JP2008123003A

JP2008123003A - 液晶表示素子及びその製造方法

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Publication number: JP2008123003A
Application number: JP2008033209A
Authority: JP
Inventors: Moo Yeol Park; 武烈朴; Sung Su Jung; 聖守丁; Young Sang Byun; 溶相卞
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2002-02-20
Filing date: 2008-02-14
Publication date: 2008-05-29
Also published as: US7218374B2; KR100672641B1; US20030156246A1; CN1223882C; USRE46146E1; KR20030069328A; CN1439914A; JP2003241204A

Abstract

【課題】均一な密度のシール剤を形成して、貼り合わせ工程時に液晶が汚染せず且つセル切断工程が容易となるようにした液晶表示素子の製造方法及び、それにより製造された液晶表示素子を提供する。
【解決手段】下部基板及び上部基板を用意する工程と、前記両基板の中何れか一方の基板上のダミー領域に補助ＵＶ硬化型シール剤を付与し、続けてメインＵＶ硬化型シール剤を付与する工程と、前記両基板の中何れか一方の基板上に液晶を滴下する工程と、前記両基板を貼り合わせる工程と、前記貼り合わせ基板にＵＶを照射する工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】図３ｂ

Description

本発明は液晶表示素子（ＬＣＤ）に係り、特に液晶滴下方式による液晶表示素子のシール剤に関する。

表示画面の厚さが僅か数ｃｍに過ぎない超薄型の平板表示素子、その中でも液晶表示素子は、動作電圧が低くて消費電力が少なく、携帯用に用いられる等の利点から、ノート型パソコン、モニター、宇宙船、航空機などに至るまでその応用分野が幅広くなりつつある。

かかる液晶表示素子は、通常、その上に薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている下部基板と、前記下部基板と対向するように形成され、その上に遮光膜、カラーフィルター層、及び共通電極が形成されている上部基板と、そして、前記両基板の間に形成されている液晶層とから構成されており、前記画素電極と共通電極によって両基板の間に電気場が形成され液晶が駆動し、その駆動する液晶を介して光透過度が調節されることで画像がディスプレイされるようになっている。

かかる構造の液晶表示素子において、前記下部基板と上部基板の間に液晶層を形成する方法として、従来は毛細管現象と圧力差を用いた真空注入方式を使用していたが、この方式は液晶注入時間が長時間所要となり、基板が大面積化すると生産性が劣るという問題があった。

従って、前記問題点を解決するため液晶滴下方式という新たな方法が提案されているが、以下に添付の図面を参照して従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造方法を説明する。

図１ａ〜図１ｄは従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。図面には一つの単位セルのみ示されているが、基板の大きさによって複数個の単位セルも形成可能である。

まず、図１ａのように、下部基板１と上部基板３とを用意する。図示していないが、下部基板１上には縦横に交差して画素領域を形成する複数個のゲート配線とデータ配線とを形成し、そのゲート配線とデータ配線との交差点に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタと連結される画素電極を前記画素領域に形成する。

また、上部基板３上には前記ゲート配線、データ配線、及び薄膜トランジスタ形成領域からの光リークの発生を遮断するための遮光膜を形成し、その上に赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター層を形成し、その上に共通電極を形成する。また、前記下部基板１と上部基板３の中少なくとも一方の基板上に液晶の初期配向のための配向膜を形成する。

そして、図１ｂのように、前記下部基板１上にシール剤７を形成し、液晶５を滴下して液晶層を形成する。そして、前記上部基板３上にセルギャップ保持のためのスペーサを散布する。
この際、このような液晶滴下方式では、後工程のシール剤７の硬化工程において、貼り合わせ基板に液晶層が形成されているため、前記シール剤７として熱硬化型シール剤を使用すると、シール剤が加熱中に流れ出て液晶５を汚染させることがあるので、ＵＶ硬化型シール剤が使用されている。

また、前記シール剤７を形成する方法としては、スクリーン印刷法、ディスペンサー法などがあるが、スクリーン印刷法はスクリーンが基板と接触するため、基板上に形成された配向膜などが損傷するおそれがあり、基板が大面積化した場合はシール剤の損失量が多くて非経済的であることから、メインとしてディスペンサー法を使用しつつある。

そして、図１ｃのように、前記下部基板１と上部基板３とを貼り合わせる。

そして、図１ｄのように、ＵＶ照射装置９を介してＵＶを照射して、前記シール剤７を硬化させる。
また、図示していないが、前記ＵＶ照射工程を通じてシール剤を硬化させた後、単位セルで基板を切断し、最終検査を通じて一つの液晶セルを完成する。

一方、図２ａ及び図２ｂはディスペンサー法を用いてＵＶ硬化型シール剤を形成する工程を示す図面であって、液晶滴下方式は液晶を注入するための注入口が必要ないので、図２ａ及び図２ｂのように、下部基板１上にディスペンシング装置８を使用して注入口を有しないパターンでシール剤７を形成する。

しかしながら、前記シール剤７は粘度が高くて、前記ディスペンシング装置８のノズル先に塊になっており、そのため、最初シール剤を形成するスタートポイントにシール剤が過多分布となっていた（図２ｂの′Ａ′領域）。

このように過多分布したシール剤は、図２ｃのように、下部基板１と上部基板３との貼り合わせ工程時にアクティブ領域（基板の中央部）及びダミー領域（基板の外郭部）の両側に広がり、アクティブ領域に広がったシール剤は液晶を汚染させるし、ダミー領域に広がったシール剤はセル切断線まで浸透してセル切断工程を難しくするような問題点があった。

そこで、本発明の目的は、均一な密度のシール剤を形成して、貼り合わせ工程時に液晶が汚染せず且つセル切断工程が容易となるようにした液晶表示素子の製造方法及び、それにより製造された液晶表示素子を提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明による液晶表示素子の製造方法は、下部基板及び上部基板を用意する工程と、前記両基板の中何れか一方の基板上のダミー領域に補助ＵＶ硬化型シール剤を付与し、続けてメインＵＶ硬化型シール剤を付与する工程と、前記両基板の中何れか一方の基板上に液晶を滴下する工程と、前記両基板を貼り合わせる工程と、前記貼り合わせ基板にＵＶを照射する工程とを含むことを特徴とする。

この際、前記メインシール剤は液晶の漏れ防止や基板の接着機能などシール剤の本来の機能を果たすものであり、前記補助シール剤はシール剤の本来機能を果たせるものではない。
即ち、本発明は基板上のダミー領域に補助シール剤を形成し、その後閉鎖型のメインシール剤を形成することで、ディスペンシング装置のノズル先に塊になっているシール剤が基板上のダミー領域に形成されるようにしたものである。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて説明する。

図３ａ〜図３ｄは本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図である。図面には一つの単位セルのみ示されているが、基板の大きさによって基板上に複数個の単位セルが形成可能である。

まず、図３ａのように、下部基板１０と上部基板３０とを用意する。図示はしていないが、下部基板１０上には縦横に交差して画素領域を形成する複数個のゲート配線とデータ配線とを形成し、そのゲート配線とデータ配線との交差点にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層、ソース／ドレイン電極、及び保護膜からなる薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタと連結される画素電極を前記画素領域に形成する。

また、前記画素電極上に液晶の初期配向のための配向膜を形成する。この際、前記配向膜はポリアミド又はポリイミド系化合物、ＰＶＡ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ）、ポリアミック酸（ｐｏｌｙａｍｉｃａｃｉｄ）等の物質をラビング（rubbing）配向処理して形成することもでき、ＰＶＣＮ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃｉｎｎａｍａｔｅ）、ＰＳＣＮ（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅｃｉｎｎａｍａｔｅ）、又はＣｅｌＣＮ（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｃｉｎｎａｍａｔｅ）系化合物のような光反応性物質を光配向処理して形成することもできる。

また、上部基板３０上には前記ゲート配線、データ配線、及び薄膜トランジスタ形成領域からの光リークの発生を遮断するための遮光膜を形成し、前記遮光膜上に赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター層を形成し、そのカラーフィルター層上に共通電極を形成する。また、前記カラーフィルター層と共通電極との間にオーバーコート層を更に形成することもできる。また、前記共通電極上には前述した配向膜を形成する。
そして、前記下部基板１０の外郭部にはＡｇをドット形状に形成して、前記両基板１０，３０の貼り合わせ後に前記上部基板３０上の共通電極に電圧を印加できるようにする。

一方、ＩＰＳ（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード液晶表示素子の場合は、共通電極を画素電極と同一な下部基板上に形成して横電界を誘導し、前記Ａｇドットは形成しない。

そして、図３ｂのように、前記下部基板１０上に液晶５０を滴下して液晶層を形成する。また、ディスペンサー法を用いて前記上部基板３０の周縁のダミー領域に補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａを形成した後、連続して注入口のない閉鎖型のメインＵＶ硬化型シール剤７０ｂを形成する。

前記補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａはディスペンシング装置のノズル先に塊になっているシール剤による悪影響を防止するためのものであるから、基板のダミー領域の何れの所に形成しても構わず、前記メインＵＶ硬化型シール剤７０ｂより先に形成すれば十分である。
また、図に示すように直線で形成するか、曲線で形成しても良い。

このようなＵＶ硬化型シール剤７０ａ，７０ｂとしては、両先端にアクリール基が結合されたモノマー又はオリゴマーをイニシエーターと混合して使用するか、一方の先端にはアクリール基が、他方の先端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーをイニシエーターと混合して使用することが好ましい。

前記液晶５０は前記メインＵＶ硬化型シール剤７０ｂが硬化する前にシール剤７０ｂと接すると汚れやすい。従って、前記液晶５０は前記下部基板１０の中央部に滴下することが好ましい。このように中央部に滴下した液晶５０は前記シール剤７０ｂが硬化した後まで徐々に広がり、基板全体に均一な密度で分布される。

一方、これに限定されず、前記液晶５０を上部基板３０上に形成することができ、前記ＵＶ硬化型シール剤７０ａ，７０ｂを下部基板１０上に形成することもできる。また、前記液晶５０とＵＶ硬化型シール剤７０ａ，７０ｂとを同一基板に形成することもできる。
但し、前記液晶５０とＵＶ硬化型シール剤７０ａ，７０ｂとを同一基板に形成する場合、液晶とＵＶ硬化型シール剤が形成される基板と、形成されない基板との工程間に不均衡が発生して工程時間が増加し、液晶とシール剤とが同一基板に形成されると、接着前にシール剤に汚染物質が生じても基板洗浄が行えないことから、前記液晶とシール剤とは互いに異なる基板に形成した方が好ましい。

従って、図３ｂのように、前記上部基板３０上にＵＶ硬化型シール剤７０ａ，７０ｂを形成した後、後工程の貼り合わせ工程前に前記上部基板３０を洗浄する工程が更に行える。
また、図示してはいないが、前記両基板１０，３０の中何れか一方の基板、好ましくは前記上部基板３０上にセルギャップ保持のためのスペーサを形成することができる。

前記スペーサは球状スペーサを適正濃度で溶液中に混合した後、噴射ノズルから高圧で基板上に散布して形成することができ、柱状スペーサを前記ゲート配線又はデータ配線の形成領域に対応する基板上に取り付けて形成することもできるが、球状スペーサは大面積に適用する場合にセルギャップが不均一となる短所があるので、大面積の基板には柱状スペーサを形成した方が好ましい。この際、前記柱状スペーサとしては感光性有機樹脂を使用した方が好ましい。

そして、図３ｃのように、前記下部基板１０と上部基板３０とを貼り合わせる。貼り合わせ工程は前記両基板の中液晶が滴下されている一方の基板を下面に固定し、他方の基板を層形成面が前記一方の一基板に向かうように１８０°回転させ上面に位置させた後、上面に位置した一基板に圧力を加えて両基板を貼り合わせるか、又は前記離隔している両基板の間を真空化した後、真空を解除して両基板を貼り合わせることもできる。

そして、図３ｄのように、前記貼り合わせ基板にＵＶ照射装置９０を介してＵＶを照射する。このようにＵＶを照射すると、前記ＵＶ硬化型シール剤を構成するイニシエーターにより活性化されたモノマー又はオリゴマーが重合反応を行い、高分子化されることにより、下部基板１０と上部基板３０とが接着する。

この際、前記ＵＶ硬化型シール剤として、一方の先端にはアクリール基が、他方の先端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーをイニシエーターと混合して使用した場合は、このようなＵＶ照射によってエポキシ基が反応しないので、前記ＵＶ照射工程後に更に加熱工程を行ってシール剤を完全に硬化させる。前記加熱工程は約１２０℃で１時間程度行うことが好ましい。
そして、図示していないが、前記ＵＶ照射工程後に単位セルで基板を切断する工程及び最終検査工程を行う。

セル切断工程は、基板材質のガラスより硬度の高いダイアモンド材質のペンのようなスクライブ装備で貼り合わせ基板の表面に切断線を形成（スクライブ工程：ｓｃｒｉｂｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）した後、機械的パワーを加え、前記切断線に沿って基板を切断（ブレーキ工程：ｂｒｅａｋｐｒｏｃｅｓｓ）して行うこともでき、ダイアモンド材質のペンを鋸歯状に形成させ、スクライブ及びブレーキ工程を一つの工程として行うこともできる。

このような切断工程の切断線は前記補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａの最初の形成部の内側に形成され、結果的に塊になっている過密の補助ＵＶ硬化型シール剤は除去されるようになる。
前記最終検査工程とは前記セル単位で切断した基板が液晶モジュールで組み立てられる前に不良有無を確認する工程であって、電圧印加時又は非印加時にそれぞれの画素が正常に駆動しているかを検査する。

図４ａ〜図４ｄは本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中、ＵＶ照射工程のみを示す斜視図であって、この実施形態は、シール剤形成領域以外の領域をマスクで蔽ってＵＶを照射することを除いては上述した一実施形態と同様である。従って、同一部分は同一の符号を付し、その説明を省略する。

ＵＶ照射工程時に貼り合わせ基板の全面にＵＶを照射すると、基板上に形成されていた薄膜トランジスタなどの素子特性に悪影響を与えるし、液晶の初期配向のために形成された配向膜のプリチルト角が変わることがあった。
従って、本発明の他の一実施形態は、貼り合わせ基板のシール剤形成領域以外の領域をマスクで蔽ってＵＶを照射することに関する。

この際、図４ａは貼り合わせ基板の上側に補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａ及びメインＵＶ硬化型シール剤７０ｂが形成された領域以外の領域を蔽うマスク８０を位置させ、ＵＶを照射する工程に関する。
図面には貼り合わせ基板の上側にマスク８０を位置させた場合のみ示されているが、貼り合わせ基板の下側にマスクを位置させることも可能である。また、図面には貼り合わせ基板の上部基板３０面にＵＶ照射する場合のみ示されているが、貼り合わせ基板を回転して下部基板１０面にＵＶ照射するようにすることも可能である。

一方、ＵＶ照射装置９０で照射したＵＶが反射して反対側に照射される場合、前述したように、薄膜トランジスタ及び配向膜などの特性に影響を与える可能性がある。従って、マスクを貼り合わせ基板の上側及び下側に二重に形成させることがより好ましい。

図４ｂはこのように貼り合わせ基板の上側及び下側に、補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａ及びメインＵＶ硬化型シール剤７０ｂが形成された領域以外の領域を蔽うマスク８０，８２を二重に位置させ、ＵＶを照射する工程に関する。

一方、前記補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａはシール剤の本来機能を行うものではないので硬化しなくても構わない。また、前記補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａが形成された領域は、後工程のセル切断工程時にセル切断線と重なる領域であるので、硬化しない方がセル切断時により有利である。

図４ｃ及び図４ｄは、このようにメインＵＶ硬化型シール剤７０ｂが形成された領域以外の領域をマスクで蔽ってＵＶを照射することにより、補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａが硬化しないようにしたものに関する。
この際、図４ｃはマスク８０を貼り合わせ基板の上側又は下側に位置させ、ＵＶを照射する場合を示しており、図４ｄはマスクを貼り合わせ基板の上側及び下側に位置させ、ＵＶを照射する場合を示す。

図５ａ及び図５ｂは本発明のまた他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中、ＵＶ照射工程のみを示す斜視図であって、この実施形態は、ＵＶを傾斜して照射することを除いては上述した一実施形態と同様である。従って、同一部分は同一の符号を付し、その説明は省略する。

ＵＶ照射時、シール剤が形成された領域上に遮光膜やゲート配線、及びデータ配線などの金属配線層が形成されている場合は、その領域にＵＶ照射が遮断され、シール剤が硬化しなくなるので、結果として下部基板と上部基板との接着力が劣るという問題点が発生する。

従って、本発明の他の一実施形態は、ＵＶ硬化型シール剤が形成された基板上にＵＶを傾斜して照射することにより、ＵＶ照射面とシール剤との間に遮光膜や金属配線層が形成されていても、その領域でシール剤の硬化が可能であるようにしたものに関する。

前記ＵＶを傾斜して照射するためには、図５ａのように、貼り合わせ基板を水平に位置させ、ＵＶ照射装置９０を傾斜角θに傾斜するよう位置させることもでき、図５ｂのように、貼り合わせ基板を傾斜して位置させ、ＵＶ照射装置９０を水平に位置させることもできる。
また、図示してはいないが、図４ａ〜図４ｄに示すように、シール剤形成領域以外の領域をマスクで蔽ってＵＶを傾斜するよう照射することも可能である。

図６は本発明の一実施形態による液晶表示素子の斜視図であり、図７ａ及び図７ｂはそれぞれ図６のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図である。
図６及び図７に示すように、本発明の一実施形態は、下部基板１０及び上部基板３０と、前記両基板１０，３０の間に形成され、ダミー領域に形成された補助ＵＶ硬化型シール剤７０ａと前記補助ＵＶ硬化型シール剤と連結された閉鎖型のメインＵＶ硬化型シール剤７０ｂとからなるＵＶ硬化型シール剤と、前記両基板１０，３０の間に形成された液晶層５０とを含んで構成される液晶表示素子に関する。

この際、図示してはいないが、前記下部基板１０上には薄膜トランジスタ、画素電極、及び配向膜が形成されており、前記上部基板３０上には遮光膜、カラーフィルター層、共通電極、及び配向膜が形成されている。
また、前記両基板１０，３０の間にはセルギャップ保持のためのスペーサが形成されている。

以上、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が自明な範囲内で変更実施が可能であろう。

以上説明したように、本発明によれば、ディスペンシング装置のノズル先に塊になっているシール剤が基板上のダミー領域に形成されることにより、貼り合わせ工程によって液晶層が汚染されるおそれがなく、セル切断工程が容易となる。
また、本発明に基づいて貼り合わせ基板の上側及び／又は下側にマスクを形成し、ＵＶを照射する場合、ＵＶ硬化型シール剤が形成された領域のみにＵＶが照射され、その他の領域はＵＶ照射が遮断されるので、基板上に形成された配向膜が損傷したり、薄膜トランジスタなどの素子特性が劣ることがない。
また、本発明に基づきＵＶを傾斜して照射する場合、シール剤上に遮光膜や金属配線層が形成されているとしてもシール剤の硬化が可能であって、下部基板と上部基板との接着力が劣ることがない。

従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図従来の液晶滴下方式による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図従来のディスペンサー法によってシール剤を形成する工程を示す斜視図従来のディスペンサー法によってシール剤を形成する工程を示す斜視図従来のディスペンサー法により形成されたシール剤の貼り合わせ工程後の形状を示す斜視図本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図本発明の一実施形態による液晶表示素子の製造工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の他の一実施形態による液晶表示素子の製造工程の中ＵＶ照射工程を示す斜視図本発明の一実施形態による液晶表示素子の概略的な斜視図図６のＡ−Ａ線で切断した断面図図６のＢ−Ｂ線で切断した断面図

符号の説明

１０：下部基板
３，３０：上部基板
５，５０：液晶
７：ＵＶ硬化型シール剤
７０ａ：補助ＵＶ硬化型シール剤
７０ｂ：メインＵＶ硬化型シール剤
８０，８２：マスク
９，９０：光照射装置

Claims

下部基板及び上部基板を用意する工程と、
前記両基板の中何れか一方の基板上のダミー領域に補助ＵＶ硬化型シール剤を付与し、続けてメインＵＶ硬化型シール剤を付与する工程と、
前記両基板の中何れか一方の基板上に液晶を滴下する工程と、
前記両基板を貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせ基板にＵＶを照射する工程と
を含む液晶表示素子の製造方法。
前記補助ＵＶ硬化型シール剤と前記メインＵＶ硬化型シール剤とは隣接していることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
前記メインＵＶ硬化型シール剤と前記補助ＵＶ硬化型シール剤とはＵＶ照射によって部分的に硬化することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ硬化型シール剤は、両先端にアクリール基が結合されたモノマー又はオリゴマーを用いて形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ硬化型シール剤は、一方の先端にはアクリール基が、他方の先端にはエポキシ基が結合されたモノマー又はオリゴマーを用いて形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ照射工程の後、加熱工程を更に含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ照射工程は、前記ＵＶ硬化型シール剤が形成された領域以外の領域をマスクで蔽って行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ照射工程は、前記メインＵＶ硬化型シール剤が形成された領域以外の領域をマスクで蔽って行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ照射工程はＵＶを貼り合わせ基板面に対して傾斜して照射することを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記上部基板上に柱状スペーサを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記ＵＶ硬化型シール剤を前記上部基板上に形成し、前記液晶を前記下部基板上に滴下することを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記貼り合わせ基板を単位セルで切断する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の液晶表示素子の製造方法。
前記切断工程の切断線を前記補助ＵＶ硬化型シール剤の最初の形成部の内側に形成したことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示素子の製造方法。
前記補助ＵＶ硬化型シール剤がＵＶに露出されないようＵＶ照射前にメインＵＶ硬化型シール剤が形成された領域以外の領域にマスクを位置する工程と、
前記合着した基板を単位セルに切断することを更に含むことを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。
下部基板及び上部基板と、
前記両基板の間に形成され、ダミー領域に形成された補助ＵＶ硬化型シール剤とその補助ＵＶ硬化型シール剤と連結された閉鎖型のメインＵＶ硬化型シール剤とからなるＵＶ硬化型シール剤と、
前記両基板の間に形成された液晶層と
を含んで構成される液晶表示素子。