JPH01179318A - 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法 - Google Patents
投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法Info
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- JPH01179318A JPH01179318A JP62333186A JP33318687A JPH01179318A JP H01179318 A JPH01179318 A JP H01179318A JP 62333186 A JP62333186 A JP 62333186A JP 33318687 A JP33318687 A JP 33318687A JP H01179318 A JPH01179318 A JP H01179318A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハにパターンを形成するための光
学的投影露光装置及びそのパターンオフセット補正方法
に関するものである。
学的投影露光装置及びそのパターンオフセット補正方法
に関するものである。
一般にウェハ上にパターンを形成する場合には、何層も
のパターンを縮小投影露光装置等により一層毎に露光、
転写し、現像も一層毎行ない、このようにしてウェハ上
にパターンを重ね合せて形成する。従って、各層毎のパ
ターン転写を行なう場合には、その度にウェハと投影露
光用光学系との相対的な位置決めを行なう必要がある。
のパターンを縮小投影露光装置等により一層毎に露光、
転写し、現像も一層毎行ない、このようにしてウェハ上
にパターンを重ね合せて形成する。従って、各層毎のパ
ターン転写を行なう場合には、その度にウェハと投影露
光用光学系との相対的な位置決めを行なう必要がある。
そのため、通常は、投影露光装置に位置合せ用のパター
ン検出器を装備し、ウェハをセットする場合には、予め
ウェハ上に形成された位置合せパターン（マーク）をパ
ターン検出器が光学的にとらえて、ウェハの位置決めを
行なっている。このウェハの位置決めは、パターン検出
器がウェハ上の位置合せパターンを光学的に検出して、
この位置合せパターンがパターン検出器の照準に合わさ
れるまで、ウェハ載置台（ｘｙステージ）を自動位置調
整機構を介して移動させて行なうものである。
ン検出器を装備し、ウェハをセットする場合には、予め
ウェハ上に形成された位置合せパターン（マーク）をパ
ターン検出器が光学的にとらえて、ウェハの位置決めを
行なっている。このウェハの位置決めは、パターン検出
器がウェハ上の位置合せパターンを光学的に検出して、
この位置合せパターンがパターン検出器の照準に合わさ
れるまで、ウェハ載置台（ｘｙステージ）を自動位置調
整機構を介して移動させて行なうものである。
ところで、このようなウェハの位置決めを行なう場合、
例えばパターン検出器等の位置決め要素にわずかな変位
でもきたすと、その分、パターン検出器の照準がずれる
。その結果、せっかくパターン検出器を用いてウェハと
投影露光用光学系との相対的な位置決めを行なっても、
照準のずれた分だけ位置決めにずれが生じ、ひいてはウ
ェハ上に重ね合せ形成されるパターンにオフセット（誤
差）が生じる。
例えばパターン検出器等の位置決め要素にわずかな変位
でもきたすと、その分、パターン検出器の照準がずれる
。その結果、せっかくパターン検出器を用いてウェハと
投影露光用光学系との相対的な位置決めを行なっても、
照準のずれた分だけ位置決めにずれが生じ、ひいてはウ
ェハ上に重ね合せ形成されるパターンにオフセット（誤
差）が生じる。
そこで、従来は、このようなパターンオフセットをでき
るだけ少なくするため、パターン転写を行なうに際して
、テストウェハを用いて位置合せパターン（テストパタ
ーン）を転写、現像し、このテストパターンと前回に転
写、現像されたテストパターンの間隔（パターン間隔は
予め設定されている）とを顕微鏡でｗｔ察したり、光学
的に計測して、その寸法誤差を求め、且つ寸法誤差分ウ
ェハ等の自動位置調整機構の位置決め定数を自動補正し
ていた。
るだけ少なくするため、パターン転写を行なうに際して
、テストウェハを用いて位置合せパターン（テストパタ
ーン）を転写、現像し、このテストパターンと前回に転
写、現像されたテストパターンの間隔（パターン間隔は
予め設定されている）とを顕微鏡でｗｔ察したり、光学
的に計測して、その寸法誤差を求め、且つ寸法誤差分ウ
ェハ等の自動位置調整機構の位置決め定数を自動補正し
ていた。
なお、この種のオフセット補正に関する従来技術として
は、例えば特開昭５９−１３３２４号公報等に開示され
たものがある。
は、例えば特開昭５９−１３３２４号公報等に開示され
たものがある。
ところで、前述した如き従来のオフセット補正技術にお
いては、パターン精度を高める利点を有するが次のよう
な改善すべき点があった。
いては、パターン精度を高める利点を有するが次のよう
な改善すべき点があった。
第１には、従来は、投影露光装置と現像機が別別に装置
化されているため、投影露光装置によりテストウェハに
位置合せパターンを投影露光した後、このテストウェハ
を投影露光装置のＸＹステージから取り出し、別の場所
にテストウェハを持出して現像を行なうものであった。
化されているため、投影露光装置によりテストウェハに
位置合せパターンを投影露光した後、このテストウェハ
を投影露光装置のＸＹステージから取り出し、別の場所
にテストウェハを持出して現像を行なうものであった。
そのため、この種の露光、現像作業が面倒で時間がかか
る。
る。
第２には、パターンオフセット補正に要する工程が（１
）テストウェハに第１層目の位置合せパターンを露光、
転写し、（２）この第１層位置合せパターンを別装置に
て現像、（３）再びテストウェハを転写位置にセットし
て第２層目の位置合せパターンを露光、転写し、（４）
この第２層位置合せパターンを別装置にて現像、（５）
その後に第１．第２層の位置合せパターンの間隔を計測
し、この計測値に基づき自動位置調整機構の位置決め定
数に対し補正項としてフィードバックをかける工程を要
する。従って、オフセット補正に手間がかかり、使用者
の負担が大きくなる等の改善すべき点があった。
）テストウェハに第１層目の位置合せパターンを露光、
転写し、（２）この第１層位置合せパターンを別装置に
て現像、（３）再びテストウェハを転写位置にセットし
て第２層目の位置合せパターンを露光、転写し、（４）
この第２層位置合せパターンを別装置にて現像、（５）
その後に第１．第２層の位置合せパターンの間隔を計測
し、この計測値に基づき自動位置調整機構の位置決め定
数に対し補正項としてフィードバックをかける工程を要
する。従って、オフセット補正に手間がかかり、使用者
の負担が大きくなる等の改善すべき点があった。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、第１には、テストウェハ等に転写さ
れる位置合せパターンの露光、現像作業の簡略化及び時
間の短縮化を図り、第２には、上記第１の目的達成に加
えてこの種のパターンオフセット補正を工程数を少なく
して高精度に行なうようにすることにある。
的とするところは、第１には、テストウェハ等に転写さ
れる位置合せパターンの露光、現像作業の簡略化及び時
間の短縮化を図り、第２には、上記第１の目的達成に加
えてこの種のパターンオフセット補正を工程数を少なく
して高精度に行なうようにすることにある。
上記第１の目的は、ウェハを固定するためのＸＹステー
ジと、前記ウェハにパターンを投影露光して転写する投
影露光用光学系と、前記ｘｙステージをＸＹ軸平面上で
移動させるステージ駆動機構と、前記ウェハに形成され
る位置合せパターンを光学的に検出し、この位置合せパ
ターンに基づき前記ウェハと前記投影露光用光学系との
相対的な位置決めを行なう位置調整手段とを備えてなる
投影露光装置において、前記ＸＹステージの可動域の上
方に現像機を設け、且つこの現像機は、ＸＹステージ上
にウェハを固定したままウェハ上の位置合せパターン露
光部を現像する機能を備えてなることで達成される。
ジと、前記ウェハにパターンを投影露光して転写する投
影露光用光学系と、前記ｘｙステージをＸＹ軸平面上で
移動させるステージ駆動機構と、前記ウェハに形成され
る位置合せパターンを光学的に検出し、この位置合せパ
ターンに基づき前記ウェハと前記投影露光用光学系との
相対的な位置決めを行なう位置調整手段とを備えてなる
投影露光装置において、前記ＸＹステージの可動域の上
方に現像機を設け、且つこの現像機は、ＸＹステージ上
にウェハを固定したままウェハ上の位置合せパターン露
光部を現像する機能を備えてなることで達成される。
また、上記第２の目的は、前述の第１の目的達成手段を
用いて次のような工程を経たパターンオフセットを行な
うことで達成される。
用いて次のような工程を経たパターンオフセットを行な
うことで達成される。
すなわち、ウェハにパターンを重ね合せ形成する場合に
は、各層のパターン転写に際し、（■）前記ＸＹステー
ジにテストウェハを固定して、該テストウェハに前記位
置合せパターンを前記投影露光用光学系を介して、投影
露光し、（ＩＩ）この位置合せパターンの露光後に、前
記テストウェハを固定したまま前記ＸＹステージをその
移動量を自動測定しつつ駆動させて、先ずこのテストウ
ェハを前記現象機の定位置（現像機はＸＹステージの上
方に設定される）まで移動させ、（Ｉｌｌ）この定位置
にて前記テストウェハ上の位置合せパターン露光部を現
像した後、（■）このテストウェハを前記ＸＹステージ
と共に予め設定されたパターン検出位置まで移動させ、
（Ｖ）このパターン検出位置にて前記テストウェハに形
成された位置合せパターンを前記パターン検出器で検出
させると共に、この検出位置での位置合せパターンと前
記パターン検出器の照準とが一致せず位置偏差が生じて
いる場合には、その位置偏差分だけ前記位置調整手段の
位置決め定数をフィードバック補正し、これらの工程を
経てオフセットパターンを補正する。
は、各層のパターン転写に際し、（■）前記ＸＹステー
ジにテストウェハを固定して、該テストウェハに前記位
置合せパターンを前記投影露光用光学系を介して、投影
露光し、（ＩＩ）この位置合せパターンの露光後に、前
記テストウェハを固定したまま前記ＸＹステージをその
移動量を自動測定しつつ駆動させて、先ずこのテストウ
ェハを前記現象機の定位置（現像機はＸＹステージの上
方に設定される）まで移動させ、（Ｉｌｌ）この定位置
にて前記テストウェハ上の位置合せパターン露光部を現
像した後、（■）このテストウェハを前記ＸＹステージ
と共に予め設定されたパターン検出位置まで移動させ、
（Ｖ）このパターン検出位置にて前記テストウェハに形
成された位置合せパターンを前記パターン検出器で検出
させると共に、この検出位置での位置合せパターンと前
記パターン検出器の照準とが一致せず位置偏差が生じて
いる場合には、その位置偏差分だけ前記位置調整手段の
位置決め定数をフィードバック補正し、これらの工程を
経てオフセットパターンを補正する。
第１の目的達成手段の如くＸＹステージの可動域の上方
に現像機を設ければ、投影露光装置を用いてテストウェ
ハに位置合せパターンを露光した後、ＸＹステージを可
動域の所定位置にセットして、ＸＹステージ上にテスト
ウェハを固定したままウェハ上の位置合せパターン露光
部を現像することが可能となる。従って、位置合せパタ
ーンの露光、現像をウェハをＸＹステージから取出すこ
となぐ行なうことができ、位置合せパターンの露光、現
像作業の簡略化２作業時間の短縮化を図り得る。
に現像機を設ければ、投影露光装置を用いてテストウェ
ハに位置合せパターンを露光した後、ＸＹステージを可
動域の所定位置にセットして、ＸＹステージ上にテスト
ウェハを固定したままウェハ上の位置合せパターン露光
部を現像することが可能となる。従って、位置合せパタ
ーンの露光、現像をウェハをＸＹステージから取出すこ
となぐ行なうことができ、位置合せパターンの露光、現
像作業の簡略化２作業時間の短縮化を図り得る。
次に、第２の目的達成手段の作用を第５図（ａ）。
（ｂ）に基づき説明する。
第５図（ａ）、（ｂ）は本発明のパターンオフセット補
正法の原理図で、同図（ａ）、（ｂ）におけるＳはパタ
ーン検出器の視野、Ｔは照準、（Ｘｌ。
正法の原理図で、同図（ａ）、（ｂ）におけるＳはパタ
ーン検出器の視野、Ｔは照準、（Ｘｌ。
Ｙｚ）は位置合せパターン転写位置、（Ｘ２． ＹＺ）
は適正なパターン検出器［、（Ｘａ、 Ｙｅｓ）はパタ
ーン現像位置、１３は位置合せパターンの転写。
は適正なパターン検出器［、（Ｘａ、 Ｙｅｓ）はパタ
ーン現像位置、１３は位置合せパターンの転写。
現像、検出工程時の位置状態を表わす。
しかして、本発明では、前述の（１）〜（Ｖ）の工程の
うち、（１）〜（ＩＶ）までの工程では、先ず投影露光
用光学系を用いて（Ｘｌ、 Ｙｔ）の位置にてテストウ
ェハに位置合せパターン１３の露光。
うち、（１）〜（ＩＶ）までの工程では、先ず投影露光
用光学系を用いて（Ｘｌ、 Ｙｔ）の位置にてテストウ
ェハに位置合せパターン１３の露光。
転写を行ない、次いでＸＹステージを自動測定しつつ現
像位置（Ｘａ、 Ｙａ）まで移動させて、ＸＹステージ
上にテストウェハを固定したまま位置合せパターン１３
の転写部を（Ｘａ、 Ｙａ）の位置にて現像し、その後
テストウェハをＸＹステージと共にパターン検出位置（
Ｘ２． ＹＺ）の位置まで移動させる。ここで、位置合
せパターンの転写位置（Ｘｚ、 Ｙｔ） 、現像位置（
Ｘａ、 Ｙａ） 及びパターン検出位置（Ｘ２． Ｙｚ
）の位置は予め設定され、且つＸＹステージの転写位置
から現像位置までの移動量ｌ、１及び現像位置からパタ
ーン検出位置までの移動量Ｌ２は自動測定されるので、
テストウエバを転写位置（Ｘｔ＋ Ｙｌ）を現像位置（
Ｘ３゜Ｙａ）及び検出位置（Ｘ２． Ｙｚ）に正確に移
動させることができる。
像位置（Ｘａ、 Ｙａ）まで移動させて、ＸＹステージ
上にテストウェハを固定したまま位置合せパターン１３
の転写部を（Ｘａ、 Ｙａ）の位置にて現像し、その後
テストウェハをＸＹステージと共にパターン検出位置（
Ｘ２． ＹＺ）の位置まで移動させる。ここで、位置合
せパターンの転写位置（Ｘｚ、 Ｙｔ） 、現像位置（
Ｘａ、 Ｙａ） 及びパターン検出位置（Ｘ２． Ｙｚ
）の位置は予め設定され、且つＸＹステージの転写位置
から現像位置までの移動量ｌ、１及び現像位置からパタ
ーン検出位置までの移動量Ｌ２は自動測定されるので、
テストウエバを転写位置（Ｘｔ＋ Ｙｌ）を現像位置（
Ｘ３゜Ｙａ）及び検出位置（Ｘ２． Ｙｚ）に正確に移
動させることができる。
そして、（Ｖ）の工程では、パターン検出位置（Ｘ２．
Ｙｚ）の位置にて位置合せパターン１３とパターン検
出器の照準Ｔが一致しているか否か判断される。この場
合、第５図（ａ）に示すように位置合せパターン１３と
照準Ｔとが一致すれば、パターン検出器等の位置決め要
素は適正状態にある。従って、この場合には、ウェハと
投影露光用光学系との相対的位置決めを行なう位置調整
手段の位置決め定数に補正をかけない。そして、本番の
パターン転写を行なう場合には、現状の位置決め定数に
基づき位置調整手段を駆動させて、位置合せパターン１
３が照準Ｔに一致するまでウェハを移動させ、このよう
にしてウェハと投影露光用光学系との相対的な位置決め
が行なわれる。
Ｙｚ）の位置にて位置合せパターン１３とパターン検
出器の照準Ｔが一致しているか否か判断される。この場
合、第５図（ａ）に示すように位置合せパターン１３と
照準Ｔとが一致すれば、パターン検出器等の位置決め要
素は適正状態にある。従って、この場合には、ウェハと
投影露光用光学系との相対的位置決めを行なう位置調整
手段の位置決め定数に補正をかけない。そして、本番の
パターン転写を行なう場合には、現状の位置決め定数に
基づき位置調整手段を駆動させて、位置合せパターン１
３が照準Ｔに一致するまでウェハを移動させ、このよう
にしてウェハと投影露光用光学系との相対的な位置決め
が行なわれる。
また、上記同様にテストウェハをパターン転写位置（Ｘ
Ｉ、Ｙｌ）→パターン現像位置（Ｘ８゜Ｙａ）→パター
ン検出位置（Ｘｚ、 Ｙ２）で各工程を行ないつつ移動
させた場合、パターン検出器等の位置決め要素に変位が
生じていると、第５図（ｂ）に示すように本来の位置合
せパターン位に（Ｘ、２． Ｙｚ）と照準ＴとにΔＬ＝
（Ｘｚ＋ Ｙ２）−（Ｘ２’ ｙ Ｙ２’ ）＝ （
Ｘ＋ Ｙ）だけずれが生じる。
Ｉ、Ｙｌ）→パターン現像位置（Ｘ８゜Ｙａ）→パター
ン検出位置（Ｘｚ、 Ｙ２）で各工程を行ないつつ移動
させた場合、パターン検出器等の位置決め要素に変位が
生じていると、第５図（ｂ）に示すように本来の位置合
せパターン位に（Ｘ、２． Ｙｚ）と照準ＴとにΔＬ＝
（Ｘｚ＋ Ｙ２）−（Ｘ２’ ｙ Ｙ２’ ）＝ （
Ｘ＋ Ｙ）だけずれが生じる。
この場合、何らの対処がないと、本番のパターン転写を
ウェハに施す場合に１位置調整手段は１位置合せパター
ンが位置ずれした照準Ｔに一致するまでウェハを移動さ
せるので（第５図（ｂ）の（Ｘｚ’ 、 Ｙ２’ ）位
置）、ウェハのセット位置が６５分だけずれ、ウェハ上
に重ね合せパターンを形成する場合には、前層と今回の
層とのパターンに６５分だけオフセットが生じる。しか
し、本発明では、テストウェハを現像位［（Ｘ３． Ｙ
ａ）から本来の位置合せパターン検出位置（Ｘ２． Ｙ
２）に戻した時点で、ずれのある照準Ｔの位置（Ｘ２’
。
ウェハに施す場合に１位置調整手段は１位置合せパター
ンが位置ずれした照準Ｔに一致するまでウェハを移動さ
せるので（第５図（ｂ）の（Ｘｚ’ 、 Ｙ２’ ）位
置）、ウェハのセット位置が６５分だけずれ、ウェハ上
に重ね合せパターンを形成する場合には、前層と今回の
層とのパターンに６５分だけオフセットが生じる。しか
し、本発明では、テストウェハを現像位［（Ｘ３． Ｙ
ａ）から本来の位置合せパターン検出位置（Ｘ２． Ｙ
２）に戻した時点で、ずれのある照準Ｔの位置（Ｘ２’
。
Ｙ２′）と本来のパターン検出位置（Ｘ２． Ｙ２）と
の位置偏差ΔＬ＝ （Ｘ、Ｙ）を検出することで、この
位置偏差ΔＬ分だけ位置調整手段の位置決め定数をフィ
ードバック補正する。従って、たとえパターン検出器の
照準Ｔがずれても、本番のパターン転写をウェハに施す
場合には、位置調整手段がこのずれ分ΔＬを見込んで位
置合せパターンが真のパターン検出位置（Ｘ！、 Ｙｚ
）にくるように、ウェハと投影露光装置との相対的な位
置決めを行なう。従って、本発明によれば、例えばパタ
ーン検出器等の位置決め要素に変位が生じても、ウェハ
上に重ね合せパターンを形成する場合には、６５分のパ
ターンオフセットが生じるのを防止し、高精度の重ね合
せパターン形成を行なうことができる。
の位置偏差ΔＬ＝ （Ｘ、Ｙ）を検出することで、この
位置偏差ΔＬ分だけ位置調整手段の位置決め定数をフィ
ードバック補正する。従って、たとえパターン検出器の
照準Ｔがずれても、本番のパターン転写をウェハに施す
場合には、位置調整手段がこのずれ分ΔＬを見込んで位
置合せパターンが真のパターン検出位置（Ｘ！、 Ｙｚ
）にくるように、ウェハと投影露光装置との相対的な位
置決めを行なう。従って、本発明によれば、例えばパタ
ーン検出器等の位置決め要素に変位が生じても、ウェハ
上に重ね合せパターンを形成する場合には、６５分のパ
ターンオフセットが生じるのを防止し、高精度の重ね合
せパターン形成を行なうことができる。
また、本発明によるオフセット補正方法によれば、１回
の位置合せパターンの転写、現像で、しかもテストウェ
ハをＸＹステージに固定したままで投影露光位置→現像
位置→パターン検出位置と所定の距離だけ往復動させる
ことで、パターンオフセットが補正できるので、従来の
如きはん雑な工程を要することなく、短時間に自動的な
パターンオフセット補正を行ない得る。
の位置合せパターンの転写、現像で、しかもテストウェ
ハをＸＹステージに固定したままで投影露光位置→現像
位置→パターン検出位置と所定の距離だけ往復動させる
ことで、パターンオフセットが補正できるので、従来の
如きはん雑な工程を要することなく、短時間に自動的な
パターンオフセット補正を行ない得る。
本発明の一実施例を第１図ないし第５図に基づき説明す
る。
る。
第１図は本発明の適用対象となる投影露光装置の一構成
例を示す概略斜視図である。
例を示す概略斜視図である。
第１図において、１はＸＹステージ、２はウェハ、３，
４はＸＹステージを駆動させるためのサーボモータ、５
はレーザ測長系、６は露光照明系、７は照明レンズ、８
は投影レンズ、９はパターンの原画が施されるレティク
ル、１０はレティクル微動部、１１は位置合せパターン
のＸ方向を検出するためのパターン検出器、１２は位置
合せパターンのＹ方向を検出するためのパターン検出器
。
４はＸＹステージを駆動させるためのサーボモータ、５
はレーザ測長系、６は露光照明系、７は照明レンズ、８
は投影レンズ、９はパターンの原画が施されるレティク
ル、１０はレティクル微動部、１１は位置合せパターン
のＸ方向を検出するためのパターン検出器、１２は位置
合せパターンのＹ方向を検出するためのパターン検出器
。
１３はレティクル９よりウェハ２に転写された位置合せ
パターン、１１ａ〜１１ｆ及び１２ａ〜１２ｆは、パタ
ーン検出器］−１及び１２の光学系要素である。
パターン、１１ａ〜１１ｆ及び１２ａ〜１２ｆは、パタ
ーン検出器］−１及び１２の光学系要素である。
このような構成要素を備える投影露光装置では、照明系
６より出た露光光が照明レンズ７を通過し、レティクル
９のパターン及び投影レンズ８を通して、ＸＹステージ
１上に固定されたウェハ２に投影し、パターンの転写が
行なわれる。
６より出た露光光が照明レンズ７を通過し、レティクル
９のパターン及び投影レンズ８を通して、ＸＹステージ
１上に固定されたウェハ２に投影し、パターンの転写が
行なわれる。
このパターン転写を行なうに際し、ＸＹステージ１は、
レーザ測長系５により０．０２ μｍの精度で位置計測
され、サーボモータ３，４により±０．０５ μｍ程
度の精度で位置決めされる。更に、ウェハに形成された
両店のパターンへ次層のパターンの正確な重ね合せを実
現するため、ウェハ２上の合せパターン１３を、縮小レ
ンズ８とレティクル９に設けた窓９ａを通して、パター
ン検出器１１、．１２が検出し、これにより±０．１
μｍ程度の精度で正確な重ね合せを実現することができ
る。すなわち、パターン検出器１１．１２が位置合せパ
ターン１３を光学的に検出すると、位置合せパターン１
３がパターン検出器１１．１２の各照準に一致するまで
、ＸＹステージ１をサーボモータ３，４を介してＸ、Ｙ
軸平面上にて駆動させ、レティクル９とウェハ２との相
対的な位置決めが行なわれる。
レーザ測長系５により０．０２ μｍの精度で位置計測
され、サーボモータ３，４により±０．０５ μｍ程
度の精度で位置決めされる。更に、ウェハに形成された
両店のパターンへ次層のパターンの正確な重ね合せを実
現するため、ウェハ２上の合せパターン１３を、縮小レ
ンズ８とレティクル９に設けた窓９ａを通して、パター
ン検出器１１、．１２が検出し、これにより±０．１
μｍ程度の精度で正確な重ね合せを実現することができ
る。すなわち、パターン検出器１１．１２が位置合せパ
ターン１３を光学的に検出すると、位置合せパターン１
３がパターン検出器１１．１２の各照準に一致するまで
、ＸＹステージ１をサーボモータ３，４を介してＸ、Ｙ
軸平面上にて駆動させ、レティクル９とウェハ２との相
対的な位置決めが行なわれる。
しかして、本実施例では、このような投影露光装置にお
いて、更に次のような現像機２０を取付ける。
いて、更に次のような現像機２０を取付ける。
すなわち、現像機２０は、ＸＹステージ１の可動域の上
方定位置に配され、この現像機２０を用いてＸＹステー
ジ１上にウェハを固定したままウェハ上の位置合せパタ
ーン１３を現像できるように設定している。第２図は、
現像機２０の詳細を表わす縦断面図で、同図において、
２１ａは、現像液およびリンス液の供給を兼用する管で
、管２１、 ａは現像機本体２０’ に設けた供給ノズ
ル２１ｂに接続される。２２ａは液体吸引管で、液体吸
引管２２ａは本体２Ｑ’ に設けた吸込孔２２ｂに接続
される。２３はノズル２１ｂから出された現像液、２４
はウェハ２上の感光剤であり、第２図に示した状態は、
液体供給ノズル２１ｂより現像液２３が、感光剤の位置
合せパターン１３の上に表面張力でとどまっているとこ
ろを示したものである。現像シーケンスは、第２図に示
す状態の現像終了後、現像液２３を吸引管２２ａで吸引
した後、管２１ａ及びノズル２１ｂを介してリンス液の
供給を行ない、その後、リンス液を吸引した後、エア吹
き出し乾燥を行なうものである。
方定位置に配され、この現像機２０を用いてＸＹステー
ジ１上にウェハを固定したままウェハ上の位置合せパタ
ーン１３を現像できるように設定している。第２図は、
現像機２０の詳細を表わす縦断面図で、同図において、
２１ａは、現像液およびリンス液の供給を兼用する管で
、管２１、 ａは現像機本体２０’ に設けた供給ノズ
ル２１ｂに接続される。２２ａは液体吸引管で、液体吸
引管２２ａは本体２Ｑ’ に設けた吸込孔２２ｂに接続
される。２３はノズル２１ｂから出された現像液、２４
はウェハ２上の感光剤であり、第２図に示した状態は、
液体供給ノズル２１ｂより現像液２３が、感光剤の位置
合せパターン１３の上に表面張力でとどまっているとこ
ろを示したものである。現像シーケンスは、第２図に示
す状態の現像終了後、現像液２３を吸引管２２ａで吸引
した後、管２１ａ及びノズル２１ｂを介してリンス液の
供給を行ない、その後、リンス液を吸引した後、エア吹
き出し乾燥を行なうものである。
しかして、このように現像機２０をＸＹステージ１の可
動領域上方に設ければ、ＸＹステージの移動を介してテ
ストウェハ２をパターン転写位置からパターン現像位置
まで移動でき、ひいては、ＸＹステージ１からウェハ２
を取り出すことなく、位置合せパターンの露光、現像を
行ない得る。
動領域上方に設ければ、ＸＹステージの移動を介してテ
ストウェハ２をパターン転写位置からパターン現像位置
まで移動でき、ひいては、ＸＹステージ１からウェハ２
を取り出すことなく、位置合せパターンの露光、現像を
行ない得る。
次に、上記構成よりなる現像機付投影露光装置を用いて
のパターンオフセット補正法を第３図ないし第５図に基
づき説明する。
のパターンオフセット補正法を第３図ないし第５図に基
づき説明する。
第３図は本実施例のパターンオフセット補正の動作を説
明するための説明図、第４図はそのフローチャート、第
５図（ａ）、（ｂ）は位置合せパターンの投影露光位置
、現像位置、パターン検出位置との位置関係を表わす説
明図である。
明するための説明図、第４図はそのフローチャート、第
５図（ａ）、（ｂ）は位置合せパターンの投影露光位置
、現像位置、パターン検出位置との位置関係を表わす説
明図である。
本実施例のパターンオフセット補正は、第３図及び第４
図に示すように、本番のウェハ（図示せず）に所定のパ
ターンを重ね合せ形成するに際し、まず、未感光の感光
剤付テストウェハ２を、ＸＹステージ１上に固定配置（
ローディング）する（ステップエ）、、次いでウェハ２
に、レティクル９に描かれた位置合せ用パターン（原画
）を所定の位置（Ｘｔ、 Ｙｔ）にて転写する（ステッ
プ■）。
図に示すように、本番のウェハ（図示せず）に所定のパ
ターンを重ね合せ形成するに際し、まず、未感光の感光
剤付テストウェハ２を、ＸＹステージ１上に固定配置（
ローディング）する（ステップエ）、、次いでウェハ２
に、レティクル９に描かれた位置合せ用パターン（原画
）を所定の位置（Ｘｔ、 Ｙｔ）にて転写する（ステッ
プ■）。
次いで、ＸＹステージ１上にテストウェハ２を固定した
まま、ＸＹステージ１を現像機２０の定位置（Ｘｓ、
Ｙｒ＋）に移動して、転写された位置合せパターンを前
記現像システムのシーケンスに従って現像し、且つリン
ス、乾燥工程を行なう（ステップ■）。この場合のＸ、
Ｙステージ１のＸＹ軸平面上でのＸＹ移動量Ｌ１はレー
ザ測長システム５により、正確に測長される。次いで、
テストウェハ２をレーザ測長システム５で測長しつつＬ
ｚ分だけＸＹステージ１をＸＹ軸平面上で移動させて、
現像された位置合せパターン１３をパターン検出位置（
Ｘ２． Ｙ２）まで移動させる。ここで、位置合せパタ
ーンの投影露光位置（Ｘｔ＊ Ｙｌ） ＊呪像位ｆｌｉ
（Ｘａ、 Ｙ３ ）及びパターン検出位置（Ｘ２．
Ｙ２）は、あらかじめ設計データにより既知であるので
、これらの位置データとＸＹステージの移動測定量ＬＬ
、Ｌ２に基づき、テストウエハ２を現像位置（Ｘｓ、
Ｙａ）からパターン検出位置（Ｘｚ、 Ｙｚ）まで正確
に移動させることができる。
まま、ＸＹステージ１を現像機２０の定位置（Ｘｓ、
Ｙｒ＋）に移動して、転写された位置合せパターンを前
記現像システムのシーケンスに従って現像し、且つリン
ス、乾燥工程を行なう（ステップ■）。この場合のＸ、
Ｙステージ１のＸＹ軸平面上でのＸＹ移動量Ｌ１はレー
ザ測長システム５により、正確に測長される。次いで、
テストウェハ２をレーザ測長システム５で測長しつつＬ
ｚ分だけＸＹステージ１をＸＹ軸平面上で移動させて、
現像された位置合せパターン１３をパターン検出位置（
Ｘ２． Ｙ２）まで移動させる。ここで、位置合せパタ
ーンの投影露光位置（Ｘｔ＊ Ｙｌ） ＊呪像位ｆｌｉ
（Ｘａ、 Ｙ３ ）及びパターン検出位置（Ｘ２．
Ｙ２）は、あらかじめ設計データにより既知であるので
、これらの位置データとＸＹステージの移動測定量ＬＬ
、Ｌ２に基づき、テストウエハ２を現像位置（Ｘｓ、
Ｙａ）からパターン検出位置（Ｘｚ、 Ｙｚ）まで正確
に移動させることができる。
そして、この場合、パターン検出器１１．１２を通して
位置合せパターン１３とパターン検出器１１．１２の照
準Ｔ、換言すれば本来のパターン検出位置（Ｘｚ、 Ｙ
ｚ）と照準Ｔと位置偏差が生じているか否か、及び位置
偏差量ΔＬ＝ （Ｘ、Ｙ）が測定される（ステップＶ）
。
位置合せパターン１３とパターン検出器１１．１２の照
準Ｔ、換言すれば本来のパターン検出位置（Ｘｚ、 Ｙ
ｚ）と照準Ｔと位置偏差が生じているか否か、及び位置
偏差量ΔＬ＝ （Ｘ、Ｙ）が測定される（ステップＶ）
。
、 第５図（ａ）、（ｂ）は、この時の状態を表わす
ものである。
ものである。
第５図（ａ）、（ｂ）は第４図に対応するもので、発明
の〔作用〕の項でも述べたように、Ｓはパターン検出器
の視野、Ｔは照準、（Ｘｌ、 Ｙｔ）は位置合せパター
ン転写位置、（ＸＺ、 ＹＺ）は正規のパターン検出位
置、（Ｘｓ、 Ｙａ）はパターン現像位置である。
の〔作用〕の項でも述べたように、Ｓはパターン検出器
の視野、Ｔは照準、（Ｘｌ、 Ｙｔ）は位置合せパター
ン転写位置、（ＸＺ、 ＹＺ）は正規のパターン検出位
置、（Ｘｓ、 Ｙａ）はパターン現像位置である。
そして、パターン検出器１１．１２で検出される位置偏
差量ΔＬ＝Ｏであれば、第５図（ａ）に示すように、パ
ターン検出器１１．１２が適正状態を保ち、照準位置Ｔ
と本来のパターン検出位置（Ｘｚ、 ＹＺ）が一致し、
オフセットが発生していない。従って、この場合には、
位置調整手段３゜４がソフトウェアパラメータとしても
つ位置決め定数にフィードバック補正をかけない。そし
て、本番のパターン転写を行なう場合には、現状の位置
決め定数に基づき位置調整手段３，４を駆動させて、位
置合せパターン１３が照ＩＴに一致するまでウェハを移
動させ、このようにして、ウェハとレティクル９との相
対的な位置決めが行なわれる。
差量ΔＬ＝Ｏであれば、第５図（ａ）に示すように、パ
ターン検出器１１．１２が適正状態を保ち、照準位置Ｔ
と本来のパターン検出位置（Ｘｚ、 ＹＺ）が一致し、
オフセットが発生していない。従って、この場合には、
位置調整手段３゜４がソフトウェアパラメータとしても
つ位置決め定数にフィードバック補正をかけない。そし
て、本番のパターン転写を行なう場合には、現状の位置
決め定数に基づき位置調整手段３，４を駆動させて、位
置合せパターン１３が照ＩＴに一致するまでウェハを移
動させ、このようにして、ウェハとレティクル９との相
対的な位置決めが行なわれる。
また、上記の如くテストウェハをパターン転写位置（Ｘ
ｌ、Ｙｔ）→パターン現像位置（ＸａＩ Ｙａ）→パタ
ーン検出位Ｂ （ＸＺ、 Ｙｚ）に各工程を行ないつつ
移動させても、パターン検出器１１．１２等の位置決め
要素に変位が生じると、第５図（ｂ）に示すように本来
の位置合せパターン位置（ＸＺ。
ｌ、Ｙｔ）→パターン現像位置（ＸａＩ Ｙａ）→パタ
ーン検出位Ｂ （ＸＺ、 Ｙｚ）に各工程を行ないつつ
移動させても、パターン検出器１１．１２等の位置決め
要素に変位が生じると、第５図（ｂ）に示すように本来
の位置合せパターン位置（ＸＺ。
Ｙｚ）と照準Ｔとに６５分だけずれが生じる。この場合
、何らの対処がないと、本番のパターン転写をウェハに
施す場合に、位置調整手段は、位置合せパターンが照準
Ｔに一致するまでウェハを自動的に移動させてしまうの
で（第５図（ｂ）の（Ｘｚ’ ＨＹｚ’ ）位置）、ウ
ェハの位置が６５分だけずれてセットされる。そしてウ
ェハ上に重ね合せパターンを形成する場合には、前層と
今回の層とのパターンに６５分だけオフセットが生じる
。
、何らの対処がないと、本番のパターン転写をウェハに
施す場合に、位置調整手段は、位置合せパターンが照準
Ｔに一致するまでウェハを自動的に移動させてしまうの
で（第５図（ｂ）の（Ｘｚ’ ＨＹｚ’ ）位置）、ウ
ェハの位置が６５分だけずれてセットされる。そしてウ
ェハ上に重ね合せパターンを形成する場合には、前層と
今回の層とのパターンに６５分だけオフセットが生じる
。
しかし、本実施例では、テストウェハを現像位置（Ｘｓ
、 Ｙａ）から本来の位置合せパターン検出器＠ （Ｘ
Ｚ、 ＹＺ）に戻した時点で、パターン検出器１１．１
２が照準Ｔと正規の位置合せパターン検出位置（Ｘｚｙ
Ｙｚ）との位置偏差ΔＬ＝ （ＸＺ。
、 Ｙａ）から本来の位置合せパターン検出器＠ （Ｘ
Ｚ、 ＹＺ）に戻した時点で、パターン検出器１１．１
２が照準Ｔと正規の位置合せパターン検出位置（Ｘｚｙ
Ｙｚ）との位置偏差ΔＬ＝ （ＸＺ。
ＹＺ）−（Ｘｚ′、Ｙｚ′）＝（Ｘ、Ｙ）を検出するこ
とで、この位置偏差ΔＬ分に基づき位置調整手段３，４
のソフトウェアパラメータたる位置決め定数をフィード
バックして補正する。従って、たとえパター検出器の照
＄Ｔがずれても１本番のパターン転写をウェハに施す場
合には、位置調整手段１１．１２がこのずれ分ΔＬを見
込んで位置合せパターンが真のパターン検出位置（Ｘ
Ｚ ｔ Ｙ ２）にくるように、ウェハと投影露光装置
との相対的な位置決めを行なう。この場合の位置合せパ
ターン１３と照準Ｔとの最終的な位置は第５図（ｂ）の
状態に保たれる。従って、本実施例によれば、例えばパ
ターン検出器１１．１２等の位置決め要素に変位が生じ
ても、ウェハ上に重ね合せパターンを形成する場合には
、６５分のパターンセットが生じるのを防止し、高精度
のパターン形成を行なうことができる。
とで、この位置偏差ΔＬ分に基づき位置調整手段３，４
のソフトウェアパラメータたる位置決め定数をフィード
バックして補正する。従って、たとえパター検出器の照
＄Ｔがずれても１本番のパターン転写をウェハに施す場
合には、位置調整手段１１．１２がこのずれ分ΔＬを見
込んで位置合せパターンが真のパターン検出位置（Ｘ
Ｚ ｔ Ｙ ２）にくるように、ウェハと投影露光装置
との相対的な位置決めを行なう。この場合の位置合せパ
ターン１３と照準Ｔとの最終的な位置は第５図（ｂ）の
状態に保たれる。従って、本実施例によれば、例えばパ
ターン検出器１１．１２等の位置決め要素に変位が生じ
ても、ウェハ上に重ね合せパターンを形成する場合には
、６５分のパターンセットが生じるのを防止し、高精度
のパターン形成を行なうことができる。
また、本実施例によるオフセット補正方法によれば、１
回の位置合せパターンの転写、現像で、しかもテストウ
ェハをＸＹステージに固定したままで投影露光位置→現
像位置→パターン検出位置と所定の距離だけ往復動させ
ることで、パターンオフセットを補正できるので、従来
の如きはん雑な工程を要することなく、短時間に自動オ
フセット補正を行ない得る。
回の位置合せパターンの転写、現像で、しかもテストウ
ェハをＸＹステージに固定したままで投影露光位置→現
像位置→パターン検出位置と所定の距離だけ往復動させ
ることで、パターンオフセットを補正できるので、従来
の如きはん雑な工程を要することなく、短時間に自動オ
フセット補正を行ない得る。
以上のように本発明によれば、（１） Ｘ Ｙステージ
の可動域上方に現像機を配することで、ウェハをＸＹス
テージに固定したまま位置合せパターンの露光、現像を
行ない、この種パターンの転写。
の可動域上方に現像機を配することで、ウェハをＸＹス
テージに固定したまま位置合せパターンの露光、現像を
行ない、この種パターンの転写。
現像作業の簡略化及び時間の短縮化を図り、（２）更に
この現像機を用いたパターンオフセット補正法により、
位置合せパターンの１回の転写、現像で繁雑な作業を要
することなく、短時間で高精度のパターンオフセットの
補正を行なうことができる。
この現像機を用いたパターンオフセット補正法により、
位置合せパターンの１回の転写、現像で繁雑な作業を要
することなく、短時間で高精度のパターンオフセットの
補正を行なうことができる。
第１図は本発明の適用対象となる投影露光装置の一構成
例を示す概略斜視図、第２図は上記投影露光装置に装備
される現像システムの縦断面図、第３図は本発明のパタ
ーンオフセット補正法の具体例を示す説明図、第４図は
上記パターンオフセット補正法のシーケンスを表わすフ
ローチャート、第５図（ａ）、（ｂ）はパターン転写位
置、パターン現像位置及びパターン検出位置の位置関係
を表わす説明図である。 １・・・ＸＹステージ、２・・・ウェハ（テストウェハ
）、３．４・・サーボモータ（ステージ駆動機構２泣置
調整手段）、５・・・ＸＹステージ移動量測定手段（レ
ーザ測長系）、６，７，８，９・・投影露光用光学系、
１１．１２・・・パターン検出器、１３・・・位置合せ
パターン、２０・・・現像システム、Ｌｌ、Ｌｚ・・・
ＸＹステージ移動量、ΔＬ・・・位置偏差、（Ｘｌ。 Ｙｌ）・・・パターン転写位置、（Ｘ２． Ｙ２）・・
・パターン検出位置、（Ｘａ、 Ｙａ）・・・パターン
現像位置、Ｔ・・・パターン検出器の照準。 阜ｊ圓 ／−ＸＹｇデージ ７３−− イ装置＃ぜノゾダーン ２θ −・−現４本システム 茎５ 区 （Ｃ 丁
例を示す概略斜視図、第２図は上記投影露光装置に装備
される現像システムの縦断面図、第３図は本発明のパタ
ーンオフセット補正法の具体例を示す説明図、第４図は
上記パターンオフセット補正法のシーケンスを表わすフ
ローチャート、第５図（ａ）、（ｂ）はパターン転写位
置、パターン現像位置及びパターン検出位置の位置関係
を表わす説明図である。 １・・・ＸＹステージ、２・・・ウェハ（テストウェハ
）、３．４・・サーボモータ（ステージ駆動機構２泣置
調整手段）、５・・・ＸＹステージ移動量測定手段（レ
ーザ測長系）、６，７，８，９・・投影露光用光学系、
１１．１２・・・パターン検出器、１３・・・位置合せ
パターン、２０・・・現像システム、Ｌｌ、Ｌｚ・・・
ＸＹステージ移動量、ΔＬ・・・位置偏差、（Ｘｌ。 Ｙｌ）・・・パターン転写位置、（Ｘ２． Ｙ２）・・
・パターン検出位置、（Ｘａ、 Ｙａ）・・・パターン
現像位置、Ｔ・・・パターン検出器の照準。 阜ｊ圓 ／−ＸＹｇデージ ７３−− イ装置＃ぜノゾダーン ２θ −・−現４本システム 茎５ 区 （Ｃ 丁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを固定するためのＸＹステージと、前記ウェ
ハにパターンを投影露光して転写する投影露光用光学系
と、前記ＸＹステージをＸＹ軸平面上で移動させるステ
ージ駆動機構と、前記ウェハに形成される位置合せパタ
ーンを光学的に検出し、この位置合せパターンに基づき
前記ウェハと前記投影露光用光学系との相対的な位置決
めを行なう位置調整手段とを備えてなる投影露光装置に
おいて、前記ＸＹステージの可動域の上方に現像機を設
け、且つこの現像機は、ＸＹステージ上にウェハを固定
したままウェハ上の位置合せパターン露光部を現像する
機能を備えてなることを特徴とする投影露光装置。 ２、ウェハを固定するためのＸＹステージと、前記ウェ
ハにパターンを投影露光して転写する投影露光用光学系
と、前記ＸＹステージをＸＹ軸平面上で移動させるステ
ージ駆動機構と、前記ウェハに形成される位置合せパタ
ーンを光学的に検出し、この位置合せパターンに基づき
前記ウェハと前記投影露光用光学系との相対的な位置決
めを行なう位置調整手段とを備えてなる投影露光装置に
おいて、前記ＸＹステージの可動域の上方に現像機を設
け、前記ウェハにパターンを重ね合せ形成する場合には
、各層のパターン転写に際し、前記ＸＹステージにテス
トウェハを固定して、該テストウェハに前記位置合せパ
ターンを前記投影露光用光学系を介して、投影露光し、
この位置合せパターンの露光後に、前記テストウェハを
固定したまま前記ＸＹステージをその移動量を自動測定
しつつ駆動させて、先ず該テストウェハを前記現像機の
定位置まで移動させ、この定位置にてテストウェハ上の
位置合せパターン露光部を現像した後、該テストウェハ
を前記ＸＹステージと共に予め設定されたパターン検出
位置まで移動させ、このパターン検出位置にて前記テス
トウェハに形成された位置合せパターンを前記パターン
検出器で検出させると共に、この検出位置での位置合せ
パターンと前記パターン検出器の照準とが一致せず位置
偏差が生じている場合には、その位置偏差分だけ前記位
置調整手段の位置決め定数をフィードバック補正するこ
とを特徴とする投影露光装置のパターンオフセット補正
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333186A JP2592475B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法 |
| US07/291,163 US4941745A (en) | 1987-12-30 | 1988-12-28 | Projection aligner for fabricating semiconductor device having projection optics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333186A JP2592475B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179318A true JPH01179318A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2592475B2 JP2592475B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=18263264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62333186A Expired - Lifetime JP2592475B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4941745A (ja) |
| JP (1) | JP2592475B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| JP2009105473A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| WO2011024289A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 富士通株式会社 | 光学部品製造方法および光学部品製造装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2650396B2 (ja) * | 1989-02-07 | 1997-09-03 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及び位置検出方法 |
| US6225012B1 (en) | 1994-02-22 | 2001-05-01 | Nikon Corporation | Method for positioning substrate |
| JP3116297B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
| KR20060038439A (ko) * | 2003-07-10 | 2006-05-03 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 기판 상에 패턴의 위치를 정확하게 선정하기 위한 방법 및디바이스 |
| CN104275946B (zh) * | 2013-07-10 | 2016-09-28 | 富翔精密工业(昆山)有限公司 | 打标装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913324A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-24 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS61114599A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | 松下電器産業株式会社 | 複合部品 |
-
1987
- 1987-12-30 JP JP62333186A patent/JP2592475B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-28 US US07/291,163 patent/US4941745A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101487A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| JP2009105473A (ja) * | 2002-12-10 | 2009-05-14 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| JP4525827B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| WO2011024289A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 富士通株式会社 | 光学部品製造方法および光学部品製造装置 |
| US8587782B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-11-19 | Fujitsu Limited | Optical-component fabricating method and optical-component fabricating apparatus |
| JP5472306B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-16 | 富士通株式会社 | 光学部品製造方法および光学部品製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4941745A (en) | 1990-07-17 |
| JP2592475B2 (ja) | 1997-03-19 |
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