JP4527004B2 - 薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法に関し、更に詳しくは、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタがそのプラスチック基板から剥離し難くするための薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法に関するものである。

アクティブマトリクス駆動型の表示装置において、ポリシリコン薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）は、個々の画素に設けられるスイッチング素子や、ディスプレイ基板上の周辺回路を構成する回路素子等として利用されている。アクティブマトリクス駆動型の表示装置の一つである液晶ディスプレイパネルは、携帯電話やＰＤＡなど、モバイルディスプレイ用途に使用されることが多く、さらなる軽量化や耐衝撃性を有するＴＦＴ搭載パネルが望まれている。近年、ガラス基板の代わりにプラスチック基板を用いたＴＦＴ搭載パネルが提案されている。

プラスチック基板を用いたＴＦＴ搭載パネルの作製方法としては、主に２種類の作製方法が知られている。一つは、ガラス基板上に従来の技術でＴＦＴを作製し、その後、ガラス基板からＴＦＴを剥離し、剥離したＴＦＴをプラスチック基板に接着する方法である。他の一つは、プラスチック基板を用い、そのプラスチック基板上に直接ＴＦＴを作製する方法である（例えば特許文献１を参照）。
特開２０００−６８５１８号公報

前者の方法は、ガラス基板上にＴＦＴを作製するという従来技術を使用できることから、高い性能を有するＴＦＴを作製できるが、剥離や接着という複雑なプロセスが加わるので、製造コストの上昇が避けられないという難点がある。

後者の方法は、プラスチック基板を用いることから、ガラス基材を用いるよりも材料コストや工数を抑制できるが、プラスチック基板にガラス転移温度（基材によって異なるが、１００〜２５０℃程度）以上の熱が加わると、プラスチック基板上に作製したＴＦＴが剥離し易くなるという問題がある。例えば、プラスチック基板上に形成したアモルファスシリコンをレーザーアニールすることによってポリシリコン化する場合、アモルファスシリコンに瞬間的に１７００℃程度の熱を加える必要がある。この時、プラスチック基板にガラス転移温度以上の熱が加わると、アモルファスシリコン薄膜がプラスチック基板から剥離してしまうという問題が生じる。

また、プラスチック基板上に作製したポリシリコン薄膜に不純物イオンを添加し、レーザーアニールすることによって熱活性化する場合、活性化に必要な加熱（４００℃程度）を行なうとプラスチック基板にガラス転移温度以上の熱が加わることになり、プラスチック基板上に作製したポリシリコン薄膜がプラスチック基板から剥離してしまうという問題が生じる。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、ＴＦＴ製造工程中に加わるレーザーアニールの熱によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタが、そのプラスチック基板から剥離し難くさせる薄膜トランジスタ搭載パネの製造方法を提供することにある。

本発明者は上記問題を解決するための検討を行っている過程で、熱処理後のプラスチック基板上に作製したＴＦＴは、レーザーアニールされてもプラスチック基板から剥離し難いことを見出し、その知見に基づいて本発明を完成させた。

すなわち、本発明の第１形態に係る薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法は、プラスチック基板を熱処理する工程と、前記熱処理されたプラスチック基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールすることによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程とを有する薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法であって、前記熱処理は、９０℃以上２００℃以下の範囲内で１０分以上の条件で行われることを特徴とする。

この発明によれば、プラスチック基板を上記条件で熱処理する工程を有する方法で製造することにより、熱処理後のプラスチック基板上に作製したＴＦＴは、レーザーアニールされてもプラスチック基板から剥離し難いという結果が得られた。熱処理の直接の作用は明らかではないが、おそらく、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分が熱処理工程で除去されるために、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないためであろうと考えられる。その結果、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。

本発明の第２形態に係る薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法は、プラスチック基板を真空処理する工程と、前記真空処理されたプラスチック基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールすることによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法であって、前記真空処理は、１×１０^−３Ｐａ以下１×１０^−５Ｐａ以上の範囲内で６０分以上の条件で行われることを特徴とする。

この発明も上記第１形態の場合と同様、プラスチック基板を上記条件で真空処理する工程を有する方法で製造することにより、真空処理後のプラスチック基板上に作製したＴＦＴは、レーザーアニールされてもプラスチック基板から剥離し難いという結果が得られた。真空処理の直接の作用は明らかではないが、おそらく、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分が真空処理工程で除去されるために、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないためであろうと考えられる。その結果、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。

上記本発明の第１形態及び第２形態に係る本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法において、前記プラスチック基板が、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であることを特徴とする。

この発明によれば、ＴＦＴ搭載パネルを好ましく構成するプラスチック基板について、製造工程中での剥離の問題を解決することができる。

上記本発明の第１形態及び第２形態に係る本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法において、前記アモルファスシリコン薄膜が、スパッタリング法で成膜されることを特徴とする。

スパッタリング法で成膜されたアモルファスシリコン薄膜はガスを含有し易いので、プラスチック基板との密着性の確保が重要であるが、この発明によれば、熱処理又は真空処理によってプラスチック基板とＴＦＴとの剥離の問題が改善されているので、スパッタリング法で成膜されたアモルファスシリコン薄膜であっても、プラスチック基板との密着性を確保することができる。

本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法によれば、熱処理又は真空処理後のプラスチック基板上に作製したＴＦＴは、レーザーアニールされてもプラスチック基板から剥離し難いという結果が得られた。熱処理又は真空処理は、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分を除去するように作用すると考えられるため、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないと考えられる。その結果、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。

そうして得られた薄膜トランジスタ搭載パネルは、フレキシブルなプラスチック基板上にＴＦＴが密着性よく形成されているので、例えば有機ＥＬ素子等と組み合わせることにより、フレキシブルなディスプレイを設計することが可能となる。

以下、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の製造方法で得られる薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部の一例を示す模式断面図であり、図２及び図３は、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法を示す説明図である。なお、本発明は、図面の形態や以下の実施形態に限定されるものではない。

本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法は、プラスチック基板を熱処理又は真空処理する工程と、熱処理又は真空処理されたプラスチック基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールすることによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程とを有している。

本発明の製造方法で得られる薄膜トランジスタ搭載パネルは、プラスチック基板上にポリシリコン薄膜が形成されてなるものであって、例えば、アクティブマトリックス駆動型の表示装置を構成するディスプレイパネルとして利用可能なものである。より詳しくは、本発明の製造方法で得られる薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部１０は、図１に示すように、プラスチック基板１１と、プラスチック基板１１上に形成されたポリシリコン半導体薄膜１３（ソース側拡散膜１３ｓ、半導体チャネル膜１３ｃ及びドレイン側拡散膜１３ｄ）と、そのポリシリコン半導体薄膜１３上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に、又はゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して形成された電極１５（ソース電極１５ｓ、ゲート電極１５ｇ及びドレイン電極１５ｄ）とを有している。

以下においては、図１に示すＴＦＴ素子部の構造形態を例にして、本発明に係る製造方法を図２及び図３に基づいて工程順に説明するが、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法は、図示の構造形態に限定されず、少なくともプラスチック基板を熱処理又は真空処理する工程を有するものであればよい。

先ず、図２（Ａ）に示すように、準備されたプラスチック基板１１を熱処理又は真空処理する。プラスチック基板１１は、薄膜トランジスタの回路基板をなすものであり、例えば、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基材、又はそれらの複合基材を挙げることができる。これらのうち、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を好ましく挙げることができる。プラスチック基板１１としては、厚さが５μｍ〜３００μｍ程度の薄いフレキシブルなフィルム状のものも使用することができ、薄膜トランジスタが形成されたパネルをフレキシブルなものとすることができる。

熱処理は、９０℃以上２００℃以下の範囲内で１０分以上の条件で行われる。プラスチック基板をこの条件下で熱処理することにより、その後のレーザーアニール時にプラスチック基板からＴＦＴが剥離するのを防ぐことができる。なお、上記条件の範囲外では、プラスチック基板からＴＦＴが剥離することがあった。この条件で剥離が防がれる理由は明らかではないが、おそらく、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分が熱処理によって除去されるために、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないためであろうと考えられる。なお、熱処理時間は１０分以上であれば効果はあまり変わらないので、その上限は特に限定されないが、強いて挙げるなら１２０分程度を挙げることができる。

なお、好ましい熱処理条件は、１２０℃以上１６０℃以下の範囲内で２０分以上の条件であり、この条件下では、レーザーアニール時にプラスチック基板からＴＦＴが剥離するのを顕著に防ぐことができる。

こうした熱処理は、プラスチック基板を一定温度が管理できるオーブン中に放置することにより施すことができる。

真空処理は、１×１０^−３Ｐａ以下１×１０^−５Ｐａ以上の範囲内で６０分以上の条件で行われる。プラスチック基板をこの条件下で真空処理することにより、その後のレーザーアニール時にプラスチック基板からＴＦＴが剥離するのを防ぐことができる。なお、上記条件の範囲外では、プラスチック基板からＴＦＴが剥離することがあった。熱処理の場合と同様、この条件で剥離が防がれる理由は明らかではないが、おそらく、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分が高真空処理によって除去されるために、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないためであろうと考えられる。なお、真空処理時間は６０分以上であれば効果はあまり変わらないので、その上限は特に限定されないが、強いて挙げるなら４８時間程度を挙げることができる。

なお、好ましい真空処理条件は、１×１０^−４Ｐａ以下、１×１０^−５Ｐａ以上の範囲内で２４０分以上の条件であり、この条件下では、レーザーアニール時にプラスチック基板からＴＦＴが剥離するのを顕著に防ぐことができる。

こうした真空処理は、プラスチック基板をポンプで常時排気し、圧力を管理した真空デシケータ中に放置することにより施すことができる。

次に、図２（Ｂ）に示すように、熱処理又は真空処理されたプラスチック基板１１上にノンドープのアモルファスシリコン薄膜２１ａを形成する。このアモルファスシリコン薄膜２１ａは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法やＣＶＤ法等の各種の方法で成膜可能である。例えばＲＦマグネトロンスパッタリング法でアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合には、例えば、成膜温度：室温、成膜圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴン、の成膜条件で例えば厚さ５０ｎｍの厚さで成膜できる。なお、ＣＶＤ法でアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合も２５℃程度の成膜温度で成膜可能であるが、原料ガスとしてＳｉＨ_４が使用されるので、出成膜後に約４００℃の脱水素処理（真空中で１時間程度）が必要となる。プラスチック基板に対する上記の熱処理又は真空処理は、この脱水素処理時に生じる熱に対しても効果があり、プラスチック基板１１とＴＦＴとの剥離を防ぐことができる。

次に、図２（Ｃ）に示すように、レーザーアニール２２を行ってアモルファスシリコン薄膜２１ａを結晶化して低抵抗のポリシリコン薄膜２１ｐに変化させる。レーザーアニール２２は、アモルファスシリコン薄膜２１ａを結晶化させてポリシリコン薄膜２１ｐ（多結晶シリコン薄膜）にする結晶化手段であり、ＸｅＣｌエキシマレーザー、ＣＷ（Continuous Wave）レーザー等の種々のレーザーで行うことができる。例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いて結晶化を行う場合には、一例として、パルス幅：３０ｎsec、エネルギー密度：４００ｍＪ／ｃｍ^２、室温の条件下で行うことができる。プラスチック基板に対する上記の熱処理又は真空処理は、この工程で加わるレーザーアニールの熱に対して顕著に効果があり、プラスチック基板１１とＴＦＴとの剥離を防ぐことができる。

次に、図２（Ｄ）に示すように、ポリシリコン薄膜２１ｐ上にレジスト膜２３を形成し、その後レジスト膜２３をパターニングする。レジスト膜２３は、例えばポジ型フォトレジスト等が好ましく用いられる。レジスト膜２３は、レジストをスピンナー等の手段で全面に塗布・硬化させて形成される。レジスト膜をパターニングした後、図２（Ｄ）に示すようにイオン注入２４を行う。イオン注入２４は、例えば、リン（Ｐ）を注入電圧：１０ｋｅＶ、室温下で、２×１０^１５／ｃｍ^２のドープレベルとなるように注入される。こうしたイオン注入によりポリシリコン薄膜にソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄが形成され、さらに両膜１３ｓ，１３ｄの間に、半導体チャネル膜１３ｃが形成される

次に、図２（Ｅ）に示すように、形成されたソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄにエネルギービーム２５を照射して両膜１３ｓ，１３ｄを活性化する。エネルギービーム２５としては、上記と同様のＸｅＣｌエキシマレーザーを用いることができ、一例として、パルス幅：３０nsec、エネルギー密度：２５０ｍＪ／ｃｍ^２、室温の条件下で行うことができる。プラスチック基板に対する上記の熱処理又は真空処理は、この工程で加わるエネルギービームの熱に対して顕著に効果があり、プラスチック基板１１とＴＦＴとの剥離を防ぐことができる。

なお、上記の活性化処理の後には、通常、ポリシリコン薄膜の欠陥を低減処理するための酸素プラズマ処理が施される。酸素プラズマ処理は、一例として、ＲＦ１００Ｗ、１Ｔｏｒｒ、１５０℃の条件下で行われ、その後においては、１２０℃の条件下での乾燥処理が施される。

次に、図３（Ｆ）に示すように、ドライエッチングを施してアイランドを形成する。エッチングガスとしては、ＳＦ_６等を用いることができる。

次に、図３（Ｇ）に示すように、ソース側拡散膜１３ｓ、半導体チャネル膜１３ｃ及びドレイン側拡散膜１３ｄを含む全面にゲート絶縁膜１４を形成する。ゲート絶縁膜１４の形成方法は、例えばＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、８インチのＳｉＯ_２ターゲットに投入電力：１．０ｋＷ（＝３Ｗ／ｃｍ^２）、圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴン＋Ｏ_２（５０％）の成膜条件で厚さ約１００ｎｍの酸化シリコンを形成した。

次に、図３（Ｈ）に示すように、ソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄ上のゲート絶縁膜１４をマスクを用いて選択的にエッチングすることにより、コンタクトホール２６，２６を形成する。このときのエッチングとしては、例えば２％ＨＦ溶液を用いたウエットエッチングを適用できる。

次に、図３（Ｉ）に示すように、全面に例えば厚さ２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を蒸着した後、ウエットエッチングによりパターニングして、ソース電極１５ｓ、ドレイン電極１５ｄ及びゲート電極１５ｇを形成する。なお、電極材料は、Ｃｕ、その他の導電性材料であってもよく、スパッタリング等の他の成膜プロセスにより形成してもよい。

最後に、図３（Ｊ）に示すように、水素プラズマ２７による処理を行って多結晶ポリシリコン薄膜のシリコンの欠陥をターミネートする。例えば、水素プラズマ処理により、シリコン表面のタングリングボンドをなくし、ポリシリコンとゲート絶縁膜との界面のリークパスをなくす方法がとられる。こうして図３（Ｊ）に示す一態様の薄膜トランジスタが製造される。

以上のように、本発明の製造工程で施される熱処理又は真空処理は、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分を除去するように作用すると考えられるため、その後にレーザーアニール時の熱が加わっても、プラスチック基板に含まれるガス成分や水分の影響に基づく剥離がＴＦＴとの間で生じないと考えられる。その結果、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。こうして製造された薄膜トランジスタ搭載パネルは、フレキシブルなプラスチック基板の上にＴＦＴが形成された形態であるので、例えば有機ＥＬ素子等と組み合わせることにより、フレキシブルなディスプレイを設計することが可能となる。

以下、実施例と比較例により本発明をさらに詳しく説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
プラスチック基板として厚さ０．２ｍｍで５０ｍｍ×５０ｍｍのポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）を用い、そのプラスチック基板を大気雰囲気に保持されたオーブンに入れ、１２０℃・２０分の条件で熱処理した。その後、アモルファスシリコンをＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜温度：室温、成膜圧力：１．０Ｐａ（アルゴン））により厚さ５０ｎｍ形成した。

その後、上述した図２（Ｃ）〜図３（Ｊ）の工程の説明欄で例示した条件に基づいてＴＦＴ搭載パネルを作製した。特に、図２（Ｃ）の結晶化工程では、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いたレーザーアニールをエネルギー密度４００ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅３０nsec、室温、照射回数２０回の条件で照射した。図２（Ｄ）のイオン注入工程では、リンを注入電圧１０ｋｅＶ、室温下で、２×１０^１５／ｃｍ^２のドープレベルとなるようにイオン注入した。図２（Ｅ）の活性化工程では、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用い、パルス幅３０ｎsec、エネルギー密度２５０ｍＪ／ｃｍ^２、室温の条件下で活性化処理を行った。その活性化処理後には、酸素プラズマ処理をＲＦ１００Ｗ、１Ｔｏｒｒ、１５０℃の条件下で行った。次いで、アイランド形成工程、コンタクトホール形成工程、ウエットエッチング工程、水素プラズマ処理工程を経てＴＦＴ搭載パネルを製造した。

（参考例１及び実施例２，３）
プラスチック基板又は熱処理条件を表１に記載のように変更した以外は、実施例１と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。

（参考例２）
プラスチック基板として厚さ０．２ｍｍで５０ｍｍ×５０ｍｍのポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）を用い、そのプラスチック基板を真空雰囲気に保持された真空デシケータに入れ、１×１０^−４Ｐａ・２４０分の条件で真空処理した。その後、アモルファスシリコンをＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜温度：室温、成膜圧力：１．０Ｐａ（アルゴン））により厚さ５０ｎｍ形成した。さらにその後、上述した図２（Ｃ）〜図３（Ｊ）の工程の説明欄で例示した条件に基づいた実施例１と同じ条件でＴＦＴ搭載パネルを作製した。

（参考例３〜５）
プラスチック基板又は真空処理条件を表１に記載のように変更した以外は、参考例２と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。

（比較例１〜４）
熱処理条件又は真空処理条件等を表１に記載のように変更した以外は、実施例１又は参考例２と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。

（密着性評価）
熱処理条件又は真空処理条件の効果を、プラスチック基板とポリシリコンとの密着性を評価することによって判断した。密着性（耐剥離性）は、スコッチメンディングテープ（住友スリーエム製、長さ３０ｍ×幅１２ｍｍ）を用い、そのテープの一部（長さ３０ｍｍ）を作製したＴＦＴ上に貼り付けた後に一気に引き剥がして剥離の有無を評価するテープ剥離試験法で評価した。密着性の結果を表１に示した。密着性の評価は、剥離も亀裂も全く生じていなかったものを◎とし、エッジ部分などに変色が僅かに生じていたが実用上全く問題がないものを○とし、数回の剥離テストを繰り返すことで剥離が生じていたが実用上使用可能なものを△とし、素子部分に剥離が生じていて使用が難しいものを×とした。表１の結果からもわかるように、熱処理については、９０℃以上２００℃以下の範囲内で１０分以上の条件で好ましい結果が得られ、真空処理については、１×１０^−３Ｐａ以下１×１０^−５Ｐａ以上の範囲内で６０分以上の条件で好ましい結果が得られた。

本発明の製造方法で得られた薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部の一例を示す模式断面図である。 本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法を示す工程説明図である。 本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法を示す工程説明図である。

符号の説明

１０ ＴＦＴ素子部
１１ プラスチック基板
１３ ポリシリコン半導体薄膜
１３ｓ ソース側拡散膜
１３ｃ 半導体チャネル膜
１３ｄ ドレイン側拡散膜
１４ ゲート絶縁膜
１５ｓ ソース電極
１５ｇ ゲート電極
１５ｄ ドレイン電極
２１ａ アモルファスシリコン薄膜
２１ｐ ポリシリコン薄膜
２２ レーザーアニール
２３ レジスト膜
２４ イオン注入
２５ エネルギービーム
２６ コンタクトホール
２７ 水素プラズマ

Claims (1)

1. ポリエーテルサルホン又はポリエチレンナフタレートからなるプラスチック基板を熱処理する工程と、前記熱処理されたプラスチック基板上にアモルファスシリコン薄膜をスパッタリング法で形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールすることによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程と、全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、をその順で有する薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法であって、
   前記熱処理は、大気雰囲気で、１１０℃以上１５０℃以下の範囲内で１０分〜３０分の条件で行われることを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。
   

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