JP2008542081A - 中間スタンプによるパターン複製 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
一次インプリントステップが、
パターン化表面を有するポリマースタンプを作成する工程であり、該構造テンプレート表面を第1のポリマーホイルの表面層に押圧して、該パターンの反転を該表面層にインプリントすることを備える工程を含み、
二次インプリントステップが、
該ポリマースタンプおよび基板を互いに平行に配列する工程であり、該パターン化表面は該目標表面基板に面しており、また材料の中間層は放射への暴露時に固化するように考案されている工程と、
該ポリマースタンプおよび該基板を温度Tpに加熱する工程と、
該温度Tpを維持しつつ、
該パターン化表面の該パターンを該中間層にインプリントするために該ポリマースタンプを該基板に対して押圧することと、
該中間層を固化するために該層を放射に暴露することとを実行する工程とを含む、方法に関する。
該ポリマーホイルおよび基板を相互に平行に配列するステップの前に、該材料をスピンコーティングすることによって該中間層を該基板上に適用するステップを備える。
ストップ部材と柔軟性膜の第1の側の間に挟持された該ポリマーホイルおよび該基板を配列するステップを備えており、該ポリマーホイルを該基板に押圧する該ステップは、該膜の第2の側にある媒体に加圧力を印加する工程を含む。
該ポリマーホイルを介して該中間層に放射するステップであって、このポリマーホイルは、該材料を固化するために使用可能な放射の波長範囲に透過的であるステップと、
該ヒーターデバイスとの直接接触によって該基板を加熱するステップとを備える。
該膜を介して該中間層に放射するステップを備え、
この膜は、該材料を固化するために使用可能な放射の波長範囲に透過的である。
100〜500nmの波長範囲内で放射源から放射する工程を備える。
0.5〜10μsの範囲のパルス期間、および毎秒1〜10パルスの範囲のパルスレートでパルス放射するステップを備える。
該層を放射に暴露する前に該表面層から空気混入物を抽出するために、該テンプレートと該基板間に真空を適用するステップを備える。
該第1のポリマーホイルの該表面層を固化する工程であって、該第1のポリマーホイルは該ポリマースタンプであり、該表面層は該ポリマースタンプの該パターン化表面を画定する、工程を含む。
該第1のポリマーホイルの該表面層を固化する工程と、
該第1のポリマーホイルの該反転パターンを第2のポリマーホイルの表面層に押圧して、該第2のポリマーホイルの該表面層に該テンプレート表面の該パターンのレプリカをインプリントする工程と、
該第2のポリマーホイルの該表面層を固化する工程で、該第2のポリマーホイルは該ポリマースタンプであって、この表面層は該ポリマースタンプの該パターン化表面を画定する、工程と
を含む。
該圧力を解放するステップと、
該目標表面上に該中間層を有する該基板を該ポリマースタンプから解放するステップと、
を備える。
該二次インプリントステップの後に該ポリマースタンプを処分するステップと、
該テンプレートを使用して該第1のインプリントステップの反復時に新たなポリマースタンプを作成するステップと、
該新たなポリマースタンプを使用して該第2のインプリントステップの反復時に新たな基板目標表面をインプリントするステップと、
を備える。
大きなポリマーホイルを提供する工程と、
該ポリマーホイルを、このガラス遷移温度より高い温度に加熱する工程と、
該構造テンプレート表面を該ポリマーホイルの表面に押圧する工程と、
該ポリマーホイルを冷却する工程と、
該パターン化ポリマーホイルを該テンプレートから分離する工程と、
を含む熱インプリントプロセスである。
ポリマーホイルを提供する工程と、
放射感応性プレポリマー表面層を該ポリマーホイルの表面上に提供する工程と、
該構造テンプレート表面を該表面層に押圧する工程と、
該表面層を該ポリマーホイルを介する放射に暴露して該プレポリマーを硬化させる工程と、
該パターン化ポリマーホイルを該テンプレートから分離する工程と、
を含む放射支援インプリントプロセスである。
パターン化ポリマーホイルを該テンプレートから分離する前に、熱を提供して該表面層を事後焼成する工程を含む。
ポリマーホイルを提供する工程と、
放射感応性架橋性ポリマー表面層を該ポリマーホイルの表面上に提供する工程と、
該ポリマーホイルを該架橋性ポリマーのガラス遷移温度より高い温度に加熱して、該温度を維持しつつ、
該テンプレートを該表面層に押圧することと、
該表面層を架橋するために該表面層を放射に暴露することとを実行する工程と、
を含む放射支援インプリントプロセスである。
該温度を維持しつつ該表面層を事後焼成するステップを含む。
該パターン化ポリマーホイルを該テンプレートから分離するステップを備える。
表面がラインパターンを示し、かつ80nmのライン幅および90nmの高さを有するニッケルテンプレートが150℃かつ50barで3分間Zeonor ZF14ホイルにインプリントされた。いずれの表面も、例えば接着防止層などの追加コーティングによって処置されなかった。解放温度は135℃であって、この温度でZeonorホイルは、テンプレートおよびレプリカのいずれのパターンにもダメージを与えることなく、ニッケル表面から機械的に除去可能であった。Zeonorホイルは新たなテンプレートとして使用されて、これは100nm厚のSU8膜にインプリントされた。SU8膜は、シリコン基板に事前にスピンコーディングされている20nmのLOR膜上にスピンコーティングされた。ここでも、いずれの表面も、SU8膜とZeonorホイル間の接着防止挙動を改良するために、追加コーティングによって処置されなかった。インプリントは70℃かつ50barで3分間実行された。SU8膜は光透過性Zeonorホイルを介して4秒間紫外線に暴露されて、2分以上焼成された。温度および圧力の両方とも、インプリントシーケンス全体でそれぞれ70℃および50barに一定に維持された。解放温度は70℃であって、この温度で、Zeonorホイルは、ポリマーテンプレートホイルとレプリカ膜のいずれのパターンにもダメージを与えることなく、SU8から機械的に除去可能であった。シリコンウェーハ上に堆積されたSU8膜のインプリント結果のAFM画像が図2に示されている。
AFMによって調査された、100nmの構造高さおよび150nmの幅を有するBluRayパターンを表面が示すニッケルテンプレートが、実施例1で上述されたのと同じプロセスおよび同じパラメータを使用してZeonor ZF14にインプリントされた。Zeonorホイルは新たなテンプレートとして使用されており、これは100nm厚のSU8膜にインプリントされた。ここでも、実施例1で上述されたのと同じプロセスおよび同じパラメータが使用された。シリコンウェーハ上に堆積されたSU8膜のインプリント結果のAFM画像が図3に示されている。
1〜28に及ぶ高アスペクト比を有するマイクロメートルパターンを表面が含有するニッケルテンプレートが使用された。部材サイズは、高さ17μmで600nm〜12μmに及ぶ。表面はインプリント前にリン酸ベースの接着防止膜によってカバーされた。ニッケルテンプレートは190℃かつ50barで3分間ポリカーボネートホイルにインプリントされた。ポリカーボネートホイルの表面は、Niテンプレートとポリカーボネート膜間の接着防止挙動を改良するために、追加コーティングによって処置されなかった。解放温度は130℃であり、この温度で、ポリカーボネートホイルは、テンプレートとレプリカのいずれのパターンにもダメージを与えることなく、ニッケル表面から機械的に除去可能であった。ポリカーボネートホイルは、Topasホイルへのインプリントのための新たなテンプレートとして使用された。インプリントは120℃かつ50barで3分間実行された。いずれの表面も、ポリカーボネートとTopasホイル間の接着防止挙動を改良するために、追加コーティングによって処分されなかった。解放温度は70℃であって、この温度で、Topasは、テンプレートホイルとレプリカホイルのいずれのパターンにもダメージを与えることなくポリカーボネートホイルから機械的に除去可能であった。Topasホイルは次いで新たなテンプレートとして使用されて、これはシリコン基板上にスピンコーティングされている6000nm厚のSU8膜にインプリントされた。ここでも、いずれの表面も、SU8膜とTopasホイル間の接着防止挙動を改良するために、追加コーティングによって処置されなかった。インプリントは70℃かつ50barで3分間実行された。SU8膜は光透過性Topasホイルを介して4秒間紫外線に暴露されて、プロセス全体で70℃の温度や50barの圧力を変更せずに2分以上焼成された。解放温度は70℃であった。その後、Topasホイルは60℃で1時間p−キシレンにおいて完全に溶解された。この結果のSEM画像が図4に示されている。
上記実施例に示されたインプリントプロセスが実行されたが、様々にパターニングされたNiスタンプは、異なるプロセスパラメータを使用して、場合によってはリン酸ベースの接着防止膜によってコーティングされている。基板(2〜6インチのシリコンウェーハ)は、LOR膜およびSU8膜をスピンする直前にイソプロパノールおよびアセトンでリンスすることによってクリーニングされた。適用されたスタンプのサイズは2〜6インチである。インプリントは、UVモジュールを具備するObducat−6−inch−NIL機器を使用して実行された。
Claims (35)
- 一次インプリントステップおよび二次インプリントステップを備える、構造表面を有するテンプレートから基板の目標表面にパターンを移動するための方法であって、
前記一次インプリントステップが、
パターン化表面を有するポリマースタンプを作成する工程で、前記構造テンプレート表面を第1のポリマーホイルの表面層に押圧して、前記パターンの反転を前記表面層にインプリントすることを備える工程を含み、
前記二次インプリントステップが、
前記ポリマースタンプおよび基板を互いに平行に配列する工程で、前記パターン化表面が前記目標表面基板に面しており、また材料の中間層が放射への暴露時に固化するように考案されている工程と、
前記ポリマースタンプおよび前記基板を温度Tpに加熱する工程と、
前記温度Tpを維持しつつ、
前記パターン化表面の前記パターンを前記中間層にインプリントするために前記ポリマースタンプを前記基板に対して押圧することと、
前記中間層を固化するために前記層を放射に暴露することとを実行する工程と、を含む、方法。 - 前記温度Tpを維持しつつ前記中間層を事後焼成するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記温度Tpを維持しつつ前記基板を前記ポリマースタンプから解放するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を前記ポリマースタンプから解放する前記ステップが、依然として前記基板上の前記インプリント中間層に接触して配列されると共に、前記ポリマースタンプを溶解する工程を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記材料が、初期ガラス温度Tgを有する架橋性熱可塑性ポリマーであり、ここでTpはTgより高い、請求項1に記載の方法。
- 前記材料が、ガラス温度Tgを有するUV架橋性熱可塑性ポリマーであり、ここでTpはTgより高く、前記放射がUV放射である、請求項1に記載の方法。
- 前記材料が光化学的に増幅される、請求項5に記載の方法。
- 前記ポリマーホイルおよび基板を相互に平行に配列するステップの前に、前記材料をスピンコーティングすることによって前記中間層を前記基板上に適用するステップを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記材料がUV硬化性プレポリマーであり、前記放射がUV放射である、請求項1に記載の方法。
- ストップ部材と柔軟性膜の第1の側の間に挟持された前記ポリマーホイルおよび前記基板を配列するステップをさらに備えており、
前記ポリマーホイルを前記基板に押圧する前記ステップが、前記膜の第2の側にある媒体に加圧力を印加する工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記媒体が気体を備える、請求項10に記載の方法。
- 前記媒体が空気を備える、請求項10に記載の方法。
- 前記媒体が液体を備える、請求項10に記載の方法。
- 前記媒体がゲルを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記材料を固化するために使用可能な放射の波長範囲に透過的である前記ポリマーホイルを介して前記中間層に放射するステップと、
前記ヒーターデバイスとの直接接触によって前記基板を加熱するステップと
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記材料を固化するために使用可能な放射の波長範囲に透過的である前記膜を介して前記中間層に放射するステップを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記膜を介して、また前記媒体のキャビティのバック壁を画定する前記膜に対向する透過壁を介して前記層に放射するステップを備え、
前記バック壁および膜が、前記材料を固化するために使用可能な放射の波長範囲に透過的である、請求項10に記載の方法。 - 前記層を暴露する前記ステップが、
100〜500nmの波長範囲内の放射源から放射する工程を備える、請求項10に記載の方法。 - 0.5〜10μsの範囲のパルス期間、および毎秒1〜10パルスの範囲のパルスレートでパルス放射するステップを備える、請求項18に記載の方法。
- 前記層を放射に暴露する前に前記表面層から空気混入物を抽出するために、前記テンプレートと前記基板間に真空を適用するステップを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記温度Tpが20〜250℃の範囲内にある、請求項1に記載の方法。
- 前記一次インプリントステップがさらに、前記第1のポリマーホイルの前記表面層を固化する工程を含み、
前記第1のポリマーホイルが前記ポリマースタンプであり、前記表面層が前記ポリマースタンプの前記パターン化表面を画定している、請求項1に記載の方法。 - 前記一次インプリントステップがさらに、
前記第1のポリマーホイルの前記表面層を固化する工程と、
前記第1のポリマーホイルの前記反転パターンを第2のポリマーホイルの表面層に押圧して、前記第2のポリマーホイルの前記表面層に前記テンプレート表面の前記パターンのレプリカをインプリントする工程と、
前記第2のポリマーホイルの前記表面層を固化する工程と、
を含み、
前記第2のポリマーホイルが前記ポリマースタンプであり、前記第2のポリマーホイルの表面層が前記ポリマースタンプの前記パターン化表面を画定している、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のポリマーホイルが熱可塑性ポリマーやコポリマー材料から作られている、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のポリマーホイルが熱可塑性ポリマーやコポリマー材料から作られている、請求項21に記載の方法、
- 前記テンプレートが金属、石英、ポリマーまたはシリコンから作られている、請求項1に記載の方法。
- 温度Tpを維持しつつ、
前記圧力を解放するステップと、
前記目標表面上に前記中間層を支持する前記基板を前記ポリマースタンプから解放するステップと、
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記テンプレートの前記パターンが複数の基板に移動される方法において、さらに、
前記二次インプリントステップの後に前記ポリマースタンプを処分するステップと、
前記テンプレートを使用して前記第1のインプリントステップの反復時に新たなポリマースタンプを作成するステップと、
前記新たなポリマースタンプを使用して前記第2のインプリントステップの反復時に新たな基板目標表面をインプリントするステップと、
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のポリマーホイルがポリカーボネート、COCまたはPMMAから作られている、請求項1に記載の方法。
- 前記一次インプリントステップが、
大きなポリマーホイルを提供する工程と、
前記ポリマーホイルを、このガラス遷移温度より高い温度に加熱する工程と、
前記構造テンプレート表面を前記ポリマーホイルの表面に押圧する工程と、
前記ポリマーホイルを冷却する工程と、
前記パターン化ポリマーホイルを前記テンプレートから分離する工程と、
を含む熱インプリントプロセスである、請求項1に記載の方法。 - 前記一次インプリントステップが、
ポリマーホイルを提供する工程と、
放射感応性プレポリマー表面層を前記ポリマーホイルの表面上に提供する工程と、
前記構造テンプレート表面を前記表面層に押圧する工程と、
前記表面層を前記ポリマーホイルを介する放射に暴露して前記プレポリマーを硬化させる工程と、
前記パターン化ポリマーホイルを前記テンプレートから分離する工程と、
を含む放射支援インプリントプロセスである、請求項1に記載の方法。 - 前記一次インプリントステップがさらに、
パターン化ポリマーホイルを前記テンプレートから分離する前に、熱を提供して前記表面層を事後焼成する工程を含む、請求項31に記載の方法。 - 前記一次インプリントステップが、
ポリマーホイルを提供する工程と、
放射感応性架橋性ポリマー表面層を前記ポリマーホイルの表面上に提供する工程と、
前記ポリマーホイルを前記架橋性ポリマーのガラス遷移温度より高い温度に加熱して、前記温度を維持しつつ、
前記テンプレートを前記表面層に押圧することと、
前記表面層を架橋するために前記表面層を放射に暴露することとを実行する工程とを含む放射支援インプリントプロセスである、請求項1に記載の方法。 - 前記一次インプリントステップがさらに、
前記温度を維持しつつ前記表面層を事後焼成するステップを含む、請求項33に記載の方法。 - 前記パターン化ポリマーホイルを前記テンプレートから分離するステップをさらに備える、請求項34に記載の方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165812A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Obducat Ab | 中間スタンプを用いたパターン複製装置 |
JP2010183064A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-08-19 | Obducat Ab | ポリマー材料表面相互作用を変えるための方法及びプロセス |
WO2011043086A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社バイオセレンタック | マイクロニードルスタンパーの製造方法 |
WO2011043085A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社バイオセレンタック | マイクロニードルシートのスタンパー及びその製造方法とそれを用いたマイクロニードルの製造方法 |
JP2011216808A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写装置、転写システム及び転写方法 |
JP2013518740A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | オブダカット・アーベー | 大面積ナノパターン用金属スタンプ複製の方法及びプロセス |
TWI409161B (zh) * | 2010-12-10 | 2013-09-21 | Chenming Mold Ind Corp | 均壓成型模具及其均壓成型方法 |
Families Citing this family (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1542074A1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-15 | Heptagon OY | Manufacturing a replication tool, sub-master or replica |
US9040090B2 (en) | 2003-12-19 | 2015-05-26 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof |
US20070228608A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Preserving Filled Features when Vacuum Wiping |
EP1731965B1 (en) * | 2005-06-10 | 2012-08-08 | Obducat AB | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer |
US7854873B2 (en) | 2005-06-10 | 2010-12-21 | Obducat Ab | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer |
US7715003B2 (en) | 2005-06-14 | 2010-05-11 | President & Fellows Of Harvard College | Metalized semiconductor substrates for raman spectroscopy |
US8184284B2 (en) | 2005-06-14 | 2012-05-22 | Ebstein Steven M | Laser-processed substrate for molecular diagnostics |
EP1896805A4 (en) | 2005-06-14 | 2010-03-31 | Steven M Ebstein | USES OF LASER-TREATED SUBSTRATE FOR MOLECULAR DIAGNOSIS |
US7976748B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-07-12 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nano-molding process |
JP2007133970A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Canon Inc | 光記録媒体およびその製造方法 |
US7500431B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-03-10 | Tsai-Wei Wu | System, method, and apparatus for membrane, pad, and stamper architecture for uniform base layer and nanoimprinting pressure |
US7377765B2 (en) | 2006-02-14 | 2008-05-27 | Hitachi Global Storage Technologies | System, method, and apparatus for non-contact and diffuse curing exposure for making photopolymer nanoimprinting stamper |
US7862756B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-01-04 | Asml Netherland B.V. | Imprint lithography |
US20070257396A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Jian Wang | Device and method of forming nanoimprinted structures |
US7998651B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8318253B2 (en) * | 2006-06-30 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20080047930A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Graciela Beatriz Blanchet | Method to form a pattern of functional material on a substrate |
US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
KR20090107494A (ko) * | 2006-12-05 | 2009-10-13 | 나노 테라 인코포레이티드 | 표면을 패턴화하는 방법 |
WO2008091858A2 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-31 | President & Fellows Of Harvard College | Non-invasive optical analysis using surface enhanced raman spectroscopy |
WO2008091852A2 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | President & Fellows Of Harvard College | Polymeric substrates for surface enhanced raman spectroscopy |
EP1982757A1 (de) * | 2007-04-10 | 2008-10-22 | Stichting Voor De Technische Wetenschappen | Ionendurchlässige Membran und ihre Herstellung |
JP5456465B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2014-03-26 | 丸善石油化学株式会社 | 微細加工品およびその製造方法 |
JP4448868B2 (ja) | 2007-06-29 | 2010-04-14 | 株式会社日立産機システム | インプリント用スタンパとその製造方法 |
KR101415570B1 (ko) * | 2007-07-26 | 2014-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 임프린트 장치 및 이를 이용한 임프린트 방법 |
WO2009017846A1 (en) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | President And Fellows Of Harvard College | Substrates for raman spectroscopy having discontinuous metal coatings |
US20090056575A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Bartman Jon A | Pattern transfer apparatus |
EP2198332A4 (en) | 2007-09-06 | 2011-11-30 | 3M Innovative Properties Co | LIGHT CONDUCTOR WITH LIGHT EXTRACTION STRUCTURES FOR PROVIDING REGIONAL CONTROL OF LIGHT OUTPUT |
EP2205521A4 (en) * | 2007-09-06 | 2013-09-11 | 3M Innovative Properties Co | TOOL FOR MANUFACTURING MICROSTRUCTURE ARTICLES |
CN101795840B (zh) | 2007-09-06 | 2013-08-07 | 3M创新有限公司 | 形成模具的方法以及使用所述模具形成制品的方法 |
US8451457B2 (en) | 2007-10-11 | 2013-05-28 | 3M Innovative Properties Company | Chromatic confocal sensor |
CN101821302A (zh) * | 2007-10-11 | 2010-09-01 | 3M创新有限公司 | 高功能性多光子可固化反应性物质 |
WO2009075970A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for making structures with improved edge definition |
WO2009094786A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Acadia University | Device and method for collecting a sample from a wet environment |
JP5801558B2 (ja) | 2008-02-26 | 2015-10-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多光子露光システム |
CN101960559A (zh) * | 2008-03-07 | 2011-01-26 | 昭和电工株式会社 | Uv纳米压印方法、树脂制复制模及其制造方法、磁记录介质及其制造方法和磁记录再生装置 |
JP4815464B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社日立製作所 | 微細構造転写スタンパ及び微細構造転写装置 |
JP5121549B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-01-16 | 株式会社東芝 | ナノインプリント方法 |
TWI416514B (zh) * | 2008-05-23 | 2013-11-21 | Showa Denko Kk | 樹脂模製作用疊層體、疊層體、樹脂模、及磁性記錄媒體的製造方法 |
EP2138896B1 (en) | 2008-06-25 | 2014-08-13 | Obducat AB | Nano imprinting method and apparatus |
WO2009158631A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | President And Fellows Of Harvard College | Versatile high aspect ratio actuatable nanostructured materials through replication |
JP5638523B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2014-12-10 | エージェンシー・フォー・サイエンス・テクノロジー・アンド・リサーチ | ポリマー構造上にインプリントを作製する方法 |
JP2010080680A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Bridgestone Corp | 凹凸パターンの形成方法及び凹凸パターンの製造装置 |
TW201022017A (en) * | 2008-09-30 | 2010-06-16 | Molecular Imprints Inc | Particle mitigation for imprint lithography |
TWI421162B (zh) * | 2008-11-03 | 2014-01-01 | Molecular Imprints Inc | 母模板複製方法 |
US9122148B2 (en) | 2008-11-03 | 2015-09-01 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Master template replication |
TWI508846B (zh) * | 2008-12-12 | 2015-11-21 | 麻省理工學院 | 不規則表面之楔形壓印圖案化 |
EP2199854B1 (en) | 2008-12-19 | 2015-12-16 | Obducat AB | Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same |
JP2010171338A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | パターン生成方法及びパターン形成方法 |
JP2010218597A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | パターン転写用樹脂スタンパ、及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
JP4543117B1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-15 | 株式会社東芝 | パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料、及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
JP2010218605A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料、及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
JP4729114B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2011-07-20 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
CN101900936A (zh) * | 2009-05-26 | 2010-12-01 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 压印模具及其制作方法 |
US8178011B2 (en) * | 2009-07-29 | 2012-05-15 | Empire Technology Development Llc | Self-assembled nano-lithographic imprint masks |
NL2005265A (en) | 2009-10-07 | 2011-04-11 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
US20120292820A1 (en) * | 2009-11-02 | 2012-11-22 | Nil Technology Aps | Method and device for nanoimprint lithography |
US8980751B2 (en) * | 2010-01-27 | 2015-03-17 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Methods and systems of material removal and pattern transfer |
US9526883B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-12-27 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Composite microneedle array including nanostructures thereon |
EP2567603A2 (en) * | 2010-05-04 | 2013-03-13 | Uni-Pixel Displays, Inc. | Method of fabricating micro structured surfaces with electrically conductive patterns |
US9168679B2 (en) * | 2010-07-16 | 2015-10-27 | Northwestern University | Programmable soft lithography: solvent-assisted nanoscale embossing |
WO2012029843A1 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 転写システムおよび転写方法 |
US9034233B2 (en) * | 2010-11-30 | 2015-05-19 | Infineon Technologies Ag | Method of processing a substrate |
KR101200562B1 (ko) * | 2011-01-17 | 2012-11-13 | 부산대학교 산학협력단 | 광정렬 일체형 대면적 금속 스탬프의 제조 방법 그리고 그를 이용한 고분자 광소자의 제조 방법 |
BR112013033489A2 (pt) * | 2011-06-30 | 2019-09-24 | 3M Innovative Properties Co | método para a produção, tintura e montagem de carimbos para impressão por microcontato |
JP6228918B2 (ja) * | 2011-08-18 | 2017-11-08 | モーメンテイブ・パーフオーマンス・マテリアルズ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 照射および成型ユニット |
CN103906549A (zh) | 2011-10-27 | 2014-07-02 | 金伯利-克拉克环球有限公司 | 用于递送生物活性剂的可植入装置 |
US9159925B2 (en) * | 2011-11-14 | 2015-10-13 | Orthogonal, Inc. | Process for imprint patterning materials in thin-film devices |
JP5891075B2 (ja) | 2012-03-08 | 2016-03-22 | 東京応化工業株式会社 | ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法 |
US10391485B2 (en) | 2013-09-25 | 2019-08-27 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Microfluidic electrocage device and cell medium for trapping and rotating cells for live-cell computed tomography (CT) |
US9193198B2 (en) | 2013-11-20 | 2015-11-24 | Eastman Kodak Company | PDMS imprinting stamp with embedded flexure |
US9513543B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-12-06 | Eastman Kodak Company | Method for forming a non-deformable patterned template |
KR101617952B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-05-09 | 한국과학기술원 | 소프트리소그래피를 이용한 경사진 관통 구멍을 구비한 구조체의 제조방법 |
US10162162B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-12-25 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Microfluidic systems and methods for hydrodynamic microvortical cell rotation in live-cell computed tomography |
JP2016164977A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-08 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用液体材料、ナノインプリント用液体材料の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法 |
WO2017056894A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | モールドの作製方法、パターンシートの製造方法、電鋳金型の作製方法、及び電鋳金型を用いたモールドの作製方法 |
CN105399046A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-03-16 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 无机微光学元件批量化制作方法 |
CN105372734B (zh) * | 2015-11-02 | 2018-01-19 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 微棱镜反光材料制作方法 |
JP6924006B2 (ja) | 2016-05-09 | 2021-08-25 | デクセリアルズ株式会社 | レプリカ原盤の製造方法、および被形成体の製造方法 |
WO2017195633A1 (ja) | 2016-05-09 | 2017-11-16 | デクセリアルズ株式会社 | レプリカ原盤、レプリカ原盤の製造方法、物品および被形成体の製造方法 |
CN106500886B (zh) * | 2016-09-22 | 2019-05-10 | 太原理工大学 | 一种基于纳米导电材料的柔性应力传感器的制备方法 |
US10969680B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for adjusting a position of a template |
US10224224B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
JP7190450B2 (ja) | 2017-06-02 | 2022-12-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 炭化ホウ素ハードマスクのドライストリッピング |
KR102246631B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2021-04-30 | 주식회사 엘지화학 | 리튬 금속 전극용 3d 패턴 타발기 |
US10234630B2 (en) * | 2017-07-12 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for creating a high refractive index wave guide |
JP6947914B2 (ja) | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高圧高温下のアニールチャンバ |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11177128B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer |
JP2019056025A (ja) | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
CN107814353A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-20 | 武汉大学 | 在透明柔性衬底上制备纳米针尖阵列的方法 |
US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
CN117936420A (zh) | 2017-11-11 | 2024-04-26 | 微材料有限责任公司 | 用于高压处理腔室的气体输送*** |
KR102622303B1 (ko) | 2017-11-16 | 2024-01-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 스팀 어닐링 프로세싱 장치 |
JP2021503714A (ja) | 2017-11-17 | 2021-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高圧処理システムのためのコンデンサシステム |
KR102649241B1 (ko) | 2018-01-24 | 2024-03-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 어닐링을 사용한 심 힐링 |
EP3762962A4 (en) | 2018-03-09 | 2021-12-08 | Applied Materials, Inc. | HIGH PRESSURE ANNEALING PROCESS FOR METAL-BASED MATERIALS |
RU183906U1 (ru) * | 2018-03-23 | 2018-10-08 | Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" | Устройство для формирования планарной микроструктуры с рельефной поверхностью из фотоотверждаемой полимерной композиции методом контактного копирования |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US20210240075A1 (en) * | 2018-05-04 | 2021-08-05 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Stamp and method for embossing |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
KR102083308B1 (ko) * | 2018-05-23 | 2020-04-23 | 한국표준과학연구원 | 탐침형 원자 현미경을 이용한 리소그래피 방법 |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
CN109110728A (zh) * | 2018-07-25 | 2019-01-01 | 江西理工大学 | 基于离心力的微纳结构复制方法及制备得到的聚合物微纳结构 |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
KR102528076B1 (ko) | 2018-10-30 | 2023-05-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 응용들을 위한 구조를 식각하기 위한 방법들 |
JP2022507390A (ja) | 2018-11-16 | 2022-01-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 強化拡散プロセスを使用する膜の堆積 |
CN109765687B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-12-14 | 上海安翰医疗技术有限公司 | 曲面外壳上疏水涂层的制作方法及内窥镜 |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
DE102019101346A1 (de) | 2019-01-18 | 2020-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Nanostempelverfahren und nanooptisches bauteil |
KR102237716B1 (ko) * | 2019-07-19 | 2021-04-08 | 한국과학기술원 | 미세 금속 마스크를 제작하는 방법 |
CN110412684A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-05 | 国家纳米科学中心 | 一种近眼显示器衍射光栅波导的制备方法 |
CN111081624A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-04-28 | 北京纳米能源与***研究所 | 电子器件的柔性化方法 |
CN111142329A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-12 | 合肥元旭创芯半导体科技有限公司 | 一种非破坏性的半导体材料sem监控方法 |
KR102217103B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-02-18 | 전북대학교산학협력단 | 미세복합 표면구조의 제조방법 및 이를 이용한 미세복합 표면 탄성 폴리머 필름의 제조방법 |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
DE102020204766A1 (de) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von Dämpferstrukturen an einem mikromechanischen Wafer |
EP4057066A1 (en) | 2021-03-11 | 2022-09-14 | Obducat AB | Apparatus and method for surface treatment of an imprint stamp |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5772823A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Production of duplicate disk for information recording |
JPS62178309A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-05 | Tanazawa Hatsukoushiya:Kk | マスタ除去方法 |
JPH02155704A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | スタンパ |
JPH02192045A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
JPH05114174A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Ricoh Co Ltd | 光デイスク基板製造装置 |
JPH1112495A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-19 | Dainippon Ink & Chem Inc | 紫外線硬化性組成物 |
JPH1158401A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Seiko Epson Corp | 樹脂板製造用鋳型の製造方法および樹脂板の製造方法 |
JP2000071257A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-07 | Kuraray Co Ltd | 成形品の製造方法 |
JP2003516644A (ja) * | 1999-12-10 | 2003-05-13 | オブドゥカト アクティエボラーグ | 構造物の製造に関する装置および方法 |
US20030219992A1 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Schaper Charles Daniel | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
JP2004109417A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 光回折構造の製造方法、複製版材、及び媒体 |
WO2004114382A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
EP1533657A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-05-25 | Obducat AB | Multilayer nano imprint lithography |
JP2005515617A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-05-26 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2305433A (en) * | 1940-09-11 | 1942-12-15 | Jesse B Hawley | Method and apparatus for molding articles of thermoplastic, thermosetting, or resinous materials |
BE479683A (ja) * | 1947-01-17 | |||
DD251847A1 (de) * | 1986-07-31 | 1987-11-25 | Zeiss Jena Veb Carl | Verfahren und anordnung zum bildvergleich |
US5312794A (en) * | 1992-12-29 | 1994-05-17 | Shell Oil Company | Catalyst system for olefin polymerization |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
JPH09330864A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Ge Yokogawa Medical Syst Ltd | 複合圧電物質製造方法及び複合圧電物質製造用マスク |
US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
KR100694036B1 (ko) * | 2000-06-01 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 그루브와 피트의 깊이가 다른 디스크 및 그 제조방법 |
JP4192414B2 (ja) | 2000-09-14 | 2008-12-10 | 凸版印刷株式会社 | レンズシートの製造方法 |
US6953332B1 (en) * | 2000-11-28 | 2005-10-11 | St. Jude Medical, Inc. | Mandrel for use in forming valved prostheses having polymer leaflets by dip coating |
US6422528B1 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-23 | Sandia National Laboratories | Sacrificial plastic mold with electroplatable base |
US6815739B2 (en) * | 2001-05-18 | 2004-11-09 | Corporation For National Research Initiatives | Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates |
JP3749520B2 (ja) | 2002-01-08 | 2006-03-01 | Tdk株式会社 | 情報媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、及び原盤付スタンパ中間体 |
TWI258142B (en) * | 2002-01-08 | 2006-07-11 | Tdk Corp | Manufacturing method of stamper for manufacturing data medium, the stamper, and the stamper spacer with template |
US6759180B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of fabricating sub-lithographic sized line and space patterns for nano-imprinting lithography |
US20030230817A1 (en) * | 2002-06-13 | 2003-12-18 | Agere Systems, Inc. | Mold for UV curable adhesive and method of use therefor |
US20040032063A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-19 | Peter Walther | Process for shaping plate-shaped materials and an arrangement for carrying out the process |
CN100454141C (zh) * | 2002-08-27 | 2009-01-21 | 奥博杜卡特股份公司 | 用于将图案转印到物体的设备 |
JP4061220B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-03-12 | 株式会社日立製作所 | ナノプリント装置、及び微細構造転写方法 |
WO2004089546A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Tecan Trading Ag | Elastomeric tools for fabricating of polymeric devices and uses thereof |
US20050084804A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Molecular Imprints, Inc. | Low surface energy templates |
US7150844B2 (en) * | 2003-10-16 | 2006-12-19 | Seagate Technology Llc | Dry passivation process for stamper/imprinter family making for patterned recording media |
US6939664B2 (en) * | 2003-10-24 | 2005-09-06 | International Business Machines Corporation | Low-activation energy silicon-containing resist system |
DE102004005247A1 (de) * | 2004-01-28 | 2005-09-01 | Infineon Technologies Ag | Imprint-Lithographieverfahren |
EP1594001B1 (en) * | 2004-05-07 | 2015-12-30 | Obducat AB | Device and method for imprint lithography |
DE602005010860D1 (de) | 2004-05-28 | 2008-12-18 | Obducat Ab | Modifizierte metallform zur verwendung bei druckprozessen |
US7163888B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-01-16 | Motorola, Inc. | Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography |
-
2005
- 2005-11-03 EP EP08154480A patent/EP1959299B1/en active Active
- 2005-11-03 DE DE602005012068T patent/DE602005012068D1/de active Active
- 2005-11-03 ES ES05110290T patent/ES2317159T3/es active Active
- 2005-11-03 WO PCT/EP2005/055729 patent/WO2006131153A1/en active Application Filing
- 2005-11-03 JP JP2008515059A patent/JP5276436B2/ja active Active
- 2005-11-03 AT AT05110290T patent/ATE419560T1/de active
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5772823A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Production of duplicate disk for information recording |
JPS62178309A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-05 | Tanazawa Hatsukoushiya:Kk | マスタ除去方法 |
JPH02155704A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | スタンパ |
JPH02192045A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
JPH05114174A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Ricoh Co Ltd | 光デイスク基板製造装置 |
JPH1112495A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-19 | Dainippon Ink & Chem Inc | 紫外線硬化性組成物 |
JPH1158401A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-02 | Seiko Epson Corp | 樹脂板製造用鋳型の製造方法および樹脂板の製造方法 |
JP2000071257A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-07 | Kuraray Co Ltd | 成形品の製造方法 |
JP2003516644A (ja) * | 1999-12-10 | 2003-05-13 | オブドゥカト アクティエボラーグ | 構造物の製造に関する装置および方法 |
JP2005515617A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-05-26 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 |
US20030219992A1 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Schaper Charles Daniel | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
JP2004109417A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 光回折構造の製造方法、複製版材、及び媒体 |
WO2004114382A1 (ja) * | 2003-06-20 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
EP1533657A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-05-25 | Obducat AB | Multilayer nano imprint lithography |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165812A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Obducat Ab | 中間スタンプを用いたパターン複製装置 |
JP2010183064A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-08-19 | Obducat Ab | ポリマー材料表面相互作用を変えるための方法及びプロセス |
JP2015097293A (ja) * | 2008-12-19 | 2015-05-21 | オブダカット・アーベー | ポリマー材料表面相互作用を変えるための方法及びプロセス |
KR101767179B1 (ko) | 2008-12-19 | 2017-08-10 | 오브듀캇 아베 | 폴리머 물질 표면 상호작용을 변화시키는 방법 및 공정 |
WO2011043086A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社バイオセレンタック | マイクロニードルスタンパーの製造方法 |
WO2011043085A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社バイオセレンタック | マイクロニードルシートのスタンパー及びその製造方法とそれを用いたマイクロニードルの製造方法 |
JP2011078618A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Toray Eng Co Ltd | マイクロニードルスタンパーの製造方法 |
JP2011078617A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Toray Eng Co Ltd | マイクロニードルシートのスタンパー及びその製造方法とそれを用いたマイクロニードルの製造方法 |
JP2013518740A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | オブダカット・アーベー | 大面積ナノパターン用金属スタンプ複製の方法及びプロセス |
JP2011216808A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写装置、転写システム及び転写方法 |
TWI409161B (zh) * | 2010-12-10 | 2013-09-21 | Chenming Mold Ind Corp | 均壓成型模具及其均壓成型方法 |
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