JP2003087149A - 高周波複合スイッチモジュール - Google Patents

高周波複合スイッチモジュール

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JP2003087149A
JP2003087149A JP2001279932A JP2001279932A JP2003087149A JP 2003087149 A JP2003087149 A JP 2003087149A JP 2001279932 A JP2001279932 A JP 2001279932A JP 2001279932 A JP2001279932 A JP 2001279932A JP 2003087149 A JP2003087149 A JP 2003087149A
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composite switch
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Hiroshi Kushitani
洋 櫛谷
Hiroki Satou
祐己 佐藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
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    • H04B1/50Circuits using different frequencies for the two directions of communication
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  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スイッチ回路と送信側の低域通過フィルタと
受信側の帯域通過フィルタと電力増幅器を一体化した高
周波複合スイッチモジュールを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 増幅手段104およびインピーダンス変
換回路105を同一のICチップ内に形成するととも
に、少なくとも整合回路106、電源供給手段107お
よび移相回路108を電極パターンと誘電体層とからな
る積層体内に構成し、前記積層体上に少なくとも前記I
CチップおよびSAWフィルタを搭載して構成したもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話などの移
動体通信機器に用いられる高周波複合スイッチモジュー
ルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図12に示すように、従来における携帯
電話などの二つの異なる通信システムの送受信系の信号
を扱う移動体通信機器に用いられる高周波複合スイッチ
モジュールは積層した複数の誘電体層1201上に内層
電極1202によりスイッチ回路と送信側の低域通過フ
ィルタを形成して構成し、PINダイオード1203と
受信側の帯域通過フィルタとしての弾性表面波フィルタ
1204とチップ部品1205を積層体表面に実装して
構成したモジュールであった。
【0003】しかしながら、移動体通信機器の無線周波
数部分を構成するためには他に電力増幅器などのデバイ
スが必要であるため、従来の高周波複合スイッチモジュ
ールと電力増幅器を組み合わせた回路では小型化および
回路の高周波的な損失の低減が困難であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】二つの異なる通信シス
テムの送受信系の信号を扱う移動体通信機器において、
従来の高周波スイッチモジュールを使用する場合、無線
周波数部分の回路を構成するためには前記高周波複合ス
イッチモジュールの他に電力増幅器が必要となるので回
路規模が大きくなりかつ部品点数が多くなる、また基板
上の配線などによる損失が大きく増幅器の出力がアンテ
ナ端で劣化して総合効率が低下するという課題を有して
いた。
【0005】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、スイッチ回路と送信側の低域通過フィルタと受信
側の帯域通過フィルタと電力増幅器を一体化した高周波
複合スイッチモジュールを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】アンテナ端子にその一端
が接続され他端が送受信の共通端子に接続されるととも
に、前記共通端子を介して送受信信号の切替が行われる
高周波複合スイッチモジュールであって、前記共通端子
の送信側に整合回路とインピーダンス変換回路と直流遮
断コンデンサとからなり受信時に受信帯域のインピーダ
ンスを変換するための送信側インピーダンス変換手段
と、送信信号を所定値まで増幅するための増幅手段と、
前記増幅手段に電源を供給するための電源供給手段とを
有し、前記共通端子の受信側に移相線路と弾性表面波フ
ィルタとからなり送信時に送信帯域のインピーダンスを
変換するための受信側インピーダンス変換手段を有し、
前記増幅手段および前記送信側インピーダンス変換手段
の前記インピーダンス変換回路を同一のICチップ内に
形成するとともに、少なくとも前記整合回路、前記電源
供給手段および前記移相線路を電極パターンと誘電体層
とからなる積層体内に形成し、前記積層体上に少なくと
も前記ICチップおよび前記弾性表面波フイルタを搭載
して構成したものである。
【0007】上記構成によればスイッチ回路と送信側の
低域通過フィルタと受信側の帯域通過フィルタと電力増
幅器からなる回路を高周波複合スイッチモジュールとし
て一体化でき、小型低価格化をすることができる。また
信号経路の低損失化を向上することができるのでアンテ
ナから出力する電力の総合効率を向上することができ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、アンテナ端子にその一端が接続され他端が送受信の
共通端子に接続されるとともに、前記共通端子を介して
送受信信号の切替が行われる高周波複合スイッチモジュ
ールであって、前記共通端子の送信側に整合回路とイン
ピーダンス変換回路とからなる受信時に受信帯域のイン
ピーダンスを変換するための送信側インピーダンス変換
手段と、送信信号を所定値まで増幅するための増幅手段
と、前記増幅手段に電源を供給するための電源供給手段
とを有し、前記共通端子の受信側に移相線路と弾性表面
波フィルタとからなる送信時に送信帯域のインピーダン
スを変換するための受信側インピーダンス変換手段を有
し、前記増幅手段および前記送信側インピーダンス変換
手段の前記インピーダンス変換回路を同一のICチップ
内に形成するとともに、少なくとも前記整合回路、前記
電源供給手段および前記移相線路を電極パターンと誘電
体層とからなる積層体内に構成し、前記積層体上に少な
くとも前記ICチップおよび前記弾性表面波フィルタを
搭載したことを特徴とする高周波複合スイッチモジュー
ルであり、無線周波数回路の部品点数を削減し、また基
板上の配線などによる損失を低減して出力の総合効率を
向上する作用を有する。
【0009】本発明の請求項2に記載の発明は、インピ
ーダンス変換回路のインピーダンスを変換させるための
電源が増幅手段に供給される電源と共通であることを特
徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール
であり、無線周波数回路を動作させる制御機構を削減で
きる作用を有する。
【0010】本発明の請求項3に記載の発明は、送信側
のインピーダンス変換回路が電界効果トランジスタであ
ることを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチ
モジュールであり、増幅手段と同一のICチップ内に形
成しやすい作用を有する。
【0011】本発明の請求項4に記載の発明は、送信側
のインピーダンス変換回路がガリウム砒素スイッチであ
ることを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチ
モジュールであり、インピーダンス変換回路が増幅手段
と同一のICチップ内に形成しやすい作用を有する。
【0012】本発明の請求項5に記載の発明は、送信側
のインピーダンス変換回路がPINダイオードであるこ
とを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジ
ュールであり、インピーダンス変換回路が増幅手段と同
一のICチップ内に形成しやすい作用を有する。
【0013】本発明の請求項6に記載の発明は、送信側
のインピーダンス変換回路がバラクタダイオードである
ことを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモ
ジュールであり、インピーダンス変換回路が増幅手段と
同一のICチップ内に形成しやすい作用を有する。
【0014】本発明の請求項7に記載の発明は、整合回
路と共通端子の間に方向性結合器を挿入したことを特徴
とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュールで
あり、出力の様子を検波できる高周波複合スイッチモジ
ュールを実現する作用を有する。
【0015】本発明の請求項8に記載の発明は、方向性
結合器が積層体内に形成された電極パターンで構成され
たことを特徴とする請求項7記載の高周波複合スイッチ
モジュールであり、方向性結合器付きの高周波複合スイ
ッチモジュールの大きさを小型化できる作用を有する。
【0016】本発明の請求項9に記載の発明は、方向性
結合器が整合回路を構成する直列インダクタとして作用
する電極パターンと電磁界結合する電極パターンで構成
されたことを特徴とする請求項7記載の高周波複合スイ
ッチモジュールであり、方向性結合器付きの高周波複合
スイッチモジュールの大きさを小型化でき、かつ電極パ
ターンの設計自由度を向上させる作用を有する。
【0017】本発明の請求項10に記載の発明は、送信
側インピーダンス変換手段の整合回路とインピーダンス
変換回路の間に直流遮断コンデンサを挿入したことを特
徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール
であり、インピーダンス変換回路を動作させる制御直流
が他の素子で消費されない作用を有する。
【0018】本発明の請求項11に記載の発明は、増幅
手段の非動作時においてインピーダンス変換回路と共通
端子との間の回路が受信帯域周波数の2分の1波長の整
数倍だけ位相を変換させる回路であることを特徴とする
請求項1記載の高周波複合スイッチモジュールであり、
インピーダンス変換回路におけるインピーダンスを共通
端子から送信側をみたインピーダンスと同じにする作用
を有する。
【0019】本発明の請求項12に記載の発明は、移相
線路が直列インダクタおよび並列コンデンサとして作用
する電極パターンで構成されたことを特徴とする請求項
1記載の高周波複合スイッチモジュールであり、移相線
路を小型に形成する作用を有する。
【0020】本発明の請求項13に記載の発明は、弾性
表面波フイルタの送信帯域における入力インピーダンス
の反射係数の大きさが0.8以上であることを特徴とす
る請求項1記載の高周波複合スイッチモジュールであ
り、送信帯域において共通端子から受信側をみたインピ
ーダンスを充分大きくできる作用を有する。
【0021】本発明の請求項14に記載の発明は、整合
回路を構成する並列コンデンサの少なくとも一つをバリ
スタとしたことを特徴とする請求項1記載の高周波複合
スイッチモジュールであり、雷などによる高電圧および
大電流から高周波複合スイッチモジュールを保護する作
用を有する。
【0022】本発明の請求項15に記載の発明は、少な
くとも積層体のICチップを実装している部分の直下に
サーマルビアホールを形成したことを特徴とする請求項
1記載の高周波複合スイッチモジュールであり、増幅手
段から発生する熱を効率良く放熱できる作用を有する。
【0023】本発明の請求項16に記載の発明は、IC
チップおよび弾性表面波フィルタを覆うようにシールド
ケースを実装し、前記ICチップと前記シールドケース
を導電性樹脂で接合したことを特徴とする請求項1記載
の高周波複合スイッチモジュールであり、増幅手段から
発生する熱を効率良く放熱できる作用を有する。
【0024】本発明の請求項17に記載の発明は、積層
体と弾性表面波フィルタの間にSiO2層を設けたこと
を特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュ
ールであり、増幅手段から発生する熱を弾性表面波フィ
ルタに伝えにくくして弾性表面波フィルタの温度特性を
向上させる作用を有する。
【0025】本発明の請求項18に記載の発明は、積層
体の下面に凹部を設けてICチップを実装し、前記IC
チップと導電性樹脂で接合した金属板で前記積層体の凹
部を覆うとともに、前記積層体の上面に弾性表面波フィ
ルタを搭載したことを特徴とする請求項1記載の高周波
複合スイッチモジュールであり、増幅手段から発生する
熱を効率良く放熱できる作用を有する。
【0026】本発明の請求項19に記載の発明は、積層
体に中空層を設けたことを特徴とする請求項18記載の
高周波複合スイッチモジュールであり、増幅手段から発
生する熱を弾性表面波フィルタに伝えにくくして弾性表
面波フィルタの温度特性を向上させる作用を有する。
【0027】本発明の請求項20に記載の発明は、中空
層に樹脂を充填したことを特徴とする請求項19記載の
高周波複合スイッチモジュールであり、増幅手段から発
生する熱を弾性表面波フィルタに伝えにくくして弾性表
面波フィルタの温度特性を向上させる作用を有する。
【0028】本発明の請求項21に記載の発明は、積層
体上面のICチップと弾性表面波フィルタの間に溝を設
けたことを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッ
チモジュールであり、増幅手段から発生する熱を弾性表
面波フィルタに伝えにくくして弾性表面波フィルタの温
度特性を向上させる作用を有する。
【0029】本発明の請求項22に記載の発明は、2つ
の異なる通信システムに対応可能な高周波複合スイッチ
モジュールであって、2つの通信システムでそれぞれ用
いられる第1の通信帯域と第2の通信帯域を分離するた
めの分波回路と、前記第1および第2の通信帯域に対応
するそれぞれの送信側に、第1および第2の整合回路と
第1および第2のインピーダンス変換回路とからなり受
信時にそれぞれの受信帯域のインピーダンスを変換する
ための第1および第2の送信側インピーダンス変換手段
と、第1および第2の送信信号を所定値まで増幅するた
めの第1および第2の増幅手段と、前記第1および第2
の増幅手段に電源を供給するための第1および第2の電
源供給手段とを有し、前記第1および第2の通信帯域に
対応するそれぞれの受信側に、第1および第2の移相線
路と第1および第2の弾性表面波フィルタとからなり送
信時にそれぞれの送信帯域のインピーダンスを変換する
ための第1および第2の受信側インピーダンス変換手段
を有し、前記第1および第2の増幅手段および前記第1
および第2の送信側インピーダンス変換手段の前記第1
および第2のインピーダンス変換回路をそれぞれ第1お
よび第2のICチップ内に形成するとともに、少なくと
も前記第1および第2の整合回路、前記第1および第2
の電源供給手段および前記第1および第2の移相線路を
電極パターンと誘電体層とからなる積層体内に同一に形
成し、前記積層体上に少なくとも前記第1および第2の
ICチップおよび前記第1および第2の弾性表面波フィ
ルタを搭載したことを特徴とする高周波複合スイッチモ
ジュールであり、二つの異なる通信システムに対応可能
な無線周波数回路の部品点数を削減し、また基板上の配
線などによる損失を低減して出力の総合効率を向上する
作用を有する。
【0030】本発明の請求項23に記載の発明は、第1
の帯域で動作する高周波複合スイッチモジュールのIC
チップと第2の帯域で動作する高周波複合スイッチモジ
ュールのICチップを一つのICチップで構成したこと
を特徴とする請求項22記載の高周波複合スイッチモジ
ュールであり、二つの帯域で動作する高周波複合スイッ
チモジュールを小型化できる作用を有する。
【0031】本発明の請求項24に記載の発明は、第1
の帯域で動作する高周波複合スイッチモジュールの弾性
表面波フィルタと第2の帯域で動作する高周波複合スイ
ッチモジュールの弾性表面波フィルタを一つの弾性表面
波フィルタで構成したことを特徴とする請求項22記載
の高周波複合スイッチモジュールであり、二つの帯域で
動作する高周波複合スイッチモジュールを小型化できる
作用を有する。
【0032】本発明の請求項25に記載の発明は、分波
回路を構成する並列コンデンサの少なくとも一つをバリ
スタとしたことを特徴とする請求項22記載の高周波複
合スイッチモジュールであり、雷などによる高電圧およ
び大電流から高周波複合スイッチモジュールを保護する
作用を有する。
【0033】本発明の請求項26に記載の発明は、請求
項1ないし25に記載の高周波複合スイッチモジュール
を用いたことを特徴とする移動体通信機器であり、移動
体通信機器を小型化し、かつ高性能化する作用を有す
る。
【0034】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図11を用いて説明する。
【0035】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1における高周波複合スイッチモジュールのブロック
図である。図1において、高周波スイッチモジュールは
アンテナ端子101と送信端子102の間に増幅手段1
04とインピーダンス変換回路105と整合回路106
を接続し、増幅手段104とインピーダンス変換回路1
05の間に電源供給手段107を接続し、アンテナ端子
101と受信端子103の間に移相回路108と弾性表
面波フィルタ109(以下、SAWフィルタ)を接続
し、増幅手段104とインピーダンス変換回路105は
一つのICチップ110でまとめられた回路で構成され
ている。
【0036】また図2は本実施の形態1における高周波
複合スイッチモジュールの分解斜視図である。図2にお
いて、高周波複合スイッチモジュールは複数個からなる
誘電体層201の間に内層電極202により整合回路、
電源供給手段および移相線路を形成し、最上層の上面に
増幅手段および送信側インピーダンス変換手段のインピ
ーダンス変換回路を内装したICチップ203とSAW
フィルタ204を実装した構造を有している。
【0037】以上のように構成された高周波複合スイッ
チモジュールについて、以下その動作を説明する。
【0038】送信時において電源供給手段107からバ
イアス電流が流れて増幅手段104が動作し、送信端子
102から入力した送信信号は増幅手段104で増幅さ
れて出力し、インピーダンス変換回路105でインピー
ダンスを変換せずに整合回路106で整合が取られる。
同時に移相回路108はSAWフィルタ109の送信帯
域におけるインピーダンスを最も高くするようにその定
数が設定されていてアンテナ端子101から受信端子1
03側をみたインピーダンスは充分大きい。従って、送
信信号は受信端子103側にはほとんど流れず、その大
部分がアンテナ端子101から出力される。
【0039】受信時においてアンテナ端子101で受信
された受信信号は移相回路108を通り、SAWフィル
タ109により受信帯域の信号のみが通過して受信端子
103に出力される。同時にインピーダンス変換回路1
05は受信帯域のインピーダンスを高くするように設定
されているのでアンテナ端子101から送信端子102
側をみたインピーダンスは充分大きい。従って受信信号
は送信端子102側にはほとんど流れず、その大部分が
受信端子103に出力される。
【0040】以上のように本実施の形態の高周波複合ス
イッチモジュールは増幅手段104とインピーダンス変
換回路105が一つのICチップ203で構成され、か
つスイッチング素子が不要な送受信スイッチ回路として
動作するので、スイッチ回路と受信側の帯域通過フィル
タと電力増幅器からなる回路を一体化でき、小型低価格
化をすることができる。また信号経路の低損失化を向上
することができるのでアンテナから出力する電力の総合
効率を向上することができる。
【0041】なお、インピーダンス変換回路105のイ
ンピーダンスを変換させるための電源が増幅手段に供給
される電源と共通としてもよい。この場合は本高周波複
合スイッチモジュールを用いた移動体通信機器の電源用
論理回路の数が一つ減ることになり、回路を小型化でき
る効果がある。
【0042】なお、送信側のインピーダンス変換回路1
05は電界効果トランジスタで構成してもよく、ガリウ
ム砒素スイッチで構成してもよく、PINダイオードで
構成してもよく、バラクタダイオードで構成してもよ
い。これらのインピーダンス変換素子はすべて容易に増
幅手段と一つのICチップにすることができ、その製造
コストは増幅手段のみの場合と変わらない。
【0043】なお、本実施の形態の整合回路106とア
ンテナ端子101は直接接続されているが、これは図3
に示すように間に方向性結合器311を挿入してもよ
い。この場合は出力の様子を検波するためのモニター端
子を設けることになり、高周波複合スイッチモジュール
を高機能化できる効果がある。
【0044】なお、前記方向性結合器311は積層体内
に形成された電極パターンで構成してもよい。この場合
は形状を大きくすることなく方向性結合器付きの高周波
複合スイッチモジュールを構成できる効果がある。
【0045】なお、前記方向性結合器311は整合回路
を構成する直列インダクタとして作用する電極パターン
と電磁界結合する電極パターンで構成してもよい。この
場合は整合回路と方向性結合器を一体化できるので高機
能な高周波複合スイッチモジュールを小型化でき、かつ
電極パターンの設計自由度を向上させる効果がある。
【0046】なお、本実施の形態のインピーダンス変換
回路105と整合回路106は直接接続されているが、
これは図4に示すように両者の間に直流遮断コンデンサ
412を挿入した回路で構成してもよい。この場合は増
幅手段104とインピーダンス変換回路105を動作さ
せる制御直流が他の素子で消費されない効果がある。
【0047】なお増幅手段104の非動作時においては
インピーダンス変換回路105と共通端子との間の回路
は受信帯域周波数の2分の1波長の整数倍だけ位相を変
換させる回路で構成してもよい。この場合はインピーダ
ンス変換回路105におけるインピーダンスを共通端子
から送信側をみたインピーダンスと同じにする効果があ
る。
【0048】なお、本実施の形態の移相回路108は直
列インダクタおよび並列コンデンサとして作用する電極
パターンで構成してもよい。この場合は移相回路108
を小型に形成できる効果がある。
【0049】なお、本実施の形態のSAWフィルタ10
9は送信帯域における入力インピーダンスの反射係数の
大きさが0.8以上であることが好ましい。この場合は
送信帯域において共通端子から受信側をみたインピーダ
ンスを充分大きくできる効果がある。
【0050】なお、本実施の形態の整合回路106はそ
れを構成する並列コンデンサの少なくとも一つをバリス
タとすることが好ましい。この場合は雷などによる高電
圧および大電流から高周波複合スイッチモジュールを保
護する効果がある。
【0051】なお、本実施の形態のICチップ110は
誘電体層の最上層の上面に実装されているが、これは図
5に示すようにICチップ515を実装している部分の
直下にサーマルビアホール517を形成した誘電体とし
てもよい。この場合は増幅手段から発生する熱を効率良
く放熱できる効果がある。
【0052】なお、本実施の形態は複数の誘電体層51
3からなる積層体にICチップ515およびSAWフィ
ルタ516を実装して構成されているが、これは図6に
示すようにICチップ515およびSAWフィルタ51
6を覆うようにシールドケース618を実装しかつIC
チップ515と前記シールドケース618を導電性樹脂
619で接合した構造としてもよい。この場合も増幅手
段から発生する熱を効率良く放熱できる効果がある。な
お、514は内層電極である。
【0053】なお、本実施の形態のICチップ515お
よびSAWフィルタ516は積層体に直接実装されてい
るが、これは図7に示すように積層体とSAWフィルタ
516の間にSiO2層720を設けた構造としてもよ
い。この場合は増幅手段から発生する熱をSAWフィル
タ516に伝えにくくしてSAWフィルタ516の温度
特性を向上させる効果がある。
【0054】なお、本実施の形態の高周波複合スイッチ
モジュールは積層体の上面にICチップ515およびS
AWフィルタ516を実装しているが、これは図8に示
すように誘電体層821からなる積層体の下面に凹部を
設けてICチップ822を実装し、ICチップ822と
導電性樹脂823で接合した金属板824で前記積層体
の凹部を覆うとともに、積層体の上面にSAWフィルタ
516を搭載した構造としてもよい。この場合も増幅手
段から発生する熱を効率良く放熱できる効果がある。
【0055】なお、本実施の形態の高周波複合スイッチ
モジュールを構成する積層体は連続して積層されている
が、これは図9に示すように積層体に中空層925を設
けた構造としてもよい。この場合も増幅手段から発生す
る熱をSAWフィルタ516に伝えにくくしてSAWフ
ィルタ516の温度特性を向上させる効果がある。
【0056】なお、上記中空層925は樹脂を充填した
構造としてもよい。この場合は増幅手段から発生する熱
をSAWフィルタ516に伝えにくくしてSAWフィル
タ516の温度特性をより向上させる効果がある。
【0057】なお、本実施の形態の高周波複合スイッチ
モジュールを構成する積層体の最上層は平滑であるが、
これは図10に示すように誘電体層1026からなる積
層体上面のICチップ515とSAWフィルタ516の
間に溝1027を設けた構造としてもよい。この場合も
増幅手段から発生する熱をSAWフィルタ516に伝え
にくくしてSAWフィルタ516の温度特性を向上させ
る効果がある。
【0058】なお、本実施の形態の積層体の種類および
その作製方法、内部で構成するスイッチ回路の構造およ
び形成方法にはさまざまなものがあり、本発明はこれら
の細部に限定されるものでない。
【0059】なお、本実施の形態の電源供給手段を構成
する回路、および電源供給方法にはさまざまなものがあ
り、本発明はこれらの細部に限定されるものでない。
【0060】なお、移動体通信機器において本実施の形
態の高周波複合スイッチモジュールを用いることにより
通信機器を構成する部品を小型化でき、結果として移動
体通信機器の小型化かつ高性能化できる。
【0061】(実施の形態2)図11は本発明の実施の
形態2における高周波複合スイッチモジュールのブロッ
ク図である。図11において、高周波スイッチモジュー
ルは共通端子1102と第1の端子1103と第2の端
子1104をもつ分波回路1105の共通端子1102
にアンテナ端子1101を接続し、第1の端子1103
と第1の送信端子1106の間に第1の増幅手段110
8と第1のインピーダンス変換回路1109と第1の整
合回路1110を接続し、第1の増幅手段1108と第
1のインピーダンス変換回路1109の間に第1の電源
供給手段1111を接続し、第1の端子1103と第1
の受信端子1107の間に第1の移相回路1112と第
1のSAWフィルタ1113を接続し、第1の増幅手段
1108と第1のインピーダンス変換回路1109は第
1のICチップ1114でまとめられている。また、第
2の端子1104と第2の送信端子1115の間に第2
の増幅手段1117と第2のインピーダンス変換回路1
118と第2の整合回路1119を接続し、第2の増幅
手段1117と第2のインピーダンス変換回路1118
の間に第2の電源供給手段1120を接続し、第2の端
子1104と第2の受信端子1116の間に第2の移相
回路1121と第2のSAWフィルタ1122を接続
し、第2の増幅手段1117と第2のインピーダンス変
換回路1118は第2のICチップ1123でまとめら
れた回路で構成されている。
【0062】以上のように構成された高周波複合スイッ
チモジュールについて、以下その動作を説明する。
【0063】分波回路1105は相手方の通過帯域にお
けるインピーダンスが充分大きい二つのフィルタから構
成されているので、第1の通信帯域の信号はその大部分
がアンテナ端子1101と第1の端子1103の間を通
過して第2の端子1104側にはほとんど流れず、また
第2の通信帯域の信号はその大部分がアンテナ端子11
01と第2の端子1104の間を通過して第1の端子1
103側にはほとんど流れない。
【0064】第1の通信帯域に含まれる第1の送信時に
おいて第1の電源供給手段1111からバイアス電流が
流れて第1の増幅手段1108が動作し、第1の送信端
子1106から入力した第1の送信信号は第1の増幅手
段1108で増幅されて出力し、第1のインピーダンス
変換回路1109でインピーダンスを変換せずに第1の
整合回路1110で整合が取られる。同時に第1の移相
回路1112は第1のSAWフィルタ1113の第1の
送信帯域におけるインピーダンスを最も高くするように
その定数が設定されていて第1の端子1103から第1
の受信端子1107側をみたインピーダンスは充分大き
い。従って、第1の送信信号は第1の受信端子1107
側にはほとんど流れず、その大部分が第1の端子110
3から分波回路1105を経由してアンテナ端子110
1から出力される。
【0065】第1の通信帯域に含まれる第1の受信時に
おいてアンテナ端子1101で受信された第1の通信帯
域における第1の受信信号は分波回路1105を経由し
て第1の移相回路1112を通り、第1のSAWフィル
タ1113により第1の受信帯域の信号のみが通過して
第1の受信端子1107に出力される。同時に第1のイ
ンピーダンス変換回路1109は第1の受信帯域のイン
ピーダンスを高くするように設定されているので第1の
端子1103から第1の送信端子1106側をみたイン
ピーダンスは充分大きい。従って第1の受信信号は第1
の送信端子1106側にはほとんど流れず、その大部分
が第1の受信端子1107に出力される。
【0066】第2の通信帯域に含まれる第2の送信時に
おいて第2の電源供給手段1120からバイアス電流が
流れて第2の増幅手段1117が動作し、第2の送信端
子1115から入力した第2の送信信号は第2の増幅手
段1117で増幅されて出力し、第2のインピーダンス
変換回路1118でインピーダンスを変換せずに第2の
整合回路1119で整合が取られる。同時に第2の移相
回路1121は第2のSAWフィルタ1122の第2の
送信帯域におけるインピーダンスを最も高くするように
その定数が設定されていて第2の端子1104から第2
の受信端子1116側をみたインピーダンスは充分大き
い。従って、第2の送信信号は第2の受信端子1116
側にはほとんど流れず、その大部分が第2の端子110
4から分波回路1105を経由してアンテナ端子110
1から出力される。
【0067】第2の通信帯域に含まれる第2の受信時に
おいてアンテナ端子1101で受信された第2の通信帯
域における第2の受信信号は分波回路1105を経由し
て第2の移相回路1121を通り、第2のSAWフィル
タ1122により第2の受信帯域の信号のみが通過して
第2の受信端子1116に出力される。同時に第2のイ
ンピーダンス変換回路1118は第2の受信帯域のイン
ピーダンスを高くするように設定されているので第2の
端子1104から第2の送信端子1115側をみたイン
ピーダンスは充分大きい。従って第2の受信信号は第2
の送信端子1115側にはほとんど流れず、その大部分
が第2の受信端子1116に出力される。
【0068】以上のように本実施の形態の高周波複合ス
イッチモジュールは第1の増幅手段1108と第1のイ
ンピーダンス変換回路1109が第1のICチップ11
14でまとめられると同時に第2の増幅手段1117と
第2のインピーダンス変換回路1118が第2のICチ
ップ1123でまとめられ、また二つの異なる通信シス
テムに対応可能であり、かつスイッチング素子が不要な
送受信スイッチ回路として動作するので、二つのスイッ
チ回路と二つの受信側帯域通過フィルタと二つの電力増
幅器からなる回路を小型低価格化することができる。ま
た二つの異なる通信帯域において信号経路の低損失化を
向上することができるのでアンテナから出力する電力の
総合効率を向上することができる。
【0069】なお、本実施の形態の高周波複合スイッチ
モジュールは実施の形態1で説明したように複数の誘電
体層の間に内層電極により第1の整合回路1110およ
び第2の整合回路1119、第1の電源供給手段111
1および第2の電源供給手段1120、第1の移相回路
1112および第2の移相回路1121を形成し、最上
層の上面に第1のICチップ1114および第2のIC
チップ1123、第1のSAWフィルタ1113および
第2のSAWフィルタ1122を実装した構造で構成し
てもよい。この場合は高周波複合スイッチモジュールを
小型化できる効果がある。
【0070】なお、本実施の形態のICチップは第1の
通信帯域および第2の通信帯域のそれぞれで動作する個
別品であるが、これは二つのICチップを一つのICチ
ップで構成して回路を構成してもよい。この場合は二つ
の異なる通信帯域で動作する高周波複合スイッチモジュ
ールを小型化できる効果がある。
【0071】なお、本実施の形態のSAWフィルタは第
1の通信帯域および第2の通信帯域のそれぞれで作用す
る個別品であるが、これは二つのSAWフィルタを一つ
のSAWフィルタで構成して回路を構成してもよい。こ
の場合も二つの帯域で動作する高周波複合スイッチモジ
ュールを小型化できる作用を有する。
【0072】なお、本実施の形態の分波回路1105は
直列インダクタと並列コンデンサが含まれているが、こ
れは並列コンデンサの少なくとも一つをバリスタを用い
て回路を構成してもよい。この場合は雷などによる高電
圧および大電流から高周波複合スイッチモジュールを保
護する効果がある。
【0073】なお、本実施の形態の積層体の種類および
その作製方法、内部で構成する二つのスイッチ回路の構
造および形成方法にはさまざまなものがあり、本発明は
これらの細部に限定されるものでない。
【0074】なお、本実施の形態の二つの電源供給手段
を構成する回路、および二つの電源供給方法にはさまざ
まなものがあり、本発明はこれらの細部に限定されるも
のでない。
【0075】なお、移動体通信機器において本実施の形
態の高周波複合スイッチモジュールを用いることにより
通信機器を構成する部品を小型化でき、結果として移動
体通信機器の小型化かつ高性能化できる。
【0076】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、無線周波
数回路の部品点数を削減し、また基板上の配線などによ
る損失を低減して出力の総合効率を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールのブロック図
【図2】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの分解斜視図
【図3】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示すブロック図
【図4】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示すブロック図
【図5】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図6】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図7】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図8】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図9】本発明の実施の形態1における高周波複合スイ
ッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図10】本発明の実施の形態1における高周波複合ス
イッチモジュールの別の構成例を示す断面図
【図11】本発明の実施の形態2における高周波複合ス
イッチモジュールのブロック図
【図12】従来例における高周波複合スイッチモジュー
ルの分解斜視図
【符号の説明】
101 アンテナ端子 102 送信端子 103 受信端子 104 増幅手段 105 インピーダンス変換回路 106 整合回路 107 電源供給手段 108 移相回路 109 SAWフィルタ 110 ICチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5K011 AA15 AA16 BA03 DA12 DA21 DA23 DA27 EA06 JA01 KA02 KA18

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アンテナ端子にその一端が接続され他端
    が送受信の共通端子に接続されるとともに、前記共通端
    子を介して送受信信号の切替が行われる高周波複合スイ
    ッチモジュールであって、前記共通端子の送信側に整合
    回路とインピーダンス変換回路とからなる受信時に受信
    帯域のインピーダンスを変換するための送信側インピー
    ダンス変換手段と、送信信号を所定値まで増幅するため
    の増幅手段と、前記増幅手段に電源を供給するための電
    源供給手段とを有し、前記共通端子の受信側に移相線路
    と弾性表面波フィルタとからなる送信時に送信帯域のイ
    ンピーダンスを変換するための受信側インピーダンス変
    換手段を有し、前記増幅手段および前記送信側インピー
    ダンス変換手段の前記インピーダンス変換回路を同一の
    ICチップ内に形成するとともに、少なくとも前記整合
    回路、前記電源供給手段および前記移相線路を電極パタ
    ーンと誘電体層とからなる積層体内に構成し、前記積層
    体上に少なくとも前記ICチップおよび前記弾性表面波
    フィルタを搭載したことを特徴とする高周波複合スイッ
    チモジュール。
  2. 【請求項2】 インピーダンス変換回路のインピーダン
    スを変換させるための電源が増幅手段に供給される電源
    と共通であることを特徴とする請求項1記載の高周波複
    合スイッチモジュール。
  3. 【請求項3】 送信側のインピーダンス変換回路が電界
    効果トランジスタであることを特徴とする請求項1記載
    の高周波複合スイッチモジュール。
  4. 【請求項4】 送信側のインピーダンス変換回路がガリ
    ウム砒素スイッチであることを特徴とする請求項1記載
    の高周波複合スイッチモジュール。
  5. 【請求項5】 送信側のインピーダンス変換回路がPI
    Nダイオードであることを特徴とする請求項1記載の高
    周波複合スイッチモジュール。
  6. 【請求項6】 送信側のインピーダンス変換回路がバラ
    クタダイオードであることを特徴とする請求項1記載の
    高周波複合スイッチモジュール。
  7. 【請求項7】 整合回路と共通端子の間に方向性結合器
    を挿入したことを特徴とする請求項1記載の高周波複合
    スイッチモジュール。
  8. 【請求項8】 方向性結合器が積層体内に形成された電
    極パターンで構成されたことを特徴とする請求項7記載
    の高周波複合スイッチモジュール。
  9. 【請求項9】 方向性結合器が整合回路を構成する直列
    インダクタとして作用する電極パターンと電磁界結合す
    る電極パターンで構成されたことを特徴とする請求項7
    記載の高周波複合スイッチモジュール。
  10. 【請求項10】 送信側インピーダンス変換手段の整合
    回路とインピーダンス変換回路の間に直流遮断コンデン
    サを挿入したことを特徴とする請求項1記載の高周波複
    合スイッチモジュール。
  11. 【請求項11】 増幅手段の非動作時においてインピー
    ダンス変換回路と共通端子との間の回路が受信帯域周波
    数の2分の1波長の整数倍だけ位相を変換させる回路で
    あることを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッ
    チモジュール。
  12. 【請求項12】 移相線路が直列インダクタおよび並列
    コンデンサとして作用する電極パターンで構成されたこ
    とを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジ
    ュール。
  13. 【請求項13】 弾性表面波フィルタの送信帯域におけ
    る入力インピーダンスの反射係数の大きさが0.8以上
    であることを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイ
    ッチモジュール。
  14. 【請求項14】 整合回路を構成する並列コンデンサの
    少なくとも一つをバリスタとしたことを特徴とする請求
    項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  15. 【請求項15】 少なくとも積層体のICチップを実装
    している部分の直下にサーマルビアホールを形成したこ
    とを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジ
    ュール。
  16. 【請求項16】 ICチップおよび弾性表面波フィルタ
    を覆うようにシールドケースを実装し、前記ICチップ
    と前記シールドケースを導電性樹脂で接合したことを特
    徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュー
    ル。
  17. 【請求項17】 積層体と弾性表面波フィルタの間にS
    iO2層を設けたことを特徴とする請求項1記載の高周
    波複合スイッチモジュール。
  18. 【請求項18】 積層体の下面に凹部を設けてICチッ
    プを実装し、前記ICチップと導電性樹脂で接合した金
    属板で前記積層体の凹部を覆うとともに、前記積層体の
    上面に弾性表面波フィルタを搭載したことを特徴とする
    請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  19. 【請求項19】 積層体に中空層を設けたことを特徴と
    する請求項18記載の高周波複合スイッチモジュール。
  20. 【請求項20】 中空層に樹脂を充填したことを特徴と
    する請求項19記載の高周波複合スイッチモジュール。
  21. 【請求項21】 積層体上面のICチップと弾性表面波
    フィルタの間に溝を設けたことを特徴とする請求項1記
    載の高周波複合スイッチモジュール。
  22. 【請求項22】 2つの異なる通信システムに対応可能
    な高周波複合スイッチモジュールであって、2つの通信
    システムでそれぞれ用いられる第1の通信帯域と第2の
    通信帯域を分離するための分波回路と、前記第1および
    第2の通信帯域に対応するそれぞれの送信側に、第1お
    よび第2の整合回路と第1および第2のインピーダンス
    変換回路とからなり受信時にそれぞれの受信帯域のイン
    ピーダンスを変換するための第1および第2の送信側イ
    ンピーダンス変換手段と、第1および第2の送信信号を
    所定値まで増幅するための第1および第2の増幅手段
    と、前記第1および第2の増幅手段に電源を供給するた
    めの第1および第2の電源供給手段とを有し、前記第1
    および第2の通信帯域に対応するそれぞれの受信側に、
    第1および第2の移相線路と第1および第2の弾性表面
    波フィルタとからなり送信時にそれぞれの送信帯域のイ
    ンピーダンスを変換するための第1および第2の受信側
    インピーダンス変換手段を有し、前記第1および第2の
    増幅手段および前記第1および第2の送信側インピーダ
    ンス変換手段の前記第1および第2のインピーダンス変
    換回路をそれぞれ第1および第2のICチップ内に形成
    するとともに、少なくとも前記第1および第2の整合回
    路、前記第1および第2の電源供給手段および前記第1
    および第2の移相線路を電極パターンと誘電体層とから
    なる積層体内に同一に形成し、前記積層体上に少なくと
    も前記第1および第2のICチップおよび前記第1およ
    び第2の弾性表面波フィルタを搭載したことを特徴とす
    る高周波複合スイッチモジュール。
  23. 【請求項23】 第1の帯域で動作する高周波複合スイ
    ッチモジュールのICチップと第2の帯域で動作する高
    周波複合スイッチモジュールのICチップを1つのIC
    チップで構成したことを特徴とする請求項22記載の高
    周波複合スイッチモジュール。
  24. 【請求項24】 第1の帯域で動作する高周波複合スイ
    ッチモジュールの弾性表面波フィルタと第2の帯域で動
    作する高周波複合スイッチモジュールの弾性表面波フィ
    ルタを一つの弾性表面波フィルタで構成したことを特徴
    とする請求項22記載の高周波複合スイッチモジュー
    ル。
  25. 【請求項25】 分波回路を構成する並列コンデンサの
    少なくとも一つをバリスタとしたことを特徴とする請求
    項22記載の高周波複合スイッチモジュール。
  26. 【請求項26】 少なくとも2つの異なる通信システム
    の送受信系の信号を扱う移動体通信機器であって、少な
    くとも一つの通信システムの送受信の切替に請求項1な
    いし25に記載の高周波複合スイッチモジュールを用い
    たことを特徴とする移動体通信機器。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347962A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Kyocera Corp 高周波分波回路、高周波スイッチ回路、低域通過フィルタおよびそれらを具備する高周波部品
JP2009504040A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気素子
US8478334B2 (en) 2011-03-18 2013-07-02 Fujitsu Limited Wireless terminal device
KR20140117648A (ko) * 2012-01-30 2014-10-07 퀄컴 인코포레이티드 결합된 지향성 커플러 및 임피던스 매칭 회로
WO2023127386A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087150A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
DE10307426B4 (de) * 2003-02-21 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Senden und Empfangen von Funksignalen und Verwendung einer solchen, sowie Verfahren zur Frequenzumsetzung in einer Verstärkungseinrichtung
US6975271B2 (en) * 2003-02-26 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna switch module, all-in-one communication module, communication apparatus and method for manufacturing antenna switch module
US7049893B2 (en) 2003-04-14 2006-05-23 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for power amplifier control in a communication system
DE10340438B4 (de) * 2003-09-02 2005-08-04 Epcos Ag Sendemodul mit verbesserter Wärmeabführung
TW200520201A (en) * 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
KR100742326B1 (ko) * 2005-12-09 2007-07-26 삼성전자주식회사 Rfid 기능을 갖는 이동통신 단말기
WO2007102560A1 (ja) * 2006-03-08 2007-09-13 Kyocera Corporation 分波器および通信装置
US8081707B2 (en) * 2006-03-13 2011-12-20 Xg Technology, Inc. Carrier less modulator using saw filters
JP4637774B2 (ja) * 2006-03-17 2011-02-23 富士通株式会社 移動通信端末
US7782975B2 (en) * 2006-09-05 2010-08-24 Xg Technology, Inc. Pulse train carrier-less modulator using SAW filters
KR100822844B1 (ko) * 2006-11-14 2008-04-17 주식회사 네오펄스 능동형 무선 모듈
KR100921986B1 (ko) 2008-11-13 2009-10-14 (주)한솔이십일 핀다이오드를 이용한 슬로프 회로 및 그를 이용한 위성증폭기
JP2010245371A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Elpida Memory Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE112010001927B4 (de) * 2009-06-11 2018-02-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzschaltermodul
CN101655522B (zh) * 2009-06-25 2012-07-04 中兴通讯股份有限公司 实现电磁抗扰滤波器阻抗匹配的方法及相应的测量***
JP5648736B2 (ja) * 2011-03-02 2015-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN106165305B (zh) * 2014-02-19 2019-04-19 株式会社村田制作所 高频前端电路
JP6168243B2 (ja) * 2015-03-25 2017-07-26 株式会社村田製作所 移相器、インピーダンス整合回路、合分波器および通信端末装置
JP6504021B2 (ja) * 2015-11-04 2019-04-24 株式会社村田製作所 電子部品
JP6725059B2 (ja) * 2017-03-15 2020-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2020090230A1 (ja) * 2018-11-01 2020-05-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN109508311B (zh) * 2018-11-13 2022-09-23 维沃移动通信有限公司 信号处理电路、终端及信号处理方法
CN109560787A (zh) * 2018-12-19 2019-04-02 佛山臻智微芯科技有限公司 一个bit实现两种相移的反射型数字移相器
CN110798160A (zh) * 2019-10-18 2020-02-14 武汉大学 单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构及制备方法
JP2021145282A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
TWI756702B (zh) 2020-06-02 2022-03-01 立積電子股份有限公司 切換電路
EP3965303A4 (en) * 2020-07-16 2022-05-18 Fujikura, Ltd. WIRELESS COMMUNICATION MODULE

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3787739A (en) * 1972-12-29 1974-01-22 Microsystems Int Ltd Coupler circuit for telephone networks and the like
JP3260941B2 (ja) * 1993-06-18 2002-02-25 株式会社日立製作所 多層配線基板および多層配線基板の製造方法
JPH08237165A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Murata Mfg Co Ltd アンテナ共用器
JPH1032521A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Murata Mfg Co Ltd デュプレクサ
DE69722168T2 (de) * 1997-02-12 2003-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd Akustische Oberflächenwellenfilter mit erzeugten Dämpfungspolen durch Impedanzschaltungen
JPH11154804A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Hitachi Ltd 高周波回路装置
JPH11312987A (ja) * 1997-11-26 1999-11-09 Murata Mfg Co Ltd インピーダンス安定装置及びそれを用いた高周波モジュール
US6222426B1 (en) * 1998-06-09 2001-04-24 Oki Electric Industry, Co., Ltd. Branching filter with a composite circuit of an LC circuit and a serial arm saw resonator
JP3680794B2 (ja) * 1999-07-29 2005-08-10 Tdk株式会社 パワーアンプ内蔵型アイソレータ装置
JP3903456B2 (ja) 2000-01-28 2007-04-11 日立金属株式会社 マルチバンド用高周波スイッチモジュール
US6721544B1 (en) * 2000-11-09 2004-04-13 Intel Corporation Duplexer structure for coupling a transmitter and a receiver to a common antenna

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347962A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Kyocera Corp 高周波分波回路、高周波スイッチ回路、低域通過フィルタおよびそれらを具備する高周波部品
JP2009504040A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気素子
US8436248B2 (en) 2005-08-05 2013-05-07 Epcos Ag Electrical component
US8478334B2 (en) 2011-03-18 2013-07-02 Fujitsu Limited Wireless terminal device
KR20140117648A (ko) * 2012-01-30 2014-10-07 퀄컴 인코포레이티드 결합된 지향성 커플러 및 임피던스 매칭 회로
JP2015509339A (ja) * 2012-01-30 2015-03-26 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated 結合された方向性結合器及びインピーダンスマッチング回路
KR102006420B1 (ko) * 2012-01-30 2019-08-01 퀄컴 인코포레이티드 결합된 지향성 커플러 및 임피던스 매칭 회로
WO2023127386A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number Publication date
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