JP4095510B2 - 表面電位測定方法及び試料観察方法 - Google Patents
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Description
図2は、エネルギーフィルタ13の印加電圧を試料電圧印加部15の印加電圧と同じとし、試料8のみの電位を変化させて得られた試料像の輝度ヒストグラムを表す図である。エネルギーフィルタ13の電位を−1200Vとした。各輝度ヒストグラムに対する試料電位は、グラフ左から−1165V,−1170V,−1175V,−1180V,−1185V,−1190Vであり、試料上の帯電が+35V,+30V,+25V,+20V,+15V,+10Vに対応する。
S[V]=R[V]+A[階調]×5[V]/17[階調] …(1)
S[V]=R[V]+F(A)[V] …(2)
S[V]=R[V]+V0[V]+F(A)[V] …(3)
S[V]=R[V]+V0[V]+A[階調]×5[V]/17[階調] …(4)
まず、試料を保持する試料ステージ等の移動により測定点に視野を移動する(S11)。次に、倍率を1〜2千倍程度の低倍率に設定して試料表面を走査し、試料表面を帯電させる(S12)。そのままの倍率、あるいは必要があれば高倍率にして測定点の試料像を取得する(S13)。その後、取得画像から画素の輝度ヒストグラムを作成し(S14)、基準輝度ヒストグラムと比較してピークのシフト量を求める(S15)。輝度ヒストグラムのピーク位置が右端もしくは左端に近いかどうかをもとに輝度ヒストグラムが飽和しているかどうか判定し(S16)、飽和していなければ、算出したピークシフト量を上式(2)に当てはめて試料の表面電位を算出する(S17)。輝度ヒストグラムが飽和していれば、予め決めた電圧ステップでエネルギーフィルタの電圧を変更して輝度ヒストグラムの飽和を解消し(S18)、飽和のない輝度ヒストグラムから算出したピークシフト量を上式(3)に当てはめて試料の表面電位を算出する(S19)。このようにして、試料の測定点の表面電位が測定される。
2:引出し電極
3:一次電子線
4:二次電子
5:集束レンズ系
6:偏向器
7:対物レンズ
8:試料
9:反射板
10:ウィーンフィルタ
11:二次電子検出器
12:画像表示部
13:エネルギーフィルタ
14:フォーカス及び倍率制御部
15:試料電圧印加部
16:エネルギーフィルタ電圧印加部
17:輝度ヒストグラムのピークシフト量
24:正常なコンタクトホール
25:異常なコンタクトホール
26:コンタクトホールに照射される電子線
27:等電位線
28:等電位線
29:コンタクトホールに接続される導体の配線
30:二次電子の軌道
31:二次電子の軌道
Claims (9)
- 試料上の測定領域に荷電粒子線を走査して照射し、荷電粒子線の照射によって試料から発生した二次粒子を検出して前記測定領域の試料像を取得するステップと、
前記試料像の画素の輝度ヒストグラムを算出し、そのピーク位置を求めるステップと、
前記ピーク位置の情報に基づいて前記測定領域の表面電位を求めるステップと、
表面電位が既知の試料像に対する基準輝度ヒストグラムのピーク位置からの前記ピーク位置のシフト量を求めるステップと、
前記シフト量から前記測定領域の表面電位と前記既知の表面電位との差を求めるステップと、を備え、
前記基準輝度ヒストグラムに対応する表面電位R[V]、表面電位の変化量ΔVに対する輝度ヒストグラムのピークシフト量A[階調]の関係ΔV[V]=F(A)[V]を用い、次式によって測定領域の表面電位S[V]を求めることを特徴とする表面電位測定方法。
S[V]=R[V]+F(A)[V] - 請求項1記載の表面電位測定方法において、前記測定領域の輝度ヒストグラムを取得するときの画像取得条件と、前記基準輝度ヒストグラムを取得するときの画像取得条件を同一とすることを特徴とする表面電位測定方法。
- 請求項1又は2に記載の表面電位測定方法において、前記荷電粒子線は電子線であり、試料に負電位を印加し、試料から発生された二次粒子を当該負電位と同じ電位に設定したエネルギーフィルタを介して検出することを特徴とする表面電位測定方法。
- 試料上の測定領域に荷電粒子線を走査して照射し、荷電粒子線の照射によって試料から発生した二次粒子を検出して前記測定領域の試料像を取得するステップと、
前記試料像の画素の輝度ヒストグラムを算出し、そのピーク位置を求めるステップと、
前記ピーク位置の情報に基づいて前記測定領域の表面電位を求めるステップと、
表面電位が既知の試料像に対する基準輝度ヒストグラムのピーク位置からの前記ピーク位置のシフト量を求めるステップと、
前記シフト量から前記測定領域の表面電位と前記既知の表面電位との差を求めるステップと、を備え、
試料から発生した二次粒子を試料に対して電圧V0[V]を印加したエネルギーフィルタを介して検出し、前記基準輝度ヒストグラムに対応する表面電位R[V]、表面電位の変化量ΔVに対する輝度ヒストグラムのピークシフト量A[階調]の関係ΔV[V]=F(A)[V]を用い、次式によって測定領域の表面電位S[V]を求めることを特徴とする表面電位測定方法。
S[V]=R[V]+V0[V]+F(A)[V] - 請求項1〜4のいずれか1項記載の表面電位測定方法において、前記測定領域において、前記輝度ヒストグラム中にピークを1つだけ生じさせるように低倍率で前記荷電粒子線を照射することを特徴とする表面電位測定方法。
- 請求項1記載の表面電位測定方法において、
試料上の第1の測定領域の試料像から取得した第1の輝度ヒストグラムのピーク位置を求めるステップと、
試料上の前記第1の測定領域と異なる第2の測定領域の試料像から取得した第2の輝度ヒストグラムのピーク位置を求めるステップと、
前記2つのピーク位置のシフト量から前記第1及び第2の測定領域の表面電位の差を求めることを特徴とする表面電位測定方法。 - 試料上の測定領域に走査電子顕微鏡の視野を移動するステップと、
前記測定領域の表面電位を求めるステップと、
走査電子顕微鏡の倍率を高倍率にし、前記測定領域内で測長すべき部分である測長部分の走査電子顕微鏡像を取得するステップと、
取得した高倍率の走査電子顕微鏡像に基づいて前記測長部分を測長するステップとを含み、
前記測定領域の表面電位は、請求項1〜6のいずれか1項記載の表面電位測定方法によって求め、走査電子顕微鏡の倍率を高倍率にする際に、前記求めた表面電位の情報を用いて倍率及びフォーカス条件を修正することを特徴とする試料観察方法。 - 電気回路要素を含む半導体試料に電子線を照射し、電子線照射によって試料から発生した二次電子を二次電子検出器で検出して試料像を取得するステップと、
前記観察領域内の所定領域の表面電位を求めるステップと、
試料と前記二次電子検出器の間に配置されたエネルギーフィルタの電圧として前記求められた表面電位を設定するステップとを含み、
前記表面電位を、請求項1〜6のいずれか1項記載の表面電位測定方法によって求めることを特徴とする試料観察方法。 - 試料上の測定領域に荷電粒子線を走査して照射し、荷電粒子線の照射によって試料から発生した二次粒子を検出して前記測定領域の試料像を取得する試料像生成部と、
前記試料像に対して画像処理を実行する画像処理部と、を備え、
前記画像処理部は、前記試料像の画素の輝度ヒストグラムを算出してそのピーク位置を求め、前記ピーク位置の情報に基づいて前記測定領域の表面電位を求め、表面電位が既知の試料像に対する基準輝度ヒストグラムのピーク位置からの前記ピーク位置のシフト量を求め、前記シフト量から前記測定領域の表面電位と前記既知の表面電位との差を求め、前記基準輝度ヒストグラムに対応する表面電位R[V]、表面電位の変化量ΔVに対する輝度ヒストグラムのピークシフト量A[階調]の関係ΔV[V]=F(A)[V]を用い、次式によって測定領域の表面電位S[V]を求めることを特徴とする荷電粒子装置。
S[V]=R[V]+F(A)[V]
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