JP3805565B2 - 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 - Google Patents
電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3805565B2 JP3805565B2 JP16587299A JP16587299A JP3805565B2 JP 3805565 B2 JP3805565 B2 JP 3805565B2 JP 16587299 A JP16587299 A JP 16587299A JP 16587299 A JP16587299 A JP 16587299A JP 3805565 B2 JP3805565 B2 JP 3805565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- image
- ultraviolet light
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 178
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 105
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 164
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 63
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 53
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 14
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 101100129500 Caenorhabditis elegans max-2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100083446 Danio rerio plekhh1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
- H01J2237/0047—Neutralising arrangements of objects being observed or treated using electromagnetic radiations, e.g. UV, X-rays, light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2482—Optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に電子走査顕微鏡等の荷電粒子線装置、並びに荷電粒子線装置を用いた荷電粒子線画像に基づく半導体基板等のパターンの検査または計測方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術としては、特開昭６３−１３３６４０号公報（従来技術１）、特開平１−１１９６６８号公報（従来技術２）、特開平１−２４３４４９号公報（従来技術３）、および特開平４−１５２５１９号公報（従来技術４）が知られている。
【０００３】
従来技術１には、半導体試料に電子ビームを照射し、試料より放出される２次電子を検出して試料の各部位における電位を評価する電子ビームテスティングにおいて、半導体試料にレーザ光源やタングステンランプ等の光源からの光を照射することによる光導電効果によって電子ビームの照射により試料表面に蓄積された電荷を放散して帯電を防止することが記載されている。
また、従来技術２には、イオン源、イオン分析部及び加速部を有するイオン注入装置において、セットされた表面をＳｉＯ2の絶縁膜で被覆されたＳｉウエハ全面に低圧水銀灯またはＡｒＦレーザ（λ＝１９３ｎｍ）光源からの紫外線光を照射してＳｉＯ2中にキャリアを励起させ、イオン注入による＋電荷をディスクあるいはクランプを通じて直ちに放電させ、イオン注入によるチャージアップ起因する不具合（薄いＳｉＯ2の絶縁膜破壊）をなくすことが記載されている。即ち、従来技術２においては、ＳｉとＳｉＯ2の界面にエネルギを入射する必要があるためＳｉＯ2を透過する紫外線を用いることが記載されている。
【０００４】
また、従来技術３には、処理室内の半導体装置のＳｉ基板の表面に絶縁膜が形成された配線修正箇所にイオンビームを照射してスパッタ加工する際、並びにスパッタ処理によって開けられた穴および新たな配線を形成する位置にＷ（ＣＯ）6等のガス雰囲気においてイオンビームを照射してＷ配線を形成する際、紫外線を照射することによって絶縁膜の表面を励起する電子により中和することが記載されている。
また、従来技術４には、半導体装置の製造に際し、ドライエッチング、アッシング、プラズマＣＶＤ、電子ビーム露光、インプラ、純水洗浄、ウエハＳＥＭのいずれかの半導体基板内に電荷が蓄積される処理を行った後、該半導体基板表面に、絶縁膜がＳｉＯ2の場合３９８〜１４１ｎｍの波長、絶縁膜がＳｉ3Ｎ4の場合６１７．３〜２４６．９ｎｍの波長の紫外線を照射して荷電粒子のチャージアップの処理を行うことが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体基板等に形成されている配線パターンが益々微細化されてきている。そのため、半導体基板等の試料に対して電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射し、試料から得られる２次電子、反射電子等の荷電粒子を検出し、この検出される荷電粒子の信号に基いて試料に形成された微細なパターンの異物等を含む欠陥の検査や微細パターンの寸法を計測する必要が生じてきている。
また、半導体基板等の試料においては、ＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜が少なくとも一部分に形成されていて、この試料の表面に電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射すると帯電してしまうことになる。
【０００６】
しかしながら、上記従来技術１〜４の何れにも、半導体基板等の試料の表面に対して電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射し、試料から得られる２次電子、反射電子等の荷電粒子の信号を検出する際、上記荷電粒子ビームの照射によって絶縁物上に帯電する電荷によって生じる荷電粒子信号のずれやコントラストの低下などを防止すると共に絶縁物上に紫外線を照射したとき発生する光電子の影響を受けないようにする点について考慮されていなかった。
また、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内にある例えばアパーチヤなどに電子線などの荷電粒子線が照射されることによって焦げつきが生じて絶縁物が生成され、この絶縁物に荷電粒子線が照射されることによってチャージアップが生じて鏡筒から照射される電子ビーム等の荷電粒子ビームの位置およびスポット径などに変化が生じてしまうことになる。しかしながら、上記従来技術１〜４の何れにおいても、この点について考慮されていなかった。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測を実現できるようにした荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測を実現できるようにした荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の更に他の目的は、鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止した荷電粒子線装置を提供することにある。
また、本発明の更に他の目的は、鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めた荷電粒子線装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、荷電粒子源から発せられた荷電粒子を荷電粒子光学系で集束し、この集束された荷電粒子ビームを偏向手段によって偏向させて絶縁膜を有する試料上に対して走査照射し、この走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を荷電粒子検出器で検出して荷電粒子画像を得、この得られた荷電粒子画像を画像処理手段で画像処理して前記試料の検査または計測を行う検査または計測過程と、前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有することを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法である。
また、本発明は、荷電粒子源から発せられた荷電粒子を荷電粒子光学系で集束し、この集束された荷電粒子ビームを偏向手段によって偏向させて絶縁膜を有する試料上に対して走査照射し、この走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を荷電粒子検出器で検出して荷電粒子画像を得、この得られた荷電粒子画像を画像処理手段で基準荷電粒子画像と比較処理して前記試料上のパターンの検査または計測を行う検査または計測過程と、前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有することを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法である。
【００１０】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上へ走査照射していない期間（例えばブランキング期間）に同期させて行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上へ走査照射していない期間（例えばブランキング期間）において行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量についてほぼ一定にして行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量についてほぼ一定にして行い、検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出される２次元荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づくノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得ることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量について周期的に変化させて行い、検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出される２次元荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得ることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、試料上において検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出する視野外に行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の波長を、２００ｎｍ以下にすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、絶縁膜を有する試料を載置するステージと、荷電粒子源と、該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と、該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段と、該走査手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器と、該荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像を画像処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備えたことを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置である。
また、本発明は、絶縁膜を有する試料を載置するステージと、荷電粒子源と、該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と、該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段と、該走査手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器と、該荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像を基準荷電粒子画像と比較処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備えたことを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置である。
【００１３】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上へ荷電粒子ビームを走査照射していない期間に同期させて行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上へ荷電粒子ビームを走査照射していない期間に行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、照射される紫外光の光量がほぼ一定になるように構成することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における画像処理手段において、荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づくノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得るノイズ除去手段を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、照射される紫外光の光量が周期的に変化するように構成することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における画像処理手段において、荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得るノイズ除去手段を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、紫外光の照射が試料上において前記荷電粒子検出器で検出する視野外に行われるように構成することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における紫外光照射手段において、照射する紫外光の波長が、２００ｎｍ以下になるように構成することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、荷電粒子源と該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段とを備えた荷電粒子線の鏡筒を設け、該鏡筒内の偏向手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器を設け、更に、前記荷電粒子線の鏡筒内に紫外光を照射する紫外光照射手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置である。
また、本発明は、荷電粒子源と該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段とを備えた荷電粒子線の鏡筒を設け、該鏡筒内の偏向手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器を設け、更に、前記荷電粒子線の鏡筒内に紫外光を照射して鏡筒内の帯電の除去あるいは汚染の清掃を行う紫外光照射手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置である。
【００１６】
また、本発明は、前記荷電粒子線装置において、紫外光照射手段は、紫外線を荷電粒子源に照射して荷電粒子線の放出効率を高めるように構成したことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線装置において、紫外光照射手段は、紫外線を前記荷電粒子源または走査手段を構成するアパーチヤに照射するように構成したことを特徴とする。
【００１７】
以上説明したように、前記構成によれば、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる。
また、前記構成によれば、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる。
【００１８】
また、前記構成によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止することができ、安定した荷電粒子線装置を実現することができ、その結果、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測などを実現することができる。
また、前記構成によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めることができ、高効率の荷電粒子線装置を実現することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置並びに荷電粒子線装置の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係る荷電粒子線装置の一実施例である電子線装置の構成を示す図である。電子線装置１０は、真空排気される鏡筒２内に、電子線を出射する電子銃とコンデンサレンズと引き出し電極とを有する電子線源１１と、電子線の照射をＯＮ、ＯＦＦするブランキング機構１７と、電子線を偏向させる偏向素子１２と、電子線を試料１６上に焦点を結ぶ電磁レンズ１３と、試料１６から放出された例えば２次電子、反射電子等の電子を検出する電子検出部とを設置し、更に真空排気される試料室３内に、試料１６を載置した試料台２１を搭載するＸＹステージ１５と、該ＸＹステージ１５の位置を正確に測長する位置モニタ用測長器（図示せず）と、試料１６の近傍に設けられたグリッド電極２４と、試料の高さを測定する高さ測定器１９とを設置して構成される。電子線源１１としては、電子ビーム電流を大きくとれる熱電界放射型電子銃等で構成される。偏向素子１２としては、偏向速度の速い静電偏向器等で構成される。電子検出部は、例えば２次電子、反射電子等の電子を検出する電子検出器１４を例えば対物レンズ１３の上方に設置して構成する。電子検出器１４としては高速駆動可能な半導体検出器が用いられる。そして、電子検出器１４の出力信号は、鏡筒２の外に設置されたアンプ２７１で増幅される。また、高さ測定器１９は、レーザビームを試料上に斜め方向から照射するレーザ光照射光学系および試料の表面からの反射光のシフト位置を検出するリニアイメージセンサを有する検出光学系から構成される。
【００２０】
更に、電子線装置１０の鏡筒２には、鏡筒内に紫外光を照射して鏡等内の汚染やチャージアップを防ぐ紫外光照射系３０と、電子線による走査と同時に試料１６に対して紫外光の照射を行って帯電の除去を行う紫外光源３１とを備える。紫外光源３１は、Ａｒガスを励起して１２６ｎｍの紫外光からなる励起光を放出するエキシマランプや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波（例えば１１８ｎｍのＶＵＶ光）や、Ａｒ2のエキシマレーザ光源（１２６ｎｍの紫外光）や、Ｋｒ2のエキシマレーザ光源（１４６ｎｍの紫外光）等で構成され、例えば半導体基板等の試料１６上にあるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜に対して１５０ｎｍ以下の紫外光を照射して絶縁膜において価電子帯（充満体）中の電子を伝導帯まで励起させて導通化して（電子的電気伝導を起こさせて）絶縁膜に帯電した電荷を負電位の試料台２１に逃がすためのものである。紫外光源３１としては、上記光源の他、Ａｒガス等のプラズマ光源から分光器等で１５０ｎｍ以下の紫外光を取り出すように構成することも可能である。紫外光照射系３０における光源も、同様な光源で構成することができる。特に、紫外光源３１、および紫外光照射系３０の光源としてレーザ光源等を用いて絶縁膜等が加工されてしまう場合には、出射される紫外レーザ光について高速で走査してドーズ量を低減したり、ＭｇＦ2、ＬｉＦ等の拡散板を用いて拡散させればよい。
【００２１】
走査制御装置（偏向信号発生装置）１８は、ＣＰＵ等から構成された全体制御装置８からの電子線走査指令に基いて、ブランキング機構（電極）１７を制御することにより電子線照射のＯＮ、ＯＦＦを制御し、偏向素子１２を制御することにより電子線の偏向を制御するものである。即ち、偏向信号発生装置１８は、偏向素子１２に対して偏向信号を発生するが、このとき、試料表面１６の高さ変動にともなう像倍率変動、電磁レンズ１３の制御にともなう像回転を補償するように偏向信号に補正を加えるものでもある。
焦点位置制御装置２０は、全体制御装置８からの電子線走査に先立つ試料上の箇所について高さ検出手段１９で検出された試料１６の表面の高さデータに基いて電子線を試料１６上に焦点を結ぶように電磁レンズ１３を制御するものである。また、焦点位置制御装置２０は、ステージ１５をＸＹＺステージとして、焦点位置を直接制御する代わりに、ステージ１５の高さを制御するようにしてもよい。
線源電位調整装置９は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いて電子線源１１に対する電位を調整するものである。グリッド電位調整手段２５は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いてグリッド電極２４に対するほぼ接地電位である電位を調整するものである。試料台電位調整手段２２は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いて試料台２１に対する負電位を調整するものである。これら線源電位調整装置９、グリッド電位調整手段２５、および試料台電位調整手段２２の各々は、電子線源１１、グリッド電極２４、および試料台２１に対する電位を調整することによって、電子線の検出条件が変化し、得られる画像のコントラスト等の像質が制御されるものである。
【００２２】
ステージ制御装置２３は、全体制御装置８からの指令に基いてＸＹステージ１５の位置を正確にモニタしながらＸＹステージ１５の走行を制御する。
【００２３】
このように電子線源１１から出射された電子ビームは、電子線源１１に設けられたコンデンサレンズ（図示せず）、および電磁レンズ（対物レンズ）１３によって試料面において画素サイズ程度のビーム径に絞られて合焦点状態で照射されることになる。この際、試料台２１によって試料１６に負電位を印加し、グリッド電極２４にほぼ接地電位を印加することによって、対物レンズ１３と試料１６との間で電子ビームを減速することで低加速電圧領域で高分解能化をはかる。
更に、試料１６に電子ビームが照射されると、試料１６から電子が発生することになる。そして偏向素子１２による電子線の例えばＸ方向への繰り返し走査と、ステージ１５による試料１６のＹ方向の連続的な移動に同期して電子検出器１４による試料１６から発生する電子を検出することで、試料の２次元の電子線像が連続的に得られる。
【００２４】
ところで、リターディング方式では、グリッド電極２４、および試料台電極２１により電位分布を作り出して、実効的な加速電圧を低下させている。ところが、ステージ１５を移動させて検査・計測個所が試料１６の周辺部に来たときでも、中央の時と変わらない電位分布であるならば静的な歪みは生じないが、それには電極（グリッド電極２４、および試料台電極２１）を無限に大きくする必要がある。しかしながら、電極を無限に大きくできないことからして、リターディング方式では、試料上の周辺部と中央部の磁界分布を等しくすることが難しく、中央部の静的な歪みがないと定義すれば、周辺部において静的な歪みが生じることになる。このように、試料上において磁界分布が歪むことにより、電子ビームの走査が乱れ、その結果検出画像にも静的な歪みが生じることになる。この対策として、検査・計測に先立ち、予め既知の寸法または形状を有する繰り返しパターンを形成した標準試料を試料台２１に載置してステージ１５に搭載し、該標準試料からの検出画像を画像取り出し部２７で取り出して例えば画像メモリ２７７に記憶させ、例えば全体制御装置８内のＣＰＵによって検出画像の歪みを計測しておく。検査・計測時には、全体制御装置８は、この計測歪みデータを用いて走査制御装置１８に指令を出し、走査制御装置１８により電子ビームの走査速度、走査地点（Ｘ座標およびＹ座標）を制御することにより上記検出画像の静的な歪みが補正される。
【００２５】
画像取り出し部２７は、図２に示すように、電子検出器１４によって検出される電子検出信号を増幅するアンプ２７１と、該アンプ２７１により増幅された電子検出信号をデジタル画像データ（階調画像データ）に変換するＡ／Ｄ変換器２７２と、該Ａ／Ｄ変換器２７２の出力を光信号に変換する光変換手段（発光素子）２７３と、該光変換手段２７３で変換された光信号を伝送する伝送手段（光ファイバケーブル）２７４と、該伝送手段２７４で伝送された光信号をデジタル画像データに戻す電気変換手段（受光素子）２７５と、該電気変換手段２７５から得られるデジタル画像データ（階調画像データ）に対して前処理（画像補正）を行う前処理回路（画像補正回路）２７６と、該前処理回路２７６で補正されたデジタル画像信号を一時記憶する画像メモリ２７７と、該画像メモリ２７７に記憶されたデジタル画像信号を所望の時間だけ遅延させて比較すべき比較画像信号（階調画像信号）ｇ０を作る遅延回路２７８とによって構成される。なお、画像メモリ２７７からは検出画像信号（階調画像信号）ｆ０が出力される。
【００２６】
このように光信号に変換して伝送するのは、反射板２６からの電子を半導体検出器１４に導くために、半導体検出器１４から光変換手段２７３までの構成要素（半導体検出器１４、アンプ２７１、Ａ／Ｄ変換器２７２、および光変換手段２７３）を正の高電位にフローティングする必要があるからである。その結果、伝送手段２７４は、高絶縁材料で形成されているため、光変換手段２７３において正の高電位レベルにあった画像信号が伝送手段２７４を通過後、電気変換手段２７５からはアースレベルの画像信号が得られることになり、画像処理回路２８において画像処理が可能となる。
前処理回路２７６においては、図３に示すように、受光素子２７５から得られるデジタル画像データ（階調画像データ）に対して、暗レベル補正回路２７６１において暗レベル補正が行われ、電子線の揺らぎ補正回路２７６２において電子ビーム電流の揺らぎ補正が行われ、シェーディング補正回路２７６３においてシェーディング補正が行われ、その後補正されたデジタル画像データに対してフィルタリング処理回路２７６４においてガウシアンフィルタ、平均値フィルタ、あるいはエッジ強調フィルタなどのフィルタリング処理を行って、画質を改善する。更に、必要に応じて歪み補正回路２７６５において画像の静的な歪みが補正されて２次元の画像メモリ２７７に格納される。この歪み補正回路２７６５は、一旦検出された画像上で静的な歪みを補正するものである。即ち、補正前の画素の座標を（ｘ，ｙ）、補正後の画素の座標を（Ｘ，Ｙ）としたとき、これらの補正式の関係を予め求めておくことによって静的な歪み（予め予測することができる歪み）を補正することが可能となる。
【００２７】
暗レベル補正回路２７６１における暗レベル補正は、図４に示すように、全体制御部８から得られる走査ライン同期信号４２に基いて、受光素子２７５から抽出されるビーム・ブランキング期間中における検出信号４１を基準に暗レベルを補正する。即ち、暗レベルを補正する基準信号は、ビーム・ブランキング期間中の例えば特定位置における特定数画素の階調値の平均を暗レベルとし、走査ライン毎に更新する。このように暗レベル補正回路２７６１において、ビーム・ブランキング期間中に検出される検出信号が、ライン毎に更新される基準信号に暗レベル補正が行われる。特に、暗レベルを算出する際、紫外光源３１から紫外光を試料１６に対して照射するのを中止するか、遮光手段３８で遮光し、紫外光照射によって生じる光電子によるノイズ成分（暗レベル）の発生をなくする必要がある。この場合は、ブランキング期間または検査・計測不要領域に電子ビームを走査照射する期間において紫外光源３１からの紫外光を試料１６上に照射しない場合である。
次いで、電子線の揺らぎ補正回路２７６２における電子線の揺らぎ補正は、図４に示すように、暗レベル補正がなされた検出信号４３を、補正周期（例えば１００ｋＨｚのライン単位）で上記ビーム電流を検出するファラデーカップ（図示せず）でモニタされたビーム電流４４で正規化して行う。電子線の揺らぎには、急激な変動がないので、１〜数ライン前に検出されたビーム電流を用いてもよい。
【００２８】
次いで、シェーディング補正回路２７６３におけるシェーディング補正は、図４に示すように、電子線の揺らぎ補正された検出信号４５に対して、全体制御装置８から得られるビーム走査位置４６による光量変動を補正するものである。即ち、シェーディング補正は、予め検出した基準明るさデータ４７を基に画素毎に補正（正規化）を行うものである。シェーディング補正用基準データ４７は、予め、シェーディング補正機能をｏｆｆにした上で検出し、この検出された画像データを一旦画像メモリ（例えば２７７）に格納し、この格納された画像データを、全体制御装置８内に設けられた計算機または上位の計算機においてソフトウエアで処理して作成する。
【００２９】
画像メモリ２７７は、紫外光を紫外光照射系３０から照射して鏡等内の汚染やチャージアップを防ぐ状態や、紫外光を紫外光源３１から電子線による走査と同時に試料１６に対して照射して帯電の除去を行った状態から検出される画像信号について全体制御装置８が例えば表示手段３４等に出力して最適であるか否かを評価するために設けた。
更に、シフトレジスタ等で構成される遅延回路２７８は、前処理回路２７６から画質が改善されたデジタル画像信号（階調画像信号）を一定時間だけ遅延させるが、遅延時間を、全体制御装置８から得て、例えばステージ１５がチップピッチ分移動する時間にすれば、図８に示すように、遅延されたチップ（ダイ）ｎ画像（ｇ０）と遅延されていないチップ（ダイ）ｍ画像（ｆ０）とは隣り合うチップ（ダイ）の同じ箇所での画像信号となり、チップ比較検査が可能となる。また、遅延時間を、全体制御装置８から得て、ステージ１５がメモリセルのピッチ分移動する時間にすれば、図９に示すように、遅延された信号（ｇ０）と遅延されていない信号（ｆ０）とは隣り合うメモリセルの同じ箇所での画像信号となり、セル比較検査が可能となる。このように遅延回路２７８は、全体制御装置８から得られる情報に基いて、読み出す画素位置を制御することによって任意の遅延時間を選択できるように構成される。以上のようにして、画像取り出し部２７から、比較すべきデジタル画像信号（階調画像信号）ｆ０、ｇ０が取り出されることになる。なお、比較画像信号ｇ０は、比較する際の基準となる画像であればよく、試料から選びだされたセル画像もしくはチップ（ダイ）画像でもよく、また設計情報に基いて作成された画像でもよい。
【００３０】
画像処理回路２８は、全体制御装置８からの指定されたアドレスに基いて読み出す領域を自由に設定できる機能を有し、連続検出画像信号ｆ０と連続比較画像信号ｇ０との各々を記憶する２次元の画像メモリ６０ａ、６０ｂと、位置ずれ検出部２８１と、検出画像信号ｆ４と比較画像信号ｇ４との各々を記憶して出力する画像メモリ６１ａ、６１ｂと、欠陥判定部２８２と、欠陥編集部２８３とで構成される。
位置ずれ検出部２８１は、画素単位の位置合わせ部２８１１と、階調補正部２８１２と、画素単位以下の位置ずれ検出部２８１３とから構成される。画素単位の位置合わせ部２８１１においては、２次元の画像メモリ６０ａ、６０ｂの各々から、動的な歪み（ステージ１５等の振動や試料上のパターン分布によって生じる磁界の変化などがもたらす歪み）を無視できる領域単位で切り出された各領域毎の検出画像信号ｆ１（ｘ，ｙ）に対する比較画像信号ｇ１（ｘ，ｙ）の位置ずれ量が０〜１画素の間になるように、いいかえれば、ｆ１（ｘ，ｙ）とｇ１（ｘ，ｙ）との「整合度」が最大となる位置が０〜１画素の間（即ち、画素単位）になるように、例えばｇ１（ｘ，ｙ）の位置をずらすことによって、検出画像信号としてはｆ２、比較画像信号としてはｇ２が得られる。
【００３１】
階調補正部２８１２は、画素単位の位置合わせ部２８１１において、動的な歪み各領域毎に画素単位の位置合わせ後、検出画像信号ｆ２と比較画像信号ｇ２との階調値を補正する回路である。従って、階調補正部２８１２に入力された段階では、互いに異なった階調値の平均値と標準偏差を持っていたｆ２とｇ２とは、階調補正部２８１２を経ることによって階調値の平均値と標準偏差とが互いに等しい画像信号ｆ３とｇ３とになる。
画素単位以下の位置ずれ検出部２８１３は、上記領域単位に亘る画素以下の位置ずれ量（位置ずれ量は０〜１の実数となる。）を算出する。領域単位に亘る画素以下の位置ずれとは、図６に示すような状況である。図６において、鎖線で示された四角の升目が画素を示し、電子検出器１４で検出されてＡ／Ｄ変換器２７２でサンプリングされてデジタル値（階調値）に変換される単位である。同図では領域単位毎の（領域単位に亘る）比較画像ｇ３が領域単位毎の（領域単位に亘る）検出画像ｆ３に対して、ｘ方向に２＊δｘ、ｙ方向に２＊δｙだけ位置がずれている。整合度の測度としては、例えば、「差の２乗和」(ΣΣ(ｆ３−ｇ３)2)を採用した例を示す。
【００３２】
領域単位毎の検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)と領域単位毎の比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)との中間位置を位置ずれ量０とする。すなわち、図６に示す状況では、ｆ３はｘ方向に−δｘ、ｙ方向に−δｙ、ｇ３はｘ方向に＋δｘ、ｙ方向に＋δｙだけずれていると仮定する。δｘ、δｙは整数ではないため、δｘ、δｙだけずらすには、画素と画素の間の値を定義する必要がある。領域単位毎の検出画像ｆ３をｘ方向に＋δｘ、ｙ方向に＋δｙだけずらした領域単位毎の検出画像ｆ４、ｇ２をｘ方向に−δｘ、ｙ方向に−δｙだけずらした領域単位毎の比較画像ｇ４を、次に示す(数１)式および(数２)式のように定義する。
ｆ４(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ＋δｘ，ｙ＋δｙ) (数１)
ｇ４(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ−δｘ，ｙ−δｙ) (数２)
(数１)(数２)式はいわゆる線形補間である。ｆ４とｇ４との整合度ｅ３(δｘ，δｙ)は「差の２乗和」を採用すると次に示す(数３)式のようになる。
ｅ３(δｘ，δｙ)＝ΣΣ(ｆ４(ｘ，ｙ)−ｇ４(ｘ，ｙ))2 (数３)
ΣΣは領域単位内の合計である。画素以下の位置ずれ検出部２８１３の目的は、領域単位においてｅ３(δｘ，δｙ)が最小値をとるδｘの値δｘ０、δｙの値δｙ０を求めることである。それには、上記(数３)式をδｘ，δｙで偏微分した式を０とおいて、それをδｘ，δｙについて解けばよい。このようにして画素以下の位置ずれ検出部２８１３は、領域単位毎に画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０が求まることになる。
シフトレジスタ等で構成された遅延回路６１ａ、６１ｂは、領域単位毎の画素以下の位置ずれ検出部２８１３でδｘ０、δｙ０を求めるのに要する時間分だけ画素信号ｆ３、ｇ３を遅延させるためのものである。
【００３３】
次に、欠陥判定部２８２について説明する。欠陥判定部２８２では、差分抽出回路２８２１において領域単位毎の検出画像ｆ３と領域単位毎の比較画像ｇ３との差画像を作成する一方、閾値演算回路２８２２において各画素に対する閾値を算出し、閾値処理部２８２３において差画像の階調値と閾値を比較して欠陥か否かを判定する。
差分抽出回路２８２１は、計算上２＊δｘ０、２＊δｙ０の位置ずれを有する領域単位の検出画像ｆ３と領域単位の比較画像ｇ３との領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)を求める。この領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)は、(数４)式のように表わされる。
ｓｕｂ(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数４)
閾値演算回路２８２２は、遅延回路６１を経た領域単位毎の画像ｆ３、ｇ３および、画素以下の位置ずれ検出部２８１３から得られる領域単位毎の画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を用いて、欠陥候補か否かを判定する、領域単位毎の二つの閾値thＨ(ｘ，ｙ)、thＬ(ｘ，ｙ)を算出する。thＨ(ｘ，ｙ)は、領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の上限を規定する閾値であり、thＬ(ｘ，ｙ)は、領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の下限を規定する閾値である。閾値演算回路２８２２の構成を図７に示す。閾値演算回路２８２２における演算の内容を(数５)式および(数６)式で表すと次のようになる。
【００３４】
thＨ(ｘ，ｙ)＝Ａ(ｘ，ｙ)＋Ｂ(ｘ，ｙ)＋Ｃ(ｘ，ｙ) (数５)
thＬ(ｘ，ｙ)＝Ａ(ｘ，ｙ)−Ｂ(ｘ，ｙ)−Ｃ(ｘ，ｙ) (数６)
ただし、Ａ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数７)式の関係で示され、領域単位毎に得られる画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を用いて、実質的に領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の値に応じて閾値を補正するための項である。
【００３５】
またＢ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数８)式の関係で示され、分割単位毎に得られる検出画像ｆ３と分割単位毎に得られる比較画像ｇ３との間において、パターンエッジの微小な位置ずれ(パターン形状の微小な差異、パターン歪みも局所的に見ればパターンエッジの微小な位置ずれに帰着する)を許容するための項である。またＣ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数９)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３と領域単位毎に得られる比較画像ｇ３との間において、階調値の微小な差異を許容するための項である。
【００３６】
Ａ(ｘ，ｙ)＝｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＊δｘ０−ｄｘ２(ｘ，ｙ)＊(−δｘ０)｝＋｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＊δｙ０−ｄｙ２(ｘ，ｙ)＊(−δｙ０)｝＝｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＋ｄｘ２(ｘ，ｙ)｝＊δｘ０＋｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＋ｄｙ２(ｘ，ｙ)｝＊δｙ０ (数７)
Ｂ(ｘ，ｙ)＝｜｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＊α−ｄｘ２(ｘ，ｙ)＊(−α)｝｜＋｜｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＊β−ｄｙ２(ｘ，ｙ)＊(−β)｝｜＝｜｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＋ｄｘ２(ｘ，ｙ)｝＊α｜＋｜｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＋ｄｙ２(ｘ，ｙ)｝＊β｜ (数８)
Ｃ(ｘ，ｙ)＝((ｍａｘ１＋ｍａｘ２)／２)＊γ＋ε (数９)
ここで、α、βは０〜０．５の実数、γは０以上の実数、εは０以上の整数である。
ｄｘ１(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１０)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)におけるｘ方向＋１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｘ１(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ＋１，ｙ)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数１０)
また、ｄｘ２(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１１)式の関係で示され、領域単位毎に得られる比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)におけるｘ方向−１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｘ２(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｇ３(ｘ−１，ｙ) (数１１)
また、ｄｙ１(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１２)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)におけるｙ方向＋１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
【００３７】
ｄｙ１(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ，ｙ＋１)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数１２)
また、ｄｙ２(ｘ，ｙ)は、次に示す(数２４)式の関係で示され、領域単位毎に得られる比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)におけるｙ方向−１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｙ２(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｇ３(ｘ，ｙ−１) (数１３)
ｍａｘ１は、次に示す(数１４)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)における自身も含め、ｘ方向＋１隣りの画像、ｙ方向＋１隣りの画像の最大階調値を示す。また、ｍａｘ２は、次に示す(数１５)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｇ３(ｘ，ｙ)における自身も含め、ｘ方向−１隣りの画像、ｙ方向−１隣りの画像の最大階調値を示す。
ｍａｘ１＝ｍａｘ｛ｆ３(ｘ，ｙ)，ｆ３(ｘ＋１，ｙ)，ｆ３(ｘ，ｙ＋１)，ｆ３(ｘ＋１，ｙ＋１)｝ (数１４)
ｍａｘ２＝ｍａｘ｛ｇ３(ｘ，ｙ)，ｇ３(ｘ−１，ｙ)，ｇ３(ｘ，ｙ−１)，ｇ３(ｘ−１，ｙ−１)｝ (数１５)
なお、閾値演算回路２８２２に入力されるパラメータα，β，γ，εは、試料１６である検査対象の種類（ウエハの品種、工程など）ごとにパラメータα，β，γ，εの適切な値を記述した検査パラメータファイルを例えば全体制御装置８に接続した記憶装置３６に準備しておき、検査開始時に、検査対象の品種を入力すると、そのファイルが自動的に全体制御装置８にロードされて閾値演算回路２８２２に提供できるようにしておくと好都合である。
閾値処理部２８２３は、差画像抽出回路２８２１から得られる領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)、並びに閾値演算回路２８２２から得られる領域単位毎の下限の閾値thＬ(ｘ，ｙ)、および上限の閾値thＨ(ｘ，ｙ)を用いて、次に示す(数１６)式の関係を満たせば、ある領域単位における位置(ｘ，ｙ)の画素は非欠陥候補、満たさなければ位置(ｘ，ｙ)の画素は欠陥候補と判定する。閾値処理部２８２３は、ある領域単位において非欠陥候補画素は０、欠陥候補画素は１の値を持つ２値画像ｄｅｆ(ｘ，ｙ)を出力する。
【００３８】
thＬ(ｘ，ｙ)≦ｓｕｂ(ｘ，ｙ)≦thＨ(ｘ，ｙ) (数１６)
欠陥編集部２８３では、ノイズ除去処理（例えば、２値画像ｄｅｆ(ｘ，ｙ)に対して縮小・膨張の処理を行う。例えば３×３画素の全てに亘って同時に欠陥候補画素ではないときには、その中心の画素として例えば０（非欠陥候補画素）にして縮小処理を行って消去し、それを膨張処理して元に戻すことを行う）によってノイズ的（例えば３×３画素の全てに亘って同時に欠陥候補画素ではない。）な出力を削除したあと、近隣の欠陥候補部を一つにまとめる欠陥候補部のマージ処理を行う。その後、各領域単位毎において、一まとまりごとに、重心座標、ＸＹ投影長（ｘ方向およびｙ方向における最大長さを示す。なお、（Ｘ投影長の２乗＋Ｙ投影長の２乗）の平方根は最大長さとなる。）、面積などの特徴量６２を算出して全体制御装置８に対して出力する。
【００３９】
以上説明したように、全体制御装置８によって制御される画像処理回路２８からは、電子ビームが照射されて電子検出器１４で検出させる被検査対象物（試料）１６上における所望の領域から被検査対象物１６上の座標に応じて欠陥候補部の特徴量（例えば、重心座標、ＸＹ投影長、面積など）６２が得られることになる。
【００４０】
全体制御装置８では、検出画像上での欠陥候補部の位置座標を被検査対象物（試料）１６上の座標系に変換し、疑似欠陥の削除を行い、最終的に、被検査対象物（試料）１６上での位置と画像処理回路２８における領域単位毎の欠陥編集部２８３から算出された特徴量とからなる欠陥データをまとめる。
なお、各画像メモリ６１ａ、６１ｂと閾値演算回路２８２２との間に、画素以下の位置ずれ検出部２８１３から得られる領域単位毎に画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を基に検出画像ｆ３と比較画像ｇ３との間で画素単位以下の位置ずれを補正する画素単位以下の位置ずれ補正回路を設けてもよい。この場合、閾値演算回路２８２２からの出力は、上記(数５)式および(数６)式におけるＡ(ｘ，ｙ)項を削除することができる。
【００４１】
以上説明したように、ステージ１５を連続移動しながら、偏向素子１２を駆動して電子ビームをステージの移動方向に交差する方向（例えば直交する方向）に走査する。このとき試料１６から発生する例えば２次電子を電子検出器１４で検出して画像切り出し部２７に入力してＳＥＭ画像を連続的に得る。画像処理回路２８は、遅延回路２７８で遅延された電子線比較画像と遅延されていない電子線検出画像とを比較することによって比較検査を実現することができる。この場合、画像の遅延量は繰り返しパターンピッチと一致させればよい。即ち、画像の遅延量は、図８に示すチップ（ダイ）比較においては、チップ（ダイ）の繰り返し間隔であり、図９に示すセル比較においては、セルの繰り返し間隔となる。なお、比較画像は、設計情報から生成された基準画像であってもよいことは言うまでもない。即ち、半導体ウエハなどに形成された微細回路パターンから検出される電子顕微鏡画像に基づく比較により欠陥検査を行うことができる。
【００４２】
また、以上の説明では、欠陥検査を行う場合について説明したが、画像処理回路２８において、比較画像信号ｇとして基準パターンを用いれば、検出画像信号ｆと基準パターンとの間の位置ずれ量が求まり、この求まった位置ずれ量に応じてステージ１５等を移動させることによって検出画像信号を基準パターンに合わせるアライメントを実現することもできる。また、画像処理回路２８において、検出画像信号ｆに対してパターンの線幅等について画素以下の精度で測定することも可能となる。即ち、半導体装置の製造プロセス条件の設定やモニタなどに使用される微細回路パターンの線幅や穴径などを測定する走査型電子顕微鏡による測長装置においても、同様に画像処理回路２８における画像処理により測長を行うことができる。
【００４３】
次に、励起光（紫外光）の照射によるノイズ成分が含まれず、しかも帯電する電荷による位置ずれのない正確で、かつ高コントラストな電子線画像を画像切り出し回路２７から得られるようにして、画像処理回路２８において試料１６上の微細なパターンや微細な異物等の検査や試料１６上の微細なパターン幅などの測長などを行う実施例について説明する。
まず、電子線エネルギーと２次電子放出効率との関係について図１０を用いて説明する。即ち、電子線のエネルギーが低い領域では２次電子放出効率が１以上で正に帯電しやすく、電子線のエネルギーが高い領域では２次電子放出効率が１以下で負に帯電しやすい。ところで、試料１６の電気的特性（導電性パターンと絶縁性パターンとが混在する被検査対象）を画像として検出する電位コントラストモードでは、電子線のエネルギーを低くして正に帯電しやすい領域を使い、荷電粒子線のビーム径を絞って微細欠陥を検出するためには、電子線のエネルギーを高くして負に帯電しやすい領域を使うことが望ましい。即ち、電子線のエネルギーを低くして２次電子放出効率を１以上にすることによって、電位コントラストを高め、絶縁物上の配線パターンなどを観察しやすくすることができ、また最表面のみを観察することができる。また、電子線のエネルギーを高くして２次電子放出効率を１以下にすることによって、解像度を向上させて微細欠陥を検出しやすくすることができる。何れにしても、絶縁物を有する半導体基板等の試料１６の表面には電子ビームを照射することによって正または負に帯電することになる。
【００４４】
ところが、この絶縁物を有する半導体基板等の試料１６へ電荷が蓄積される（チャージアップが生じる）と、電子検出器１４で検出される電子線画像の像質が変化することになり、その結果例えば比較検査においては虚報が生じ、測長においては誤差が生じることになる。例えば、図１１（ａ）に示すチャージアップが生じていない電子線画像１１０に対して、チャージアップが局所的に生じると、図１１（ｂ）に示すようなコントラストが局所的に変化した電子線画像１１１が電子検出器１４で検出され、チャージアップが全体に及んだ場合には図１１（ｃ）に示すような電子線画像１１２が電子検出器１４で検出されることになる。その結果、セル比較検査の場合において、チャージアップによって電子線画像のコントラストが局所的に変化すると、正常部でも隣接セル間で明るさ（階調値）が異なってきて虚報が生じることになる。また、チップ（ダイ）比較検査の場合において、チャージアップによってチップ（ダイ）ｎのコントラストがチップ（ダイ）ｍのコントラストと異なる場合にはいたるところで虚報が生じることになる。
【００４５】
また、電子線画像に基づく測長の場合、例えば、図１２に示すチャージアップが生じていない電子線画像（線幅がＷ１）１２０に対して、チャージアップが生じると図１３に示すような線幅Ｗ２が膨張した電子線画像１２１が電子検出器１４で検出されることになり、その結果線幅Ｗ２が大きめに測長されることになる。図１２（ａ）はチャージアップが生じていない電子線画像１２０を示し、図１２（ｂ）は走査線ａにおいて測長される線幅Ｗ１を示す。図１３（ａ）はチャージアップが生じた場合の電子線画像１２１を示し、図１３（ｂ）は走査線ａにおいて大きめに測長される線幅Ｗ２を示す。また、チャージアップによって見かけ上の倍率が異なり、図１４に示すように本来同じであるべき線幅Ｗ３、Ｗ４が測定個所によって異なってくることになる。
【００４６】
そこで、紫外光源３１から励起光である１５０ｎｍ以下の紫外光を、半導体基板等の試料１６上の電子線による観察視野とほぼ同じ個所に照射し、試料１６上に存在するＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜において、価電子帯（充満体）中の電子を伝導帯まで励起させて導電化して（電子的電気伝導を起こさせて）、絶縁膜に帯電した電荷を負の電位が印加された試料台２１に逃がすことによって帯電の除去が行われる。なお、絶縁膜上に導電配線パターンが存在した場合には、１５０ｎｍ以下の紫外光を照射することによって導電化して絶縁膜に帯電した電荷を導電配線パターンを介して負の電位が印加された試料台２１に逃がすことも可能である。また、１５０ｎｍ以下の紫外光を照射するので、半導体基板等において上記絶縁膜の下層に存在する能動素子等にダメージを及ぼすこともない。
即ち、紫外光の波長としては、光伝導効果を生じさせる波長であり、且つデバイスに損傷を与えないものであることが望ましい。よって、チャージアップを生じさせる絶縁膜表面で吸収される波長が良い。例えば、チャージアップを生じさせる絶縁膜の材質がＳｉＯ2の場合、およそ１５５ｎｍ以下の波長で吸収が始まり、光伝導効果を生じさせるためには、およそ１３０ｎｍ以下の波長が必要である。但し、光伝導効果を生じさせる波長は、ＳｉＯ2の組成や光の照射領域の状態により変化するため、ＳｉＯ2の場合は、１５０ｎｍ以下の光伝導効果を生じさせる波長の光を照射する。Ｓｉ3Ｎ4の場合は、およそ２０５ｎｍの波長から吸収が始まり、２３０ｎｍの波長より光伝導効果が生じる。よって、Ｓｉ3Ｎ4の場合は２００ｎｍ以下の波長を用いると良い。
【００４７】
しかし、１５０ｎｍ以下の紫外光３９を上記絶縁膜に照射した際、光電子が生起されて電子検出器１４によりノイズ成分として検出されることになる。
【００４８】
そこで、照射制御装置３２は、紫外光３９、３９’が、電子線の視野と同じ箇所を照射するため、これと干渉しないように制御するためのものである。即ち、照射制御装置３２は、図１５に示すように走査制御装置１８からの水平走査信号１５１（特にこの信号に含まれるブランキング信号）を受けてこれと同期した紫外光照射信号１５２を作成し、この作成され紫外光照射信号１５２を基に例えばブランキングする期間において紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラーも含む）３８を開放することによって紫外光３９を照射するように制御する。
また、照射制御装置３２は、図１６に示すように全体制御装置８から得られる検査領域信号１６１を基に、電子ビームが検査領域外を走査している間にＯＮとなる紫外線照射信号１６２を作成し、この作成され紫外光照射信号１６２を基に例えば電子ビームが検査領域外を走査している期間において紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラー３８ｂも含む）３８を開放して紫外光３９を照射するように制御する。
【００４９】
なお、試料台２１に投入されて搭載される半導体基板等の試料１６の表面には、投入する前の搬送等によって帯電してしまう可能性があるので、電子線画像検出する前に、全体制御装置８からの指令で、照射制御装置３２は、紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラーも含む）３８を開放することによって紫外光３９、３９’を照射して半導体基板等の試料１６の絶縁膜を導電化し、蓄積電荷を試料台２１へと逃がす必要がある。
【００５０】
図１７（ａ）は、紫外光３９を照射するためのシャッタ手段３８の第１の実施例３８ａを示すものである。即ち、シャッタ手段３８の第１の実施例３８ａは、紫外光３９を通過する窓を穿設した回転部材で構成する。そして、この回転部材を、例えばブランキング信号に同期するように回動させることによって、ブランキング期間において紫外光３９を試料１６上に照射することが可能となる。
図１７（ｂ）は、紫外光３９を照射するためのシャッタ手段３８の第２の実施例３８ｂを示すものである。即ち、シャッタ手段３８の第１の実施例３８ｂは、紫外光３９を反射するミラーを回動等の運動するように構成する。そして、この回動ミラーを、例えば電子ビームが検査領域を走査している期間において回動させて紫外光３９を検査領域から外し、電子ビームが検査領域外を走査している期間においては回動させて戻すことにより紫外光３９を試料１６上に照射することが可能となる。
【００５１】
また、上記回動ミラーを用いることによって紫外光３９を試料１６上において直線状に走査することが可能となり、絶縁膜上において直線状に沿って順順に導通化が行われことになり、スリット状（細帯状）の紫外光３９’を照射する場合とほぼ同様になる。
図１８は、試料台２１まで亘るようにスリット状（細帯状）の紫外光３９’を照射する光学系と半導体基板１６上にスリット状（細帯状）の紫外光３９’が照射された状態とを示したものである。即ち、この光学系は、図１８（ｂ）に示すように、紫外光源３１から出射した紫外光をＭｇＦ2、ＬｉＦ等の材料で形成されたレンズで構成されたエキスパンダ５５によってビーム径を拡げ、ＭｇＦ2、ＬｉＦ等の材料で形成されたシリンドリカルレンズ５６で一軸方向に集束させることによってスリット状（細帯状）の紫外光３９’を、負の電位が印加された試料台２１まで亘るように半導体基板１６上に照射するものである。そして、この光学系を用いることによって、紫外光３９’をスリット状（細帯状）にして負の電位が印加された試料台２１まで亘るように照射することができ、半導体基板１６の中央部における絶縁膜上に帯電した電荷を試料台２１にすばやく逃がすことが可能となる。当然、絶縁膜上に配線パターンが形成されている場合でも、該配線パターンを介して絶縁膜上に帯電した電荷を逃がす必要も低減することができ、下層に位置する能動素子に対してダメージを及ぼすことも低減することができる。
【００５２】
また、図１７に示す紫外光の照射をＯＮ、ＯＦＦさせる光学系と図１８に示す光学系とを組み合わせることも可能である。
以上説明したように、図１５に示すように、電子ビームの水平走査の合間（ブランキング期間）に同期して紫外光３９、３９’を照射するか、あるいは図１６に示すように、試料１６上の検査不要領域を電子ビームがスキャンしている間だけ紫外光３９、３９’を照射することにより、光電子による影響を受けず、しかもチャージアップを低減した電子線画像を電子検出器１４によって検出することが可能となる。即ち、チャージアップによって電子線画像の像質に変化が生じる試料に対しても、電子線画像を検出または解析しない期間に紫外光を照射することによって電子線画像に基づく安定した検査・測定を行うことができる。
【００５３】
なお、検査不要領域を電子ビームがスキャンしている間だけ紫外光３９、３９’を照射する場合、図１９（ｂ）に示す如く検査不要領域であっても検査必要領域に近い領域について電子ビームを走査している期間においては紫外光３９、３９’を照射しなくても良い。図１９（ａ）は、試料１６上において電子ビームを走査する領域に対する検査必要領域と検査不要領域とを示したものである。図１９（ｂ）は、電子ビームを走査している期間において紫外光３９、３９’を照射する期間を示したものである。この検査必要領域と検査不要領域については、ＣＡＤシステムに接続されたネットワークや記録媒体等で構成される入力手段３５を用いて入力される半導体基板等の試料１６の設計情報を基に全体制御装置８において設定されて記憶装置３６に格納される。また、電子線装置を用いて詳細解析をしたい場合には、予め光学顕微鏡等を用いて半導体基板等の試料上の欠陥の検査が行われるので、光学顕微鏡等から検出される欠陥検査の座標データをネットワークや記録媒体等で構成される入力手段３５を用いて入力し、この入力される欠陥検査の座標データを基に詳細解析をしたい検査必要領域が全体制御装置８において設定されて記憶装置３６に格納されることになる。そこで、全体制御装置８は、この記憶装置３６に設定された検査必要領域について画像処理回路２８から編集された欠陥情報について解析すればよい。また、全体制御装置８は、記憶装置３６に設定された検査必要領域のデータを画像処理回路２８に提供することによって、画像処理回路２８において欠陥情報について編集もしくは解析すればよい。
【００５４】
また、紫外光源３１として、例えばＡＣエキシマランプのように、例えば１０μｓ〜５０μｓ程度の周期でポンピングが必要で、出射される紫外光の強度が周期的に変動する場合には、走査制御装置１８は、全体制御装置８または照射制御装置３２から得られる図２０に示すように紫外光源３１の発光周期に同期して紫外光の発光強度が弱まった期間Ｔｅにおいて、ブランキングをＯＦＦして電子ビームを試料１６上の検査・測定領域に走査照射して電子検出器１４で電子線画像を検出するようにすれば、紫外光照射による光電子の影響を受けずに、チャージアップを低減した電子線画像を検出することが可能となる。
以上説明した実施例によれば、電子ビームを検査必要領域に走査照射していない期間に紫外光を照射することによって、帯電する電荷による位置ずれのない正確で、かつ高コントラストな電子線画像を画像切り出し回路２７から得ることができ、その結果、画像処理回路２８において安定し、かつ高精度の検査・測定を行うことができる。
【００５５】
また、図１８に示すようなスリット状の紫外光（紫外光ビームを図１７（ｂ）に示す回動されるミラー３８ｂを用いて直線状に走査する場合も含む。）３９’を、ステージ１５で走行する試料１６上において電子ビームを走査照射する走査線（該走査線の方向は、ステージ１５の走行方向にほぼ直交する方向を向いている。）の箇所に後追いさせて近接させ、しかも電子検出器１４の視野外（試料１６上において偏向素子１２によって電子ビームが走査される領域外）に照射することによって、絶縁膜を導通化して帯電した電荷を逃がすことを可能にし、しかも紫外光照射によって発生する光電子を電子検出器１４で検出するのを防止することができる。即ち、紫外光照射光学系（３１、５５、５６；３８ｂ）による紫外光の照射位置を、電子検出器１４の視野外（試料１６上において偏向素子１２によって電子ビームが走査される領域外）で、できるだけ電子ビームの光軸（電子ビームを走査照射する走査線）に近づけるように構成する。この構成により、ステージ１５の走行によって、電子ビームが走査照射されて帯電された絶縁膜上の箇所が後追いする状態で紫外光が照射されて導通化され、電荷を逃がすことが可能となる。従って、電子ビームの走査照射によって絶縁膜上に電荷が蓄積されていくことを防止でき、しかも紫外光照射によって発生する光電子を電子検出器１４で検出するのを防止することができ、その結果歪みのない、高コントラストの電子線画像を検出することが可能となり、高感度で、かつ信頼性の高い微細パターンに対する欠陥検査および寸法計測を実現することができる。
【００５６】
次に、画像切り出し回路２７内の前処理回路２７６によって、紫外光照射による光電子の影響を除去し、しかも紫外光照射によるチャージアップのない電子検出画像を得る実施例について説明する。即ち、紫外光源３１が例えばＤＣエキシマランプのように、励起光である１５０ｎｍ以下の紫外光を時間的に変動せずに安定して発光可能なものである場合には、これによる光電子は電子検出器１４で検出される電子検出画像に小さなオフセットとして乗ってくるだけなので、図３に示す暗レベル補正回路２７６１で暗レベルとして補正除去すれば、紫外光源３１から紫外光を照射したままで、チャージアップのない電子検出画像を前処理回路２７６から得ることができる。その結果、前処理回路２７６から得られる電子線画像に基いて安定し、かつ高精度の検査・測定を行うことができる。
また、紫外光源３１として、例えばＡＣエキシマランプやエキシマレーザ光源を用いて、発光周期が一定（ｆｕ）の場合には、図２１に示すように、前処理回路２７６のフィルタリング処理回路２７６４にノッチフィルタ２７６４ａを設けることにより、発光周波数（ｆｕ）をカットするようにすれば、また、図２２に示すように、前処理回路２７６のフィルタリング処理回路２７６４にフーリエ変換回路２７６４ｂａとフィルタリング回路２７６４ｂｂと逆フーリエ変換回路２７６４ｂｃとからフィルタ回路２７６４ｂを設けることにより、発光周波数（ｆｕ）をカットするようにすれば、紫外光源３１から紫外光を一定の周期で発光したままで、紫外光照射による光電子の影響を除去し、しかもチャージアップのない電子検出画像を前処理回路２７６から得ることができる。
【００５７】
次に、鏡筒内の汚染やチャージアップを防止することにより、電子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止して電子線画像に基づく検査・測長の精度を向上させる実施例について説明する。即ち、鏡筒内の汚染やチャージアップを防ぐために、図１に示すように、紫外光を鏡筒内に照射する紫外光照射系３０を設けたことにある。この紫外光照射系３０も、全体制御装置８からの指令に基いて照射制御装置３２によって制御される。紫外光照射系３０の具体的構成を図２３に示す。図１では、紫外光照射系３０により鏡筒２の横方向から紫外光を直接照射したが、図２３では、紫外光源３０１からの紫外光を光ファイバ或いは光を透過するガラスロッド３０２により、電子銃１１１やアパーチャ部（引き出し電極におけるものとブランキング電極におけるものとを含む）１１２などの必要な箇所に照射するよう構成した。なお、１１３は、電子銃１１１から引き出される電子線を集束させるコンデンサレンズである。また、１１４は、電子銃取付部である。そして、電子銃１１１は、電源に接続される。
【００５８】
このように電子銃１１１に紫外光を照射することによって、電子線の放出効率を高め、輝度の向上を期待することができる。また、アパーチャ部１１２に紫外光を照射することによって、電子線によるアパーチャの焦げつき（絶縁物質化）で発生するチャージアップを防止することができる。なお、光ファイバやガラスロッド３０２を用いず、ミラーなどで反射し、所望の領域に紫外光を照射しても良い。
以上説明したように、紫外光照射系３０で紫外光を鏡筒内に照射するように構成したことにより、鏡筒内の汚染やチャージアップを防止することが可能となり、電子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止して電子線画像に基づく検査・測長の精度を向上させることが可能となる。
なお、以上電子線装置の実施の形態について説明したが、集束イオンビーム装置等ほかの集束荷電ビーム装置でも同様に構成できる。その場合、１１をイオン源に代えればよい。この場合、電子検出器１４は荷電粒子検出器で構成すればよい。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる効果を奏する。
また、本発明によれば、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる効果を奏する。
【００６０】
また、本発明によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止することができ、安定した荷電粒子線装置を実現することができ、その結果、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測などを実現することができる。
また、本発明によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めることができ、高効率の荷電粒子線装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る荷電粒子線装置の一実施例である電子線装置（電子線画像に基づく検査・計測装置）の構成を示す図である。
【図２】図１に示す画像切り出し回路の一実施例を示す構成図である。
【図３】図２に示す前処理回路の一実施例を示す構成図である。
【図４】図３に示す前処理回路で行う各種補正について説明するための図である。
【図５】図１に示す画像処理回路の一実施例を示す構成図である。
【図６】図５に示す画像処理回路において検出画像ｆ３と比較画像ｇ３との間において画素単位以下の位置ずれが生じた場合を説明するための図である。
【図７】図５に示す閾値演算回路の具体的構成を示す図である。
【図８】ダイ（チップ）比較検査について説明するための図である。
【図９】セル比較検査について説明するための図である。
【図１０】電子線エネルギーと２次電子放出効率との関係を示す図である。
【図１１】チャージアップによって像質の変化を説明するための図で、チャージアップがない場合の電子線画像と、チャージアップが局所的に変化する場合の電子線画像と、全体がチャージアップした場合の電子線画像とを示す図である。
【図１２】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、チャージアップがない場合の線幅計測（測長）画像を示す図である。
【図１３】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、チャージアップによって線幅が膨張した場合の線幅計測（測長）画像を示す図である。
【図１４】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、中央部と周辺部とで画像が歪んで測定箇所において異なった線幅計測結果が得られることを示す図である。
【図１５】照射制御装置によって制御される紫外光の照射タイミングの第１の実施例を説明するための図である。
【図１６】照射制御装置によって制御される紫外光の照射タイミングの第２の実施例を説明するための図である。
【図１７】図１に示す紫外光源に備えられたシャッタ手段の実施例を示す図である。
【図１８】試料上にスリット状の紫外光を照射する紫外光照射光学系の一実施例を説明するための図である。
【図１９】試料上において電子ビーム走査領域に対する紫外光照射期間領域を示す図である。
【図２０】紫外光の強度を変化させる場合の走査制御装置によって制御される電子検出時間を説明するための図である。
【図２１】検出される電子線画像信号から所定の周波数ｆｕの紫外光の照射によるノイズ成分をノッチフィルタで除去する実施例を説明するための図である。
【図２２】検出される電子線画像信号から所定の周波数ｆｕの紫外光の照射によるノイズ成分をフーリエ変換、フィルタリング、逆フーリエ変換によって除去する実施例を説明するための図である。
【図２３】電子線装置の鏡筒内に紫外光を照射した場合の図１に示す構成と異なる実施例を示した図である。
【符号の説明】
２…鏡筒、３…試料室、８…全体制御装置、９…線源電位調整装置、１０…電子線装置、１１…電子線源（イオン源）、１２…偏向素子（走査手段）、１３…電磁レンズ（対物レンズ）、１４…電子検出器、１５…ステージ、１６…試料、１７…ブランキング機構、１８…走査制御装置、１９…高さ測定器、２０…焦点位置制御装置、２１…試料台、２２…試料台電位調整装置、２３…ステージ制御装置、２４…グリッド電極、２５…グリッド電位調整装置、２６…反射板、２７…画像取り出し部、２８…画像処理回路、３０…紫外光照射系、３１…紫外光源、３２…照射制御装置、３４…表示手段、３５…入力手段、３６…記憶装置、３８…シャッタ手段（紫外光走査手段）、６０ａ、６０ｂ…画像メモリ、６１ａ、６１ｂ…遅延回路、２７２…Ａ／Ｄ変換器、２７３…発光素子、２７４…伝送手段、２７５…受光素子、２７６…前処理回路、２７７…画像メモリ、２７８…遅延回路、２７６１…暗レベル補正回路、２７６２…電子線の揺らぎ補正回路、２７６４…フィルタリング処理回路、２７６５…歪み補正回路、２８１…位置ずれ検出部、２８１１…画素単位の位置合わせ部、２８１２…階調補正部、２８１３…画素単位以下の位置ずれ検出部、２８２…欠陥判定部、２８２１…差分抽出回路、２８２２…閾値演算回路、２８２３…閾値処理部、２８３…欠陥編集部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に電子走査顕微鏡等の荷電粒子線装置、並びに荷電粒子線装置を用いた荷電粒子線画像に基づく半導体基板等のパターンの検査または計測方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術としては、特開昭６３−１３３６４０号公報（従来技術１）、特開平１−１１９６６８号公報（従来技術２）、特開平１−２４３４４９号公報（従来技術３）、および特開平４−１５２５１９号公報（従来技術４）が知られている。
【０００３】
従来技術１には、半導体試料に電子ビームを照射し、試料より放出される２次電子を検出して試料の各部位における電位を評価する電子ビームテスティングにおいて、半導体試料にレーザ光源やタングステンランプ等の光源からの光を照射することによる光導電効果によって電子ビームの照射により試料表面に蓄積された電荷を放散して帯電を防止することが記載されている。
また、従来技術２には、イオン源、イオン分析部及び加速部を有するイオン注入装置において、セットされた表面をＳｉＯ2の絶縁膜で被覆されたＳｉウエハ全面に低圧水銀灯またはＡｒＦレーザ（λ＝１９３ｎｍ）光源からの紫外線光を照射してＳｉＯ2中にキャリアを励起させ、イオン注入による＋電荷をディスクあるいはクランプを通じて直ちに放電させ、イオン注入によるチャージアップ起因する不具合（薄いＳｉＯ2の絶縁膜破壊）をなくすことが記載されている。即ち、従来技術２においては、ＳｉとＳｉＯ2の界面にエネルギを入射する必要があるためＳｉＯ2を透過する紫外線を用いることが記載されている。
【０００４】
また、従来技術３には、処理室内の半導体装置のＳｉ基板の表面に絶縁膜が形成された配線修正箇所にイオンビームを照射してスパッタ加工する際、並びにスパッタ処理によって開けられた穴および新たな配線を形成する位置にＷ（ＣＯ）6等のガス雰囲気においてイオンビームを照射してＷ配線を形成する際、紫外線を照射することによって絶縁膜の表面を励起する電子により中和することが記載されている。
また、従来技術４には、半導体装置の製造に際し、ドライエッチング、アッシング、プラズマＣＶＤ、電子ビーム露光、インプラ、純水洗浄、ウエハＳＥＭのいずれかの半導体基板内に電荷が蓄積される処理を行った後、該半導体基板表面に、絶縁膜がＳｉＯ2の場合３９８〜１４１ｎｍの波長、絶縁膜がＳｉ3Ｎ4の場合６１７．３〜２４６．９ｎｍの波長の紫外線を照射して荷電粒子のチャージアップの処理を行うことが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体基板等に形成されている配線パターンが益々微細化されてきている。そのため、半導体基板等の試料に対して電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射し、試料から得られる２次電子、反射電子等の荷電粒子を検出し、この検出される荷電粒子の信号に基いて試料に形成された微細なパターンの異物等を含む欠陥の検査や微細パターンの寸法を計測する必要が生じてきている。
また、半導体基板等の試料においては、ＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜が少なくとも一部分に形成されていて、この試料の表面に電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射すると帯電してしまうことになる。
【０００６】
しかしながら、上記従来技術１〜４の何れにも、半導体基板等の試料の表面に対して電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射し、試料から得られる２次電子、反射電子等の荷電粒子の信号を検出する際、上記荷電粒子ビームの照射によって絶縁物上に帯電する電荷によって生じる荷電粒子信号のずれやコントラストの低下などを防止すると共に絶縁物上に紫外線を照射したとき発生する光電子の影響を受けないようにする点について考慮されていなかった。
また、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内にある例えばアパーチヤなどに電子線などの荷電粒子線が照射されることによって焦げつきが生じて絶縁物が生成され、この絶縁物に荷電粒子線が照射されることによってチャージアップが生じて鏡筒から照射される電子ビーム等の荷電粒子ビームの位置およびスポット径などに変化が生じてしまうことになる。しかしながら、上記従来技術１〜４の何れにおいても、この点について考慮されていなかった。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測を実現できるようにした荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測を実現できるようにした荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の更に他の目的は、鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止した荷電粒子線装置を提供することにある。
また、本発明の更に他の目的は、鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めた荷電粒子線装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、荷電粒子源から発せられた荷電粒子を荷電粒子光学系で集束し、この集束された荷電粒子ビームを偏向手段によって偏向させて絶縁膜を有する試料上に対して走査照射し、この走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を荷電粒子検出器で検出して荷電粒子画像を得、この得られた荷電粒子画像を画像処理手段で画像処理して前記試料の検査または計測を行う検査または計測過程と、前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有することを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法である。
また、本発明は、荷電粒子源から発せられた荷電粒子を荷電粒子光学系で集束し、この集束された荷電粒子ビームを偏向手段によって偏向させて絶縁膜を有する試料上に対して走査照射し、この走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を荷電粒子検出器で検出して荷電粒子画像を得、この得られた荷電粒子画像を画像処理手段で基準荷電粒子画像と比較処理して前記試料上のパターンの検査または計測を行う検査または計測過程と、前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有することを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法である。
【００１０】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上へ走査照射していない期間（例えばブランキング期間）に同期させて行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、検査または計測過程における荷電粒子ビームを試料上へ走査照射していない期間（例えばブランキング期間）において行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量についてほぼ一定にして行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量についてほぼ一定にして行い、検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出される２次元荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づくノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得ることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を光量について周期的に変化させて行い、検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出される２次元荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得ることを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の照射を、試料上において検査または計測過程における荷電粒子検出器で検出する視野外に行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法において、導通化過程における紫外光の波長を、２００ｎｍ以下にすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、絶縁膜を有する試料を載置するステージと、荷電粒子源と、該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と、該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段と、該走査手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器と、該荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像を画像処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備えたことを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置である。
また、本発明は、絶縁膜を有する試料を載置するステージと、荷電粒子源と、該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と、該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段と、該走査手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器と、該荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像を基準荷電粒子画像と比較処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備えたことを特徴とする荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置である。
【００１３】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上へ荷電粒子ビームを走査照射していない期間に同期させて行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、更に、紫外光照射手段における紫外光の照射を、走査手段により荷電粒子ビームを試料上へ荷電粒子ビームを走査照射していない期間に行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、照射される紫外光の光量がほぼ一定になるように構成することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における画像処理手段において、荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づくノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得るノイズ除去手段を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、照射される紫外光の光量が周期的に変化するように構成することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における画像処理手段において、荷電粒子検出器から得られた荷電粒子画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して２次元荷電粒子画像を得るノイズ除去手段を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置において、紫外光照射手段を、紫外光の照射が試料上において前記荷電粒子検出器で検出する視野外に行われるように構成することを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線画像に基づく検査または計測装置における紫外光照射手段において、照射する紫外光の波長が、２００ｎｍ以下になるように構成することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、荷電粒子源と該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段とを備えた荷電粒子線の鏡筒を設け、該鏡筒内の偏向手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器を設け、更に、前記荷電粒子線の鏡筒内に紫外光を照射する紫外光照射手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置である。
また、本発明は、荷電粒子源と該荷電粒子源から発せられた荷電粒子を集束する荷電粒子光学系と該荷電粒子光学系で集束された荷電粒子ビームを偏向させて前記ステージ上に載置された試料に対して走査照射する走査手段とを備えた荷電粒子線の鏡筒を設け、該鏡筒内の偏向手段によって走査照射された荷電粒子ビームによって試料から発生する荷電粒子を検出して荷電粒子画像を得る荷電粒子検出器を設け、更に、前記荷電粒子線の鏡筒内に紫外光を照射して鏡筒内の帯電の除去あるいは汚染の清掃を行う紫外光照射手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置である。
【００１６】
また、本発明は、前記荷電粒子線装置において、紫外光照射手段は、紫外線を荷電粒子源に照射して荷電粒子線の放出効率を高めるように構成したことを特徴とする。
また、本発明は、前記荷電粒子線装置において、紫外光照射手段は、紫外線を前記荷電粒子源または走査手段を構成するアパーチヤに照射するように構成したことを特徴とする。
【００１７】
以上説明したように、前記構成によれば、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる。
また、前記構成によれば、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる。
【００１８】
また、前記構成によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止することができ、安定した荷電粒子線装置を実現することができ、その結果、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測などを実現することができる。
また、前記構成によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めることができ、高効率の荷電粒子線装置を実現することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る荷電粒子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置並びに荷電粒子線装置の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係る荷電粒子線装置の一実施例である電子線装置の構成を示す図である。電子線装置１０は、真空排気される鏡筒２内に、電子線を出射する電子銃とコンデンサレンズと引き出し電極とを有する電子線源１１と、電子線の照射をＯＮ、ＯＦＦするブランキング機構１７と、電子線を偏向させる偏向素子１２と、電子線を試料１６上に焦点を結ぶ電磁レンズ１３と、試料１６から放出された例えば２次電子、反射電子等の電子を検出する電子検出部とを設置し、更に真空排気される試料室３内に、試料１６を載置した試料台２１を搭載するＸＹステージ１５と、該ＸＹステージ１５の位置を正確に測長する位置モニタ用測長器（図示せず）と、試料１６の近傍に設けられたグリッド電極２４と、試料の高さを測定する高さ測定器１９とを設置して構成される。電子線源１１としては、電子ビーム電流を大きくとれる熱電界放射型電子銃等で構成される。偏向素子１２としては、偏向速度の速い静電偏向器等で構成される。電子検出部は、例えば２次電子、反射電子等の電子を検出する電子検出器１４を例えば対物レンズ１３の上方に設置して構成する。電子検出器１４としては高速駆動可能な半導体検出器が用いられる。そして、電子検出器１４の出力信号は、鏡筒２の外に設置されたアンプ２７１で増幅される。また、高さ測定器１９は、レーザビームを試料上に斜め方向から照射するレーザ光照射光学系および試料の表面からの反射光のシフト位置を検出するリニアイメージセンサを有する検出光学系から構成される。
【００２０】
更に、電子線装置１０の鏡筒２には、鏡筒内に紫外光を照射して鏡等内の汚染やチャージアップを防ぐ紫外光照射系３０と、電子線による走査と同時に試料１６に対して紫外光の照射を行って帯電の除去を行う紫外光源３１とを備える。紫外光源３１は、Ａｒガスを励起して１２６ｎｍの紫外光からなる励起光を放出するエキシマランプや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波（例えば１１８ｎｍのＶＵＶ光）や、Ａｒ2のエキシマレーザ光源（１２６ｎｍの紫外光）や、Ｋｒ2のエキシマレーザ光源（１４６ｎｍの紫外光）等で構成され、例えば半導体基板等の試料１６上にあるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜に対して１５０ｎｍ以下の紫外光を照射して絶縁膜において価電子帯（充満体）中の電子を伝導帯まで励起させて導通化して（電子的電気伝導を起こさせて）絶縁膜に帯電した電荷を負電位の試料台２１に逃がすためのものである。紫外光源３１としては、上記光源の他、Ａｒガス等のプラズマ光源から分光器等で１５０ｎｍ以下の紫外光を取り出すように構成することも可能である。紫外光照射系３０における光源も、同様な光源で構成することができる。特に、紫外光源３１、および紫外光照射系３０の光源としてレーザ光源等を用いて絶縁膜等が加工されてしまう場合には、出射される紫外レーザ光について高速で走査してドーズ量を低減したり、ＭｇＦ2、ＬｉＦ等の拡散板を用いて拡散させればよい。
【００２１】
走査制御装置（偏向信号発生装置）１８は、ＣＰＵ等から構成された全体制御装置８からの電子線走査指令に基いて、ブランキング機構（電極）１７を制御することにより電子線照射のＯＮ、ＯＦＦを制御し、偏向素子１２を制御することにより電子線の偏向を制御するものである。即ち、偏向信号発生装置１８は、偏向素子１２に対して偏向信号を発生するが、このとき、試料表面１６の高さ変動にともなう像倍率変動、電磁レンズ１３の制御にともなう像回転を補償するように偏向信号に補正を加えるものでもある。
焦点位置制御装置２０は、全体制御装置８からの電子線走査に先立つ試料上の箇所について高さ検出手段１９で検出された試料１６の表面の高さデータに基いて電子線を試料１６上に焦点を結ぶように電磁レンズ１３を制御するものである。また、焦点位置制御装置２０は、ステージ１５をＸＹＺステージとして、焦点位置を直接制御する代わりに、ステージ１５の高さを制御するようにしてもよい。
線源電位調整装置９は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いて電子線源１１に対する電位を調整するものである。グリッド電位調整手段２５は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いてグリッド電極２４に対するほぼ接地電位である電位を調整するものである。試料台電位調整手段２２は、全体制御装置８からの電位調整指令に基いて試料台２１に対する負電位を調整するものである。これら線源電位調整装置９、グリッド電位調整手段２５、および試料台電位調整手段２２の各々は、電子線源１１、グリッド電極２４、および試料台２１に対する電位を調整することによって、電子線の検出条件が変化し、得られる画像のコントラスト等の像質が制御されるものである。
【００２２】
ステージ制御装置２３は、全体制御装置８からの指令に基いてＸＹステージ１５の位置を正確にモニタしながらＸＹステージ１５の走行を制御する。
【００２３】
このように電子線源１１から出射された電子ビームは、電子線源１１に設けられたコンデンサレンズ（図示せず）、および電磁レンズ（対物レンズ）１３によって試料面において画素サイズ程度のビーム径に絞られて合焦点状態で照射されることになる。この際、試料台２１によって試料１６に負電位を印加し、グリッド電極２４にほぼ接地電位を印加することによって、対物レンズ１３と試料１６との間で電子ビームを減速することで低加速電圧領域で高分解能化をはかる。
更に、試料１６に電子ビームが照射されると、試料１６から電子が発生することになる。そして偏向素子１２による電子線の例えばＸ方向への繰り返し走査と、ステージ１５による試料１６のＹ方向の連続的な移動に同期して電子検出器１４による試料１６から発生する電子を検出することで、試料の２次元の電子線像が連続的に得られる。
【００２４】
ところで、リターディング方式では、グリッド電極２４、および試料台電極２１により電位分布を作り出して、実効的な加速電圧を低下させている。ところが、ステージ１５を移動させて検査・計測個所が試料１６の周辺部に来たときでも、中央の時と変わらない電位分布であるならば静的な歪みは生じないが、それには電極（グリッド電極２４、および試料台電極２１）を無限に大きくする必要がある。しかしながら、電極を無限に大きくできないことからして、リターディング方式では、試料上の周辺部と中央部の磁界分布を等しくすることが難しく、中央部の静的な歪みがないと定義すれば、周辺部において静的な歪みが生じることになる。このように、試料上において磁界分布が歪むことにより、電子ビームの走査が乱れ、その結果検出画像にも静的な歪みが生じることになる。この対策として、検査・計測に先立ち、予め既知の寸法または形状を有する繰り返しパターンを形成した標準試料を試料台２１に載置してステージ１５に搭載し、該標準試料からの検出画像を画像取り出し部２７で取り出して例えば画像メモリ２７７に記憶させ、例えば全体制御装置８内のＣＰＵによって検出画像の歪みを計測しておく。検査・計測時には、全体制御装置８は、この計測歪みデータを用いて走査制御装置１８に指令を出し、走査制御装置１８により電子ビームの走査速度、走査地点（Ｘ座標およびＹ座標）を制御することにより上記検出画像の静的な歪みが補正される。
【００２５】
画像取り出し部２７は、図２に示すように、電子検出器１４によって検出される電子検出信号を増幅するアンプ２７１と、該アンプ２７１により増幅された電子検出信号をデジタル画像データ（階調画像データ）に変換するＡ／Ｄ変換器２７２と、該Ａ／Ｄ変換器２７２の出力を光信号に変換する光変換手段（発光素子）２７３と、該光変換手段２７３で変換された光信号を伝送する伝送手段（光ファイバケーブル）２７４と、該伝送手段２７４で伝送された光信号をデジタル画像データに戻す電気変換手段（受光素子）２７５と、該電気変換手段２７５から得られるデジタル画像データ（階調画像データ）に対して前処理（画像補正）を行う前処理回路（画像補正回路）２７６と、該前処理回路２７６で補正されたデジタル画像信号を一時記憶する画像メモリ２７７と、該画像メモリ２７７に記憶されたデジタル画像信号を所望の時間だけ遅延させて比較すべき比較画像信号（階調画像信号）ｇ０を作る遅延回路２７８とによって構成される。なお、画像メモリ２７７からは検出画像信号（階調画像信号）ｆ０が出力される。
【００２６】
このように光信号に変換して伝送するのは、反射板２６からの電子を半導体検出器１４に導くために、半導体検出器１４から光変換手段２７３までの構成要素（半導体検出器１４、アンプ２７１、Ａ／Ｄ変換器２７２、および光変換手段２７３）を正の高電位にフローティングする必要があるからである。その結果、伝送手段２７４は、高絶縁材料で形成されているため、光変換手段２７３において正の高電位レベルにあった画像信号が伝送手段２７４を通過後、電気変換手段２７５からはアースレベルの画像信号が得られることになり、画像処理回路２８において画像処理が可能となる。
前処理回路２７６においては、図３に示すように、受光素子２７５から得られるデジタル画像データ（階調画像データ）に対して、暗レベル補正回路２７６１において暗レベル補正が行われ、電子線の揺らぎ補正回路２７６２において電子ビーム電流の揺らぎ補正が行われ、シェーディング補正回路２７６３においてシェーディング補正が行われ、その後補正されたデジタル画像データに対してフィルタリング処理回路２７６４においてガウシアンフィルタ、平均値フィルタ、あるいはエッジ強調フィルタなどのフィルタリング処理を行って、画質を改善する。更に、必要に応じて歪み補正回路２７６５において画像の静的な歪みが補正されて２次元の画像メモリ２７７に格納される。この歪み補正回路２７６５は、一旦検出された画像上で静的な歪みを補正するものである。即ち、補正前の画素の座標を（ｘ，ｙ）、補正後の画素の座標を（Ｘ，Ｙ）としたとき、これらの補正式の関係を予め求めておくことによって静的な歪み（予め予測することができる歪み）を補正することが可能となる。
【００２７】
暗レベル補正回路２７６１における暗レベル補正は、図４に示すように、全体制御部８から得られる走査ライン同期信号４２に基いて、受光素子２７５から抽出されるビーム・ブランキング期間中における検出信号４１を基準に暗レベルを補正する。即ち、暗レベルを補正する基準信号は、ビーム・ブランキング期間中の例えば特定位置における特定数画素の階調値の平均を暗レベルとし、走査ライン毎に更新する。このように暗レベル補正回路２７６１において、ビーム・ブランキング期間中に検出される検出信号が、ライン毎に更新される基準信号に暗レベル補正が行われる。特に、暗レベルを算出する際、紫外光源３１から紫外光を試料１６に対して照射するのを中止するか、遮光手段３８で遮光し、紫外光照射によって生じる光電子によるノイズ成分（暗レベル）の発生をなくする必要がある。この場合は、ブランキング期間または検査・計測不要領域に電子ビームを走査照射する期間において紫外光源３１からの紫外光を試料１６上に照射しない場合である。
次いで、電子線の揺らぎ補正回路２７６２における電子線の揺らぎ補正は、図４に示すように、暗レベル補正がなされた検出信号４３を、補正周期（例えば１００ｋＨｚのライン単位）で上記ビーム電流を検出するファラデーカップ（図示せず）でモニタされたビーム電流４４で正規化して行う。電子線の揺らぎには、急激な変動がないので、１〜数ライン前に検出されたビーム電流を用いてもよい。
【００２８】
次いで、シェーディング補正回路２７６３におけるシェーディング補正は、図４に示すように、電子線の揺らぎ補正された検出信号４５に対して、全体制御装置８から得られるビーム走査位置４６による光量変動を補正するものである。即ち、シェーディング補正は、予め検出した基準明るさデータ４７を基に画素毎に補正（正規化）を行うものである。シェーディング補正用基準データ４７は、予め、シェーディング補正機能をｏｆｆにした上で検出し、この検出された画像データを一旦画像メモリ（例えば２７７）に格納し、この格納された画像データを、全体制御装置８内に設けられた計算機または上位の計算機においてソフトウエアで処理して作成する。
【００２９】
画像メモリ２７７は、紫外光を紫外光照射系３０から照射して鏡等内の汚染やチャージアップを防ぐ状態や、紫外光を紫外光源３１から電子線による走査と同時に試料１６に対して照射して帯電の除去を行った状態から検出される画像信号について全体制御装置８が例えば表示手段３４等に出力して最適であるか否かを評価するために設けた。
更に、シフトレジスタ等で構成される遅延回路２７８は、前処理回路２７６から画質が改善されたデジタル画像信号（階調画像信号）を一定時間だけ遅延させるが、遅延時間を、全体制御装置８から得て、例えばステージ１５がチップピッチ分移動する時間にすれば、図８に示すように、遅延されたチップ（ダイ）ｎ画像（ｇ０）と遅延されていないチップ（ダイ）ｍ画像（ｆ０）とは隣り合うチップ（ダイ）の同じ箇所での画像信号となり、チップ比較検査が可能となる。また、遅延時間を、全体制御装置８から得て、ステージ１５がメモリセルのピッチ分移動する時間にすれば、図９に示すように、遅延された信号（ｇ０）と遅延されていない信号（ｆ０）とは隣り合うメモリセルの同じ箇所での画像信号となり、セル比較検査が可能となる。このように遅延回路２７８は、全体制御装置８から得られる情報に基いて、読み出す画素位置を制御することによって任意の遅延時間を選択できるように構成される。以上のようにして、画像取り出し部２７から、比較すべきデジタル画像信号（階調画像信号）ｆ０、ｇ０が取り出されることになる。なお、比較画像信号ｇ０は、比較する際の基準となる画像であればよく、試料から選びだされたセル画像もしくはチップ（ダイ）画像でもよく、また設計情報に基いて作成された画像でもよい。
【００３０】
画像処理回路２８は、全体制御装置８からの指定されたアドレスに基いて読み出す領域を自由に設定できる機能を有し、連続検出画像信号ｆ０と連続比較画像信号ｇ０との各々を記憶する２次元の画像メモリ６０ａ、６０ｂと、位置ずれ検出部２８１と、検出画像信号ｆ４と比較画像信号ｇ４との各々を記憶して出力する画像メモリ６１ａ、６１ｂと、欠陥判定部２８２と、欠陥編集部２８３とで構成される。
位置ずれ検出部２８１は、画素単位の位置合わせ部２８１１と、階調補正部２８１２と、画素単位以下の位置ずれ検出部２８１３とから構成される。画素単位の位置合わせ部２８１１においては、２次元の画像メモリ６０ａ、６０ｂの各々から、動的な歪み（ステージ１５等の振動や試料上のパターン分布によって生じる磁界の変化などがもたらす歪み）を無視できる領域単位で切り出された各領域毎の検出画像信号ｆ１（ｘ，ｙ）に対する比較画像信号ｇ１（ｘ，ｙ）の位置ずれ量が０〜１画素の間になるように、いいかえれば、ｆ１（ｘ，ｙ）とｇ１（ｘ，ｙ）との「整合度」が最大となる位置が０〜１画素の間（即ち、画素単位）になるように、例えばｇ１（ｘ，ｙ）の位置をずらすことによって、検出画像信号としてはｆ２、比較画像信号としてはｇ２が得られる。
【００３１】
階調補正部２８１２は、画素単位の位置合わせ部２８１１において、動的な歪み各領域毎に画素単位の位置合わせ後、検出画像信号ｆ２と比較画像信号ｇ２との階調値を補正する回路である。従って、階調補正部２８１２に入力された段階では、互いに異なった階調値の平均値と標準偏差を持っていたｆ２とｇ２とは、階調補正部２８１２を経ることによって階調値の平均値と標準偏差とが互いに等しい画像信号ｆ３とｇ３とになる。
画素単位以下の位置ずれ検出部２８１３は、上記領域単位に亘る画素以下の位置ずれ量（位置ずれ量は０〜１の実数となる。）を算出する。領域単位に亘る画素以下の位置ずれとは、図６に示すような状況である。図６において、鎖線で示された四角の升目が画素を示し、電子検出器１４で検出されてＡ／Ｄ変換器２７２でサンプリングされてデジタル値（階調値）に変換される単位である。同図では領域単位毎の（領域単位に亘る）比較画像ｇ３が領域単位毎の（領域単位に亘る）検出画像ｆ３に対して、ｘ方向に２＊δｘ、ｙ方向に２＊δｙだけ位置がずれている。整合度の測度としては、例えば、「差の２乗和」(ΣΣ(ｆ３−ｇ３)2)を採用した例を示す。
【００３２】
領域単位毎の検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)と領域単位毎の比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)との中間位置を位置ずれ量０とする。すなわち、図６に示す状況では、ｆ３はｘ方向に−δｘ、ｙ方向に−δｙ、ｇ３はｘ方向に＋δｘ、ｙ方向に＋δｙだけずれていると仮定する。δｘ、δｙは整数ではないため、δｘ、δｙだけずらすには、画素と画素の間の値を定義する必要がある。領域単位毎の検出画像ｆ３をｘ方向に＋δｘ、ｙ方向に＋δｙだけずらした領域単位毎の検出画像ｆ４、ｇ２をｘ方向に−δｘ、ｙ方向に−δｙだけずらした領域単位毎の比較画像ｇ４を、次に示す(数１)式および(数２)式のように定義する。
ｆ４(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ＋δｘ，ｙ＋δｙ) (数１)
ｇ４(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ−δｘ，ｙ−δｙ) (数２)
(数１)(数２)式はいわゆる線形補間である。ｆ４とｇ４との整合度ｅ３(δｘ，δｙ)は「差の２乗和」を採用すると次に示す(数３)式のようになる。
ｅ３(δｘ，δｙ)＝ΣΣ(ｆ４(ｘ，ｙ)−ｇ４(ｘ，ｙ))2 (数３)
ΣΣは領域単位内の合計である。画素以下の位置ずれ検出部２８１３の目的は、領域単位においてｅ３(δｘ，δｙ)が最小値をとるδｘの値δｘ０、δｙの値δｙ０を求めることである。それには、上記(数３)式をδｘ，δｙで偏微分した式を０とおいて、それをδｘ，δｙについて解けばよい。このようにして画素以下の位置ずれ検出部２８１３は、領域単位毎に画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０が求まることになる。
シフトレジスタ等で構成された遅延回路６１ａ、６１ｂは、領域単位毎の画素以下の位置ずれ検出部２８１３でδｘ０、δｙ０を求めるのに要する時間分だけ画素信号ｆ３、ｇ３を遅延させるためのものである。
【００３３】
次に、欠陥判定部２８２について説明する。欠陥判定部２８２では、差分抽出回路２８２１において領域単位毎の検出画像ｆ３と領域単位毎の比較画像ｇ３との差画像を作成する一方、閾値演算回路２８２２において各画素に対する閾値を算出し、閾値処理部２８２３において差画像の階調値と閾値を比較して欠陥か否かを判定する。
差分抽出回路２８２１は、計算上２＊δｘ０、２＊δｙ０の位置ずれを有する領域単位の検出画像ｆ３と領域単位の比較画像ｇ３との領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)を求める。この領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)は、(数４)式のように表わされる。
ｓｕｂ(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数４)
閾値演算回路２８２２は、遅延回路６１を経た領域単位毎の画像ｆ３、ｇ３および、画素以下の位置ずれ検出部２８１３から得られる領域単位毎の画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を用いて、欠陥候補か否かを判定する、領域単位毎の二つの閾値thＨ(ｘ，ｙ)、thＬ(ｘ，ｙ)を算出する。thＨ(ｘ，ｙ)は、領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の上限を規定する閾値であり、thＬ(ｘ，ｙ)は、領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の下限を規定する閾値である。閾値演算回路２８２２の構成を図７に示す。閾値演算回路２８２２における演算の内容を(数５)式および(数６)式で表すと次のようになる。
【００３４】
thＨ(ｘ，ｙ)＝Ａ(ｘ，ｙ)＋Ｂ(ｘ，ｙ)＋Ｃ(ｘ，ｙ) (数５)
thＬ(ｘ，ｙ)＝Ａ(ｘ，ｙ)−Ｂ(ｘ，ｙ)−Ｃ(ｘ，ｙ) (数６)
ただし、Ａ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数７)式の関係で示され、領域単位毎に得られる画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を用いて、実質的に領域単位毎に得られる差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)の値に応じて閾値を補正するための項である。
【００３５】
またＢ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数８)式の関係で示され、分割単位毎に得られる検出画像ｆ３と分割単位毎に得られる比較画像ｇ３との間において、パターンエッジの微小な位置ずれ(パターン形状の微小な差異、パターン歪みも局所的に見ればパターンエッジの微小な位置ずれに帰着する)を許容するための項である。またＣ(ｘ，ｙ)は、次に示す(数９)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３と領域単位毎に得られる比較画像ｇ３との間において、階調値の微小な差異を許容するための項である。
【００３６】
Ａ(ｘ，ｙ)＝｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＊δｘ０−ｄｘ２(ｘ，ｙ)＊(−δｘ０)｝＋｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＊δｙ０−ｄｙ２(ｘ，ｙ)＊(−δｙ０)｝＝｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＋ｄｘ２(ｘ，ｙ)｝＊δｘ０＋｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＋ｄｙ２(ｘ，ｙ)｝＊δｙ０ (数７)
Ｂ(ｘ，ｙ)＝｜｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＊α−ｄｘ２(ｘ，ｙ)＊(−α)｝｜＋｜｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＊β−ｄｙ２(ｘ，ｙ)＊(−β)｝｜＝｜｛ｄｘ１(ｘ，ｙ)＋ｄｘ２(ｘ，ｙ)｝＊α｜＋｜｛ｄｙ１(ｘ，ｙ)＋ｄｙ２(ｘ，ｙ)｝＊β｜ (数８)
Ｃ(ｘ，ｙ)＝((ｍａｘ１＋ｍａｘ２)／２)＊γ＋ε (数９)
ここで、α、βは０〜０．５の実数、γは０以上の実数、εは０以上の整数である。
ｄｘ１(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１０)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)におけるｘ方向＋１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｘ１(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ＋１，ｙ)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数１０)
また、ｄｘ２(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１１)式の関係で示され、領域単位毎に得られる比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)におけるｘ方向−１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｘ２(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｇ３(ｘ−１，ｙ) (数１１)
また、ｄｙ１(ｘ，ｙ)は、次に示す(数１２)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)におけるｙ方向＋１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
【００３７】
ｄｙ１(ｘ，ｙ)＝ｆ３(ｘ，ｙ＋１)−ｆ３(ｘ，ｙ) (数１２)
また、ｄｙ２(ｘ，ｙ)は、次に示す(数２４)式の関係で示され、領域単位毎に得られる比較画像ｇ３(ｘ，ｙ)におけるｙ方向−１隣りの画像との階調値の変化分を示す。
ｄｙ２(ｘ，ｙ)＝ｇ３(ｘ，ｙ)−ｇ３(ｘ，ｙ−１) (数１３)
ｍａｘ１は、次に示す(数１４)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｆ３(ｘ，ｙ)における自身も含め、ｘ方向＋１隣りの画像、ｙ方向＋１隣りの画像の最大階調値を示す。また、ｍａｘ２は、次に示す(数１５)式の関係で示され、領域単位毎に得られる検出画像ｇ３(ｘ，ｙ)における自身も含め、ｘ方向−１隣りの画像、ｙ方向−１隣りの画像の最大階調値を示す。
ｍａｘ１＝ｍａｘ｛ｆ３(ｘ，ｙ)，ｆ３(ｘ＋１，ｙ)，ｆ３(ｘ，ｙ＋１)，ｆ３(ｘ＋１，ｙ＋１)｝ (数１４)
ｍａｘ２＝ｍａｘ｛ｇ３(ｘ，ｙ)，ｇ３(ｘ−１，ｙ)，ｇ３(ｘ，ｙ−１)，ｇ３(ｘ−１，ｙ−１)｝ (数１５)
なお、閾値演算回路２８２２に入力されるパラメータα，β，γ，εは、試料１６である検査対象の種類（ウエハの品種、工程など）ごとにパラメータα，β，γ，εの適切な値を記述した検査パラメータファイルを例えば全体制御装置８に接続した記憶装置３６に準備しておき、検査開始時に、検査対象の品種を入力すると、そのファイルが自動的に全体制御装置８にロードされて閾値演算回路２８２２に提供できるようにしておくと好都合である。
閾値処理部２８２３は、差画像抽出回路２８２１から得られる領域単位毎の差画像ｓｕｂ(ｘ，ｙ)、並びに閾値演算回路２８２２から得られる領域単位毎の下限の閾値thＬ(ｘ，ｙ)、および上限の閾値thＨ(ｘ，ｙ)を用いて、次に示す(数１６)式の関係を満たせば、ある領域単位における位置(ｘ，ｙ)の画素は非欠陥候補、満たさなければ位置(ｘ，ｙ)の画素は欠陥候補と判定する。閾値処理部２８２３は、ある領域単位において非欠陥候補画素は０、欠陥候補画素は１の値を持つ２値画像ｄｅｆ(ｘ，ｙ)を出力する。
【００３８】
thＬ(ｘ，ｙ)≦ｓｕｂ(ｘ，ｙ)≦thＨ(ｘ，ｙ) (数１６)
欠陥編集部２８３では、ノイズ除去処理（例えば、２値画像ｄｅｆ(ｘ，ｙ)に対して縮小・膨張の処理を行う。例えば３×３画素の全てに亘って同時に欠陥候補画素ではないときには、その中心の画素として例えば０（非欠陥候補画素）にして縮小処理を行って消去し、それを膨張処理して元に戻すことを行う）によってノイズ的（例えば３×３画素の全てに亘って同時に欠陥候補画素ではない。）な出力を削除したあと、近隣の欠陥候補部を一つにまとめる欠陥候補部のマージ処理を行う。その後、各領域単位毎において、一まとまりごとに、重心座標、ＸＹ投影長（ｘ方向およびｙ方向における最大長さを示す。なお、（Ｘ投影長の２乗＋Ｙ投影長の２乗）の平方根は最大長さとなる。）、面積などの特徴量６２を算出して全体制御装置８に対して出力する。
【００３９】
以上説明したように、全体制御装置８によって制御される画像処理回路２８からは、電子ビームが照射されて電子検出器１４で検出させる被検査対象物（試料）１６上における所望の領域から被検査対象物１６上の座標に応じて欠陥候補部の特徴量（例えば、重心座標、ＸＹ投影長、面積など）６２が得られることになる。
【００４０】
全体制御装置８では、検出画像上での欠陥候補部の位置座標を被検査対象物（試料）１６上の座標系に変換し、疑似欠陥の削除を行い、最終的に、被検査対象物（試料）１６上での位置と画像処理回路２８における領域単位毎の欠陥編集部２８３から算出された特徴量とからなる欠陥データをまとめる。
なお、各画像メモリ６１ａ、６１ｂと閾値演算回路２８２２との間に、画素以下の位置ずれ検出部２８１３から得られる領域単位毎に画素以下の位置ずれ量δｘ０、δｙ０を基に検出画像ｆ３と比較画像ｇ３との間で画素単位以下の位置ずれを補正する画素単位以下の位置ずれ補正回路を設けてもよい。この場合、閾値演算回路２８２２からの出力は、上記(数５)式および(数６)式におけるＡ(ｘ，ｙ)項を削除することができる。
【００４１】
以上説明したように、ステージ１５を連続移動しながら、偏向素子１２を駆動して電子ビームをステージの移動方向に交差する方向（例えば直交する方向）に走査する。このとき試料１６から発生する例えば２次電子を電子検出器１４で検出して画像切り出し部２７に入力してＳＥＭ画像を連続的に得る。画像処理回路２８は、遅延回路２７８で遅延された電子線比較画像と遅延されていない電子線検出画像とを比較することによって比較検査を実現することができる。この場合、画像の遅延量は繰り返しパターンピッチと一致させればよい。即ち、画像の遅延量は、図８に示すチップ（ダイ）比較においては、チップ（ダイ）の繰り返し間隔であり、図９に示すセル比較においては、セルの繰り返し間隔となる。なお、比較画像は、設計情報から生成された基準画像であってもよいことは言うまでもない。即ち、半導体ウエハなどに形成された微細回路パターンから検出される電子顕微鏡画像に基づく比較により欠陥検査を行うことができる。
【００４２】
また、以上の説明では、欠陥検査を行う場合について説明したが、画像処理回路２８において、比較画像信号ｇとして基準パターンを用いれば、検出画像信号ｆと基準パターンとの間の位置ずれ量が求まり、この求まった位置ずれ量に応じてステージ１５等を移動させることによって検出画像信号を基準パターンに合わせるアライメントを実現することもできる。また、画像処理回路２８において、検出画像信号ｆに対してパターンの線幅等について画素以下の精度で測定することも可能となる。即ち、半導体装置の製造プロセス条件の設定やモニタなどに使用される微細回路パターンの線幅や穴径などを測定する走査型電子顕微鏡による測長装置においても、同様に画像処理回路２８における画像処理により測長を行うことができる。
【００４３】
次に、励起光（紫外光）の照射によるノイズ成分が含まれず、しかも帯電する電荷による位置ずれのない正確で、かつ高コントラストな電子線画像を画像切り出し回路２７から得られるようにして、画像処理回路２８において試料１６上の微細なパターンや微細な異物等の検査や試料１６上の微細なパターン幅などの測長などを行う実施例について説明する。
まず、電子線エネルギーと２次電子放出効率との関係について図１０を用いて説明する。即ち、電子線のエネルギーが低い領域では２次電子放出効率が１以上で正に帯電しやすく、電子線のエネルギーが高い領域では２次電子放出効率が１以下で負に帯電しやすい。ところで、試料１６の電気的特性（導電性パターンと絶縁性パターンとが混在する被検査対象）を画像として検出する電位コントラストモードでは、電子線のエネルギーを低くして正に帯電しやすい領域を使い、荷電粒子線のビーム径を絞って微細欠陥を検出するためには、電子線のエネルギーを高くして負に帯電しやすい領域を使うことが望ましい。即ち、電子線のエネルギーを低くして２次電子放出効率を１以上にすることによって、電位コントラストを高め、絶縁物上の配線パターンなどを観察しやすくすることができ、また最表面のみを観察することができる。また、電子線のエネルギーを高くして２次電子放出効率を１以下にすることによって、解像度を向上させて微細欠陥を検出しやすくすることができる。何れにしても、絶縁物を有する半導体基板等の試料１６の表面には電子ビームを照射することによって正または負に帯電することになる。
【００４４】
ところが、この絶縁物を有する半導体基板等の試料１６へ電荷が蓄積される（チャージアップが生じる）と、電子検出器１４で検出される電子線画像の像質が変化することになり、その結果例えば比較検査においては虚報が生じ、測長においては誤差が生じることになる。例えば、図１１（ａ）に示すチャージアップが生じていない電子線画像１１０に対して、チャージアップが局所的に生じると、図１１（ｂ）に示すようなコントラストが局所的に変化した電子線画像１１１が電子検出器１４で検出され、チャージアップが全体に及んだ場合には図１１（ｃ）に示すような電子線画像１１２が電子検出器１４で検出されることになる。その結果、セル比較検査の場合において、チャージアップによって電子線画像のコントラストが局所的に変化すると、正常部でも隣接セル間で明るさ（階調値）が異なってきて虚報が生じることになる。また、チップ（ダイ）比較検査の場合において、チャージアップによってチップ（ダイ）ｎのコントラストがチップ（ダイ）ｍのコントラストと異なる場合にはいたるところで虚報が生じることになる。
【００４５】
また、電子線画像に基づく測長の場合、例えば、図１２に示すチャージアップが生じていない電子線画像（線幅がＷ１）１２０に対して、チャージアップが生じると図１３に示すような線幅Ｗ２が膨張した電子線画像１２１が電子検出器１４で検出されることになり、その結果線幅Ｗ２が大きめに測長されることになる。図１２（ａ）はチャージアップが生じていない電子線画像１２０を示し、図１２（ｂ）は走査線ａにおいて測長される線幅Ｗ１を示す。図１３（ａ）はチャージアップが生じた場合の電子線画像１２１を示し、図１３（ｂ）は走査線ａにおいて大きめに測長される線幅Ｗ２を示す。また、チャージアップによって見かけ上の倍率が異なり、図１４に示すように本来同じであるべき線幅Ｗ３、Ｗ４が測定個所によって異なってくることになる。
【００４６】
そこで、紫外光源３１から励起光である１５０ｎｍ以下の紫外光を、半導体基板等の試料１６上の電子線による観察視野とほぼ同じ個所に照射し、試料１６上に存在するＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜において、価電子帯（充満体）中の電子を伝導帯まで励起させて導電化して（電子的電気伝導を起こさせて）、絶縁膜に帯電した電荷を負の電位が印加された試料台２１に逃がすことによって帯電の除去が行われる。なお、絶縁膜上に導電配線パターンが存在した場合には、１５０ｎｍ以下の紫外光を照射することによって導電化して絶縁膜に帯電した電荷を導電配線パターンを介して負の電位が印加された試料台２１に逃がすことも可能である。また、１５０ｎｍ以下の紫外光を照射するので、半導体基板等において上記絶縁膜の下層に存在する能動素子等にダメージを及ぼすこともない。
即ち、紫外光の波長としては、光伝導効果を生じさせる波長であり、且つデバイスに損傷を与えないものであることが望ましい。よって、チャージアップを生じさせる絶縁膜表面で吸収される波長が良い。例えば、チャージアップを生じさせる絶縁膜の材質がＳｉＯ2の場合、およそ１５５ｎｍ以下の波長で吸収が始まり、光伝導効果を生じさせるためには、およそ１３０ｎｍ以下の波長が必要である。但し、光伝導効果を生じさせる波長は、ＳｉＯ2の組成や光の照射領域の状態により変化するため、ＳｉＯ2の場合は、１５０ｎｍ以下の光伝導効果を生じさせる波長の光を照射する。Ｓｉ3Ｎ4の場合は、およそ２０５ｎｍの波長から吸収が始まり、２３０ｎｍの波長より光伝導効果が生じる。よって、Ｓｉ3Ｎ4の場合は２００ｎｍ以下の波長を用いると良い。
【００４７】
しかし、１５０ｎｍ以下の紫外光３９を上記絶縁膜に照射した際、光電子が生起されて電子検出器１４によりノイズ成分として検出されることになる。
【００４８】
そこで、照射制御装置３２は、紫外光３９、３９’が、電子線の視野と同じ箇所を照射するため、これと干渉しないように制御するためのものである。即ち、照射制御装置３２は、図１５に示すように走査制御装置１８からの水平走査信号１５１（特にこの信号に含まれるブランキング信号）を受けてこれと同期した紫外光照射信号１５２を作成し、この作成され紫外光照射信号１５２を基に例えばブランキングする期間において紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラーも含む）３８を開放することによって紫外光３９を照射するように制御する。
また、照射制御装置３２は、図１６に示すように全体制御装置８から得られる検査領域信号１６１を基に、電子ビームが検査領域外を走査している間にＯＮとなる紫外線照射信号１６２を作成し、この作成され紫外光照射信号１６２を基に例えば電子ビームが検査領域外を走査している期間において紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラー３８ｂも含む）３８を開放して紫外光３９を照射するように制御する。
【００４９】
なお、試料台２１に投入されて搭載される半導体基板等の試料１６の表面には、投入する前の搬送等によって帯電してしまう可能性があるので、電子線画像検出する前に、全体制御装置８からの指令で、照射制御装置３２は、紫外光源３１を励起、またはその先にあるシャッタ手段（回動等の運動するミラーも含む）３８を開放することによって紫外光３９、３９’を照射して半導体基板等の試料１６の絶縁膜を導電化し、蓄積電荷を試料台２１へと逃がす必要がある。
【００５０】
図１７（ａ）は、紫外光３９を照射するためのシャッタ手段３８の第１の実施例３８ａを示すものである。即ち、シャッタ手段３８の第１の実施例３８ａは、紫外光３９を通過する窓を穿設した回転部材で構成する。そして、この回転部材を、例えばブランキング信号に同期するように回動させることによって、ブランキング期間において紫外光３９を試料１６上に照射することが可能となる。
図１７（ｂ）は、紫外光３９を照射するためのシャッタ手段３８の第２の実施例３８ｂを示すものである。即ち、シャッタ手段３８の第１の実施例３８ｂは、紫外光３９を反射するミラーを回動等の運動するように構成する。そして、この回動ミラーを、例えば電子ビームが検査領域を走査している期間において回動させて紫外光３９を検査領域から外し、電子ビームが検査領域外を走査している期間においては回動させて戻すことにより紫外光３９を試料１６上に照射することが可能となる。
【００５１】
また、上記回動ミラーを用いることによって紫外光３９を試料１６上において直線状に走査することが可能となり、絶縁膜上において直線状に沿って順順に導通化が行われことになり、スリット状（細帯状）の紫外光３９’を照射する場合とほぼ同様になる。
図１８は、試料台２１まで亘るようにスリット状（細帯状）の紫外光３９’を照射する光学系と半導体基板１６上にスリット状（細帯状）の紫外光３９’が照射された状態とを示したものである。即ち、この光学系は、図１８（ｂ）に示すように、紫外光源３１から出射した紫外光をＭｇＦ2、ＬｉＦ等の材料で形成されたレンズで構成されたエキスパンダ５５によってビーム径を拡げ、ＭｇＦ2、ＬｉＦ等の材料で形成されたシリンドリカルレンズ５６で一軸方向に集束させることによってスリット状（細帯状）の紫外光３９’を、負の電位が印加された試料台２１まで亘るように半導体基板１６上に照射するものである。そして、この光学系を用いることによって、紫外光３９’をスリット状（細帯状）にして負の電位が印加された試料台２１まで亘るように照射することができ、半導体基板１６の中央部における絶縁膜上に帯電した電荷を試料台２１にすばやく逃がすことが可能となる。当然、絶縁膜上に配線パターンが形成されている場合でも、該配線パターンを介して絶縁膜上に帯電した電荷を逃がす必要も低減することができ、下層に位置する能動素子に対してダメージを及ぼすことも低減することができる。
【００５２】
また、図１７に示す紫外光の照射をＯＮ、ＯＦＦさせる光学系と図１８に示す光学系とを組み合わせることも可能である。
以上説明したように、図１５に示すように、電子ビームの水平走査の合間（ブランキング期間）に同期して紫外光３９、３９’を照射するか、あるいは図１６に示すように、試料１６上の検査不要領域を電子ビームがスキャンしている間だけ紫外光３９、３９’を照射することにより、光電子による影響を受けず、しかもチャージアップを低減した電子線画像を電子検出器１４によって検出することが可能となる。即ち、チャージアップによって電子線画像の像質に変化が生じる試料に対しても、電子線画像を検出または解析しない期間に紫外光を照射することによって電子線画像に基づく安定した検査・測定を行うことができる。
【００５３】
なお、検査不要領域を電子ビームがスキャンしている間だけ紫外光３９、３９’を照射する場合、図１９（ｂ）に示す如く検査不要領域であっても検査必要領域に近い領域について電子ビームを走査している期間においては紫外光３９、３９’を照射しなくても良い。図１９（ａ）は、試料１６上において電子ビームを走査する領域に対する検査必要領域と検査不要領域とを示したものである。図１９（ｂ）は、電子ビームを走査している期間において紫外光３９、３９’を照射する期間を示したものである。この検査必要領域と検査不要領域については、ＣＡＤシステムに接続されたネットワークや記録媒体等で構成される入力手段３５を用いて入力される半導体基板等の試料１６の設計情報を基に全体制御装置８において設定されて記憶装置３６に格納される。また、電子線装置を用いて詳細解析をしたい場合には、予め光学顕微鏡等を用いて半導体基板等の試料上の欠陥の検査が行われるので、光学顕微鏡等から検出される欠陥検査の座標データをネットワークや記録媒体等で構成される入力手段３５を用いて入力し、この入力される欠陥検査の座標データを基に詳細解析をしたい検査必要領域が全体制御装置８において設定されて記憶装置３６に格納されることになる。そこで、全体制御装置８は、この記憶装置３６に設定された検査必要領域について画像処理回路２８から編集された欠陥情報について解析すればよい。また、全体制御装置８は、記憶装置３６に設定された検査必要領域のデータを画像処理回路２８に提供することによって、画像処理回路２８において欠陥情報について編集もしくは解析すればよい。
【００５４】
また、紫外光源３１として、例えばＡＣエキシマランプのように、例えば１０μｓ〜５０μｓ程度の周期でポンピングが必要で、出射される紫外光の強度が周期的に変動する場合には、走査制御装置１８は、全体制御装置８または照射制御装置３２から得られる図２０に示すように紫外光源３１の発光周期に同期して紫外光の発光強度が弱まった期間Ｔｅにおいて、ブランキングをＯＦＦして電子ビームを試料１６上の検査・測定領域に走査照射して電子検出器１４で電子線画像を検出するようにすれば、紫外光照射による光電子の影響を受けずに、チャージアップを低減した電子線画像を検出することが可能となる。
以上説明した実施例によれば、電子ビームを検査必要領域に走査照射していない期間に紫外光を照射することによって、帯電する電荷による位置ずれのない正確で、かつ高コントラストな電子線画像を画像切り出し回路２７から得ることができ、その結果、画像処理回路２８において安定し、かつ高精度の検査・測定を行うことができる。
【００５５】
また、図１８に示すようなスリット状の紫外光（紫外光ビームを図１７（ｂ）に示す回動されるミラー３８ｂを用いて直線状に走査する場合も含む。）３９’を、ステージ１５で走行する試料１６上において電子ビームを走査照射する走査線（該走査線の方向は、ステージ１５の走行方向にほぼ直交する方向を向いている。）の箇所に後追いさせて近接させ、しかも電子検出器１４の視野外（試料１６上において偏向素子１２によって電子ビームが走査される領域外）に照射することによって、絶縁膜を導通化して帯電した電荷を逃がすことを可能にし、しかも紫外光照射によって発生する光電子を電子検出器１４で検出するのを防止することができる。即ち、紫外光照射光学系（３１、５５、５６；３８ｂ）による紫外光の照射位置を、電子検出器１４の視野外（試料１６上において偏向素子１２によって電子ビームが走査される領域外）で、できるだけ電子ビームの光軸（電子ビームを走査照射する走査線）に近づけるように構成する。この構成により、ステージ１５の走行によって、電子ビームが走査照射されて帯電された絶縁膜上の箇所が後追いする状態で紫外光が照射されて導通化され、電荷を逃がすことが可能となる。従って、電子ビームの走査照射によって絶縁膜上に電荷が蓄積されていくことを防止でき、しかも紫外光照射によって発生する光電子を電子検出器１４で検出するのを防止することができ、その結果歪みのない、高コントラストの電子線画像を検出することが可能となり、高感度で、かつ信頼性の高い微細パターンに対する欠陥検査および寸法計測を実現することができる。
【００５６】
次に、画像切り出し回路２７内の前処理回路２７６によって、紫外光照射による光電子の影響を除去し、しかも紫外光照射によるチャージアップのない電子検出画像を得る実施例について説明する。即ち、紫外光源３１が例えばＤＣエキシマランプのように、励起光である１５０ｎｍ以下の紫外光を時間的に変動せずに安定して発光可能なものである場合には、これによる光電子は電子検出器１４で検出される電子検出画像に小さなオフセットとして乗ってくるだけなので、図３に示す暗レベル補正回路２７６１で暗レベルとして補正除去すれば、紫外光源３１から紫外光を照射したままで、チャージアップのない電子検出画像を前処理回路２７６から得ることができる。その結果、前処理回路２７６から得られる電子線画像に基いて安定し、かつ高精度の検査・測定を行うことができる。
また、紫外光源３１として、例えばＡＣエキシマランプやエキシマレーザ光源を用いて、発光周期が一定（ｆｕ）の場合には、図２１に示すように、前処理回路２７６のフィルタリング処理回路２７６４にノッチフィルタ２７６４ａを設けることにより、発光周波数（ｆｕ）をカットするようにすれば、また、図２２に示すように、前処理回路２７６のフィルタリング処理回路２７６４にフーリエ変換回路２７６４ｂａとフィルタリング回路２７６４ｂｂと逆フーリエ変換回路２７６４ｂｃとからフィルタ回路２７６４ｂを設けることにより、発光周波数（ｆｕ）をカットするようにすれば、紫外光源３１から紫外光を一定の周期で発光したままで、紫外光照射による光電子の影響を除去し、しかもチャージアップのない電子検出画像を前処理回路２７６から得ることができる。
【００５７】
次に、鏡筒内の汚染やチャージアップを防止することにより、電子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止して電子線画像に基づく検査・測長の精度を向上させる実施例について説明する。即ち、鏡筒内の汚染やチャージアップを防ぐために、図１に示すように、紫外光を鏡筒内に照射する紫外光照射系３０を設けたことにある。この紫外光照射系３０も、全体制御装置８からの指令に基いて照射制御装置３２によって制御される。紫外光照射系３０の具体的構成を図２３に示す。図１では、紫外光照射系３０により鏡筒２の横方向から紫外光を直接照射したが、図２３では、紫外光源３０１からの紫外光を光ファイバ或いは光を透過するガラスロッド３０２により、電子銃１１１やアパーチャ部（引き出し電極におけるものとブランキング電極におけるものとを含む）１１２などの必要な箇所に照射するよう構成した。なお、１１３は、電子銃１１１から引き出される電子線を集束させるコンデンサレンズである。また、１１４は、電子銃取付部である。そして、電子銃１１１は、電源に接続される。
【００５８】
このように電子銃１１１に紫外光を照射することによって、電子線の放出効率を高め、輝度の向上を期待することができる。また、アパーチャ部１１２に紫外光を照射することによって、電子線によるアパーチャの焦げつき（絶縁物質化）で発生するチャージアップを防止することができる。なお、光ファイバやガラスロッド３０２を用いず、ミラーなどで反射し、所望の領域に紫外光を照射しても良い。
以上説明したように、紫外光照射系３０で紫外光を鏡筒内に照射するように構成したことにより、鏡筒内の汚染やチャージアップを防止することが可能となり、電子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止して電子線画像に基づく検査・測長の精度を向上させることが可能となる。
なお、以上電子線装置の実施の形態について説明したが、集束イオンビーム装置等ほかの集束荷電ビーム装置でも同様に構成できる。その場合、１１をイオン源に代えればよい。この場合、電子検出器１４は荷電粒子検出器で構成すればよい。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる効果を奏する。
また、本発明によれば、半導体基板等の試料に対して、紫外光照射によるＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁膜の下層へのダメージを極力少なくし、しかも紫外光を照射することによって試料上の絶縁膜に電荷が帯電するのを防止すると共に紫外光の照射によるノイズ成分が含まれない正確で、かつ高コントラストの荷電粒子画像を安定して検出できるようにして、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥の検査または微細パターンの寸法計測を実現することができる効果を奏する。
【００６０】
また、本発明によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内へのチャージアップによる電子ビームなどの荷電粒子ビームの位置・焦点位置・非点収差等の変動を防止することができ、安定した荷電粒子線装置を実現することができ、その結果、高感度で、かつ信頼性の高い試料上の微細パターンや微細な異物等の欠陥を検査または微細パターンの寸法計測などを実現することができる。
また、本発明によれば、電子線装置などの荷電粒子線装置の鏡筒内の電子銃等の荷電粒子源からの荷電粒子線の放出効率を高めることができ、高効率の荷電粒子線装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る荷電粒子線装置の一実施例である電子線装置（電子線画像に基づく検査・計測装置）の構成を示す図である。
【図２】図１に示す画像切り出し回路の一実施例を示す構成図である。
【図３】図２に示す前処理回路の一実施例を示す構成図である。
【図４】図３に示す前処理回路で行う各種補正について説明するための図である。
【図５】図１に示す画像処理回路の一実施例を示す構成図である。
【図６】図５に示す画像処理回路において検出画像ｆ３と比較画像ｇ３との間において画素単位以下の位置ずれが生じた場合を説明するための図である。
【図７】図５に示す閾値演算回路の具体的構成を示す図である。
【図８】ダイ（チップ）比較検査について説明するための図である。
【図９】セル比較検査について説明するための図である。
【図１０】電子線エネルギーと２次電子放出効率との関係を示す図である。
【図１１】チャージアップによって像質の変化を説明するための図で、チャージアップがない場合の電子線画像と、チャージアップが局所的に変化する場合の電子線画像と、全体がチャージアップした場合の電子線画像とを示す図である。
【図１２】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、チャージアップがない場合の線幅計測（測長）画像を示す図である。
【図１３】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、チャージアップによって線幅が膨張した場合の線幅計測（測長）画像を示す図である。
【図１４】チャージアップによって寸法の変化を説明するための図で、中央部と周辺部とで画像が歪んで測定箇所において異なった線幅計測結果が得られることを示す図である。
【図１５】照射制御装置によって制御される紫外光の照射タイミングの第１の実施例を説明するための図である。
【図１６】照射制御装置によって制御される紫外光の照射タイミングの第２の実施例を説明するための図である。
【図１７】図１に示す紫外光源に備えられたシャッタ手段の実施例を示す図である。
【図１８】試料上にスリット状の紫外光を照射する紫外光照射光学系の一実施例を説明するための図である。
【図１９】試料上において電子ビーム走査領域に対する紫外光照射期間領域を示す図である。
【図２０】紫外光の強度を変化させる場合の走査制御装置によって制御される電子検出時間を説明するための図である。
【図２１】検出される電子線画像信号から所定の周波数ｆｕの紫外光の照射によるノイズ成分をノッチフィルタで除去する実施例を説明するための図である。
【図２２】検出される電子線画像信号から所定の周波数ｆｕの紫外光の照射によるノイズ成分をフーリエ変換、フィルタリング、逆フーリエ変換によって除去する実施例を説明するための図である。
【図２３】電子線装置の鏡筒内に紫外光を照射した場合の図１に示す構成と異なる実施例を示した図である。
【符号の説明】
２…鏡筒、３…試料室、８…全体制御装置、９…線源電位調整装置、１０…電子線装置、１１…電子線源（イオン源）、１２…偏向素子（走査手段）、１３…電磁レンズ（対物レンズ）、１４…電子検出器、１５…ステージ、１６…試料、１７…ブランキング機構、１８…走査制御装置、１９…高さ測定器、２０…焦点位置制御装置、２１…試料台、２２…試料台電位調整装置、２３…ステージ制御装置、２４…グリッド電極、２５…グリッド電位調整装置、２６…反射板、２７…画像取り出し部、２８…画像処理回路、３０…紫外光照射系、３１…紫外光源、３２…照射制御装置、３４…表示手段、３５…入力手段、３６…記憶装置、３８…シャッタ手段（紫外光走査手段）、６０ａ、６０ｂ…画像メモリ、６１ａ、６１ｂ…遅延回路、２７２…Ａ／Ｄ変換器、２７３…発光素子、２７４…伝送手段、２７５…受光素子、２７６…前処理回路、２７７…画像メモリ、２７８…遅延回路、２７６１…暗レベル補正回路、２７６２…電子線の揺らぎ補正回路、２７６４…フィルタリング処理回路、２７６５…歪み補正回路、２８１…位置ずれ検出部、２８１１…画素単位の位置合わせ部、２８１２…階調補正部、２８１３…画素単位以下の位置ずれ検出部、２８２…欠陥判定部、２８２１…差分抽出回路、２８２２…閾値演算回路、２８２３…閾値処理部、２８３…欠陥編集部。
Claims (10)
- 絶縁物を有する試料を載置したステージを連続的に移動しながら、電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記試料に対して走査照射して前記試料から発生する二次電子を電子検出器で検出して二次電子画像を得、該得られる二次電子画像を画像処理手段で画像処理して前記試料の検査または計測を行う検査または計測過程と、
前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有し、
該導通化過程における紫外光の照射を、前記検査または計測過程における電子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うことを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測方法。 - 絶縁物を有する試料を載置したステージを連続的に移動しながら、電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記試料に対して走査照射して前記試料から発生する二次電子を電子検出器で検出して二次電子線画像を得、該得られる二次電子線画像を画像処理手段で画像処理して前記試料の検査または計測を行う検査または計測過程と、
前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有し、
前記導通化過程において前記紫外光の照射を光量について周期的に変化させて行い、前記検査または計測過程において前記電子検出器で検出される２次元電子線画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して前記二次電子線画像を得ることを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測方法。 - 絶縁膜を有する試料を載置したステージを連続的に移動させながら、電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記試料に対して走査照射して前記試料から発生する二次電子を電子検出器で検出して二次電子線画像を得、該得られる二次電子線画像を画像処理手段で画像処理して前記試料の検査または計測を行う検査または計測過程と、
前記試料に対して紫外光照射手段により紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす導通化過程とを有し、
前記導通化過程における前記紫外光の照射を、前記ステージの連続的な移動に伴って移動する試料上における前記検査または計測過程における前記電子検出器で検出する視野外に後追いさせて行うことを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測方法。 - 前記検査または計測過程において、前記得られる二次電子線画像を前記画像処理手段で基準二次電子線画像と比較処理することによって前記試料上のパターンの検査または計測を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の電子線画像に基づく検査または計測方法。
- 前記導通化過程における紫外光の波長を、２００ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の電子線画像に基づく検査または計測方法。
- 絶縁膜を有する試料を載置して連続的に移動するステージと、
電子線源から発せられた電子線を集束する電子線光学系と、
該電子線光学系で集束された電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記ステージ上に載置されて連続的に移動する試料に対して走査照射する走査手段と、
該走査手段によって走査照射された電子ビームによって試料から発生する二次電子を検出して二次電子線画像を得る二次電子検出器と、
該二次電子検出器から得られる二次電子線画像を画像処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、
前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備え、
更に、前記紫外光照射手段における紫外光の照射を、前記走査手段により荷電粒子ビームを試料上の検査または計測の不要領域に対して走査照射している期間において行うように制御する制御手段を備えたことを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測装置。 - 絶縁膜を有する試料を載置して連続的に移動するステージと、
電子線源から発せられた電子線を集束する電子線光学系と、
該電子線光学系で集束された電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記ステージ上に載置されて連続的に移動する試料に対して走査照射する走査手段と、
該走査手段によって走査照射された電子ビームによって試料から発生する二次電子を検出して二次電子線画像を得る二次電子検出器と、
該二次電子検出器から得られる二次電子線画像を画像処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、
前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備え、
前記紫外光照射手段を、照射される紫外光の光量が周期的に変化するように構成し、
前記画像処理手段において、前記二次電子検出器で検出して得られる二次電子線画像から前記紫外光の照射に基づく周期的なノイズ成分を除去して前記二次電子線画像を得るノイズ除去手段を有することを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測装置。 - 絶縁膜を有する試料を載置して連続的に移動するステージと、
電子線源から発せられた電子線を集束する電子線光学系と、
該電子線光学系で集束された電子ビームを前記ステージの移動方向に交差する方向に偏向させて前記ステージ上に載置されて連続的に移動する試料に対して走査照射する走査手段と、
該走査手段によって走査照射された電子ビームによって試料から発生する二次電子を検出して二次電子線画像を得る二次電子検出器と、
該二次電子検出器から得られる二次電子線画像を画像処理して前記試料の検査または計測を行う画像処理手段と、
前記試料上に紫外光を照射して絶縁膜中の電子を励起して導通化して帯電した電荷を逃がす紫外光照射手段とを備え、
該紫外光照射手段において、前記紫外光の照射が、前記ステージの連続的な移動に伴って移動する試料上における前記二次電子検出器で検出する視野外に後追いさせて行われるように構成したことを特徴とする電子線画像に基づく検査または計測装置。 - 前記画像処理手段において、前記二次電子検出器から得られる二次電子線画像を基準二次電子線画像と比較処理することによって前記試料上のパターンの検査または計測を行うように構成したことを特徴とする請求項６乃至８の何れか一つに記載の電子線画像に基づく検査または計測装置。
- 前記紫外光照射手段において、照射する紫外光の波長が、２００nｍ以下になるように構成することを特徴とする請求項６乃至８の何れか一つに記載の電子線画像に基づく検査または計測装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16587299A JP3805565B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 |
| US09/589,065 US6465781B1 (en) | 1999-06-11 | 2000-06-08 | Method and apparatus for inspecting or measuring a sample based on charged-particle beam imaging, and a charged-particle beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16587299A JP3805565B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357483A JP2000357483A (ja) | 2000-12-26 |
| JP3805565B2 true JP3805565B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=15820595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16587299A Expired - Lifetime JP3805565B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6465781B1 (ja) |
| JP (1) | JP3805565B2 (ja) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3666267B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置 |
| EP1162645A3 (en) * | 2000-06-09 | 2007-09-26 | Jeol Ltd. | Specimen inspection instrument |
| JP4034500B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-01-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の検査方法及び検査装置、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP3751841B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 |
| FR2826730B1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de charge d'une structure comportant un corps isolant |
| TW589723B (en) * | 2001-09-10 | 2004-06-01 | Ebara Corp | Detecting apparatus and device manufacturing method |
| JP2003100246A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置並びにパターン測定方法およびパターン描画方法 |
| JP3984019B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2007-09-26 | パイオニア株式会社 | 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法 |
| WO2003050841A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-19 | Kla Tencor Corporation | A photoelectron emission microscope for wafer and reticle inspection |
| JP2005523459A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
| US6872942B1 (en) * | 2003-04-01 | 2005-03-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High-speed inspection of flat substrates with underlying visible topology |
| JP4154282B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2008-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターンの検査装置 |
| US7211796B2 (en) * | 2003-05-27 | 2007-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7294590B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-11-13 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for removing charges with enhanced efficiency |
| JP4426871B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2010-03-03 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Ｆｉｂ／ｓｅｍ複合装置の画像ノイズ除去 |
| US7017933B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-03-28 | Mickley Anthony M | Lighted guide post assembly for boat trailers |
| US7315022B1 (en) * | 2004-08-02 | 2008-01-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High-speed electron beam inspection |
| JP4519567B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
| US7205539B1 (en) * | 2005-03-10 | 2007-04-17 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Sample charging control in charged-particle systems |
| US7253410B1 (en) | 2005-03-16 | 2007-08-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Charge-control pre-scanning for e-beam imaging |
| JP2007113992A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Renesas Technology Corp | プロービング装置 |
| EP1777728A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | Carl Zeiss SMS GmbH | Lithography system |
| US7560939B1 (en) | 2006-02-17 | 2009-07-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electrical defect detection using pre-charge and sense scanning with prescribed delays |
| JP4504946B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| US7514681B1 (en) * | 2006-06-13 | 2009-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electrical process monitoring using mirror-mode electron microscopy |
| US7488938B1 (en) | 2006-08-23 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Charge-control method and apparatus for electron beam imaging |
| JP5134804B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 |
| JP5054960B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2012-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線を用いた試料の観察方法 |
| DE102006053074B4 (de) * | 2006-11-10 | 2012-03-29 | Qimonda Ag | Strukturierungsverfahren unter Verwendung chemisch verstärkter Fotolacke und Belichtungsvorrichtung |
| JP5004659B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| JP4988444B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-08-01 | 株式会社日立製作所 | 検査方法および装置 |
| JP4606443B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2011-01-05 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法および基板検査装置 |
| JP2008032742A (ja) * | 2007-09-25 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
| US8283631B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-10-09 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
| FR2942070B1 (fr) * | 2009-02-11 | 2011-03-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de correction d'astigmatisme en imagerie par spectromicroscopie a emission d'electrons |
| JP5227902B2 (ja) * | 2009-06-16 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法 |
| JP5454099B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-03-26 | 株式会社リコー | 静電潜像の評価方法 |
| JP2011232265A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Honda Motor Co Ltd | 表面検査装置及び表面検査方法 |
| JP5963453B2 (ja) | 2011-03-15 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
| US8618513B2 (en) * | 2011-05-23 | 2013-12-31 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer |
| US10371632B2 (en) * | 2012-06-06 | 2019-08-06 | Sony Corporation | Data correction method in fine particle measuring device and fine particle measuring device |
| JP2016528698A (ja) * | 2013-08-15 | 2016-09-15 | スウィンバーン・ユニバーシティ・オブ・テクノロジーＳｗｉｎｂｕｒｎｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ | 装置及び方法 |
| JP5673866B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-02-18 | 株式会社リコー | 静電潜像の評価方法 |
| JP6310864B2 (ja) * | 2015-01-13 | 2018-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
| US9536697B2 (en) * | 2015-05-19 | 2017-01-03 | Hermes Microvision Inc. | System and method for calibrating charge-regulating module |
| US10056224B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-08-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for edge-of-wafer inspection and review |
| WO2017158744A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US10522320B2 (en) * | 2016-03-28 | 2019-12-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device and method for adjusting charged particle beam device |
| DE112019007206T5 (de) * | 2019-05-21 | 2022-01-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung |
| DE102019005364B3 (de) | 2019-07-31 | 2020-10-08 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | System-Kombination eines Teilchenstrahlsystem und eines lichtoptischen Systems mit kollinearer Strahlführung sowie Verwendung der System-Kombination |
| JP7189103B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2022-12-13 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| US11404240B2 (en) * | 2020-12-22 | 2022-08-02 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Inspection devices and methods of inspecting a sample |
| WO2023145015A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 株式会社日立ハイテク | 検査装置および膜質検査方法 |
| WO2024069737A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 株式会社日立ハイテク | 検査方法および荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183034A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Electron bean transfer device |
| GB8609740D0 (en) * | 1986-04-22 | 1986-05-29 | Spectros Ltd | Charged particle energy analyser |
| US4877964A (en) * | 1987-08-05 | 1989-10-31 | Kureha Chemical Industry Co., Ltd. | Ultraviolet sterilizing apparatus |
| US5118941A (en) * | 1991-04-23 | 1992-06-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus and method for locating target area for electron microanalysis |
| US6023068A (en) * | 1991-05-30 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| DE4225831A1 (de) * | 1992-08-05 | 1994-02-10 | Hoechst Ag | Nachbehandlungsgerät für bildmäßig belichtete Druckplatten |
| US5444242A (en) * | 1992-09-29 | 1995-08-22 | Physical Electronics Inc. | Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging |
| US5432345A (en) * | 1992-10-08 | 1995-07-11 | Kelly; Michael A. | Method and apparatus for control of surface potential |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP16587299A patent/JP3805565B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-08 US US09/589,065 patent/US6465781B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6465781B1 (en) | 2002-10-15 |
| JP2000357483A (ja) | 2000-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3805565B2 (ja) | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 | |
| US6909092B2 (en) | Electron beam apparatus and device manufacturing method using same | |
| US6797954B2 (en) | Patterned wafer inspection method and apparatus therefor | |
| US6373054B2 (en) | Electron beam inspection method and apparatus and semiconductor manufacturing method and its manufacturing line utilizing the same | |
| US7012252B2 (en) | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam | |
| US7329889B2 (en) | Electron beam apparatus and method with surface height calculator and a dual projection optical unit | |
| US6627884B2 (en) | Simultaneous flooding and inspection for charge control in an electron beam inspection machine | |
| US20060163480A1 (en) | Inspection method and apparatus using charged particle beam | |
| US20090194690A1 (en) | Inspection Method And Inspection System Using Charged Particle Beam | |
| US6828571B1 (en) | Apparatus and methods of controlling surface charge and focus | |
| JP2004031379A (ja) | 電子線を用いた検査方法及び検査装置 | |
| JP3906866B2 (ja) | 荷電粒子ビーム検査装置 | |
| US6512227B2 (en) | Method and apparatus for inspecting patterns of a semiconductor device with an electron beam | |
| US20060028218A1 (en) | Inspection method and apparatus for circuit pattern | |
| US6930309B1 (en) | Dual-energy electron flooding for neutralization of charged substrate | |
| JP3751841B2 (ja) | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 | |
| JP3420037B2 (ja) | 寸法測定装置及び寸法測定方法 | |
| JPH1126530A (ja) | 回路パターンの検査装置及び検査方法 | |
| JPH1140631A (ja) | パターン検査装置及び検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060317 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060317 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060510 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3805565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |