JP2006024715A - リソグラフィー装置およびパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リソグラフィー装置は、レジスト処理装置1と、液浸型の露光装置2と、レジスト処理装置1および露光装置2に連結され、レジスト処理装置1と露光装置2との間におけるウエハ5の搬送を行うための搬送装置3と、露光装置2内の温度および湿度に基づいて、搬送装置3の内部の温度および湿度を制御する温湿度制御ユニット4とを備えている。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。
図3は、本発明の第2の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図1と対応する部分には図1と同一符号を付してあり、詳細な説明(構成、作用効果など)は省略する。
図4は、本発明の第3の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図1と対応する部分には図1と同一符号を付してあり、詳細な説明(構成、作用効果など)は省略する。
図5は、本発明の第4の実施形態に係るリソグラフィー装置の待機ユニットの構成を模式的に示す図である。図2と対応する部分には図2と同一符号を付してあり、詳細な説明(構成、作用効果など)は省略する。
図6は、露光装置2内から搬送装置3内に搬入された、液浸露光済みのウエハ5の表面状態の一例を示している。ウエハ5の表面には、時として図6に示すように、露光領域31上に液浸露光で用いた液体32が残留している場合がある。このような状態のウエハ5をリソグラフィー装置で処理すると、リソグラフィー装置が汚染されるという問題が起こる。
図10は、露光装置内2から搬送装置3内に搬入された、液浸露光済みのウエハ5の裏面状態の一例を示している。ウエハ5の裏面には、時として図10に示すように、液浸露光時にウエハ5の表面から抽出された物質(汚染物質)33が裏面に回り込んで裏面を汚染する場合がある。
Claims (15)
- 被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記レジスト処理装置および前記搬送装置の少なくとも一方の内部の温度および湿度の少なくとも一方を制御する温湿度制御手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。 - 前記温湿度制御手段は、
前記搬送装置内の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記搬送装置内の温度および湿度をモニターするための第1の温湿度センサと、
前記露光処理装置内の温度および湿度をモニタするための第2の温湿度センサと、
前記第1および第2の温湿度センサにて取得された前記搬送装置および前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、前記液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー装置。 - 前記温湿度制御手段は、
前記液浸型の露光装置内において前記被処理基板が待機される箇所の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記被処理基板が待機される箇所の温度および湿度をモニターするための第1の温湿度センサと、
前記液浸型の露光装置内において露光が行われる箇所近傍の温度および湿度をモニタするための第2の温湿度センサと、
前記第1および第2の温湿度センサにて取得された前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、前記被処理基板が待機される箇所から前記露光が行われる箇所に前記被処理基板を搬送する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー装置。 - 前記温湿度制御手段は、
前記レジスト処理装置内の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記レジスト処理装置内の温度および湿度をモニタするための第1の温湿度センサと、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度をモニターするための第2の温湿度センサと、
前記第1および第2の温湿度センサにて取得された前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、
前記レジスト処理装置内から前記搬送装置を介して前記液浸型の露光装置内に前記被処理基板を搬入する時、または、前記液浸型の露光装置内から前記搬送装置を介して前記レジスト処理装置内に前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー装置。 - 被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、
前記被処理基板の前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間の搬送経路の少なくとも一箇所に設けられた開閉可能なシャッターと
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。 - 前記開閉可能なシャッターは、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記搬送装置との間の搬送経路、および、前記被処理基板の前記搬送装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィー装置。
- 前記開閉可能なシャッターは、前記搬送処理装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニット、前記液浸型の露光装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニットまたは前記レジスト処理装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニットに設けられていることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィー装置。
- レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、
前記液浸型の露光装置内に、前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程において、前記液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項8に記載のパターン形成方法。
- レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記搬送装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、
前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記レジスト処理装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程において、前記レジスト処理装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項10に記載のパターン形成方法。
- 被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の表面上の液体を除去するための液体除去手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。 - 被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の裏面を洗浄するための洗浄手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。 - レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の表面上の液体を除去する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。 - レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2008091637A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法 |
JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010091559A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および湿度測定システム |
JP2013098552A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2018160534A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300578A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
CN208608230U (zh) * | 2017-08-01 | 2019-03-15 | 上海自旭光电科技有限公司 | 用于有机发光二极管显示器的制造设备 |
CN208297925U (zh) * | 2018-01-02 | 2018-12-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 浸润式曝光后移除残留水滴的装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234839A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Canon Inc | 半導体露光方法および装置 |
JPH10284405A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nikon Corp | リソク゛ラフィシステム |
JPH11260884A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002175976A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 |
WO2004053952A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2516194B2 (ja) | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
JPH09199462A (ja) | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ洗浄方法及びそのための装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US6183147B1 (en) * | 1998-06-15 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Process solution supply system, substrate processing apparatus employing the system, and intermediate storage mechanism employed in the system |
US6319322B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP3552600B2 (ja) | 1998-07-13 | 2004-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP3495954B2 (ja) | 1998-10-13 | 2004-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | パタ−ン形成装置及び塗布、現像装置 |
JP2003124283A (ja) | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
-
2004
- 2004-07-07 JP JP2004201011A patent/JP2006024715A/ja active Pending
-
2005
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2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234839A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Canon Inc | 半導体露光方法および装置 |
JPH10284405A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nikon Corp | リソク゛ラフィシステム |
JPH11260884A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002175976A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 |
WO2004053952A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2008091637A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法 |
JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US8228487B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010091559A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および湿度測定システム |
JP2013098552A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US9885964B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2018160534A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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