JP4271109B2 - 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 - Google Patents
塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4271109B2 JP4271109B2 JP2004264753A JP2004264753A JP4271109B2 JP 4271109 B2 JP4271109 B2 JP 4271109B2 JP 2004264753 A JP2004264753 A JP 2004264753A JP 2004264753 A JP2004264753 A JP 2004264753A JP 4271109 B2 JP4271109 B2 JP 4271109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- cleaning liquid
- cleaning
- discharge port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
洗浄液吐出口54の両側には洗浄液吐出口54の長さに略等しい長さを持った吸引口55、56が洗浄液吐出口54に沿って夫々スリット状に形成されている。該吸引口4Gの幅は、好ましくは0.05mm〜1.0mmであり、より好ましくは5.0〜10.0mmである。また洗浄液吐出口54と吸引口55、56との間隔は2.0〜20.0mmが好ましく、より好ましくは5.0〜10.0mmである。
1 露光手段
10 レンズ
11 供給ロ
12 吸引口
13 転写領域(ショット領域)
100 洗浄ユニット
4 ステージ
40 アーム
41 駆動機構
42 軸部
5 ノズル部
51 天板
52 コ字型部
54 洗浄液吐出口
54a 洗浄液供給管
54b バルブ
54c 洗浄液供給源
55 吸引口
55a 吸引管
55b バルブ
55c 吸引手段
56 吸引口
56a 吸引管
57 アーム
58 移動機構
60 下面部
61 洗浄液吐出口
63 接続ユニット
64 洗浄液供給管
65 吸引管
66 吸引口
67 吸引管
71 コ字型部
72 コ字型部
73 移動機構
74 移動機構
81 ステージ
82 駆動機構
83 ノズル部
Claims (18)
- 半導体ウエハの表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の半導体ウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
半導体ウエハに対してレジスト塗布後、液浸露光の前に洗浄を行う洗浄ユニットを備え、
前記洗浄ユニットは、
半導体ウエハを水平に保持するウエハ保持部と、
前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に対向するように形成され、半導体ウエハの略直径に相当する長さの洗浄液吐出口と、この洗浄液吐出口から半導体ウエハの表面に吐出された洗浄液を吸引するために当該洗浄液吐出口の両側にこれに沿って配置され、当該洗浄液吐出口と略同一の長さの吸引口と、を含むノズル部と、
前記ノズル部に対して、ウエハ保持部を相対的に鉛直軸回りに回転する回転機構と、
前記ノズル部を、ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に対向する洗浄位置と半導体ウエハの表面から退避した退避位置との間で移動させる移動機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 半導体ウエハの表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の半導体ウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
半導体ウエハに対して液浸露光の後、現像前に洗浄を行う洗浄ユニットを備え、
前記洗浄ユニットは、
半導体ウエハを水平に保持するウエハ保持部と、
このウエハ保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、
前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの周縁部を囲むように形成されたコ字型部と、
このコ字型部の上面部及び下面部の内側から半導体ウエハの両面周縁部に夫々洗浄液を吐出する上側洗浄液吐出口及び下側洗浄液吐出口と、
前記コ字型部の下面部に洗浄液を吸引するために設けられ、前記下側洗浄液吐出口から見て半導体ウエハの中央部側を前方とすると、当該下側洗浄液吐出口を少なくとも前側及び両側の三方から囲む下部吸引口と、
前記コ字型部の側面部に設けられ、洗浄液を吸引するための側部吸引口と、
前記コ字型部を半導体ウエハの周縁部を囲む洗浄位置と当該洗浄位置から退避した退避位置との間で移動させる移動機構と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - コ字型部は、半導体ウエハの直径方向に互いに対向するように設けられていることを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。
- 下側洗浄液吐出口は、半導体ウエハの内側から外側に伸びる細長い吐出口として形成され、
下部吸引口は、下側洗浄液吐出口の両側にて当該吐出口に沿って伸びる部位を備えていることを特徴とする請求項2又は3記載の塗布、現像装置。 - 半導体ウエハの表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の半導体ウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
半導体ウエハに対して液浸露光の後、現像前に洗浄を行う洗浄ユニットを備え、
前記洗浄ユニットは、
半導体ウエハを水平に保持するウエハ保持部と、
前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に対向するように形成され、半導体ウエハの略直径に相当する長さの洗浄液吐出口と、この洗浄液吐出口から半導体ウエハの表面に吐出された洗浄液を吸引するために当該洗浄液吐出口の両側にこれに沿って配置され、当該洗浄液吐出口と略同一の長さの吸引口と、を含むノズル部と、
前記ノズル部に対して、ウエハ保持部を相対的に鉛直軸回りに回転する回転機構と、
前記ノズル部の両端部に設けられ、前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの周縁部を囲むように形成されたコ字型部と、
このコ字型部の下面部の内側から半導体ウエハの裏面周縁部に洗浄液を吐出する下側洗浄液吐出口と、
前記コ字型部の側面部に設けられ、洗浄液を吸引するための吸引口と、
前記ノズル部を、ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に対向する洗浄位置と半導体ウエハの表面から退避した退避位置との間で移動させる移動機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記コ字型部の下面部に洗浄液を吸引するために設けられ、前記下側洗浄液吐出口から見て半導体ウエハの中央部側を前方とすると、当該下側洗浄液吐出口を少なくとも前側及び両側の三方から囲む吸引口を備えたことを特徴とする請求項5記載の塗布、現像装置。
- 下側洗浄液吐出口は、半導体ウエハの内側から外側に伸びる細長い吐出口として形成され、
下部吸引口は、下側洗浄液吐出口の両側にて当該吐出口に沿って伸びる部位を備えていることを特徴とする請求項6記載の塗布、現像装置。 - 半導体ウエハの直径に沿った帯状領域を前記ノズル部により順次洗浄するためにウエハ保持部を間欠的に回転させるよう回転機構が制御されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の塗布、現像装置。
- 前記洗浄液吐出口から洗浄液が吐出しているときに、前記ウエハ保持部に対してノズル部を相対的に半導体ウエハの接線方向に往復移動させるための往復動作機構を備えた請求項1ないし8のいずれかに記載の塗布、現像装置。
- 前記移動機構は、前記往復動作機構を兼用していることを特徴とする請求項9記載の塗布、現像装置。
- 前記塗布ユニット及び現像ユニットを含む処理ブロックと、この処理ブロックと半導体ウエハに対して液浸露光を行う露光機との間に介在するインターフェイスブロックを備え、前記洗浄ユニットは、インターフェイスブロックに設けられていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の塗布、現像装置。
- 半導体ウエハの表面にレジストを塗布した後、当該半導体ウエハの表面に液層を形成して液浸露光し、次いでウエハの表面に現像液を供給して現像するレジストパターン形成方法において、
半導体ウエハに対してレジスト塗布後、液浸露光の前に洗浄を行う洗浄工程を備え、
前記洗浄工程は、
半導体ウエハをウエハ保持部に水平に保持する工程と、
その後、請求項1に記載されたノズル部を前記半導体ウエハの表面に対向するように相対的に位置させる工程と、
次いで、前記ノズル部に設けられた洗浄液吐出口から洗浄液を半導体ウエハの表面に吐出しながら前記ノズル部に設けられた吸引口から当該洗浄液を吸引し、半導体ウエハの直径に沿った帯状領域を洗浄する工程と、
続いてウエハ保持部を順次回転させて各回転位置における帯状領域を前記工程と同様にして洗浄する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 半導体ウエハの表面にレジストを塗布した後、当該半導体ウエハの表面に液層を形成して液浸露光し、次いでウエハの表面に現像液を供給して現像するレジストパターン形成方法において、
半導体ウエハに対して液浸露光後、現像を行う前に洗浄を行う洗浄工程を備え、
前記洗浄工程は、
半導体ウエハをウエハ保持部に水平に保持する工程と、
次いで請求項2に記載されたコ字型部を、前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの周縁部を囲むように相対的に位置させる工程と、
続いて、このコ字型部に設けられた上側洗浄液吐出口及び下側洗浄液吐出口から半導体ウエハの両面周縁部に夫々洗浄液を吐出する工程と、
前記下側洗浄液吐出口を囲む吸引口と、前記コ字型部の側面部に設けられた吸引口とから、前記洗浄液を吐出する工程が行われている間に、洗浄液を吸引する工程と、
半導体ウエハの全周に亘って周縁部の洗浄を行うために前記ウエハ保持部を回転させる工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 半導体ウエハの表面にレジストを塗布した後、当該半導体ウエハの表面に液層を形成して液浸露光し、次いでウエハの表面に現像液を供給して現像するレジストパターン形成方法において、
半導体ウエハに対して液浸露光後、現像を行う前に洗浄を行う洗浄工程を備え、
前記洗浄工程は、
半導体ウエハをウエハ保持部に水平に保持する工程と、
次いで請求項5に記載されたノズル部を半導体ウエハに対向させると共に当該ノズル部の両端部に設けられたコ字型部を半導体ウエハの周縁部を囲むように相対的に位置させる工程と、
その後、前記ノズル部に設けられた洗浄液吐出口から洗浄液を半導体ウエハの表面に吐出しながら前記ノズル部に設けられた吸引口から当該洗浄液を吸引し、半導体ウエハの直径に沿った帯状領域を洗浄する工程と、
前記コ字型部の下面部の内側から半導体ウエハの裏面周縁部に洗浄液を吐出しながら前記コ字型部の側面部に設けられた吸引口から洗浄液を吸引する工程と、
続いてウエハ保持部を順次回転させて各回転位置における帯状領域及び半導体ウエハの裏面周縁部を前記工程と同様にして洗浄する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記洗浄液吐出口から洗浄液が吐出しているときに、前記ウエハ保持部に対してノズル部を相対的に半導体ウエハの接線方向に往復移動させる工程を含むことを特徴とする請求項12ないし14のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 半導体ウエハに対して液浸露光後、現像前に加熱を行う工程を備え、前記洗浄工程は、加熱を行う工程の前に行われることを特徴とする請求項12ないし15のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- レジストが塗布された半導体ウエハの表面に液層を形成して液浸露光する露光装置において、
請求項1から11までのいずれか一に記載した洗浄ユニットを設けたことを特徴とする露光装置。 - 請求項1から11までのいずれか一に記載した洗浄ユニットからなることを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264753A JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
PCT/JP2005/013397 WO2006027900A1 (ja) | 2004-09-10 | 2005-07-21 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
TW94130666A TWI270924B (en) | 2004-09-10 | 2005-09-07 | Coating and developing apparatus, resist pattern forming method, exposure apparatus and washing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264753A JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080403A JP2006080403A (ja) | 2006-03-23 |
JP4271109B2 true JP4271109B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=36036193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004264753A Expired - Fee Related JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4271109B2 (ja) |
TW (1) | TWI270924B (ja) |
WO (1) | WO2006027900A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5008280B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154008B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154006B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4926433B2 (ja) | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
JP4634822B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US7681581B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
US7691559B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography edge bead removal |
JP4761907B2 (ja) | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5132108B2 (ja) | 2006-02-02 | 2013-01-30 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
CN102569137B (zh) | 2006-07-07 | 2015-05-06 | Telfsi股份有限公司 | 用于处理微电子工件的设备和方法 |
CN100541713C (zh) | 2006-07-18 | 2009-09-16 | 东京毅力科创株式会社 | 高折射率液体循环***、图案形成装置以及图案形成方法 |
JP2008042004A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP5004611B2 (ja) | 2007-02-15 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5149513B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-02-20 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7641406B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-01-05 | Sokudo Co., Ltd. | Bevel inspection apparatus for substrate processing |
JP2009071235A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
US8051863B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-11-08 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
JP5136103B2 (ja) | 2008-02-12 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
JP2010287686A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。 |
JP5590602B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-09-17 | サムスン電機ジャパンアドバンスドテクノロジー株式会社 | ディスク駆動装置の生産方法及びその生産方法により生産されたディスク駆動装置 |
TWI708346B (zh) | 2015-12-15 | 2020-10-21 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | 流體吐出裝置及流體吐出方法 |
CN111045299B (zh) * | 2020-01-02 | 2023-07-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种显影洗边设备和显影洗边方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2929196B2 (ja) * | 1988-09-13 | 1999-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置 |
JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP4015823B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | アルカリ現像液の製造方法,アルカリ現像液,パターン形成方法,レジスト膜の剥離方法,及び薬液塗布装置 |
KR101037057B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4525062B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4101740B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2008-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置及びレジストパターンの形成方法 |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
JP2006024715A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | リソグラフィー装置およびパターン形成方法 |
-
2004
- 2004-09-10 JP JP2004264753A patent/JP4271109B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-21 WO PCT/JP2005/013397 patent/WO2006027900A1/ja active Application Filing
- 2005-09-07 TW TW94130666A patent/TWI270924B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006080403A (ja) | 2006-03-23 |
WO2006027900A1 (ja) | 2006-03-16 |
TW200632988A (en) | 2006-09-16 |
TWI270924B (en) | 2007-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4271109B2 (ja) | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 | |
JP4410121B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 | |
JP4343069B2 (ja) | 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。 | |
US8755025B2 (en) | Substrate transport apparatus and method, exposure apparatus and exposure method, and device fabricating method | |
JP4535489B2 (ja) | 塗布・現像装置 | |
JP5079717B2 (ja) | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 | |
JP5448536B2 (ja) | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびレジスト膜処理方法 | |
JP4616731B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
US7641405B2 (en) | Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit | |
US20190041755A1 (en) | Development unit, substrate processing apparatus, development method and substrate processing method | |
US20080212049A1 (en) | Substrate processing apparatus with high throughput development units | |
JP2008042019A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
JP2005175079A (ja) | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 | |
JP4924467B2 (ja) | 処理装置及び洗浄方法並びに記憶媒体 | |
US20070147831A1 (en) | Substrate processing apparatus for performing exposure process | |
JP4748683B2 (ja) | 液処理装置 | |
US8031324B2 (en) | Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JPH07283184A (ja) | 処理装置 | |
JP5012393B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
TW200302404A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4748263B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP2007317985A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000031042A (ja) | 処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150306 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |