JP5515266B2 - ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の一例を示す模式平面図であり、図2は、図1に示すTFT基板のA−A’断面図であり、図3は、図1に示すTFT基板のB−B’断面図である。本発明のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板1(以下、単に「TFT基板1」ともいう。)は、図1〜図3に示すように、基板10側から、少なくとも、半導体膜13、ゲート絶縁膜14g、ゲート電極15gの順で設けられた薄膜トランジスタ20(以下、単に「TFT20」ともいう。)を有するアクティブマトリクス方式のTFT基板である。そして、本発明は、図1及び図3に示すように、ゲート電極15gをその一部として含む走査線31が所定の隙間Gを隔てて分断された導電性パターン32,32と、その導電性パターン32,32の下に設けられた半導体膜13と、分断された導電性パターン32,32を接続する配線膜33とを有している。
本発明のTFT基板の製造方法は、上記本発明のTFT基板1を製造する方法である。そして、本発明の第1態様に係る製造方法は、基板10の全面に半導体膜13(例えば非晶質シリコン膜21a)を形成する工程と、その半導体膜13(例えば非晶質シリコン膜21a)上にゲート絶縁膜14gとゲート電極15gとを形成するとともに、ゲート電極15gをその一部として含む走査線31を、所定の隙間Gを隔てて分断した導電性ターン32で形成する工程と、ゲート電極15gの上方から半導体膜13に対してイオン注入処理を行い、ゲート電極15gの下に位置する領域以外の領域の半導体膜13にイオン注入する工程と、全面にエネルギービーム照射25を行って前記イオン注入した領域を活性化する工程と、活性化した領域のうち、ソース側拡散膜14s及びドレイン側拡散膜14dになる部分以外の半導体膜13と導電性パターン32の下にある半導体膜以外の半導体膜13とを除去する工程と、所定の隙間Gを隔てて分断された導電性パターン32の上に所定パターンの配線膜32を形成し、分断された導電性パターン32を接続する工程と、をその順で有している。
10 基板
11 アンダーコート膜
13 半導体膜
13s ソース側拡散膜
13c チャネル膜
13d ドレイン側拡散膜
14 絶縁膜
14g ゲート絶縁膜
15 金属膜
15s ソース電極
15g ゲート電極
15d ドレイン電極
16a 層間絶縁膜
16b,16c 絶縁膜
17 コンタクトホール
18 保護膜
19 画素電極
20 TFT
21a 非晶質シリコン膜
21p 多結晶シリコン膜
22 レーザー照射
24 イオン注入
25 エネルギービーム照射
28 高圧水蒸気
30 走査線部
31 走査線
32 導電性パターン
33 配線膜
34 コンタクトホール
50A,50B 画素領域
G 隙間
Claims (6)
- 基板側から、少なくとも、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で設けられた薄膜トランジスタを有し、該ゲート電極をその一部として含む走査線が、所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンと、該導電性パターンの下に設けられた半導体膜と、前記分断された導電性パターンを接続する配線膜とを有する、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記基板の全面に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜とゲート電極とを形成するとともに、該ゲート電極をその一部として含む走査線を、所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンで形成する工程と、
前記ゲート電極の上方から前記半導体膜に対してイオン注入処理を行い、前記ゲート電極の下に位置する領域以外の領域にイオン注入する工程と、
全面にエネルギービーム照射を行って前記イオン注入した領域を活性化する工程と、
前記活性化した領域のうち、ソース拡散領域及びドレイン拡散領域になる部分以外の半導体膜と、前記導電性パターンの下にある半導体膜以外の半導体膜とを除去する工程と、
前記所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンの上に所定パターンの配線膜を形成し、該分断された導電性パターンを接続する工程と、
をその順で有することを特徴とするディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 基板側から、少なくとも、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で設けられた薄膜トランジスタを有し、該ゲート電極をその一部として含む走査線が、所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンと、該導電性パターンの下に設けられた半導体膜と、前記分断された導電性パターンを接続する配線膜とを有する、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記基板の全面に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜とゲート電極とを形成するとともに、該ゲート電極をその一部として含む走査線を、所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンで形成する工程と、
前記導電性パターンをなすゲート電極をマスクとして、前記ゲート絶縁膜と前記半導体膜とをパターニングする工程と、
前記所定の隙間を隔てて分断された導電性パターンの上に所定パターンの配線膜を形成し、該分断された導電性パターンを接続する工程と、
をその順で有することを特徴とするディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記基板が有機基板である、請求項1又は2に記載のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記配線膜を、前記導電性パターン上に直接形成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記配線膜を、前記導電性パターン上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成した後に該絶縁膜上に形成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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