JP2001085295A - 基板処理装置び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の振り切り時に飛散したミストを有効
に排出できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 処理液によって処理された基板Ｗを回転
させ処理液を振切るウエハ保持機構２と、このウエハ保
持機構２によって保持された基板Ｗを囲み前記振り切ら
れた処理液を受けるカップ１２と、このカップ１２から
処理液を排出する排出路１１とを有し、前記カップ１２
には、渦流を発生させこの渦流で基板Ｗの径方向外方に
飛散したミスト状の処理液をカップ１２内に捕捉するた
めの気流滞留部１６が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
ＬＣＤ基板等の被処理基板に現像や洗浄等の液処理を施
した後、この被処理基板を高速で回転させて振り切り乾
燥を行なう基板処理装置及び基板処理方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体デバイスや液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）等の製造プロセスにおいては、フ
ォトリソグラフィー技術によって所望の回路を形成す
る。このフォトリソグラフィー技術においては、まず、
被処理基板の表面にレジスト液を塗布し、これを所定の
パターンに露光する。ついで、この被処理基板に現像液
を塗布し現像処理した後、洗浄液によって現像液を洗い
流し、一連の処理を終了する。

【０００３】このような処理工程中、現像処理装置にお
いては、現像処理後の被処理基板を洗浄するために、こ
の被処理基板をスピンチャック上に吸着保持し、その表
面に洗浄液を供給しながら回転駆動させる。そして、洗
浄液を止めた後、ウエハを高速回転駆動することで残留
する現像液や洗浄液を振り切って基板を乾燥させる。

【０００４】このような洗浄・乾燥工程においては、基
板の周縁部から洗浄液のミストが飛散する。このため、
このミストを基板の周囲から効果的に排出する必要があ
る。従来の装置においては、前記基板を高速回転させる
カップ内にクリーンルームのダウンフローを取り入れ、
このダウンフローを利用することで飛散したミストをカ
ップ外に強制排出するようにしている。すなわち、この
場合、飛散したミストは、ダウンフローによって下方に
案内され、カップの底面に設けられた排出口を通して外
部に強制排気される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の構成
においては、以下のような解決すべき課題がある。

【０００６】すなわち、被処理基板を高速で回転させる
場合、被処理基板の周縁部から飛散したミストがカップ
の内面で跳ね返って上方若しくはウエハ側へと飛散し、
カップ外へ流出することがある。このため、カップ底面
に設けられた排出口からのミスト排出が有効に行なえな
い可能性がある。

【０００７】また、従来の装置では高速回転により発生
した渦気流とカップ内に導入されたダウンフローとが干
渉してカップ内に乱気流を生じさせる恐れがあり、この
ため、排出すべきミストの流れを理想的にコントロール
できない恐れがある。そして、このことによって、回転
中に飛散したミストがカップ外に有効に排出されずに滞
留し、回転終了後に基板に再付着する可能性がある。

【０００８】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、液処理後に基板の振り切り乾燥を行う基板
処理装置において、振り切り時に飛散したミストを有効
に排出できる基板処理装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の主要な観点によれば、処理液によって処
理された基板を回転させ、処理液を振切る基板回転駆動
機構と、この基板回転機構によって保持された基板を囲
み、前記振り切られた処理液を受ける容器と、この容器
から処理液を排出する排出路とを有し、前記容器には、
渦流を発生させこの渦流で基板の径方向外方に飛散した
ミスト状の処理液を容器内に捕捉するための気流滞留部
が設けられていることを特徴とする基板処理装置が提供
される。

【００１０】このような構成によれば、容器の気流滞留
部内に渦流を発生させ、この渦流で処理液のミストを捕
捉することができるから、このミストが容器からウエハ
側に流出することが防止できる。

【００１１】なお、ここで、前記気流滞留部は、容器の
外壁を構成する第１の垂直壁と、この第１の垂直壁の上
端からウエハへ向かう方向に曲げられて下方向へ延出さ
れたドーム部と、このドーム部から下方向へ延出され、
その下端を前記基板よりも高く位置させた第２の垂直壁
とからなるものであることが好ましい。この場合、この
装置は、前記容器を上下させる上下駆動機構と、前記第
２の垂直壁の下端の高さを制御することによって気流状
態を安定させる制御手段とを有するものであることが望
ましい。

【００１２】このような構成によれば、前記第２の垂直
壁によってダウンフローが整流されると共に、前記渦流
がダウンフローに合流することが防止される。また、こ
のような構成によれば、容器を上下させることによって
気流状態を制御することができるから、より良好にミス
トを排出できる効果がある。

【００１３】また、１の実施形態によれば、前記気流滞
留部の内面には、凹凸部が形成されている。このような
構成によれば、滞留部内のミストの液滴化を促進できる
と共に渦流を制御することも可能になる。

【００１４】さらに、他の１の実施形態によれば、前記
容器の底部には、受けた処理液を排出する排出路が設け
られていると共に、容器の高さ方向中途部にはこの容器
を伝って落ちる処理液を排出するための受け部が形成さ
れているものが提供される。ことを特徴とする基盤処理
装置。

【００１５】この発明の異なる主要な観点によれば、処
理液によって処理された基板を回転させ、処理液を振切
る基板回転駆動機構と、この基板回転機構によって保持
された基板を囲みその縁部が前記基板の周縁部の近傍に
延出された容器と、前記容器に捕捉された処理液を排出
する排出機構を有する基板処理装置を用いた基板処理方
法であって、前記排出機構の処理液排出圧力若しくは排
出流量或いはその両方に基づいて前記容器を上下させ前
記基板と容器縁部との隙間を制御する工程を含むことを
特徴とする基板処理方法が提供される。

【００１６】また、このような構成によれば、容器を上
下させることによって気流状態を制御することができる
から、より制御可能な状態でミストを排出できる効果が
ある。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。図１は、この発明が適用された現
像処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。

【００１８】この現像処理装置は、ベース１と、このベ
ース１に取り付けられ被処理基板としてのウエハＷ(レ
ジスト液が塗布され露光処理されたウエハ)を保持する
ウエハ保持機構２と、ウエハＷ上に現像液を供給する現
像液供給機構３と、現像後のウエハＷを洗浄処理するた
めの洗浄機構４と、ウエハＷ上から飛散する現像液及び
洗浄液を受け止めるカップ機構５と、これら各機構を制
御する制御部６とを有する。

【００１９】ウエハ保持機構２は、ウエハＷを吸着保持
するスピンチャック７と、前記スピンチャック７を回転
駆動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構８
とを備えている。このウエハ保持機構２は、現像液供給
機構３によって供給された現像液を洗浄除去する際にウ
エハＷを高速回転させ、遠心力により現像液及び洗浄液
を振り切る機能を有する。ウエハＷの外縁から下方向に
垂れた現像液及び洗浄液は、前記ベース１に固定された
傾斜板１０によって受け止められ図に１１で示す排出路
を通って外部に排出されるようになっている。また、ウ
エハＷの外縁から飛散した現像液及び洗浄液は、前記カ
ップ機構５により受け止められ、このカップ機構５によ
って前記排出路１１に案内され外部に排出されるように
なっている。

【００２０】前記カップ機構５は、内カップ１２と、こ
の内カップ１２の外側を覆いかつこの内カップよりも上
方に延出された外カップ１３と、この外カップ１３を駆
動するカップ駆動機構１４とからなる。

【００２１】内カップ１２は、外カップ１３内に挿脱自
在に挿入され、外カップ１３の下端部に設けられた受け
部１３ａによって下方に抜けないように保持されてい
る。外カップ１３内への内カップ１２の挿脱を容易にす
るため、外カップ１３の上端部は内カップ１２の外形よ
りも大きい内径を有するように形成されている。このよ
うに内カップ１２が着脱自在になっているのは、この内
カップ１２のみを取り外して洗浄することを考慮したた
めである。

【００２２】また、前記内カップ１２は逆Ｊ状に形成さ
れている。すなわち、この内カップ１２は、下端部が前
記外カップ１３の受け部１３ａによって保持される第１
の垂直壁１２ａと、一端がこの第１の垂直壁１２ａの上
端に連結され他端部側が１８０度折返して下方に対向す
るように湾曲形成されたドーム部１２ｂと、ドーム部１
２ｂの他端から下方向に略垂直に延出された第２の垂直
壁１２ｃとからなる。このような構成によれば、後で詳
しく説明するように、前記第１の垂直壁１２ａの上端
部、ドーム部１２ｂ及び第２の垂直壁１２ｃによって、
ウエハＷから飛散したミストをトラップして再びウエハ
Ｗ側へ流出することを防止する滞留部１６が区画され
る。

【００２３】図２は、この内カップ１２及び外カップ１
３を拡大して示す一部縦断面を有する斜視図である。こ
の図に示されるように、内カップ１２の内面には、前記
第１の垂直壁１２ａの上端部からドーム部１２ｂに亘っ
て略鋸形状の凹凸部１７が形成されている。この凹凸部
１７は、前記滞留部１６にトラップされたミストを衝突
させることによって、ミストの液滴化を促進する機能を
有している。また、この凹凸部１７は、この滞留部１６
内で生じる渦流を制御する機能も有している。

【００２４】さらに、前記第１の垂直壁１２ａの高さ方
向中途部には溝部１９が周方向全周に亘って形成されて
いる。この溝部１９は、前記第１の垂直壁１２ａを伝っ
て下方に滴下する液を一旦保持する機能を有する。そし
て、この溝部１９には、前記液滴を排出するための排出
孔２０が周方向に沿って所定の間隔で形成されている。
また、前記外カップ１３の前記排出孔２０の設けられた
位置に対応する位置には、凹部２１が形成されている。
この凹部２１は、この外カップ１３の周方向全周に亘っ
て設けられている。そして、この凹部２１には気液排出
手段２２が連結されており、前記排出孔２０に吸引圧力
を生じさせるようになっている。そして、前記溝部１
９、排出孔２０及び凹部２１を通して収集した液滴は、
この気液排出手段２２を通して外部に排出されるように
なっている。なお、この実施形態では、前記溝部１９へ
の液滴収集を有効に図るために受け片１９ａが突設され
ている。

【００２５】このように構成された内カップ１２及び外
カップ１３は、図１に示すカップ駆動機構１４によって
上下駆動されるようになっている。この駆動機構１４
は、例えば軸線を垂直にして配置されたボールねじ機構
２４からなる。このボールねじ機構２４のねじ軸２６は
ステッピングモータ２７に連結されており、このねじ軸
２６に螺着されたナット部２５は前記外カップ１３に連
結されている。したがって、このステッピングモータ２
７が作動することによって、前記外カップ１３が上下方
向に駆動され、また、前記内カップ１２もこの外カップ
１３に保持されているから一体的に上下駆動されるよう
になっている。

【００２６】一方、前記ステッピングモータ２７には、
ステッピングモータ２７の回転位置を検出するエンコー
ダ２８が取り付けられていると共に、このステッピング
モータ２７及びエンコーダ２８は図示しないドライバを
介して制御部６に接続されている。

【００２７】また、図１に１１で示す排出路には、この
排出路１１内の排出圧及び排流量を検出するための圧力
・流量検出部３０が設けられている。この検出部３０に
よって検出された排出圧及び排出流量は、前記制御部６
に送られるようになっている。

【００２８】そして、制御部６には、検出部３０による
検出値に基づいて前記カップ駆動機構１４を作動させ、
前記内カップ１２の高さを位置決め制御するためのカッ
プ高さ制御部３２が設けられている。すなわち、この制
御部６は、前記検出部３０を通じて排気流量及び排気圧
力を監視しながら前記カップ１２の高さをリアルタイム
で位置決め制御する機能を有している。

【００２９】次に、図１に示す現像液供給機構３及び洗
浄機構４について説明する。まず、前記現像液供給機構
３は、現像液供給ノズル３４と、前記現像液供給ノズル
３４に現像液を供給する現像液供給部３５と、前記現像
液供給ノズル３４を保持し前記ウエハＷの上方に対向位
置決めする図示しない供給ノズル駆動機構とを有する。
前記現像液供給ノズル３４は、前記ウエハＷの直径より
も若干長い幅を有し、その下面には複数の現像液吐出孔
（図示しない）が例えば２mmピッチで穿設されてなるも
のである。このノズル３４内には図示しない液溜めが設
けられており、現像液はこの液溜めに.一旦貯留された
後、前記吐出孔から略均一な圧力で吐出されることにな
る。

【００３０】各吐出孔から吐出された現像液流は、隣り
合う現像液流が互いに接触しあってカーテン状になりウ
エハＷ上に供給されることになる。このように供給ノズ
ル３４から現像液を吐出させつつ、前記スピンチャック
機構を１８０度回転駆動することで、ウエハＷの全面に
亘って液盛りがなされる。液盛りがなされたならば、上
記供給ノズル３４からの現像液の供給は停止される。そ
して、液盛りされた状態で所定時間保持することでレジ
スト膜の現像がなされる。

【００３１】次に、洗浄機構４は、洗浄ノズル３６と、
この洗浄ノズル３６に洗浄液を供給する洗浄液供給部３
７と、前記ノズル３６を保持し上記スピンチャック７に
保持されたウエハＷの中央部に対向位置決めする図示し
ないノズル駆動機構とを有する。洗浄液は、現像が終了
した後のウエハＷ上に吐出され、このウエハＷをリンス
して現像液を除去するようになっている。

【００３２】次に、図３、図４を参照して、この装置の
動作を説明する。なお、この処理は現像処理装置中で行
われるが、図３は、現像処理中の回転乾燥工程のみを示
すフローチャートである。

【００３３】ここで、回転乾燥工程前の工程を簡単に説
明しておくと、まず、前記現像液供給機構によってウエ
ハＷ上に現像液の液盛りがなされ現像が行われる。つい
で、前記洗浄機構が作動し、前記ウエハ上に洗浄液（例
えば純水）を供給する。この際、スピンチャックは比較
的低速で回転駆動する。これによってウエハ上の現像液
が洗い流される。

【００３４】ついで、図４に示した回転乾燥工程が開始
される。まず、スピンチャック７が高速回転を開始する
（ステップＳ１）。図４に示すように、内カップ１２の
上方からはクリーンルーム内のダウンフローＤが導入さ
れており、このダウンフローＤは、前記内カップ１２の
外面に沿い、前記第２垂直壁１２ｃによって整流されて
ウエハＷの上面に導かれる。ウエハＷの上面近傍では、
ウエハＷの高速回転に伴って空気流に遠心力が加えられ
るため、前記内カップ１２内に向かう外向き気流４０が
発生する。この外向き気流４０は内カップ１２の第１の
垂直壁１２ａの内面に当り、上向き気流と下向き気流を
生じさせる。上向き気流は、前記内カップ１２のドーム
部１２ｂと第２の垂直壁１２ｃの内面に沿って案内さ
れ、前記ダウンフローＤと合流することなく前記滞留部
１６内に渦流４１を発生させる。

【００３５】このような気流の流れにウエハＷの縁部か
ら飛散するミストが乗った場合、このミストは前記滞留
部１６内の渦流４１にトラップされ、この滞留部１６内
から外部に飛散することはない。また、この滞留部１６
内には前記凹凸部１７が形成されており、過度の渦流４
１が発生することを防止すると共に、ミストの液滴化を
促進する。

【００３６】ここで、この乾燥工程においては、気流を
安定させることが重要であり、特にウエハＷと内カップ
１２（第２の垂直壁１２ｃの下端）との間の隙間ｇが気
流の安定に大きく寄与する。そこで、この装置では、ま
ず、ミストを確実に前記滞留部１６内にトラップするた
め、前記内カップ１２を所定高さまで下降させ、気流を
押え込む作用を行う（ステップＳ２）。この高さは所望
の排出圧力及び排出量が得られる高さであり、予め実験
などにより求めておいた値である。

【００３７】ただし、画一的な高さ設定では種々の条件
によって所望の状態が得られない場合もある。したがっ
て、この装置では、前記検出部３０によって排出圧及び
排出量の両方若しくはいずれか一方をモニタリングしな
がら前記カップ１２を上下させ、ウエハＷとの隙間量を
変化させる（ステップＳ３）。そして、排出圧／排気圧
が安定する高さに内カップ１２を位置決めする。

【００３８】このような工程によって、ウエハＷ上の残
留現像液及び洗浄液が振り切られウエハ表面が乾燥され
たならば、スピンチャック７の回転が停止される（ステ
ップＳ４）。

【００３９】ウエハＷの乾燥が終了したならば、ウエハ
Ｗはこの現像処理装置からアンロードされる（ステップ
Ｓ５）。すなわち、前記ウエハＷがスピンチャック７に
よって上昇駆動され、図示しないアームによって取り出
され、この現像処理装置から排出される。

【００４０】このような構成によれば、以下の効果を得
ることができる。すなわち、上記構成によれば、ウエハ
Ｗから飛散したミストは、前記内カップ１２の滞留部１
６内の渦流４１にトラップされ、ここで回転するから、
この滞留部１６から外部（ウエハ側）に流出することは
ない。したがって、ミストがウエハＷの上面から内カッ
プ１２及び外カップ１３の上方に飛散してカップ外に飛
散することを防止できる。

【００４１】また、前記内カップ１２の第２の垂直壁１
２ｃがダウンフローＤを整流すると共に、滞留部１６内
の渦流４１がダウンフローＤに合流してしまうことを有
効に防止する。このことで、ウエハＷの上面の気流の流
れを良好にコントロールすることができるから、ウエハ
領域内に不要な乱気流が生じることを防止できる。この
ことによって、回転中に飛散したミストがカップ外に有
効に排出されずに滞留し回転終了後に基板に再付着する
という事態が生じるのを有効に防止できる効果がある。

【００４２】なお、この現像処理装置は、図５〜図７に
示す塗布現像処理システムに適用されることが好まし
い。

【００４３】図５に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハ
Ｗを順次取り出すカセット部５０と、カセット部５０に
よって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部５１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部５２とを備えている。

【００４４】前記カセット部５０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部６０ａと、この突
起部６０ａによって保持されたカセット内からウエハＷ
を取り出す第１のサブアーム機構６１とが設けられてい
る。このサブアーム機構６１は、ウエハＷを取り出した
ならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハＷを
前記プロセス処理部５１に設けられたメインアーム機構
６２に受け渡すことができるようになっている。

【００４５】カセット部５０とプロセス処理部５１間で
のウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介
して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図７
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処理するクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、ウエハＷに対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハＷの位置合わせをするアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待機させておくためのエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処
理を行なう２つプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）、及び露光処理後の加熱処理を行なう２つポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から上へと
積み上げて構成されている。

【００４６】前記ウエハＷのメインアーム機構６２への
受け渡しは、前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）
及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われ
る。

【００４７】また、図５に示すように、このメインアー
ム機構６２の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３
を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメ
インアーム機構６２を囲むように設けられている。前述
した第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。

【００４８】この実施形態の現像処理装置（ＤＥＶ）
は、図６に示すように、前記第１、第２の処理ユニット
群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第１、第２の処理
ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）
と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成
したものである。

【００４９】一方、前記メインアーム機構６２は、図７
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド６９
と、ガイド６９に沿って上下駆動されるメインアーム６
８を備えている。また、このメインアーム６８は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム６８を、上下方向に
駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。

【００５０】前記カセット部５０から第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てウエハＷを受け取ったメインアーム機構６２は、先
ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエ
ハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処
理する。

【００５１】冷却処理されたウエハＷは、前記メインア
ーム機構６２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１
（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置によりレジスト液が塗布されたウ
エハＷは、メインアーム機構によってアンロードされ、
第４の処理ユニット群Ｇ４を介してインタフェース部５
２に受け渡される。

【００５２】この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図７に
示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）、及び２つのポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。

【００５３】前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取
り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤
（シンナー）を飛ばして乾燥される。

【００５４】また、このポストベーキングユニットはレ
ジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と別に設置しても良いし、
レジスト液塗布装置内に設置されていても良い。

【００５５】次に、このウエハＷはクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部５２に設けら
れた第２のサブアーム機構５４に受け渡される。

【００５６】ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機
構５４は、受け取ったウエハＷを順次カセットＣＲ内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハＷを
カセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハＷが収納されたカセットＣ
Ｒを受け取る。

【００５７】露光処理された後のウエハＷは、前記とは
逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機
構６２に受け渡され、このメインアーム機構６２は、こ
の露光後のウエハＷを必要であればポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）に挿入した後、この実施形態の
現像装置（ＤＥＶ）に挿入しスキャン方式による現像処
理を行なわせる。現像処理後のウエハＷは、いずれかの
ベーキングユニットに搬送され、加熱乾燥した後、この
第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介してカセット部５０に排出される。

【００５８】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール５５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構６２及び前記第１〜
第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。

【００５９】この発明の現像処理装置を、図５〜図７に
示した塗布現像ユニットに適用した場合、複数のウエハ
の並行処理が容易に行なえるから、ウエハＷの塗布現像
処理工程を非常に効率的に行なうことができる。また、
各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから
装置の設置面積を著しく減少させることができる。

【００６０】なお、この発明は上記一実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能であることはいうまでもない。

【００６１】例えば、上記一実施形態は、ウエハを処理
するものであったが、ＬＣＤガラス基板を処理する装置
であっても良い。また、前記内カップ１２の第２の垂直
壁１２ｃは、ウエハＷ側の面はダウンフローを整流する
ために垂直である必要があるが、内面は渦流を効果的に
発生させるために前記ドーム部１２ｂの内面に連続する
湾曲面状に形成されていても良い。また、第２の垂直壁
１２ｃの下端部は、ウエハＷの径方向外方向に向かって
折り曲げられていても良い。

【００６２】

【発明の効果】このような構成によれば、容器の気流滞
留部内に渦流を発生させ、この渦流で処理液のミストを
捕捉することができるから、このミストが容器からウエ
ハ側に流出することが防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態を示す概略構成図。

【図２】同じく、要部であるカップ機構を拡大して示す
斜視図。

【図３】同じく、処理工程を示すフローチャート。

【図４】同じく、気流の流れを示す概略構成図。

【図５】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す平面配置図。

【図６】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す正面配置図。

【図７】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す背面配置図。

【符号の説明】

Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット群 Ｗ…半導体ウエハ １…ベース ２…ウエハ保持機構 ３…現像液供給機構 ４…洗浄機構 ５…カップ機構 ６…制御部 ７…スピンチャック ８…スピンチャック駆動機構 １０…傾斜板 １１…排出路 １２…内カップ １２ａ…第１の垂直壁 １２ｂ…ドーム部 １２ｃ…第２の垂直壁 １３…外カップ １４…カップ駆動機構 １６…滞留部 １７…凹凸部 １９…溝部 ２０…排出孔 ２１…凹部 ２２…気液排出手段 ２４…ボールねじ機構 ２５…ナット部 ２６…ねじ軸 ２７…ステッピングモータ ２８…エンコーダ ３０…検出部 ３２…制御部 ３４…現像液供給ノズル ３５…現像液供給部 ３６…洗浄ノズル ３７…洗浄液供給部 ４０…外向き気流 ４１…渦流

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液によって処理された基板を回転さ
   せ、処理液を振切る基板回転駆動機構と、 この基板回転機構によって保持された基板を囲み、前記
   振り切られた処理液を受ける容器と、 この容器から処理液を排出する排出路とを有し、 前記容器には、渦流を発生させこの渦流で基板の径方向
   外方に飛散したミスト状の処理液をこの容器内に捕捉す
   るための気流滞留部が設けられていることを特徴とする
   基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記気流滞留部は、 容器の外壁を構成する第１の垂直壁と、 この第１の垂直壁の上端からウエハへ向かう方向に曲げ
   られて下方向へ延出されたドーム部と、 このドーム部から下方向へ延出され、その下端を前記基
   板よりも高く位置させた第２の垂直壁とからなることを
   特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記容器を上下させる上下駆動機構と、 前記第２の垂直壁の下端の高さを制御することによって
   排気状態を安定させる制御手段とを有することを特徴と
   する基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記気流滞留部の内面には、凹凸部が形成されているこ
   とを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記容器の底部には、受けた処理液を排出する排出路が
   設けられていると共に、容器の高さ方向中途部にはこの
   容器を伝って落ちる処理液を排出するための受け部が形
   成されていることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 処理液によって処理された基板を回転さ
   せ、処理液を振切る基板回転駆動機構と、この基板回転
   機構によって保持された基板を囲みその縁部が前記基板
   の周縁部の近傍に延出された容器と、前記容器に捕捉さ
   れた処理液を排出する排出機構を有する基板処理装置を
   用いた基板処理方法であって、 前記排出機構の処理液排出圧力若しくは排出流量或いは
   その両方に基づいて前記容器を上下させ前記基板と容器
   縁部との隙間を制御する工程を含むことを特徴とする基
   板処理方法。