JP2006054094A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
絶縁物試料を荷電粒子線にて観察する際に発生する帯電によって、試料表面電位が荷電粒子線照射領域面内で不均一となることで生じる電位勾配により該荷電粒子線の軌道が偏向されるビームドリフトを低減する。
【解決手段】
試料に照射する荷電粒子線のエネルギーを試料から発生する二次電子の発生効率が1以上となるように設定する。装置の構成としては、独立に電圧を印加することができ、一次荷電粒子線が通過することができる孔を具備した平板電極を試料に対向して配置し、試料を積載する試料台は独立に電圧を印加することができ、試料に対向する面は平坦化されて凹凸の無い構造とする。また、該平板電極に設けられた孔の直径Dと該平板電極と該試料との距離LはD/L≦1.5の関係を満たすように設定する。
【選択図】 図1
Description
さらに、該エネルギーフィルタの阻止電位を可変すれば、試料11上に一次電子線を照射する際に発生した帯電による該試料11の表面電位も測定が可能であるから、光学系の動作条件と表面電位の上方とを用いて光学倍率の変化が計算できるため、この結果から偏向コイル8の偏向電流の再設定を実施すれば、試料表面の帯電によらず正確な倍率設定が可能となる。
SEMの高分解能化手法の一つとして、リターディング法以外に磁路全体もしくは絶縁された磁路の一部に正の高電圧を印加して、レンズ界内を高速で電子線を通過させることで色収差を低減するブースティング法がある。図3(a)では対物レンズ9にブースティング電源25で5kVの電圧を印加し、試料台12にはリターディング電圧が−2kV印加され、制御電極22は−1.9kVに設定している。
本発明によれば、一次電子線の照射によって絶縁物試料11表面に帯電が誘起された場合にも、誘起された帯電が過剰に蓄積しないように、試料の表面電位に対して数Vから数十Vの正の電圧を制御電極10に印加してあり、たとえ電荷の蓄積が進行したとしても、該制御電極10と該試料11表面の電位差以下の帯電量で進行が止まるので、帯電の自己緩和作用で十分電荷の低減が可能な帯電量に初期の電荷の蓄積を制限することができる。本実施例で試料を石英ウェーハとしたときの好適な制御電極10の電圧は試料表面電位に対して50V程度である。
図8の段階での自己緩和作用によって図9(a)の帯電領域54の電荷は減少して等電位線分布も試料近傍で等電位線群53のように平坦化される。図9(b)に示したように、帯電領域54を局所的に見ても等電位線群56では低エネルギーの二次電子55に対しても電位障壁は存在しないため、S/N良く二次電子の検出が可能となる。さらに、一次電子線照射領域の電位勾配もほとんどないため、帯電電荷の大きな移動はなく、電荷量も少ないため一次電子線のビームドリフトは発生しなくなる。
5:磁場レンズ 6:変換電極 7:EXBフィルター 8:偏向コイル
9:対物レンズ 10:制御電極 11:試料 12:試料台
13:二次電子検出器 14:画像出力端末 15:定電流電源
16:電源 17:引き出し電圧電源 18:電子銃加速電源
19:画像処理部 20:制御電極電源 21:リターディング電源
22:制御電極 23:等電位線分布 24:支持台
25:ブースティング電源 26:制御電極 27:等電位線群
28:試料台 29:一次電子線 30:等電位線群 31:寸法
32:試料台 33:寸法 34:等電位線群 35:制御電極電圧初期値
36:制御電極電圧制御のグラフ 37:制御電極電圧制御のグラフ
38:帯電量変化のグラフ 39:帯電量変化のグラフ
40:帯電量変化のグラフ 41:等電位線群 42:帯電領域
43:二次電子 44:電位障壁を表す等電位線 45:等電位線群
46:帯電領域 47:二次電子 48:等電位線群 49:帯電領域
50:等電位線群 51:二次電子 52:電位障壁を表す等電位線
53:等電位線群 54:帯電領域 55:二次電子 56:等電位線群
Claims (14)
- 対物レンズの下方に独立して電圧を印加することの出来る電極と、該電極の下方に独立して電圧を印加することの出来る試料を積載するための試料台を配置し、該電極と該試料台に電圧を印加することで該電極と該試料台間に形成される平行電界が作る任意の等電位面と試料の表面が一致するように試料を該電極と該試料台の間に設置するように構成されたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の試料は絶縁物を基板とし、表面の一部もしくは全体に絶縁物が露出している試料であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の電極は電子線が通過する孔を有した平板電極であって、該平板電極に設けた孔は該電極よりも上方の電位が実質的に試料表面に作用しない大きさであり、該孔の直径をD、該電極と試料間の距離をLとしたときのDとLの関係はD/L≦1.5であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の試料台は試料の面積よりも大きいことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の試料台は試料の形状と相似形であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の試料台は試料の底面に対向する面である、該試料台の上面もしくは試料が積載される特定の面が、試料よりも大きな面積にわたり平坦化され、面内で凹凸構造を持たない試料台であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1記載の試料台において、試料を積載するために試料台に設けた掘り込みの深さまたは障害物の高さは試料の厚さの1/2以下であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の走査型電子顕微鏡において、ガラスや石英などの絶縁物を基板とする試料を観察する場合には、請求項1記載の電極に印加する電圧は試料台の電位に対して正の電圧を印加して、かつ試料表面の電位に対して数Vから数十V正となる電圧を印加する試料観察方法。
- 請求項8記載の試料観察方法において、電子線を試料に照射している最中に電極に印加する電圧を、該電圧の初期値に対して負の方向に数Vから数十Vの範囲で連続的に、もしくは段階的に変化させることを特徴とする試料観察方法。
- 請求項9記載の試料観察方法において、電極に印加する電圧の変化中の試料上での電子線の照射面積は、観察すべき面積に比して十分大きいことを特徴とする試料観察方法。
- 請求項9または請求項10記載の試料観察方法において、自動的に電極に印加する電圧を変化させることができ、試料から発生する二次電子量もしくは反射電子量を計測する手段を具備し、該二次電子量もしくは反射電子量があらかじめ決められた閾値以上もしくは閾値以下となったら、該電極に印加する電圧の変化を自動的に終了して請求項9記載の電圧の初期値として設定することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項9から請求項11のいずれかに記載の試料観察方法において、試料から発生する二次電子量もしくは反射電子量を計測する手段を具備し、該二次電子量もしくは反射電子量があらかじめ決められた閾値以上もしくは閾値以下となったら、該電極に印加する電圧の変化を自動的に終了することを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項11もしくは請求項12記載の閾値は、二次電子信号もしくは反射電子信号を基に形成される画像の特定の輝度と該輝度にある画素数であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
- 請求項12記載の二次電子量もしくは反射電子量を計測する手段は、電界と磁界からなるウィーンフィルタ、もしくは二次電子または反射電子の持つエネルギーに対して障壁となるような電位を生じさせることのできる電極を備えた電位阻止型のエネルギーフィルタを具備した電子検出器であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
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