の一部とする。
露光装置（露光装置本体）ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。リニアモータを用いた例は、米国特許５,６２３,８５３及び５,５２８,１１８に開示されており、それらの米国特許の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。
各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に詳細に開示されており、この米国特許の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。また、マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば特開平８−３３０２２４号公報（米国特許５,８７４,８２０号）に詳細に開示されており、この米国出願の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
１…液体供給装置、２…液体回収装置、２２…回転機構（液体除去装置）、２５…チャンバ（カバー機構）、３０…カバー部（カバー機構）、３３、３４…吹出部（液体除去装置）、４０…チャンバ（カバー機構）、４３…アーム部（第１搬送部材）、４４…アーム部（第２搬送部材）、５０…液体、１００…液体除去装置、１５０…洗浄装置、１６０…液体処理機構、１６１…樋部材、１６２…液体吸引装置（排出機構）、Ｃ／Ｄ…コータ・デベロッパ本体（処理装置）、ＥＸ…露光装置本体、Ｈ…搬送システム（接続部）、Ｈ２…第２搬送装置（第１搬送部材）、Ｈ３…第３搬送装置（第２搬送部材）、ＩＦ…インターフェース部（接続部）、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＳＴ…基板ステージ、ＳＹＳ…デバイス製造システム（露光装置）

Claims (10)

  1. パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって、
    パターンの像を基板に投影する投影光学系と、
    露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置と、を備える露光装置。
  2. 前記洗浄装置は、洗浄液を使って前記基板の洗浄を行うことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
  3. 前記洗浄装置は、前記露光後の基板の搬送経路中に設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
  4. 前記液体は、水とは異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
  5. 前記基板を保持する基板ステージを備え、
    前記基板ステージから前記露光された基板を搬出する前に、前記基板に残留した液体を除去する液体除去装置を備える請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
  6. 前記液体除去装置は、前記基板ステージに保持された前記露光後の基板を傾斜させることによって前記残留した液体の除去を行う請求項５記載の露光装置。
  7. 前記露光された基板を搬送する搬送システムと、
    前記搬送システムの基板搬送経路の下の少なくとも一部に、前記露光後の基板から落下した液体を回収する樋部材とを有する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
  8. 請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
  9. 請求項１〜７のいずれか一項記載に記載の露光装置と、
    露光した基板を処理を行う処理装置とを備える露光システム。
  10. 前記処理装置が、基板の基材に感光性材料を塗布する塗布装置及び露光された基板を現像する現像装置の少なくとも一方を含む請求項９記載の露光システム。
JP2009035767A 2002-12-10 2009-02-18 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム Expired - Fee Related JP4525827B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009035767A JP4525827B2 (ja) 2002-12-10 2009-02-18 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002357957 2002-12-10
JP2003305279 2003-08-28
JP2009035767A JP4525827B2 (ja) 2002-12-10 2009-02-18 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003410472A Division JP4525062B2 (ja) 2002-12-10 2003-12-09 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009105473A true JP2009105473A (ja) 2009-05-14
JP4525827B2 JP4525827B2 (ja) 2010-08-18

Family

ID=32510635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009035767A Expired - Fee Related JP4525827B2 (ja) 2002-12-10 2009-02-18 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム

Country Status (8)

Country Link
US (3) US20050225735A1 (ja)
EP (1) EP1571694A4 (ja)
JP (1) JP4525827B2 (ja)
KR (2) KR101037057B1 (ja)
AU (1) AU2003289199A1 (ja)
SG (1) SG171468A1 (ja)
TW (1) TW200416497A (ja)
WO (1) WO2004053952A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018032047A (ja) * 2014-06-16 2018-03-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
TWI720911B (zh) * 2015-02-27 2021-03-01 日商尼康股份有限公司 圖案描繪裝置

Families Citing this family (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
KR101037057B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101124179B1 (ko) 2003-04-09 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060009356A (ko) 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1975721A1 (en) 2003-06-30 2008-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101288632B1 (ko) 2003-08-21 2013-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200513805A (en) 2003-08-26 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and exposure apparatus
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP1519231B1 (en) 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE509367T1 (de) 2003-10-08 2011-05-15 Zao Nikon Co Ltd Belichtungsgerät, substrattrageverfahren, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR20060126949A (ko) * 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI457712B (zh) 2003-10-28 2014-10-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI360837B (en) 2004-02-06 2012-03-21 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4572896B2 (ja) * 2004-02-19 2010-11-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1783821B1 (en) 2004-06-09 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure system and device production method
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
JP2006024715A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Toshiba Corp リソグラフィー装置およびパターン形成方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2006049757A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4271109B2 (ja) * 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101285951B1 (ko) 2004-10-26 2013-07-12 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1833082A4 (en) * 2004-12-06 2010-03-24 Nikon Corp SUBSTRATE PROCESSING METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
JP5154006B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006077859A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Nikon Corporation 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP1863070B1 (en) 2005-01-31 2016-04-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
KR100938271B1 (ko) 2005-02-10 2010-01-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
WO2006118258A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1881521B1 (en) 2005-05-12 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4937559B2 (ja) * 2005-09-14 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007109741A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Canon Inc 露光装置及び露光方法
US7929109B2 (en) 2005-10-20 2011-04-19 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP2007173695A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
JPWO2007139017A1 (ja) * 2006-05-29 2009-10-08 株式会社ニコン 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US20080212050A1 (en) * 2007-02-06 2008-09-04 Nikon Corporation Apparatus and methods for removing immersion liquid from substrates using temperature gradient
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179330A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101546987B1 (ko) 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5360057B2 (ja) 2008-05-28 2013-12-04 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5199982B2 (ja) 2008-12-08 2013-05-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005717A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN102821829A (zh) * 2010-04-05 2012-12-12 株式会社尼康 过滤器箱、曝光装置、及元件制造方法
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
CN106298602B (zh) * 2015-06-03 2019-02-15 沈阳芯源微电子设备有限公司 半导体接口单元的接口密封装置

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH01179318A (ja) * 1987-12-30 1989-07-17 Hitachi Ltd 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法
JPH03215867A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Fujitsu Ltd ポジレジストの現像処理方法
JPH05304072A (ja) * 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06322167A (ja) * 1993-05-11 1994-11-22 Sekisui Chem Co Ltd ポリオレフィン系樹脂発泡体の製造方法
JPH06332167A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH10214783A (ja) * 1996-11-28 1998-08-11 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000505958A (ja) * 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
JP2001085295A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置び基板処理方法
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007504646A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板を乾燥させる方法とシステム。

Family Cites Families (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5586116A (en) * 1978-12-25 1980-06-28 Hitachi Ltd Drier
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4892102A (en) * 1984-04-16 1990-01-09 Astrinsky Eliezer A Cardiac pacing and/or sensing lead and method of use
US4589420A (en) * 1984-07-13 1986-05-20 Spacelabs Inc. Method and apparatus for ECG rhythm analysis
US4804614A (en) * 1984-10-01 1989-02-14 The Aerospace Corporation Photoresist process of fabricating microelectronic circuits using water processable diazonium compound containing contrast enhancement layer
US4751931A (en) * 1986-09-22 1988-06-21 Allegheny-Singer Research Institute Method and apparatus for determining his-purkinje activity
JPH0695508B2 (ja) * 1986-11-28 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 基板の両面洗浄装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH01120023A (ja) * 1987-11-02 1989-05-12 Seiko Epson Corp スピン現像装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
US5313953A (en) * 1992-01-14 1994-05-24 Incontrol, Inc. Implantable cardiac patient monitor
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
TW494714B (en) * 1995-04-19 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
US5609158A (en) * 1995-05-01 1997-03-11 Arrhythmia Research Technology, Inc. Apparatus and method for predicting cardiac arrhythmia by detection of micropotentials and analysis of all ECG segments and intervals
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5762749A (en) * 1995-07-21 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for removing liquid from substrates
JPH0969509A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electron Corp 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
US5733323A (en) * 1995-11-13 1998-03-31 Cordis Corporation Electrically conductive unipolar vascular sheath
JPH09199470A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Hiroshima Nippon Denki Kk スピンドライヤー
US6228561B1 (en) * 1996-02-01 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
EP0805000A1 (en) * 1996-05-02 1997-11-05 MEMC Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer post-polish clean and dry method and apparatus
US5728140A (en) * 1996-06-17 1998-03-17 Cardiac Pacemakers, Inc. Method for evoking capture of left ventricle using transeptal pacing lead
US6341235B1 (en) * 1996-08-19 2002-01-22 Mower Chf Treatment Irrevocable Trust Augmentation of electrical conduction and contractility by biphasic cardiac pacing administered via the cardiac blood pool
US5871506A (en) * 1996-08-19 1999-02-16 Mower; Morton M. Augmentation of electrical conduction and contractility by biphasic cardiac pacing
US5810887A (en) * 1996-08-23 1998-09-22 Rhythm Technologies, Inc. Temporary catheter
JPH1074818A (ja) * 1996-09-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5800464A (en) * 1996-10-03 1998-09-01 Medtronic, Inc. System for providing hyperpolarization of cardiac to enhance cardiac function
US5814079A (en) * 1996-10-04 1998-09-29 Medtronic, Inc. Cardiac arrhythmia management by application of adnodal stimulation for hyperpolarization of myocardial cells
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
ATE404906T1 (de) * 1996-11-28 2008-08-15 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JP3070511B2 (ja) * 1997-03-31 2000-07-31 日本電気株式会社 基板乾燥装置
JPH10303106A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp 現像処理装置およびその処理方法
JPH1157615A (ja) * 1997-08-26 1999-03-02 Kansai Paint Co Ltd 塗膜形成方法
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US6254936B1 (en) * 1998-09-14 2001-07-03 Silicon Valley Group, Inc. Environment exchange control for material on a wafer surface
IL127720A0 (en) * 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
US6267778B1 (en) * 1999-04-12 2001-07-31 Fred Michael Cohen Pacing systems for treating functional ventricular conduction abnormalities of intrinsic origin
US6536964B1 (en) * 1999-09-03 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
US6485203B2 (en) * 1999-12-20 2002-11-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP3362781B2 (ja) * 2000-02-03 2003-01-07 日本電気株式会社 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体
US6421932B2 (en) * 2000-02-14 2002-07-23 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for drying substrate plates
DE10011572A1 (de) * 2000-03-02 2001-09-06 Biotronik Mess & Therapieg Elektrodenanordnung
US6606517B1 (en) * 2000-04-12 2003-08-12 Pacesetter, Inc. Methods and apparatus for preventing atrial arrhythmias by overdrive pacing and prolonging atrial refractoriness using an implantable cardiac stimulation device
EP1284781B1 (en) * 2000-05-04 2017-10-11 Impulse Dynamics N.V. Signal delivery through the right ventricular septum
TW594835B (en) * 2000-05-09 2004-06-21 Tokyo Electron Ltd System for coating and developing
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6535766B1 (en) * 2000-08-26 2003-03-18 Medtronic, Inc. Implanted medical device telemetry using integrated microelectromechanical filtering
CN100469948C (zh) * 2000-10-03 2009-03-18 应用材料有限公司 一旦进入金属沉积用来倾斜基片的方法和相关设备
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
AU2002240363A1 (en) * 2001-02-13 2002-08-28 Quetzal Biomedical, Inc. Multi-electrode apparatus and method for treatment of congestive heart failure
US6609027B2 (en) * 2001-02-23 2003-08-19 Pacesetter, Inc. His Bundle sensing device and associated method
US7674245B2 (en) * 2001-06-07 2010-03-09 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for an adjustable shape guide catheter
US7027876B2 (en) * 2001-10-12 2006-04-11 Medtronic, Inc. Lead system for providing electrical stimulation to the Bundle of His
US6718206B2 (en) * 2001-10-23 2004-04-06 Medtronic, Inc. Permanent atrial-his-ventricular sequential pacing
US6768923B2 (en) * 2001-12-05 2004-07-27 Cardiac Pacemakers, Inc. Apparatus and method for ventricular pacing triggered by detection of early ventricular excitation
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US6957105B2 (en) * 2002-03-26 2005-10-18 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for detecting oscillations in cardiac rhythm with electrogram signals
US7039462B2 (en) * 2002-06-14 2006-05-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for detecting oscillations in cardiac rhythm
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
US7096051B1 (en) * 2002-09-27 2006-08-22 Lawrence Alder Enhancing signals in a two-way radio system
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6937897B2 (en) * 2002-09-30 2005-08-30 Medtronic, Inc. Electrode for His bundle stimulation
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7082335B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-25 Medtronic, Inc. Multipolar pacing method and apparatus
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
US7317950B2 (en) * 2002-11-16 2008-01-08 The Regents Of The University Of California Cardiac stimulation system with delivery of conductive agent
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
AU2003276569A1 (en) 2002-12-13 2004-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
ES2268450T3 (es) 2002-12-19 2007-03-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa.
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR20140139139A (ko) 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
CN105700301B (zh) 2003-04-10 2018-05-25 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境***
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG185136A1 (en) * 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI424470B (zh) * 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US20050049516A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Ideker Raymond E. Methods, systems and computer program products for selectively initiating interventional therapy to reduce the risk of arrhythmia
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7184833B2 (en) * 2003-10-07 2007-02-27 Medtronic, Inc. Multiple pacing output channels
KR20060126949A (ko) * 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US7245973B2 (en) * 2003-12-23 2007-07-17 Cardiac Pacemakers, Inc. His bundle mapping, pacing, and injection lead
KR100557222B1 (ko) * 2004-04-28 2006-03-07 동부아남반도체 주식회사 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006080143A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
US20060116596A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Xiaohong Zhou Method and apparatus for detection and monitoring of T-wave alternans
US8423139B2 (en) * 2004-12-20 2013-04-16 Cardiac Pacemakers, Inc. Methods, devices and systems for cardiac rhythm management using an electrode arrangement
US8010192B2 (en) * 2004-12-20 2011-08-30 Cardiac Pacemakers, Inc. Endocardial pacing relating to conduction abnormalities
AR047851A1 (es) * 2004-12-20 2006-03-01 Giniger Alberto German Un nuevo marcapasos que restablece o preserva la conduccion electrica fisiologica del corazon y un metodo de aplicacion
US8290586B2 (en) * 2004-12-20 2012-10-16 Cardiac Pacemakers, Inc. Methods, devices and systems for single-chamber pacing using a dual-chamber pacing device
US7697985B2 (en) * 2005-07-26 2010-04-13 Medtronic, Inc. System and method for providing alternative pacing modality selection
US7359837B2 (en) * 2006-04-27 2008-04-15 Medtronic, Inc. Peak data retention of signal data in an implantable medical device

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH01179318A (ja) * 1987-12-30 1989-07-17 Hitachi Ltd 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法
JPH03215867A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Fujitsu Ltd ポジレジストの現像処理方法
JPH05304072A (ja) * 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06168866A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06322167A (ja) * 1993-05-11 1994-11-22 Sekisui Chem Co Ltd ポリオレフィン系樹脂発泡体の製造方法
JPH06332167A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH10214783A (ja) * 1996-11-28 1998-08-11 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JP2000505958A (ja) * 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2001085295A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置び基板処理方法
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007504646A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板を乾燥させる方法とシステム。

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018032047A (ja) * 2014-06-16 2018-03-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
US10409174B2 (en) 2014-06-16 2019-09-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
US10916453B2 (en) 2014-06-16 2021-02-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
TWI720911B (zh) * 2015-02-27 2021-03-01 日商尼康股份有限公司 圖案描繪裝置

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003289199A1 (en) 2004-06-30
KR101037057B1 (ko) 2011-05-26
KR20110003577A (ko) 2011-01-12
TW200416497A (en) 2004-09-01
KR101085372B1 (ko) 2011-11-21
US20070171391A1 (en) 2007-07-26
KR20050086771A (ko) 2005-08-30
WO2004053952A1 (ja) 2004-06-24
EP1571694A4 (en) 2008-10-15
US20050225735A1 (en) 2005-10-13
SG171468A1 (en) 2011-06-29
JP4525827B2 (ja) 2010-08-18
US8034539B2 (en) 2011-10-11
EP1571694A1 (en) 2005-09-07
US20060154183A1 (en) 2006-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4525827B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
JP4525062B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
JP4552853B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5079717B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
US8804095B2 (en) Exposure apparatus and device fabrication method
JP5699978B2 (ja) ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4727734B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20160103397A1 (en) Exposure Apparatus with Component from which Liquid is Protected and/or Removed and Device Fabricating Method
US20050219488A1 (en) Exposure apparatus and method for producing device
JP2005136364A (ja) 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006190996A (ja) 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100126

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100511

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100524

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees