JP2006339205A - 薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラスチック基板上に形成されたアモルファスシリコンをレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成し、そのポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールによって熱活性化してなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、プラスチック基板とポリシリコン薄膜との間に、レーザーアニール時にプラスチック基板側に伝わる熱を緩衝する熱緩衝膜を形成する。その熱緩衝膜の厚さをT(μm)、熱緩衝膜の材料の比熱をC(J/(g・K))、熱緩衝膜の材料の比重をρ(g/cm3)、熱緩衝膜の材料の熱伝導率をκ(W/(m・K))としたとき、T≧1.02×κ/(C×ρ)の関係を満たす。
【選択図】 なし
Description
プラスチック基板として厚さ0.2mmで50mm×50mmのポリエーテルサルホン(PES)を用い、そのプラスチック基板上に、熱緩衝膜としての酸化シリコンをRFマグネトロンスパッタリング法(成膜圧力0.3Pa(アルゴン:酸素=3:1)、投入電力2kW、成膜時間2時間)により厚さ0.75μm形成した。さらに、アモルファスシリコンをRFマグネトロンスパッタリング法(成膜温度:室温、成膜圧力:1.0Pa(アルゴン))により厚さ50nm形成した。
熱緩衝膜の種類、その膜厚又はプラスチック基板を表1に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。
熱緩衝膜を形成せず、又はその膜厚等を表1に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。
熱緩衝膜の効果を、プラスチック基板と熱緩衝膜との密着性を評価することによって判断した。密着性(耐剥離性)は、スコッチメンディングテープ(住友スリーエム製、長さ30m×幅12mm)を用い、そのテープの一部(長さ30mm)を作製したTFT上に貼り付けた後に一気に引き剥がして剥離の有無を評価するテープ剥離試験法で評価した。密着性の結果を表1に示した。密着性の評価は、剥離も亀裂も全く生じていなかったものを◎とし、エッジ部分などに変色が僅かに生じていたが実用上全く問題がないものを○とし、数回の剥離テストを繰り返すことで剥離が生じていたが実用上使用可能なものを△とし、素子部分に剥離が生じていて使用が難しいものを×とした。表1の結果からもわかるように、T≧1.02×κ/(C×ρ)の関係を満たすように形成した熱緩衝膜は、良好な密着性を示していた。
11 プラスチック基板
12 熱緩衝膜
13 ポリシリコン半導体薄膜
13s ソース側拡散膜
13c 半導体チャネル膜
13d ドレイン側拡散膜
14 ゲート絶縁膜
15s ソース電極
15g ゲート電極
15d ドレイン電極
21a アモルファスシリコン薄膜
21p ポリシリコン薄膜
22 レーザーアニール
23 レジスト膜
24 イオン注入
25 エネルギービーム
26 コンタクトホール
27 水素プラズマ
Claims (5)
- プラスチック基板上にポリシリコン薄膜が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、前記プラスチック基板と前記ポリシリコン薄膜との間に熱緩衝膜を有し、当該熱緩衝膜の厚さをT(μm)、熱緩衝膜の材料の比熱をC(J/(g・K))、熱緩衝膜の材料の比重をρ(g/cm3)、熱緩衝膜の材料の熱伝導率をκ(W/(m・K))としたとき、T≧1.02×κ/(C×ρ)の関係を満たすことを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネル。
- 前記熱緩衝膜が、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム及び金属酸化物のいずれかからなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ搭載パネル。
- プラスチック基板上に熱緩衝膜を形成する工程と、前記熱緩衝膜上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程とを有する薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法であって、
前記熱緩衝膜は、前記プラスチック基板に伝わる前記レーザーアニールの熱を緩衝し、前記プラスチック基板と前記熱緩衝膜との界面剥離を抑制する厚さに設定されていることを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。 - 前記熱緩衝膜の厚さをT(μm)、熱緩衝膜の材料の比熱をC(J/(g・K))、熱緩衝膜の材料の比重をρ(g/cm3)、熱緩衝膜の材料の熱伝導率をκ(W/(m・K))としたとき、T≧1.02×κ/(C×ρ)の関係を満たすことを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。
- 前記レーザーアニールの際における前記プラスチック基板と前記熱緩衝膜との界面での温度が150℃を超えないことを特徴とする請求項3又は4に記載の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。
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