KR100557222B1 - 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 - Google Patents

이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 이머전 리소그라피 공정의 노광 후 현상 공정 이전에 웨이퍼상의 액체를 신속, 간편하게 제거하여 패턴 형성시의 불량을 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 모터, 모터의 동력을 기판에 전달하는 동력 전달 장치, 기판을 지지하며 모터에 의해 회전되는 스테이지, 1개 이상의 가스 분사 장치 및 노광 장치 내부의 오염을 막기 위한 하우징 장치를 포함하여 이루어지며 노광 장치에 부속되는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 내지는 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 기판을 액체에 침지하는 단계, 상기 기판을 노광하는 단계, 상기 기판을 고속으로 회전시키며 불활성 가스를 분사하는 단계 및 상기 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법은 이머전 리소그라피 공정의 노광 후 현상 공정 이전에 웨이퍼 상의 액체를 신속, 간편하게 제거하여 패턴 형성시의 불량을 방지하는 효과가 있다.
이머전, 리소그라피, 액체, 제거

Description

이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법{Apparatus and method for removing liquid in immersion lithography process}
도 1은 종래기술에 의한 이머전 리소그라피 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 의한 이머전 리소그라피 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 의한 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치를 나타낸 단면도이다.
본 발명은 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 이머전 리소그라피(immersion lithography) 공정의 노광 후 현상 공정 이전에 웨이퍼상의 액체를 신속, 간편하게 제거하여 불량을 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 발전에 따라 반도체 소자 제조 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 상기 반도체 소자는 집적도, 미세화 및 동작속도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이에 따라 집적도 향상을 위한 리소그라피 공정과 같은 미세 패턴 형성 기술에 대한 요구 특성 또한 엄격해지고 있다.
리소그라피 기술은 마스크(mask) 상에 형성된 패턴을 기판으로 전사하는 사진 기술로서 반도체 소자의 미세화 및 고집적화를 주도하는 핵심 기술이다. 리소그라피 기술은 UV(ultraviolet) 램프를 광원으로 하는 436nm의 g-line과 365nm의 i-line을 거쳐 현재는 DUV(Deep ultraviolet) 영역의 248nm의 파장을 가지는 KrF 레이저와 193nm의 파장을 가지는 ArF 레이저 같은 엑시머 레이저 등을 사용한 단파장화를 통해 해상도 향상을 꾀하는 포토 리소그리피 기술이 주류를 이뤄왔고 157nm의 파장을 가지는 F2 포토 리소그라피 기술로 발전하고 있다.
새로운 리소그라피 기술로 이온빔 리소그라피, 전자빔 리소그라피, 근접 엑스선(X-ray) 리소그라피 기술이 개발되고 있으나 고가의 장비가 필요한 문제가 있다. 이에 비해, 이머전 리소그라피 기술은 기존 포토 리소그라피의 광원을 사용하면서도 해상도를 향상시킬 수 있고 포토 리소그라피 장치를 조금만 변형하여 사용할 수 있는 장점이 있어 주목을 받고 있다.
이머전 리소그라피는 기판과 투영렌즈 사이에 굴절율이 1보다 큰 액체를 개재하여 액체의 굴절율에 비례하는 해상도 증가 및 초점심도의 향상을 기하는 새로운 리소그라피 방식이다.
D.W. Phohl, W. Denk 및 M. Lanz는 Appl. Phys. Lett. 44, 652(1984)에 투영렌즈와 샘플 사이에 고굴절율의 액체를 개재하여 해상도를 향상시키는 방법을 개시 하고 있으며, Corle 등의 미국 특허 제 5,121,256호는 고체 이머전 렌즈를 개재하여 미세 반도체 회로 패턴을 제작할 수 있음을 보여주고 있다. 한편, Takahashi의 미국특허 제 5,610,683호는 조명 장치, 기판을 홀딩하는 장치, 프로젝션 시스템 및 케이싱 장치 등을 구비한 이머전 리소그라피 장치를 개시하고 있다.
포토 리소그라피 공정에서 형성가능한 패턴 사이즈 즉, 해상도(resolution)는 다음 식에 의해 결정된다.
Figure 112004017719283-pat00001
Figure 112004017719283-pat00002
여기서, λ는 광원의 파장, k1, k2는 공정과 관련된 상수, NA는 투영렌즈의 numerical aperture, DOF는 초점심도(Depth of Focus)를 의미한다.
이머전 리소그라피의 해상도 향상 효과는 다음 식에 의해 표현된다.
Figure 112004017719283-pat00003
Figure 112004017719283-pat00004
여기서, λ0는 광원의 공기중에서의 파장, k1, k2는 공정과 관련된 상수, NA0는 투영렌즈의 numerical aperture, DOF는 초점심도, n은 액체의 굴절율을 의미한다.
기판과 투영렌즈 사이에 굴절율이 n인 액체, 예를 들어 파장이 193nm인 빛에 대한 굴절율이 1.44인 물을 기판과 투영렌즈 사이에 개재함으로써 1.44배의 해상도 증가 효과를 얻게 된다.
도 1은 종래기술에 의한 이머전 리소그라피 공정을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 기판 상에 포토레지스트를 도포한다(S10).
다음, 상기 포토레지스트를 소프트베이크(softbake)하고 상기 기판을 액체에 침지한다(S11). 상기 소프트베이크를 통해 포토레지스트에 존재하는 용매를 제거하고 포토레지스트의 접착력을 향상시킨다.
다음, 상기 기판에 마스크를 정렬하고 노광을 실시한다(S12). 상기 노광 실시 전에 얼라인 마크의 위치 에러를 측정하여 이전 레어(layer)의 위치 에러를 보정한 후 현재의 레어를 노광한다.
마지막으로, 상기 기판을 노광 장치에서 현상 장치로 이송하여 PEB(Post Exposure Bake)를 실시하고 현상한다(S13).
이상에서 살펴본 바와 같이, 종래의 이머전 리소그라피 공정은 노광 후 현상 이전에 기판 상에 잔류하고 있는 액체를 제거하지 않기 때문에 기판에 잔류한 액체가 포토레지스트와 반응하거나 PEB 과정 중 증발하여 웨이퍼 상에 얼룩을 발생시켜 패턴 형성 공정에서 불량을 유발하는 원인이 되고 있다.
따라서, 상기 기판에 잔류한 액체를 신속, 간편하게 제거할 필요성이 있으나 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법은 아직까지 제시되지 않고 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 이머전 리소그라피 공정의 노광 후 현상 공정 이전에 웨이퍼상의 액체를 신속, 간편하게 제거함으로써 패턴 형성시의 불량을 방지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기목적은 모터, 모터의 동력을 기판에 전달하는 동력 전달 장치, 기판을 지지하며 모터에 의해 회전되는 스테이지 및 오염을 막기 위한 하우징 장치를 포함하여 이루어지며 노광 장치에 부속되는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치에 의해 달성된다.
본 발명의 상기목적은 기판을 지지하는 스테이지, 1개 이상의 가스 분사 장치 및 오염을 막기 위한 하우징 장치를 포함하여 이루어지며 노광 장치에 부속되는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기목적은 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 기판을 액체에 침지하는 단계, 상기 기판을 노광하는 단계, 상기 기판을 고속으로 회전시키는 단계 및 상기 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기목적은 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 기판을 액체에 침지하는 단계, 상기 기판을 노광하는 단계, 상기 기판에 불활성 가스를 분사하는 단계 및 상기 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2는 본 발명에 의한 이머전 리소그라피 공정을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 기판 상에 포토레지스트를 도포한다(S100).
다음, 상기 포토레지스트를 소프트베이크하고 기판을 액체에 침지한다(S101). 상기 액체는, 예를 들어 물이 바람직하나 그 제한이 있는 것은 아니며 패턴 사이즈의 미세화에 따라 더욱 더 굴절율이 큰 액체가 필요하게 된다.
다음, 상기 기판에 마스크를 정렬하고 노광을 실시한다(S102). 상기 노광 실시 전에 얼라인 마크의 위치 에러를 측정하여 이전 레어의 위치 에러를 보정한 후 현재의 레어를 노광한다.
다음, 상기 기판에 잔류하고 있는 액체를 제거한다(S103). 상기 액체 제거는 기판을 고속으로 회전시키는 방법, 기판에 불활성 가스를 분사하는 방법 또는 기판을 고속으로 회전시키면서 불활성 가스를 분사하는 방법을 통해 달성된다. 기판을 고속, 예를 들어 3000 rpm 이상으로 회전시킴으로써 원심력에 의해 액체를 신속하게 제거할 수 있으며 기판 상에 형성된 포토레지스트 및 기타 구조물과 분사되는 가스와의 반응을 억제하기 위해 불활성 가스를 분사한다. 상기 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2)가 바람직하다.
마지막으로, 상기 기판을 노광 장치에서 현상 장치로 이송하여 PEB를 실시하 고 현상한다(S104).
도 3은 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치를 나타낸 단면도로서 기판을 고속으로 회전시키면서 불활성 가스를 분사하는 방법을 통해 액체를 제거하기 위한 장치를 나타낸 단면도이다.
기판을 고속으로 회전시키면서 불활성 가스를 분사하는 방법에 의해 액체를 제거하기 위한 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치는 노광 장치에 부속되며, 모터(10), 모터의 동력을 기판에 전달하는 동력 전달 장치(11), 기판(100)을 지지하며 모터에 의해 회전되는 스테이지(12), 1개 이상의 가스 분사 장치(13) 및 비산된 액체에 의한 노광 장치 내부의 오염을 막기 위한 하우징 장치(14)를 구비한다. 상기 하우징 장치는 1개 이상의 가스 도입구(15)와 1개 이상의 가스 배출구(16)를 구비할 수 있으며 상기 도입구를 통해 불활성 가스가 도입되고 배출구를 통해 불활성 가스 및 오염물이 배출된다. 도면에 도시하지 않았으나, 상기 스테이지(12)는 기판을 고정하기 위한 진공척(vacuum chuck)을 구비하는 것이 가능하며 동력전달장치(11)를 관통하여 스테이지에 연결되는 다수의 개구를 통해 흡입함으로써 기판을 고정할 수 있다.
기판을 고속으로 회전시키는 방법에 의해 액체를 제거하기 위한 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치는 노광 장치에 부속되며, 모터(10), 모터의 동력을 기판에 전달하는 동력 전달 장치(11), 기판(100)을 지지하며 모터에 의해 회전되는 스테이지(12) 및 비산된 액체에 의한 노광 장치 내부의 오염을 막기 위한 하우징 장치(14)를 구비한다. 상기 하우징 장치는 1개 이상의 가스 도입구(15)와 1개 이상 의 가스 배출구(16)를 구비할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 상기 스테이지(12)는 기판을 고정하기 위한 진공척을 구비하는 것이 가능하며 동력전달장치(11)를 관통하여 스테이지에 연결되는 다수의 개구를 통해 흡입함으로써 기판을 고정할 수 있다.
기판에 불활성 가스를 분사하는 방법에 의해 액체를 제거하기 위한 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치는 노광 장치에 부속되며, 기판을 지지하는 스테이지(12), 1개 이상의 가스 분사 장치(13) 및 비산된 액체에 의한 노광 장치 내부의 오염을 막기 위한 하우징 장치(14)를 구비한다. 상기 하우징 장치는 1개 이상의 가스 도입구(15)와 1개 이상의 가스 배출구(16)를 구비할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 상기 스테이지(12)는 기판을 고정하기 위한 진공척을 구비하는 것이 가능하며 스테이지를 관통하는 다수의 개구를 통해 흡입함으로써 기판을 고정할 수 있다.
상술한 예는 노광 장치에서 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거를 위한 장치 및 방법에 관한 것이나, 기판을 노광한 후 상기 기판을 현상 장치로 이송하여 현상 장치, 예를 들어 트랙(track)에 구비된 회전 장치에서 기판을 고속으로 회전시키는 방법, 기판에 불활성 가스를 분사하는 방법 또는 기판을 고속으로 회전시키면서 불활성 가스를 분사하는 방법에 의해서도 달성 가능하다. 상기 불활성 가스는, 예를 들어 질소가 바람직하다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법은 이머전 리소그라피 공정의 노광 후 현상 공정 이전에 웨이퍼 상의 액체를 신속, 간편하게 제거하여 패턴 형성시의 불량을 방지하는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 모터;
    모터의 동력을 기판에 전달하는 동력 전달 장치;
    기판을 지지하며 모터에 의해 회전되는 스테이지 및
    오염을 막기 위한 하우징 장치를 포함하여 이루어지며, 노광 장치에 부속되는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치.
  2. 기판을 지지하는 스테이지;
    1개 이상의 가스 분사 장치 및
    오염을 막기 위한 하우징 장치를 포함하여 이루어지며, 노광 장치에 부속되는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 스테이지는 기판을 고정하기 위한 진공척을 추가적으로 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 하우징 장치는 1개 이상의 가스 도입구와 1개 이상의 가스 배출구를 추가적으로 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치.
  5. 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계;
    상기 기판을 액체에 침지하는 단계;
    상기 기판을 노광하는 단계;
    상기 기판을 고속으로 회전시키는 단계;
    상기 포토레지스트를 현상하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법.
  6. 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계;
    상기 기판을 액체에 침지하는 단계;
    상기 기판을 노광하는 단계;
    상기 기판에 불활성 가스를 분사하는 단계;
    상기 포토레지스트를 현상하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 기판의 회전은 3000 rpm 이상의 고속으로 수행됨을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 질소임을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법.
  9. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 기판을 노광하는 단계 후, 상기 기판을 현상 장치로 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101037057B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4434762B2 (ja) 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物
KR20060126949A (ko) * 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
KR101285951B1 (ko) * 2004-10-26 2013-07-12 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
US7927779B2 (en) 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US8383322B2 (en) 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
KR100764416B1 (ko) * 2005-08-17 2007-10-05 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
US7993808B2 (en) 2005-09-30 2011-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TARC material for immersion watermark reduction
KR100734672B1 (ko) * 2005-12-28 2007-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 이머젼 리소그래피의 패턴형성방법
US8518628B2 (en) * 2006-09-22 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface switchable photoresist
KR100871749B1 (ko) * 2007-07-20 2008-12-05 주식회사 동부하이텍 이머전 리소그라피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US10639137B2 (en) 2013-03-13 2020-05-05 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical device and method of delivering the medical device
US9883933B2 (en) 2013-08-26 2018-02-06 Boston Scientific Scimed, Inc. Medical device and method of delivering the medical device
KR20210015655A (ko) * 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3254574B2 (ja) 1996-08-30 2002-02-12 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
US6050275A (en) 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
JP3151613B2 (ja) 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JP3265237B2 (ja) 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板縁部の薄膜除去装置
JP3364155B2 (ja) 1998-06-05 2003-01-08 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置及びその方法
TW417154B (en) 1998-08-05 2001-01-01 Tokyo Electron Ltd Coating and developing method and apparatus therefor
US6673155B2 (en) 1998-10-15 2004-01-06 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming coating film and apparatus for curing the coating film
JP3626610B2 (ja) 1998-11-02 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6745783B2 (en) 2000-08-01 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
US6725868B2 (en) 2000-11-14 2004-04-27 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
TWI246124B (en) 2001-11-27 2005-12-21 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and method
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050104096A (ko) 2005-11-02
US20050243291A1 (en) 2005-11-03
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