JP2007095989A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成された非晶質シリコン膜の上に、成膜することによりその非晶質シリコン膜よりも対レーザー反射率が小さくなる低反射率膜をパターン状に形成する低反射率膜形成工程と、低反射率膜が形成された側からレーザーを照射して非晶質シリコン膜を結晶化する結晶化工程と、結晶化した多結晶シリコン膜の所定領域に所定のイオン種を注入して不純物拡散領域を形成する工程とを有する方法によって、薄膜トランジスタを製造する。低反射率膜の屈折率をn1とし、非晶質シリコン膜の屈折率をn2としたとき、レーザー波長において、n1<n2の関係を満たすことが好ましい。
【選択図】なし
Description
基板11として厚さ0.2mmで50mm×50mmのポリエーテルサルホン(PES)基板を用い、その基板上に、下地層12である酸化シリコンをRFマグネトロンスパッタリング法(成膜圧力0.3Pa(アルゴン:酸素=3:1)、投入電力2kW、成膜時間2時間)により厚さ500nmとなるように形成した。さらに、屈折率5.07の非晶質シリコン膜21aをRFマグネトロンスパッタリング法(成膜温度:室温、成膜圧力:1.0Pa(アルゴン))により厚さ50nmとなるように形成した。
低反射率膜22の種類と厚さを表1に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタを製造した。
低反射率膜の有無と厚さを表1に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタを製造した。
非晶質シリコン膜21a及び低反射率膜22の屈折率は、ガラス基板上に、実施例1と同じ手法により測定用のサンプルを作製し、分光エリプソメトリー(Joban Yvon社(フランス)製、UVISEL-D)を用いて測定した。
対レーザー反射率は、分光測定装置(SCI社(米国)製、Filmtek3000)を用いて、XeClエキシマレーザーの波長である308nmの反射率を測定した。
低反射率膜の効果を、シリコン結晶の結晶形態の観察及び電解移動度を評価することによって判断した。シリコン結晶の結晶形態の観察は、走査型電子顕微鏡により行い、その表面形状から結晶粒径で評価した。また、電荷移動度の測定は、Vg−Id測定からトランジスタ特性の閾値付近の電流特性を計算することにより行った。その結果を表1に示した。表1の結果からもわかるように、本発明に係る方法で得られたTFTは、比較例1に記載のものと比べて大きな結晶粒径の多結晶シリコンからなるチャネル層を有し、特に実施例1,2においては10倍以上の結晶粒径の多結晶シリコンからなるチャネル層を有しており、その電荷移動度も約200cm2/Vs程度という大きな値を示しているのが確認された。
11 基板
12 下地層
13 多結晶シリコン半導体薄膜
13s ソース側拡散層
13c チャネル層
13d ドレイン側拡散層
14 ゲート絶縁膜
15s ソース電極
15g ゲート電極
15d ドレイン電極
21a 非晶質シリコン膜
21p 多結晶シリコン膜
21p’ 大粒径の多結晶シリコン
22 低反射率膜
23 レーザー照射
24 レジスト膜
25 イオン注入
26 エネルギービーム
27 コンタクトホール
28 保護層
29 水素プラズマ
31 境界部分
R チャネル層領域
Claims (4)
- 基板上に形成された非晶質シリコン膜の上に、成膜することにより当該非晶質シリコン膜よりも対レーザー反射率が小さくなる低反射率膜をパターン状に形成する低反射率膜形成工程と、前記低反射率膜が形成された側からレーザーを照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化する結晶化工程とを少なくとも有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低反射率膜の屈折率をn1とし、前記非晶質シリコン膜の屈折率をn2としたとき、前記レーザー波長において、n1<n2の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低反射率膜が、厚さ105nm以下の酸化シリコン膜又は厚さ80nm以下の窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記低反射率膜形成工程において、前記低反射率膜をチャネル層になる領域に形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010245366A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
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2005
- 2005-09-29 JP JP2005283393A patent/JP2007095989A/ja active Pending
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